JPS5994436A - 半導体ペレツトの製造方法 - Google Patents
半導体ペレツトの製造方法Info
- Publication number
- JPS5994436A JPS5994436A JP57204020A JP20402082A JPS5994436A JP S5994436 A JPS5994436 A JP S5994436A JP 57204020 A JP57204020 A JP 57204020A JP 20402082 A JP20402082 A JP 20402082A JP S5994436 A JPS5994436 A JP S5994436A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- semiconductor
- groove
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野 ゛
この発明は半導体ペレットの製造方法に関し、特に多数
の半導体装置を形成した半導体ウェーハを切断分離して
多数の半導体ペレットを製造する方法に関する。
の半導体装置を形成した半導体ウェーハを切断分離して
多数の半導体ペレットを製造する方法に関する。
背景技術
トランンスタ、ダイオード、サイリスク等の半導体装置
は、−・股に一枚の半導体ウェー八に選択拡散等によっ
て多数の半導体装置を形成したのち、この半導体ウェー
ハを切断分離して多数の半導体ベレ・ノドを製造する工
程を経て製造されている。
は、−・股に一枚の半導体ウェー八に選択拡散等によっ
て多数の半導体装置を形成したのち、この半導体ウェー
ハを切断分離して多数の半導体ベレ・ノドを製造する工
程を経て製造されている。
上記の工程では、従来半導体ウェーハの一生面にψ着テ
ープを貼り付け、接着テープの裏面を真空吸着して固定
しておいて、他主面側からダイヤモンドスクライバやレ
ーザスクライバを用いて浅い溝を形成し、溝を形成した
面を下側にしてゴム板等の上に載せ、接着テープの上か
ら鋼製ローラを転動させて、半導体ウェーハに撓屈力を
作用させて、前記７１４部分から切断する方法が一般的
であった。しかしながら、溝から切断する際に半導体ウ
ェーハがその結晶方位に従う臂開面に沿って割れるので
、得られるミＩＬ導体ペン１１−の端面が垂直面となら
ず、鋭角部ができこの鋭角部から欠けやすいという欠点
があった。
ープを貼り付け、接着テープの裏面を真空吸着して固定
しておいて、他主面側からダイヤモンドスクライバやレ
ーザスクライバを用いて浅い溝を形成し、溝を形成した
面を下側にしてゴム板等の上に載せ、接着テープの上か
ら鋼製ローラを転動させて、半導体ウェーハに撓屈力を
作用させて、前記７１４部分から切断する方法が一般的
であった。しかしながら、溝から切断する際に半導体ウ
ェーハがその結晶方位に従う臂開面に沿って割れるので
、得られるミＩＬ導体ペン１１−の端面が垂直面となら
ず、鋭角部ができこの鋭角部から欠けやすいという欠点
があった。
そこで、最近では第１図に示すように、半導体ウェーハ
ｌの裏面を接着テープ２に貼り付け、この接着テープ２
のＱ５而を真空吸着により固定しておいて、表面側より
高速回転するダイシングブレードによって、半導体ウェ
ーハ１に接着テープ２に達する溝３を形成する。いわゆ
るダイシング力、ト法が提案されている。
ｌの裏面を接着テープ２に貼り付け、この接着テープ２
のＱ５而を真空吸着により固定しておいて、表面側より
高速回転するダイシングブレードによって、半導体ウェ
ーハ１に接着テープ２に達する溝３を形成する。いわゆ
るダイシング力、ト法が提案されている。
ところが、実際には、半導体ウェーハ１に形成した溝３
の残り代ｔがある程度以下になると、ダイシングブレー
ドによる押圧力と、接着テープ２の弾性力とによって、
半導体ウェーハｌに撓屈力が作用するため、ｎ４３の隅
部をオリジンとする横方向クラ・り・１が発生し、多数
の半導体装置を損傷するということが起る。そのため、
従来では所期のダイシングカットは不可能であり、第２
図に示すように、溝３の残り代Ｔが７０μ以上となるよ
うにダイシングして、後は従来のダイヤモンドヌクワイ
パやレーザヌクライハを用いた場合と同様にして、半導
体ペン・ノドを製造している。このようにして製造した
半導体ベレット５は、第３図に示すように、鋭角部６，
７を有するので、この鋭角部６，７が欠けやすく、例え
ばＤ ＨＤ （ＤｏｕｂｌｅＨｅａｔｓｉｎｋ Ｄｉｏ
ｄｅ）等においては、前記鋭角部６゜７の欠けによって
生じたシリコン屑によって、短絡事故が発生しやすいと
いった問題点があった。
の残り代ｔがある程度以下になると、ダイシングブレー
ドによる押圧力と、接着テープ２の弾性力とによって、
半導体ウェーハｌに撓屈力が作用するため、ｎ４３の隅
部をオリジンとする横方向クラ・り・１が発生し、多数
の半導体装置を損傷するということが起る。そのため、
