JP2002190620A - 窒化物半導体発光ダイオード - Google Patents
窒化物半導体発光ダイオードInfo
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- JP2002190620A JP2002190620A JP2000386324A JP2000386324A JP2002190620A JP 2002190620 A JP2002190620 A JP 2002190620A JP 2000386324 A JP2000386324 A JP 2000386324A JP 2000386324 A JP2000386324 A JP 2000386324A JP 2002190620 A JP2002190620 A JP 2002190620A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】結晶性、熱伝導性に優れ、ＬＥＤの出射光に対
して透明性を有するＳｉＣまたはＧａＮ等の半導体基板
を用いた窒化物半導体ＬＥＤにおいて、基板側に出射し
た光を効率良く反射させ、ＬＥＤの光取り出し効率を向
上させる。 【解決手段】半導体基板３上に設けた窒化物半導体ＬＥ
Ｄ構造４を有し、光取り出し側のｐ型電極５の直下の部
分の、光取り出し側と反対側の基板３裏面を、透明絶縁
層１と金属層のｎ型電極２との積層構造により被覆した
窒化物半導体ＬＥＤ。
して透明性を有するＳｉＣまたはＧａＮ等の半導体基板
を用いた窒化物半導体ＬＥＤにおいて、基板側に出射し
た光を効率良く反射させ、ＬＥＤの光取り出し効率を向
上させる。 【解決手段】半導体基板３上に設けた窒化物半導体ＬＥ
Ｄ構造４を有し、光取り出し側のｐ型電極５の直下の部
分の、光取り出し側と反対側の基板３裏面を、透明絶縁
層１と金属層のｎ型電極２との積層構造により被覆した
窒化物半導体ＬＥＤ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に設
けた窒化物半導体からなる発光層を有する窒化物半導体
発光ダイオードに関する。
けた窒化物半導体からなる発光層を有する窒化物半導体
発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光ダイオード（Light Emitting
Diode。以下、ＬＥＤと称する。）のうち、窒化物半導
体からなるＬＥＤは、これまで主としてサファイア基板
上に形成されてきた。
Diode。以下、ＬＥＤと称する。）のうち、窒化物半導
体からなるＬＥＤは、これまで主としてサファイア基板
上に形成されてきた。
【０００３】しかしながら、サファイア基板上では、高
温において窒化物からなる厚さ４μｍ程度以上の厚いバ
ッファ層を形成し、低温において結晶核を形成する場合
でも、転位密度が１０９〜１０１０ｃｍ−２という高い
密度の転位が発光層に存在するため、ＬＥＤの特性を向
上することは困難であった。
温において窒化物からなる厚さ４μｍ程度以上の厚いバ
ッファ層を形成し、低温において結晶核を形成する場合
でも、転位密度が１０９〜１０１０ｃｍ−２という高い
密度の転位が発光層に存在するため、ＬＥＤの特性を向
上することは困難であった。
【０００４】これに対して、ＳｉＣ（炭化珪素）基板上
に窒化物半導体層を形成する場合は、結晶格子の不一致
（すなわち、格子不整合）が３．４％と、サファイア基
板上に窒化物半導体層を形成した場合の約１３％に比較
して大変小さく、また、窒化物半導体層の主な成長方向
である６方晶のｃ軸方向に垂直な面において極性面を有
し、窒化物半導体層の成長初期における表面改質の不完
全性が無いことから、極めて薄い、言い換えれば極めて
高いスループットでより高品質な窒化物半導体層による
素子作製が可能となっている。例えば、短い成長時間で
厚さ０．５μｍ程度の薄いバッファ層を形成する場合で
も、転位密度が１０８ｃｍ−２程度と、高品質な成長が
可能である。
に窒化物半導体層を形成する場合は、結晶格子の不一致
（すなわち、格子不整合）が３．４％と、サファイア基
板上に窒化物半導体層を形成した場合の約１３％に比較
して大変小さく、また、窒化物半導体層の主な成長方向
である６方晶のｃ軸方向に垂直な面において極性面を有
し、窒化物半導体層の成長初期における表面改質の不完
全性が無いことから、極めて薄い、言い換えれば極めて
高いスループットでより高品質な窒化物半導体層による
素子作製が可能となっている。例えば、短い成長時間で
厚さ０．５μｍ程度の薄いバッファ層を形成する場合で
も、転位密度が１０８ｃｍ−２程度と、高品質な成長が
可能である。
【０００５】さらに、近年開発の進んでいるＧａＮ（窒
化ガリウム）基板を用いると、一層良好な結晶品質が得
られるとともに、ＳｉＣ基板で問題となる基板と窒化物
半導体層との熱膨張率差が生じないために、素子化の自
由度が著しく改善される。
化ガリウム）基板を用いると、一層良好な結晶品質が得
られるとともに、ＳｉＣ基板で問題となる基板と窒化物
半導体層との熱膨張率差が生じないために、素子化の自
由度が著しく改善される。
【０００６】これら、ＳｉＣ並びにＧａＮ基板において
は、サファイア基板と異なり、不純物のドーピングを施
すことにより、基板に導電性を与えることができること
から、ＬＥＤの一方の電極を基板の裏面に形成すること
ができるという特徴がある。
は、サファイア基板と異なり、不純物のドーピングを施
すことにより、基板に導電性を与えることができること
から、ＬＥＤの一方の電極を基板の裏面に形成すること
ができるという特徴がある。
【０００７】また、これらの基板はサファイア基板と比
較して熱伝導率が高く、青色ＬＥＤで問題となるモール
