JP2637852B2 - 半導体ウェハーのダイシング方法 - Google Patents

半導体ウェハーのダイシング方法

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NIPPON DENKI ENJINIARINGU KK
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハーのダイシ
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェハー（以下単にウェハ
ーという）のダイシングは、２組のスピンドルを有する
ダイシング装置により、２種類のブレードを使用して行
なわれていた。
【０００３】まず図２（ａ）に示すように、先行するス
ピンドルにセットされた幅厚ブレード５Ａにより、フラ
ットリングの粘着テープ２に貼付けてあるウェハー１
を、ウェハー厚みの約２／３程度の切り込み深さでハー
フカットを行なう。次に図２（ｂ）に示すように、後続
するスピンドル５Ｂにセットされた幅薄ブレード４Ｂに
より、ハーフカット切断面６の中心をウェハー厚以上の
切り込み深でフルカットを行なう。以下対象の切断線に
対し順次行い、ウェハー全面にわたるダイシングを行
う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のダイシ
ング方法では、使用するダイシング装置にスピンドルが
２組あるため、スピンドルの共振によりブレード先端部
のぶれ量が大きくなり、チッピングが発生し歩留りが低
下するという欠点がある。また使用するブレードが幅厚
と幅薄の２品種必要となる。このためスピンドルが１組
の装置に比べ装置価格が高価になるという問題点もあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハー
のダイシング方法は、切断実行幅より薄いブレードを使
用し、最初にウェハーの厚み約２／３程度の切り込み深
さの条件でウェハーの切断線をハーフカットし、次に切
断位置を少しづらし切断実行幅と同じ幅になるように前
記条件と同じ深さでハーフカットを行う工程と、次に前
工程でハーフカットされた切断線の中心位置を前記ブレ
ードでフルカットを行う工程とを含むものである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ためのブレード近傍の断面図である。
【０００７】まず図１（ａ）に示すように、スピンドル
５にフランジ３を介し、切断実行幅より薄いブレード４
を固定して回転を与え、チャックテーブル（図示せず）
を移動させることにより、フラットリングを介し粘着テ
ープ２に貼り付けられたウェハー１の切断線を、ウェハ
ー厚みの約２／３程度の切込み深さの条件でハーフカッ
トを行い、初回ハーフカット切断面６Ａを形成する。
【０００８】次に図１（ｂ）に示すように、ブレード４
の位置を前条件より少しずらし、切断実行幅と同じ幅に
なるようにし、前条件と同じ深さでハーフカットを行い
最終ハーフカット切断面６Ｂを形成する。次に図１
（ｃ）に示すように、ブレード４の高さを下げ、ハーフ
カットされた切断線の中心位置をフルカットする。この
操作を全ての切断線に対し順次行い、フルカット切断面
７を形成させながらウェハー１の全面にわたるダイシン
グを行う。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、スピンド
ルが１組の装置を使用し、切断実行幅より薄いブレード
により２回以上の操作でハーフカットを行い、その後ハ
ーフカット切断面にフルカットを行うことにより、スピ
ンドルどうしの共振によるチッピングの発生率が低下す
るため、歩留りが向上するという効果がある。
【００１０】またブレードが１品種ですむため、装置の
価格が安くなるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を説明するためのブレード近
傍の断面図である。
【図２】従来の半導体ウェハーのダイシング方法を説明
するためのブレード近傍の断面図である。
【符号の説明】
１ ウェハー ２ 粘着テープ ３ フランジ ４ ブレード ５ スピンドル ６Ａ 初回ハーフカット切断面 ６Ｂ 最終ハーフカット切断面 ７，７Ａ フルカット切断面

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 切断実行幅より薄いブレードを使用し、
    最初にウェハーの厚み約２／３程度の切り込み深さの条
    件でウェハーの切断線をハーフカットし、次に切断位置
    を少しづらし切断実行幅と同じ幅になるように前記条件
    と同じ深さでハーフカットを行う工程と、次に前工程で
    ハーフカットされた切断線の中心位置を前記ブレードで
    フルカットを行う工程とを含むことを特徴とする半導体
    ウェハーのダイシング方法。
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