従来では所期のダイシングカットは不可能であり、第２
図に示すように、溝３の残り代Ｔが７０μ以上となるよ
うにダイシングして、後は従来のダイヤモンドヌクワイ
パやレーザヌクライハを用いた場合と同様にして、半導
体ペン・ノドを製造している。このようにして製造した
半導体ベレット５は、第３図に示すように、鋭角部６，
７を有するので、この鋭角部６，７が欠けやすく、例え
ばＤ ＨＤ （ＤｏｕｂｌｅＨｅａｔｓｉｎｋ Ｄｉｏ
ｄｅ）等においては、前記鋭角部６゜７の欠けによって
生じたシリコン屑によって、短絡事故が発生しやすいと
いった問題点があった。
発明の開示
そこで、この発明は、接着テープに貼り付けた半４体ウ
ェーハをダイシングカットできる半導体ペン、）の製造
方法を提供することを目的とする。
ェーハをダイシングカットできる半導体ペン、）の製造
方法を提供することを目的とする。
この発明は要約すると、半導体ウエーノ＼の一生面側か
ら周縁部を除いて比較的浅い“渦を形成したのち、溝を
形成した一生面側を接着テープに貼り付け、この接着テ
ープの裏面を真空吸着により固定しておいて、半導体ウ
ェーハの他主面側から前記１ｒ＃にＺ１応する個所を完
全に切断するダイシング加工を施すことを特徴とするも
のである。
ら周縁部を除いて比較的浅い“渦を形成したのち、溝を
形成した一生面側を接着テープに貼り付け、この接着テ
ープの裏面を真空吸着により固定しておいて、半導体ウ
ェーハの他主面側から前記１ｒ＃にＺ１応する個所を完
全に切断するダイシング加工を施すことを特徴とするも
のである。
すなわち、半導体ウェーハ単体で溝を形成する場合、そ
のａ４が半導体ウェーハの周縁部分まで達していると、
後の接着テープの貼り付は工程におけるローラによる押
圧力で半導体ウェーハが溝部分から切断されてしまい、
従来の各方法と同様の問題が発生１−る。しかるに、前
記面を半導体ウェーハの周縁部を除いて形成しておくと
、周縁部の厚肉部が補強環の役目をして、接着テープの
貼りイ１け時に半導体ウェーハが溝から切断されること
が防止される。また、半導体ウェーへの他主面側からグ
イシングカノ１−する際に、半導体ウェーハに―ｉＪ述
のような撓屈力が作用するが、既に一生面＋ｌｌｌに異
が形成されていると、ダイシングによる溝をオリジンと
する横方向クラックが発生する前に、先に形成されてい
る溝をオリジンとする縦方向クラ、りが発生し、横方向
のクラックが発生しないので、多数の半導体装置を損傷
することもない。
のａ４が半導体ウェーハの周縁部分まで達していると、
後の接着テープの貼り付は工程におけるローラによる押
圧力で半導体ウェーハが溝部分から切断されてしまい、
従来の各方法と同様の問題が発生１−る。しかるに、前
記面を半導体ウェーハの周縁部を除いて形成しておくと
、周縁部の厚肉部が補強環の役目をして、接着テープの
貼りイ１け時に半導体ウェーハが溝から切断されること
が防止される。また、半導体ウェーへの他主面側からグ
イシングカノ１−する際に、半導体ウェーハに―ｉＪ述
のような撓屈力が作用するが、既に一生面＋ｌｌｌに異
が形成されていると、ダイシングによる溝をオリジンと
する横方向クラックが発生する前に、先に形成されてい
る溝をオリジンとする縦方向クラ、りが発生し、横方向
のクラックが発生しないので、多数の半導体装置を損傷
することもない。
さらに、前記の縦方向クラリフ部分を完全にダイシング
力１．トするので、得られる半導体ペレットは鋭角部を
含まず、欠けが発生しにくい。
力１．トするので、得られる半導体ペレットは鋭角部を
含まず、欠けが発生しにくい。
発明を実施するための最良の形態
第４図ないし第７図はこの発明の方法について説明する
ための半導体ウェーハないし半導体ベレットを示し、特
に第４図は周縁部を除いて浅い溝を形成した半導体ウェ
ーハの平面図、第５図は第４図の■−■線に沿う要部拡
大断面図、第６図は他主面側から完全に切断するダイシ
ング加工を施した半導体ウェーハの平面図、第７図はダ
イシング加工時の要部拡大断面図、第８図は得られた半
導体ペレットの拡大断面図である。
ための半導体ウェーハないし半導体ベレットを示し、特
に第４図は周縁部を除いて浅い溝を形成した半導体ウェ
ーハの平面図、第５図は第４図の■−■線に沿う要部拡
大断面図、第６図は他主面側から完全に切断するダイシ
ング加工を施した半導体ウェーハの平面図、第７図はダ
イシング加工時の要部拡大断面図、第８図は得られた半
導体ペレットの拡大断面図である。
まず、多数の半導体装置を形成した半導体ウニしておき
、各半導体装置間のスｌ−１１−１一部分にレーザを照
射して、Ｘ方向およびＹ方向に比較的浅い溝９を形成す
る（第４図、第５図）。このとき、レーザを半導体ウニ
・−ハ１の周縁部まで照射しても、周縁部にはレーザ吸
収４シ８が積層されているので、溝かりＩｅ成されない
。
、各半導体装置間のスｌ−１１−１一部分にレーザを照
射して、Ｘ方向およびＹ方向に比較的浅い溝９を形成す
る（第４図、第５図）。このとき、レーザを半導体ウニ