ド樹脂の劣化を抑制できる可能性がある。
較して熱伝導率が高く、青色ＬＥＤで問題となるモール
ド樹脂の劣化を抑制できる可能性がある。
【０００８】さらに、これらの基板では、不純物濃度を
必要最低限にしたり、基板を研磨したり、ＧａＮまたは
４Ｈ−ＳｉＣ基板を用いるなどにより、窒化物半導体Ｌ
ＥＤにおいて重要な青色発光に対し、比較的透明な基板
とすることが可能となる。したがって、発光層から基板
側に出射された光を反射させて取り出す可能性が生じ
る。
必要最低限にしたり、基板を研磨したり、ＧａＮまたは
４Ｈ−ＳｉＣ基板を用いるなどにより、窒化物半導体Ｌ
ＥＤにおいて重要な青色発光に対し、比較的透明な基板
とすることが可能となる。したがって、発光層から基板
側に出射された光を反射させて取り出す可能性が生じ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
は、基板の裏面から電極を取るために、オーミック性に
優れた金属、例えばＴｉ（チタン）等を基板裏面に蒸着
すると、半導体基板とオーミック金属との界面に生じる
準位により光吸収層が形成されてしまう。このため、発
光層から基板側に放出された光は、この界面で吸収さ
れ、外部に取り出すことができないという課題があっ
た。
は、基板の裏面から電極を取るために、オーミック性に
優れた金属、例えばＴｉ（チタン）等を基板裏面に蒸着
すると、半導体基板とオーミック金属との界面に生じる
準位により光吸収層が形成されてしまう。このため、発
光層から基板側に放出された光は、この界面で吸収さ
れ、外部に取り出すことができないという課題があっ
た。
【００１０】本発明の目的は、結晶性、熱伝導性に優
れ、ＬＥＤの出射光に対して透明性を有するＳｉＣまた
はＧａＮ等の半導体基板を用いた窒化物半導体ＬＥＤに
おいて、基板側に出射した光を効率良く反射させ、ＬＥ
Ｄの光取り出し効率を向上させることにある。
れ、ＬＥＤの出射光に対して透明性を有するＳｉＣまた
はＧａＮ等の半導体基板を用いた窒化物半導体ＬＥＤに
おいて、基板側に出射した光を効率良く反射させ、ＬＥ
Ｄの光取り出し効率を向上させることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、半導体基板上に設けた窒化物半導体から
なる発光層を有する窒化物半導体ＬＥＤにおいて、光取
り出し側の少なくとも電極直下の部分の、前記光取り出
し側と反対側の前記基板裏面を、透明絶縁層と金属層と
の積層構造により被覆したことを特徴とする。
に、本発明は、半導体基板上に設けた窒化物半導体から
なる発光層を有する窒化物半導体ＬＥＤにおいて、光取
り出し側の少なくとも電極直下の部分の、前記光取り出
し側と反対側の前記基板裏面を、透明絶縁層と金属層と
の積層構造により被覆したことを特徴とする。
【００１２】また、前記基板として窒化ガリウム基板ま
たは炭化珪素基板を用いることを特徴とする。
たは炭化珪素基板を用いることを特徴とする。
【００１３】本発明では、基板裏面を透明絶縁層と金属
層（基板裏面側電極）との積層構造で被覆することによ
り、従来、半導体基板と基板裏面側電極との間で生じた
光吸収を低減することができ、ＬＥＤの光取り出し効率
を向上させることができる。
層（基板裏面側電極）との積層構造で被覆することによ
り、従来、半導体基板と基板裏面側電極との間で生じた
光吸収を低減することができ、ＬＥＤの光取り出し効率
を向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
【００１５】実施の形態１ 図１は、本発明の実施の形態１のＬＥＤの構造を示す側
面図である。
面図である。
【００１６】３はｎ型ＳｉＣからなる半導体基板、４は
窒化物半導体からなるＬＥＤ構造、５は厚さ１０ｎｍの
ニッケルまたはニッケルが酸化したほぼ透明または半透
明オーミックｐ型電極、１は透明絶縁膜、２は厚さ２０
ｎｍのチタンからなるオーミックｎ型電極、６ａは厚さ
２００ｎｍの金からなるボンディング用ｐ型電極、６ｂ
は厚さ２００ｎｍの金からなるｎ型電極である。
窒化物半導体からなるＬＥＤ構造、５は厚さ１０ｎｍの
ニッケルまたはニッケルが酸化したほぼ透明または半透
明オーミックｐ型電極、１は透明絶縁膜、２は厚さ２０
ｎｍのチタンからなるオーミックｎ型電極、６ａは厚さ
２００ｎｍの金からなるボンディング用ｐ型電極、６ｂ
は厚さ２００ｎｍの金からなるｎ型電極である。
【００１７】すなわち、厚さ２５０μｍ、ドーピング濃
度１０１８ｃｍ−３のｎ型６Ｈ−ＳｉＣからなる基板３
を有機溶剤並びにフッ酸で洗浄した後、有機金属気相成
長法によりＩｎＧａＮ層を発光層（図示省略）とするＬ
ＥＤ構造４を作製する。バッファ層（図示省略）にはｎ
型のＡｌＧａＮ混晶層を用い、これにより基板３との電
気伝導性が確保できる。
度１０１８ｃｍ−３のｎ型６Ｈ−ＳｉＣからなる基板３
を有機溶剤並びにフッ酸で洗浄した後、有機金属気相成
長法によりＩｎＧａＮ層を発光層（図示省略）とするＬ
ＥＤ構造４を作製する。バッファ層（図示省略）にはｎ
型のＡｌＧａＮ混晶層を用い、これにより基板３との電
気伝導性が確保できる。
【００１８】基板３の上面に厚さ１０ｎｍのニッケル層
を蒸着し、フォトリソグラフィー・プロセスを用いてお
よそ２５０μｍ角のニッケルからなる透明なｐ型電極５
を形成する。その後、このｐ型電極５の上に、５０μｍ
角の金からなるボンディング用ｐ型電極（パッド電極）
６ａを設ける。
を蒸着し、フォトリソグラフィー・プロセスを用いてお
よそ２５０μｍ角のニッケルからなる透明なｐ型電極５
を形成する。その後、このｐ型電極５の上に、５０μｍ
角の金からなるボンディング用ｐ型電極（パッド電極）
６ａを設ける。
