KR20040067397A - 반도체 발광 다이오드 제조 방법 - Google Patents
반도체 발광 다이오드 제조 방법 Download PDFInfo
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- 질화물 기판 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층, 제 1 오믹전극을 순차적으로 적층하고, 상기 제 1 오믹전극 상면에 금속을 증착하고 패터닝하여 p패드 전극을 형성하는 제 1 단계;상기 질화물 기판의 하면에 금속을 증착하고 단위 칩별로 패터닝하여 제 2 오믹전극을 형성하는 제 2 단계;상기 제 2 오믹전극의 하부에 반사막과 n패드 전극을 순차적으로 적층하는 제 3 단계;상기 질화물 기판부터 제 1 오믹전극까지 단위 칩별로 스크라이빙시켜 분리하는 제 4 단계로 이루어지는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 반사막은;금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 금속은;알루미늄(Al) 또는 금(Ag)인 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법.
- 질화물 기판 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층, 제 1 오믹전극을 순차적으로 적층하고, 상기 제 1 오믹전극 상면에 금속을 증착하고 패터닝하여 p패드 전극을 형성하는 제 1 단계;상기 질화물 기판의 하면에 금속을 증착하고 단위 칩별로 패터닝하여 제 2 오믹전극을 형성하는 제 2 단계;상기 제 2 오믹전극의 하면에 절연막을 증착하고, 상기 절연막의 일영역을 제거하여 상기 제 2 오믹전극의 일부를 노출시키는 제 3 단계;상기 절연막과 노출된 제 2 오믹전극의 상면에 금속을 증착하여 n패드 전극을 형성하는 제 4 단계;상기 질화물 기판부터 제 1 오믹전극까지 단위 칩별로 스크라이빙시켜 분리하는 제 5 단계로 이루어지는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 절연막은;HR 코팅(High Reflective coating)용 절연체로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 절연체는;TiO2, SiO2, Al2O3중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 발광 다이오드 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030004473A KR100945984B1 (ko) | 2003-01-23 | 2003-01-23 | 반도체 발광 다이오드 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030004473A KR100945984B1 (ko) | 2003-01-23 | 2003-01-23 | 반도체 발광 다이오드 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040067397A true KR20040067397A (ko) | 2004-07-30 |
KR100945984B1 KR100945984B1 (ko) | 2010-03-09 |
Family
ID=37356938
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030004473A KR100945984B1 (ko) | 2003-01-23 | 2003-01-23 | 반도체 발광 다이오드 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100945984B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100815226B1 (ko) * | 2006-10-23 | 2008-03-20 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법 |
US9484496B2 (en) | 2010-02-04 | 2016-11-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package and lighting system |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2755376B2 (ja) * | 1994-06-03 | 1998-05-20 | 株式会社フロンテック | 電気光学素子の製造方法 |
JP2001085741A (ja) | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 半導体素子および発光半導体素子 |
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JP3814151B2 (ja) | 2001-01-31 | 2006-08-23 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
-
2003
- 2003-01-23 KR KR1020030004473A patent/KR100945984B1/ko not_active IP Right Cessation
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US9484496B2 (en) | 2010-02-04 | 2016-11-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package and lighting system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100945984B1 (ko) | 2010-03-09 |
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