・−ハ１の周縁部まで照射しても、周縁部にはレーザ吸
収４シ８が積層されているので、溝かりＩｅ成されない
。
次に、この半導体ウェーハ１の溝９を形成した裏面に、
接着テープ１０を貼り付け、接着テープ１０の裏面を真
空吸着して固定しておいて、半導体ウェーハ１の表面側
から前記溝９に対応する部分を高速回転するダイシング
ブレードによってダイシング加工して、接着テープ１０
に達する溝１１を形成する（第６図）。このとき、半導
体ウェーハ１の溝１１の残り代がある程度以下になると
、ダイシンググレードによる押圧力と、接着テープ１０
の弾１４６カとによって、半導体ウェーハ１に撓屈力が
作用するが、先に半導体ウェーハ１の他主面側に溝９が
形成されているので、溝９の底部をオリジンとする縦方
向クラック１２が発生するのみで、横方向クラックは発
生しない。このダイシング加工は、半導体ウェーハｌの
周縁部捷で施す（第７図）。このようにして得られた半
導体ペレット１３は、第８図に示すように、鋭角部を含
まない。
接着テープ１０を貼り付け、接着テープ１０の裏面を真
空吸着して固定しておいて、半導体ウェーハ１の表面側
から前記溝９に対応する部分を高速回転するダイシング
ブレードによってダイシング加工して、接着テープ１０
に達する溝１１を形成する（第６図）。このとき、半導
体ウェーハ１の溝１１の残り代がある程度以下になると
、ダイシンググレードによる押圧力と、接着テープ１０
の弾１４６カとによって、半導体ウェーハ１に撓屈力が
作用するが、先に半導体ウェーハ１の他主面側に溝９が
形成されているので、溝９の底部をオリジンとする縦方
向クラック１２が発生するのみで、横方向クラックは発
生しない。このダイシング加工は、半導体ウェーハｌの
周縁部捷で施す（第７図）。このようにして得られた半
導体ペレット１３は、第８図に示すように、鋭角部を含
まない。
なお、半導体ウェーハ１の一生面（裏面）側から浅い満
９を形成する工程は、上述のように半導体ウェーハ１の
周縁部にレーザ吸収材８を積層形成しておいて、レーザ
照射によって行なうのが簡便ではあるが、半導体ウェー
ハ１の大きさに応じてその周縁部にはレーザを照射し彦
いようにしてもよい。場合によってはダイヤモンドスク
ライバを用いて、周縁部を除いて溝９を形成するように
してもよい。
９を形成する工程は、上述のように半導体ウェーハ１の
周縁部にレーザ吸収材８を積層形成しておいて、レーザ
照射によって行なうのが簡便ではあるが、半導体ウェー
ハ１の大きさに応じてその周縁部にはレーザを照射し彦
いようにしてもよい。場合によってはダイヤモンドスク
ライバを用いて、周縁部を除いて溝９を形成するように
してもよい。
第１図は従来のダイシンダ力、１−法について説明する
ための半導体ウェーハの要部拡大断面図である。 第２図は従来のダイシング法について説明するだめの半
導体ウェーへの要部拡大断面図である。 第３図は上記ダイシング法によって得られた半導体ペレ
ットの拡大断面図である。 第４図ないし第８図はこの発明による半導体ペレットの
製造方法について説明するための各工程の半導体ウェー
ハないし半導体ペレットを示し、第４図は一生市側から
周縁部を除いて浅い溝を形成した半導体ウェーハの平面
図である。 第５図は第４図の■−ｖ線に沿う要部拡大断面図である
。 第６図は他主面側からダイシング加工により切断した半
導体ウェーハの平面図である。 第７図は上記ダイシング加工時の半導体ウェーハの要部
拡大断面図である。 第８図は得られた半導体ベレットの拡大断面図である。 １・・・・ 半導体ウェーハ、 ８・・・・・レーザ吸収４シ、 ９・・・・・浅い溝、 １０・・・・・・接着テープ、 １１・・・・・半導体ウェーハを完全に切断する渦、１
２・・・・縦方向クラック。 第 １ 因 第２図 ３ 第３図 ノ 第４図 第５図 第６因 第 ７ 図 １１ １１ ９］２ 第 ８ ］′ ］３
ための半導体ウェーハの要部拡大断面図である。 第２図は従来のダイシング法について説明するだめの半
導体ウェーへの要部拡大断面図である。 第３図は上記ダイシング法によって得られた半導体ペレ
ットの拡大断面図である。 第４図ないし第８図はこの発明による半導体ペレットの
製造方法について説明するための各工程の半導体ウェー
ハないし半導体ペレットを示し、第４図は一生市側から
周縁部を除いて浅い溝を形成した半導体ウェーハの平面
図である。 第５図は第４図の■−ｖ線に沿う要部拡大断面図である
。 第６図は他主面側からダイシング加工により切断した半
導体ウェーハの平面図である。 第７図は上記ダイシング加工時の半導体ウェーハの要部
拡大断面図である。 第８図は得られた半導体ベレットの拡大断面図である。 １・・・・ 半導体ウェーハ、 ８・・・・・レーザ吸収４シ、 ９・・・・・浅い溝、 １０・・・・・・接着テープ、 １１・・・・・半導体ウェーハを完全に切断する渦、１