【００１９】その後、この基板３のｐ型電極５を形成し
た方の上面にガラス板を貼り付け、裏面を研磨し、基板
３の厚さを７０μｍと薄くしたところ、基板３の色は薄
緑色からほとんど透明な色に変わった。
た方の上面にガラス板を貼り付け、裏面を研磨し、基板
３の厚さを７０μｍと薄くしたところ、基板３の色は薄
緑色からほとんど透明な色に変わった。
【００２０】この基板３を洗浄した後、その裏面にＳｉ
Ｏ２膜を厚さ１００ｎｍ程度形成する。その後、フォト
リソグラフィー・プロセスを用い、ｐ型電極５の直下の
部分を中心におよそ３５０μｍ角のＳｉＯ２膜のパター
ンを形成するように、それ以外のＳｉＯ２膜を除去し、
ＳｉＯ２からなる透明絶縁膜１を形成する。
Ｏ２膜を厚さ１００ｎｍ程度形成する。その後、フォト
リソグラフィー・プロセスを用い、ｐ型電極５の直下の
部分を中心におよそ３５０μｍ角のＳｉＯ２膜のパター
ンを形成するように、それ以外のＳｉＯ２膜を除去し、
ＳｉＯ２からなる透明絶縁膜１を形成する。
【００２１】その後、透明絶縁膜１を形成した側の基板
３の裏面上にＴｉを厚さ２０ｎｍ蒸着し、反射膜（ミラ
ー）としても機能するｎ型電極２を形成し、その上にＡ
ｕを厚さ２００ｎｍ蒸着して、ｎ型電極６ｂを形成す
る。
３の裏面上にＴｉを厚さ２０ｎｍ蒸着し、反射膜（ミラ
ー）としても機能するｎ型電極２を形成し、その上にＡ
ｕを厚さ２００ｎｍ蒸着して、ｎ型電極６ｂを形成す
る。
【００２２】ここで、このＬＥＤをｐ型電極５を設けた
上面側から見ると、ＳｉＯ２透明絶縁膜１の無い部分の
オーミック接触したｎ型電極２の部分は黒い色をしてい
る。すなわち、この部分は光を吸収するが、ＳｉＯ２透
明絶縁膜１を設けた部分では、青みがかった銀色の光沢
をもった鏡が形成される。
上面側から見ると、ＳｉＯ２透明絶縁膜１の無い部分の
オーミック接触したｎ型電極２の部分は黒い色をしてい
る。すなわち、この部分は光を吸収するが、ＳｉＯ２透
明絶縁膜１を設けた部分では、青みがかった銀色の光沢
をもった鏡が形成される。
【００２３】基板３の裏面の上記ｎ型電極２、ｎ型電極
６ｂを形成した後、上記ガラス板を取り除く。このＬＥ
Ｄにｐ型電極６ａ、ｎ型電極６ｂから通電すると、ＬＥ
Ｄ構造４の発光層において電子と正孔とが再結合し、光
が放出される。ＳｉＯ２透明絶縁膜１を設けた本実施の
形態１のＬＥＤでは、ＳｉＯ２透明絶縁膜１を設けない
ＬＥＤと比較して素子抵抗がやや高くなったが、光取り
出し効率が約５０％改善された。
６ｂを形成した後、上記ガラス板を取り除く。このＬＥ
Ｄにｐ型電極６ａ、ｎ型電極６ｂから通電すると、ＬＥ
Ｄ構造４の発光層において電子と正孔とが再結合し、光
が放出される。ＳｉＯ２透明絶縁膜１を設けた本実施の
形態１のＬＥＤでは、ＳｉＯ２透明絶縁膜１を設けない
ＬＥＤと比較して素子抵抗がやや高くなったが、光取り
出し効率が約５０％改善された。
【００２４】実施の形態２ 本実施の形態２では、本発明を４Ｈ−ＳｉＣ基板上の窒
化物半導体ＬＥＤに適用した例である。素子構造は、図
１に示したのと同様である。
化物半導体ＬＥＤに適用した例である。素子構造は、図
１に示したのと同様である。
【００２５】３はｎ型ＳｉＣからなる半導体基板、４は
窒化物半導体からなるＬＥＤ構造、５は厚さ１０ｎｍの
ニッケルまたはニッケルが酸化したほぼ透明または半透
明オーミックｐ型電極、１は透明絶縁膜、２は厚さ２０
ｎｍのチタンからなるオーミックｎ型電極、６ａは厚さ
２００ｎｍの金からなるボンディング用ｐ型電極、６ｂ
は厚さ２００ｎｍの金からなるｎ型電極である。
窒化物半導体からなるＬＥＤ構造、５は厚さ１０ｎｍの
ニッケルまたはニッケルが酸化したほぼ透明または半透
明オーミックｐ型電極、１は透明絶縁膜、２は厚さ２０
ｎｍのチタンからなるオーミックｎ型電極、６ａは厚さ
２００ｎｍの金からなるボンディング用ｐ型電極、６ｂ
は厚さ２００ｎｍの金からなるｎ型電極である。
【００２６】すなわち、厚さ２５０μｍ、ドーピング濃
度１０１８ｃｍ−３のｎ型４Ｈ−ＳｉＣからなる基板３
を有機溶剤並びにフッ酸で洗浄した後、有機金属気相成
長法によりＩｎＧａＮ層を発光層（図示省略）とするＬ
ＥＤ構造４を作製する。バッファ層（図示省略）にはｎ
型のＡｌＧａＮ混晶層を用い、これにより基板３との電
気伝導性が確保できる。
度１０１８ｃｍ−３のｎ型４Ｈ−ＳｉＣからなる基板３
を有機溶剤並びにフッ酸で洗浄した後、有機金属気相成
長法によりＩｎＧａＮ層を発光層（図示省略）とするＬ
ＥＤ構造４を作製する。バッファ層（図示省略）にはｎ
型のＡｌＧａＮ混晶層を用い、これにより基板３との電
気伝導性が確保できる。
【００２７】基板３の上面に厚さ１０ｎｍのニッケル層
を蒸着し、フォトリソグラフィー・プロセスを用いてお
よそ２５０μｍ角のニッケルからなる透明なｐ型電極５
を形成する。その後、このｐ型電極５の上に、５０μｍ
角の金からなるボンディング用ｐ型電極６ａを設ける。
を蒸着し、フォトリソグラフィー・プロセスを用いてお
よそ２５０μｍ角のニッケルからなる透明なｐ型電極５
を形成する。その後、このｐ型電極５の上に、５０μｍ
角の金からなるボンディング用ｐ型電極６ａを設ける。
【００２８】その後、この基板３のｐ型電極５を形成し
た方の上面にガラス板を貼り付け、裏面を研磨し、基板
３の厚さを１００μｍと薄くする。４Ｈ−ＳｉＣ基板は
６Ｈ−ＳｉＣ基板に比較して透明性が良いので、厚さ１
００μｍ程度でも透明な基板となった。
た方の上面にガラス板を貼り付け、裏面を研磨し、基板
３の厚さを１００μｍと薄くする。４Ｈ−ＳｉＣ基板は
６Ｈ−ＳｉＣ基板に比較して透明性が良いので、厚さ１
００μｍ程度でも透明な基板となった。
【００２９】この基板３を洗浄した後、その裏面にＳｉ
Ｏ２膜を厚さ１００ｎｍ程度形成する。その後、フォト
リソグラフィー・プロセスを用い、ｐ型電極５の直下の
部分を中心におよそ３５０μｍ角のＳｉＯ２膜のパター
ンを形成するように、それ以外のＳｉＯ２膜を除去し、
ＳｉＯ２からなる透明絶縁膜１を形成する。
Ｏ２膜を厚さ１００ｎｍ程度形成する。その後、フォト
リソグラフィー・プロセスを用い、ｐ型電極５の直下の
部分を中心におよそ３５０μｍ角のＳｉＯ２膜のパター
ンを形成するように、それ以外のＳｉＯ２膜を除去し、
ＳｉＯ２からなる透明絶縁膜１を形成する。
【００３０】その後、透明絶縁膜１を形成した側の基板
３の裏面上にＴｉを厚さ２０ｎｍ蒸着し、反射膜（ミラ
ー）としても機能するｎ型電極２を形成し、その上にＡ
ｕを厚さ２００ｎｍ蒸着して、ｎ型電極６ｂを形成す
る。
３の裏面上にＴｉを厚さ２０ｎｍ蒸着し、反射膜（ミラ
ー）としても機能するｎ型電極２を形成し、その上にＡ
ｕを厚さ２００ｎｍ蒸着して、ｎ型電極６ｂを形成す
る。
【００３１】ここで、このＬＥＤをｐ型電極５を設けた
上面側から見ると、ＳｉＯ２透明絶縁膜１の無い部分の
オーミック接触したｎ型電極２の部分は黒い色をしてい
る。すなわち、この部分は光を吸収するが、ＳｉＯ２透
明絶縁膜１を設けた部分では、青みがかった銀色の光沢
をもった鏡が形成される。
上面側から見ると、ＳｉＯ２透明絶縁膜１の無い部分の
オーミック接触したｎ型電極２の部分は黒い色をしてい
る。すなわち、この部分は光を吸収するが、ＳｉＯ２透
明絶縁膜１を設けた部分では、青みがかった銀色の光沢
をもった鏡が形成される。
【００３２】基板３の裏面の上記ｎ型電極２、ｎ型電極
６ｂを形成した後、上記ガラス板を取り除く。このＬＥ
Ｄにｐ型電極６ａ、ｎ型電極６ｂから通電すると、ＬＥ
Ｄ構造４の発光層において電子と正孔とが再結合し、光
が放出される。４Ｈ−ＳｉＣ基板は導電性が良く、比較
的厚い基板でよいので、ＳｉＯ２透明絶縁膜１を設けた
本実施の形態２のＬＥＤでは、ＳｉＯ２透明絶縁膜１を
設けないＬＥＤと同等の素子抵抗で、光取り出し効率が
約５０％改善された。
６ｂを形成した後、上記ガラス板を取り除く。このＬＥ
Ｄにｐ型電極６ａ、ｎ型電極６ｂから通電すると、ＬＥ
Ｄ構造４の発光層において電子と正孔とが再結合し、光
が放出される。４Ｈ−ＳｉＣ基板は導電性が良く、比較
的厚い基板でよいので、ＳｉＯ２透明絶縁膜１を設けた
本実施の形態２のＬＥＤでは、ＳｉＯ２透明絶縁膜１を
設けないＬＥＤと同等の素子抵抗で、光取り出し効率が
約５０％改善された。
【００３３】実施の形態３ 本実施の形態３では、本発明をＧａＮ基板上の窒化物半
導体ＬＥＤに適用した例である。素子構造は、図１に示
したのと同様である。
導体ＬＥＤに適用した例である。素子構造は、図１に示
したのと同様である。
【００３４】３はｎ型ＧａＮからなる半導体基板、４は
窒化物半導体からなるＬＥＤ構造、５は厚さ１０ｎｍの
ニッケルまたはニッケルが酸化したほぼ透明または半透
明オーミックｐ型電極、１は透明絶縁膜、２は厚さ２０
ｎｍのアルミニウムからなるオーミックｎ型電極、６ａ
は厚さ２００ｎｍの金からなるボンディング用ｐ型電
極、６ｂは厚さ２００ｎｍの金からなるｎ型電極であ
る。
窒化物半導体からなるＬＥＤ構造、５は厚さ１０ｎｍの
ニッケルまたはニッケルが酸化したほぼ透明または半透
明オーミックｐ型電極、１は透明絶縁膜、２は厚さ２０
ｎｍのアルミニウムからなるオーミックｎ型電極、６ａ
は厚さ２００ｎｍの金からなるボンディング用ｐ型電
極、６ｂは厚さ２００ｎｍの金からなるｎ型電極であ
る。
【００３５】すなわち、厚さ４００μｍ、ドーピング濃
度５×１０１８ｃｍ−３のｎ型ＧａＮからなる基板３を
有機溶剤並びに塩酸で洗浄した後、有機金属気相成長法
によりＩｎＧａＮ層を発光層（図示省略）とするＬＥＤ
構造４を作製する。バッファ層（図示省略）にはｎ型の
ＧａＮ層を用い、これにより基板３との電気伝導性が確
保できる。
度５×１０１８ｃｍ−３のｎ型ＧａＮからなる基板３を
有機溶剤並びに塩酸で洗浄した後、有機金属気相成長法
によりＩｎＧａＮ層を発光層（図示省略）とするＬＥＤ
構造４を作製する。バッファ層（図示省略）にはｎ型の
ＧａＮ層を用い、これにより基板３との電気伝導性が確
保できる。
【００３６】基板３の上面に厚さ１０ｎｍのニッケル層
を蒸着し、フォトリソグラフィー・プロセスを用いてお
よそ２５０μｍ角のニッケルからなる透明なｐ型電極５
を形成する。その後、このｐ型電極５の上に、５０μｍ
角の金からなるボンディング用ｐ型電極６ａを設ける。
を蒸着し、フォトリソグラフィー・プロセスを用いてお
よそ２５０μｍ角のニッケルからなる透明なｐ型電極５
を形成する。その後、このｐ型電極５の上に、５０μｍ
角の金からなるボンディング用ｐ型電極６ａを設ける。
【００３７】ＧａＮ基板は４Ｈ−ＳｉＣ基板や６Ｈ−Ｓ
ｉＣ基板に比較してバンドギャップが大きく、透明性が
大変良いので、厚さ４００μｍ野間までも透明な基板で
ある。したがって、実施の形態１、２のように基板３の
研磨は行なわない。
ｉＣ基板に比較してバンドギャップが大きく、透明性が
大変良いので、厚さ４００μｍ野間までも透明な基板で
ある。したがって、実施の形態１、２のように基板３の
研磨は行なわない。
【００３８】この基板３を洗浄した後、その裏面にＳｉ
Ｏ２膜を厚さ１００ｎｍ程度形成する。その後、フォト
リソグラフィー・プロセスを用い、ｐ型電極５の直下の
部分を中心におよそ３５０μｍ角のＳｉＯ２膜のパター
ンを形成するように、それ以外のＳｉＯ２膜を除去し、
ＳｉＯ２からなる透明絶縁膜１を形成する。
Ｏ２膜を厚さ１００ｎｍ程度形成する。その後、フォト
リソグラフィー・プロセスを用い、ｐ型電極５の直下の
部分を中心におよそ３５０μｍ角のＳｉＯ２膜のパター