２・・・・縦方向クラック。 第 １ 因 第２図 ３ 第３図 ノ 第４図 第５図 第６因 第 ７ 図 １１ １１ ９］２ 第 ８ ］′ ］３
Claims (2)
- （１）多数の半導体装置を形成した半導体ウェーハを切
断分離して多数の半導体ペレットを製造する際に、半ノ
θ６体ウェーハの一主面側から周縁部を除いて比較的浅
い尚を形成する工程と、この溝を形成したー王面側を接
着テープに貼り付ける工程と、自ｊｌ記、接着テープの
裏面を真空吸着して固定する工程と、半導体ウェーハの
他主面側から前記溝に対応する部分を切断するダイシン
グ加工を施す工程とを含むことを特徴とする半導体ベレ
ツトの製造方法。 - （２）前記半導体ウェーハの一主面側から周縁部を除い
て比較的ブ浅いｔ葭を形成する工程が、半導体ウェーハ
の周縁部にレーザ吸収桐を積層しておいて、レーザ：１
ヒ射によって実施される特許請求の範囲第（１）項記載
の半導体ベレツトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57204020A JPS5994436A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体ペレツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57204020A JPS5994436A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体ペレツトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994436A true JPS5994436A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16483430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57204020A Pending JPS5994436A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体ペレツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994436A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02303050A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエーハの切断方法 |
| JP2001319899A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
| JP2007062074A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 表示パネル、表示パネルのレーザスクライブ方法及び電子機器 |
| JP2007287976A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Denso Corp | 半導体基板 |
| JP2020113564A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57204020A patent/JPS5994436A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02303050A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエーハの切断方法 |
| JP2001319899A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
| JP4590064B2 (ja) * | 2000-05-11 | 2010-12-01 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハの分割方法 |
| JP2007062074A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 表示パネル、表示パネルのレーザスクライブ方法及び電子機器 |
| JP4742751B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 表示パネル、表示パネルのレーザスクライブ方法及び電子機器 |
| JP2007287976A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Denso Corp | 半導体基板 |
| JP2020113564A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
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