ンを形成するように、それ以外のＳｉＯ２膜を除去し、
ＳｉＯ２からなる透明絶縁膜１を形成する。
【００３９】その後、透明絶縁膜１を形成した側の基板
３の裏面上にＡｌを厚さ２０ｎｍ蒸着し、反射膜（ミラ
ー）としても機能するｎ型電極２を形成し、その上にＡ
ｕを厚さ２００ｎｍ蒸着して、ｎ型電極６ｂを形成す
る。
３の裏面上にＡｌを厚さ２０ｎｍ蒸着し、反射膜（ミラ
ー）としても機能するｎ型電極２を形成し、その上にＡ
ｕを厚さ２００ｎｍ蒸着して、ｎ型電極６ｂを形成す
る。
【００４０】ここで、このＬＥＤをｐ型電極５を設けた
上面側から見ると、ＳｉＯ２透明絶縁膜１の無い部分の
オーミック接触したｎ型電極２の部分は黒い色をしてい
る。すなわち、この部分は光を吸収するが、ＳｉＯ２透
明絶縁膜１を設けた部分では、青みがかった銀色の光沢
をもった鏡が形成される。
上面側から見ると、ＳｉＯ２透明絶縁膜１の無い部分の
オーミック接触したｎ型電極２の部分は黒い色をしてい
る。すなわち、この部分は光を吸収するが、ＳｉＯ２透
明絶縁膜１を設けた部分では、青みがかった銀色の光沢
をもった鏡が形成される。
【００４１】このＬＥＤにｐ型電極６ａ、ｎ型電極６ｂ
から通電すると、ＬＥＤ構造４の発光層において電子と
正孔とが再結合し、光が放出される。ＧａＮ基板は導電
性が良く、比較的厚い基板でよいので、ＳｉＯ２透明絶
縁膜１を設けた本実施の形態３のＬＥＤでは、ＳｉＯ２
透明絶縁膜１を設けないＬＥＤと同等の素子抵抗で、光
取り出し効率が約５０％改善された。
から通電すると、ＬＥＤ構造４の発光層において電子と
正孔とが再結合し、光が放出される。ＧａＮ基板は導電
性が良く、比較的厚い基板でよいので、ＳｉＯ２透明絶
縁膜１を設けた本実施の形態３のＬＥＤでは、ＳｉＯ２
透明絶縁膜１を設けないＬＥＤと同等の素子抵抗で、光
取り出し効率が約５０％改善された。
【００４２】実施の形態４ 本実施の形態３では、本発明をＧａＮ基板上の窒化物半
導体ＬＥＤに適用した例である。
導体ＬＥＤに適用した例である。
【００４３】図２は、本発明の実施の形態４のＬＥＤの
構造を示す側面図である。
構造を示す側面図である。
【００４４】３はｎ型ＧａＮからなる半導体基板、４は
窒化物半導体からなるＬＥＤ構造、５は厚さ１０ｎｍの
ニッケルまたはニッケルが酸化したほぼ透明または半透
明オーミックｐ型電極、１は透明絶縁膜、２は厚さ２０
ｎｍのアルミニウムからなるオーミックｎ型電極、６ａ
は厚さ２００ｎｍの金からなるボンディング用ｐ型電
極、６ｂは厚さ２００ｎｍの金からなるｎ型電極であ
る。
窒化物半導体からなるＬＥＤ構造、５は厚さ１０ｎｍの
ニッケルまたはニッケルが酸化したほぼ透明または半透
明オーミックｐ型電極、１は透明絶縁膜、２は厚さ２０
ｎｍのアルミニウムからなるオーミックｎ型電極、６ａ
は厚さ２００ｎｍの金からなるボンディング用ｐ型電
極、６ｂは厚さ２００ｎｍの金からなるｎ型電極であ
る。
【００４５】すなわち、厚さ４００μｍ、ドーピング濃
度５×１０１８ｃｍ−３のｎ型ＧａＮからなる基板３を
有機溶剤並びに塩酸で洗浄した後、有機金属気相成長法
によりＩｎＧａＮ層を発光層（図示省略）とするＬＥＤ
構造４を作製する。バッファ層（図示省略）にはｎ型の
ＧａＮ層を用い、これにより基板３との電気伝導性が確
保できる。
度５×１０１８ｃｍ−３のｎ型ＧａＮからなる基板３を
有機溶剤並びに塩酸で洗浄した後、有機金属気相成長法
によりＩｎＧａＮ層を発光層（図示省略）とするＬＥＤ
構造４を作製する。バッファ層（図示省略）にはｎ型の
ＧａＮ層を用い、これにより基板３との電気伝導性が確
保できる。
【００４６】基板３の上面に厚さ１０ｎｍのニッケル層
を蒸着し、フォトリソグラフィー・プロセスを用いてお
よそ２５０μｍ角のニッケルからなる透明なｐ型電極５
を形成する。その後、このｐ型電極５の上に、５０μｍ
角の金からなるボンディング用ｐ型電極６ａを設ける。
を蒸着し、フォトリソグラフィー・プロセスを用いてお
よそ２５０μｍ角のニッケルからなる透明なｐ型電極５
を形成する。その後、このｐ型電極５の上に、５０μｍ
角の金からなるボンディング用ｐ型電極６ａを設ける。
【００４７】ＧａＮ基板は４Ｈ−ＳｉＣ基板や６Ｈ−Ｓ
ｉＣ基板に比較してバンドギャップが大きく、透明性が
大変良いので、厚さ４００μｍ野間までも透明な基板で
ある。したがって、実施の形態１、２のように基板３の
研磨は行なわない。
ｉＣ基板に比較してバンドギャップが大きく、透明性が
大変良いので、厚さ４００μｍ野間までも透明な基板で
ある。したがって、実施の形態１、２のように基板３の
研磨は行なわない。
【００４８】この基板３を洗浄した後、その裏面のｐ型
電極５の直下の部分にシリコン樹脂膜（例えば東京応化
製ＯＣＤ）を滴下する。その後、このシリコン樹脂膜を
３５０℃で４時間加熱してドーム状に焼き固め、ＳｉＯ
２膜からなる透明絶縁膜１を形成する。その大きさはｐ
型電極５の直下の部分を中心におよそ直径３５０μｍで
ある。
電極５の直下の部分にシリコン樹脂膜（例えば東京応化
製ＯＣＤ）を滴下する。その後、このシリコン樹脂膜を
３５０℃で４時間加熱してドーム状に焼き固め、ＳｉＯ
２膜からなる透明絶縁膜１を形成する。その大きさはｐ
型電極５の直下の部分を中心におよそ直径３５０μｍで
ある。
【００４９】その後、透明絶縁膜１を形成した側の基板
３の裏面上にＡｌを厚さ２０ｎｍ蒸着し、反射膜（ミラ
ー）としても機能するｎ型電極２を形成し、その上にＡ
ｕを厚さ２００ｎｍ蒸着して、ｎ型電極６ｂを形成す
る。
３の裏面上にＡｌを厚さ２０ｎｍ蒸着し、反射膜（ミラ
ー）としても機能するｎ型電極２を形成し、その上にＡ
ｕを厚さ２００ｎｍ蒸着して、ｎ型電極６ｂを形成す
る。
【００５０】ここで、このＬＥＤをｐ型電極５を設けた
上面側から見ると、ＳｉＯ２透明絶縁膜１の無い部分の
オーミック接触したｎ型電極２の部分は黒い色をしてい
る。すなわち、この部分は光を吸収するが、ＳｉＯ２透
明絶縁膜１を設けた部分では、干渉色を有する鏡が形成
される。
上面側から見ると、ＳｉＯ２透明絶縁膜１の無い部分の
オーミック接触したｎ型電極２の部分は黒い色をしてい
る。すなわち、この部分は光を吸収するが、ＳｉＯ２透
明絶縁膜１を設けた部分では、干渉色を有する鏡が形成
される。
【００５１】このＬＥＤにｐ型電極６ａ、ｎ型電極６ｂ
から通電すると、ＬＥＤ構造４の発光層において電子と
正孔とが再結合し、光が放出される。ＧａＮ基板は導電
性が良く、比較的厚い基板でよいので、ＳｉＯ２透明絶
縁膜１を設けた本実施の形態４のＬＥＤでは、ＳｉＯ２
透明絶縁膜１を設けないＬＥＤと同等の素子抵抗で、光
取り出し効率が約６０％改善された。この理由は、基板
３の裏面のＳｉＯ２透明絶縁膜１をドーム状に形成して
球面ミラーを形成したことにより、エスケープコーン
（escape-cone）の外側で本来出射できない角度の光も
取り出すことができるためである。
から通電すると、ＬＥＤ構造４の発光層において電子と
正孔とが再結合し、光が放出される。ＧａＮ基板は導電
性が良く、比較的厚い基板でよいので、ＳｉＯ２透明絶
縁膜１を設けた本実施の形態４のＬＥＤでは、ＳｉＯ２
透明絶縁膜１を設けないＬＥＤと同等の素子抵抗で、光
取り出し効率が約６０％改善された。この理由は、基板
３の裏面のＳｉＯ２透明絶縁膜１をドーム状に形成して
球面ミラーを形成したことにより、エスケープコーン
（escape-cone）の外側で本来出射できない角度の光も
取り出すことができるためである。
【００５２】実施の形態５ 本実施の形態５では、本発明を櫛型パターンのｐ型電極
を有する窒化物半導体ＬＥＤに適用した例である。
を有する窒化物半導体ＬＥＤに適用した例である。
【００５３】図３（ａ）は、本発明の実施の形態５のＬ
ＥＤの構造を示す上面図、（ｂ）は側面図である。
ＥＤの構造を示す上面図、（ｂ）は側面図である。
【００５４】３はｎ型ＳｉＣからなる半導体基板、４は
窒化物半導体からなるＬＥＤ構造、５は厚さ１０ｎｍの
ニッケルまたはニッケルが酸化したほぼ透明または半透
明オーミックｐ型電極、１は透明絶縁膜、２は厚さ２０
ｎｍのチタンからなるオーミックｎ型電極、６ａは厚さ
２００ｎｍの金からなるボンディング用ｐ型電極、６ｂ
は厚さ２００ｎｍの金からなるｎ型電極である。
窒化物半導体からなるＬＥＤ構造、５は厚さ１０ｎｍの
ニッケルまたはニッケルが酸化したほぼ透明または半透
明オーミックｐ型電極、１は透明絶縁膜、２は厚さ２０
ｎｍのチタンからなるオーミックｎ型電極、６ａは厚さ
２００ｎｍの金からなるボンディング用ｐ型電極、６ｂ
は厚さ２００ｎｍの金からなるｎ型電極である。
【００５５】すなわち、厚さ２５０μｍ、ドーピング濃
度１０１８ｃｍ−３のｎ型６Ｈ−ＳｉＣからなる基板３
を有機溶剤並びにフッ酸で洗浄した後、有機金属気相成
長法によりＩｎＧａＮ層を発光層（図示省略）とするＬ
ＥＤ構造４を作製する。バッファ層（図示省略）にはｎ
型のＡｌＧａＮ混晶層を用い、これにより基板３との電
気伝導性が確保できる。
度１０１８ｃｍ−３のｎ型６Ｈ−ＳｉＣからなる基板３
を有機溶剤並びにフッ酸で洗浄した後、有機金属気相成
長法によりＩｎＧａＮ層を発光層（図示省略）とするＬ
ＥＤ構造４を作製する。バッファ層（図示省略）にはｎ
型のＡｌＧａＮ混晶層を用い、これにより基板３との電
気伝導性が確保できる。
【００５６】基板３の上面に厚さ１０ｎｍのニッケル層
を蒸着し、フォトリソグラフィー・プロセスを用いてお
よそ３００μｍ角の領域に図３（ａ）に示すように例え
ば７本のストライプ状のニッケル層が連結された櫛型の
ほぼ透明なｐ型電極５を形成する。その後、このｐ型電
極５の上に、５０μｍ角の金からなるボンディング用ｐ
型電極６ａを設ける。
を蒸着し、フォトリソグラフィー・プロセスを用いてお
よそ３００μｍ角の領域に図３（ａ）に示すように例え
ば７本のストライプ状のニッケル層が連結された櫛型の
ほぼ透明なｐ型電極５を形成する。その後、このｐ型電
極５の上に、５０μｍ角の金からなるボンディング用ｐ
型電極６ａを設ける。
【００５７】その後、この基板３のｐ型電極５を形成し
た方の上面にガラス板を貼り付け、裏面を研磨し、基板
３の厚さを７０μｍと薄くしたところ、基板３の色は薄
緑色からほとんど透明な色に変わった。
た方の上面にガラス板を貼り付け、裏面を研磨し、基板
３の厚さを７０μｍと薄くしたところ、基板３の色は薄
緑色からほとんど透明な色に変わった。
【００５８】この基板３を洗浄した後、その裏面にＳｉ
Ｏ２膜を厚さ１００ｎｍ程度形成する。その後、フォト
リソグラフィー・プロセスを用い、ｐ型電極５の直下の
部分を中心におよそ３５０μｍ角のＳｉＯ２膜のパター
ンを形成するように、それ以外のＳｉＯ２膜を除去し、
ＳｉＯ２からなる透明絶縁膜１を形成する。
Ｏ２膜を厚さ１００ｎｍ程度形成する。その後、フォト
リソグラフィー・プロセスを用い、ｐ型電極５の直下の
部分を中心におよそ３５０μｍ角のＳｉＯ２膜のパター
ンを形成するように、それ以外のＳｉＯ２膜を除去し、
ＳｉＯ２からなる透明絶縁膜１を形成する。
【００５９】その後、透明絶縁膜１を形成した側の基板
３の裏面上にＴｉを厚さ２０ｎｍ蒸着し、反射膜（ミラ
ー）としても機能するｎ型電極２を形成し、その上にＡ
ｕを厚さ２００ｎｍ蒸着して、ｎ型電極６ｂを形成す
る。
３の裏面上にＴｉを厚さ２０ｎｍ蒸着し、反射膜（ミラ
ー）としても機能するｎ型電極２を形成し、その上にＡ
ｕを厚さ２００ｎｍ蒸着して、ｎ型電極６ｂを形成す
る。
【００６０】ここで、このＬＥＤをｐ型電極５を設けた
上面側から見ると、ＳｉＯ２透明絶縁膜１の無い部分の
オーミック接触したｎ型電極２の部分は黒い色をしてい
る。すなわち、この部分は光を吸収するが、ＳｉＯ２透
明絶縁膜１を設けた部分では、青みがかった銀色の光沢
をもった鏡が形成される。
上面側から見ると、ＳｉＯ２透明絶縁膜１の無い部分の
オーミック接触したｎ型電極２の部分は黒い色をしてい
る。すなわち、この部分は光を吸収するが、ＳｉＯ２透
明絶縁膜１を設けた部分では、青みがかった銀色の光沢
をもった鏡が形成される。
【００６１】基板３の裏面の上記ｎ型電極２、ｎ型電極
６ｂを形成した後、上記ガラス板を取り除く。このＬＥ
Ｄにｐ型電極６ａ、ｎ型電極６ｂから通電すると、ＬＥ
Ｄ構造４の発光層において電子と正孔とが再結合し、光
が放出される。ＳｉＯ２透明絶縁膜１を設けた本実施の
形態５のＬＥＤでは、ＳｉＯ２透明絶縁膜１を設けない
ＬＥＤと比較して素子抵抗がやや高くなったが、光取り
出し効率が約６０％改善された。実施の形態１のＬＥＤ
の光取り出し効率が５０％であるのと比較して、本実施
の形態５の光取り出し効率が６０％と高いのは、ほぼ透
明なｐ型電極５を櫛型に形成したからである。すなわ
ち、基板３の裏面の透明絶縁膜１とｎ型電極２との界面
で反射される発光のうち、オーミックｐ型電極５を櫛型
に形成したことにより、基板３とｐ型電極５との界面の
オーミック接触部での光吸収が低減するからである。
６ｂを形成した後、上記ガラス板を取り除く。このＬＥ
Ｄにｐ型電極６ａ、ｎ型電極６ｂから通電すると、ＬＥ
Ｄ構造４の発光層において電子と正孔とが再結合し、光
が放出される。ＳｉＯ２透明絶縁膜１を設けた本実施の
形態５のＬＥＤでは、ＳｉＯ２透明絶縁膜１を設けない
ＬＥＤと比較して素子抵抗がやや高くなったが、光取り
出し効率が約６０％改善された。実施の形態１のＬＥＤ
の光取り出し効率が５０％であるのと比較して、本実施
の形態５の光取り出し効率が６０％と高いのは、ほぼ透
明なｐ型電極５を櫛型に形成したからである。すなわ
ち、基板３の裏面の透明絶縁膜１とｎ型電極２との界面
で反射される発光のうち、オーミックｐ型電極５を櫛型
に形成したことにより、基板３とｐ型電極５との界面の
オーミック接触部での光吸収が低減するからである。
【００６２】以上のように、上記実施の形態１〜５で
は、半導体基板３上に設けた窒化物半導体からなる発光
層を有する窒化物半導体ＬＥＤにおいて、光取り出し側
のｐ型電極５の直下の部分の、光取り出し側と反対側の
基板３裏面を、透明絶縁層１と金属層のｎ型電極２との
積層構造により被覆した。この構成により、従来、半導
体基板３と基板裏面側ｎ型電極２との間で生じた光吸収
を低減できるので、ＬＥＤの光取り出し効率を向上させ
ることができる。
は、半導体基板３上に設けた窒化物半導体からなる発光
層を有する窒化物半導体ＬＥＤにおいて、光取り出し側
のｐ型電極５の直下の部分の、光取り出し側と反対側の
基板３裏面を、透明絶縁層１と金属層のｎ型電極２との
積層構造により被覆した。この構成により、従来、半導
体基板３と基板裏面側ｎ型電極２との間で生じた光吸収
を低減できるので、ＬＥＤの光取り出し効率を向上させ
ることができる。
【００６３】以上本発明を実施の形態に基づいて具体的
に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。例えば、上記実施の形
態では、説明のために簡単なＬＥＤ構造の例を示した
が、実際の光部品とする場合には、光の出射面側、すな
わち、ｐ型電極５側に樹脂をドーム状に形成することに
より、ＬＥＤの放出光がこのドーム表面で屈折をして方
向性に優れた発光を得ることが可能である。また、ＬＥ
Ｄの周囲に凹面鏡を有するフレームを用いることによ
り、ＬＥＤから横方向に出射した光を凹面鏡で上方向に
反射させ、より光取り出し効率の高いＬＥＤを実現する
ことが可能である。もちろん、ドーム状の樹脂と凹面鏡
を共用することにより、出射方向制御と光取り出し効率
に一層優れたＬＥＤを実現できることは言うまでもな
い。また、ＬＥＤチップをマウントする金属支持体の上
で樹脂を硬化させる場合もあるが、ディッピングにより
樹脂をモールドして金属支持体を樹脂で取り囲んだ構造
も適用できることは言うまでもない。また、紫外線発光
ＬＥＤを被覆する樹脂の中に、可視光を発する蛍光材料
を含ませたり、樹脂の下面、中間、上面に蛍光材料を含
む膜を形成して白色などより発光波長分布の広いＬＥＤ
を実現することも容易である。さらに、図３（ａ）に示
した実施の形態５の櫛型電極と同様に、オーミック接触
部での光吸収を低減する凹凸の多い電極構造が適用でき
ることは言うまでもない。
に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。例えば、上記実施の形
態では、説明のために簡単なＬＥＤ構造の例を示した
が、実際の光部品とする場合には、光の出射面側、すな
わち、ｐ型電極５側に樹脂をドーム状に形成することに
より、ＬＥＤの放出光がこのドーム表面で屈折をして方
向性に優れた発光を得ることが可能である。また、ＬＥ
Ｄの周囲に凹面鏡を有するフレームを用いることによ
り、ＬＥＤから横方向に出射した光を凹面鏡で上方向に
反射させ、より光取り出し効率の高いＬＥＤを実現する
ことが可能である。もちろん、ドーム状の樹脂と凹面鏡
を共用することにより、出射方向制御と光取り出し効率
に一層優れたＬＥＤを実現できることは言うまでもな
い。また、ＬＥＤチップをマウントする金属支持体の上
で樹脂を硬化させる場合もあるが、ディッピングにより
樹脂をモールドして金属支持体を樹脂で取り囲んだ構造
も適用できることは言うまでもない。また、紫外線発光
ＬＥＤを被覆する樹脂の中に、可視光を発する蛍光材料
を含ませたり、樹脂の下面、中間、上面に蛍光材料を含
む膜を形成して白色などより発光波長分布の広いＬＥＤ
を実現することも容易である。さらに、図３（ａ）に示
した実施の形態５の櫛型電極と同様に、オーミック接触
部での光吸収を低減する凹凸の多い電極構造が適用でき
ることは言うまでもない。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来、半導体基板と基板裏面側電極との間で生じた光吸
収を低減することができるので、光取り出し効率の優れ
たＬＥＤを実現することができる。
従来、半導体基板と基板裏面側電極との間で生じた光吸
収を低減することができるので、光取り出し効率の優れ
たＬＥＤを実現することができる。
【図１】本発明の実施の形態１〜３のＬＥＤの構造を示
す側面図である。
す側面図である。
【図２】本発明の実施の形態４のＬＥＤの構造を示す側
面図である。
面図である。
【図３】（ａ）は本発明の実施の形態５のＬＥＤの構造
を示す上面図、（ｂ）は側面図である。
を示す上面図、（ｂ）は側面図である。
１…透明絶縁膜、２…ｎ型電極、３…半導体基板、４…
窒化物半導体ＬＥＤ構造、５…ｐ型電極、６ａ…ｐ型電
極（パッド電極）、６ｂ…ｎ型電極。
窒化物半導体ＬＥＤ構造、５…ｐ型電極、６ａ…ｐ型電
極（パッド電極）、６ｂ…ｎ型電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 久夫 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA04 AA33 CA33 CA34 CA40 CA83 CA85 CA91 CA93
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に設けた窒化物半導体からな
る発光層を有する窒化物半導体発光ダイオードにおい
て、光取り出し側の少なくとも電極直下の部分の、前記
光取り出し側と反対側の前記基板裏面を、透明絶縁層と
金属層との積層構造により被覆したことを特徴とする窒
化物半導体発光ダイオード。 - 【請求項２】前記基板として窒化ガリウム基板または炭
化珪素基板を用いることを特徴とする請求項１記載の窒
化物半導体発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000386324A JP2002190620A (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 窒化物半導体発光ダイオード |
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|---|---|---|---|
| JP2000386324A JP2002190620A (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 窒化物半導体発光ダイオード |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190620A true JP2002190620A (ja) | 2002-07-05 |
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|---|---|---|---|
| JP2000386324A Pending JP2002190620A (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 窒化物半導体発光ダイオード |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002190620A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322922A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | オプトエレクトロニクス用半導体チップおよびその製造方法 |
| WO2006006556A1 (ja) * | 2004-07-12 | 2006-01-19 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
| JP2007067198A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光素子 |
| JP2009188422A (ja) * | 2009-04-14 | 2009-08-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR100945984B1 (ko) * | 2003-01-23 | 2010-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 다이오드 제조 방법 |
| US7982236B2 (en) * | 2007-02-01 | 2011-07-19 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
| JP2013162025A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
-
2000
- 2000-12-20 JP JP2000386324A patent/JP2002190620A/ja active Pending
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