JPH0265156A - 半導体ペレットの製造方法 - Google Patents
半導体ペレットの製造方法Info
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- JPH0265156A JPH0265156A JP63216086A JP21608688A JPH0265156A JP H0265156 A JPH0265156 A JP H0265156A JP 63216086 A JP63216086 A JP 63216086A JP 21608688 A JP21608688 A JP 21608688A JP H0265156 A JPH0265156 A JP H0265156A
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体ウェハを個々の半導体ペレットに分割す
る方法に関する。
る方法に関する。
[従来技術]
従来より半導体ウェハを個々の半導体ペレットに分割す
る方法としては、先ず、第3図(a)に示すように裏面
を粘着シー)101に貼着した半導体ウェハ100の表
面を、ダイシングソウ103にてX、Y方向にスクライ
ブ溝104・・・を形成し、第3図(b)に示すように
、粘着シー1−101に貼着した半導体ウェハ100を
裏返して保護シート105上に重ね、粘着シート101
上より各スクライプ溝104方向に押し割りローラ10
6にて押圧して各スクライブ′a104・・・より押し
割り、個々の半導体ペレット102・・・に分割する。
る方法としては、先ず、第3図(a)に示すように裏面
を粘着シー)101に貼着した半導体ウェハ100の表
面を、ダイシングソウ103にてX、Y方向にスクライ
ブ溝104・・・を形成し、第3図(b)に示すように
、粘着シー1−101に貼着した半導体ウェハ100を
裏返して保護シート105上に重ね、粘着シート101
上より各スクライプ溝104方向に押し割りローラ10
6にて押圧して各スクライブ′a104・・・より押し
割り、個々の半導体ペレット102・・・に分割する。
E発明が解決しようとする諜al
しかしながら上記のように押し割りローラ106で半導
体ウェハ100を押し割りすると、−度に両方向のスク
ライブ溝104・・・が押し割られ易く、X、Y方向の
各スクライブ溝104,104の交点では割れ方向が定
まらず、欠けてシリコン屑が生じ易く、該シリコン屑が
押し割り時に正常な半導体ペレット102・・・表面に
付着して傷を付けたり、また周囲を欠損させて不良品に
するといった問題があった。
体ウェハ100を押し割りすると、−度に両方向のスク
ライブ溝104・・・が押し割られ易く、X、Y方向の
各スクライブ溝104,104の交点では割れ方向が定
まらず、欠けてシリコン屑が生じ易く、該シリコン屑が
押し割り時に正常な半導体ペレット102・・・表面に
付着して傷を付けたり、また周囲を欠損させて不良品に
するといった問題があった。
また、シリコン屑の発生をなくするため、各スクライブ
溝104・・・を粘着シートlotに達するように形成
してもよいが、ダイシングソウ103等の切削面に粘着
シート101の粘着剤等が付着し、すぐに切削面を駄目
にするといった問題がある。
溝104・・・を粘着シートlotに達するように形成
してもよいが、ダイシングソウ103等の切削面に粘着
シート101の粘着剤等が付着し、すぐに切削面を駄目
にするといった問題がある。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するために本発明の半導体ペレットの製
造方法では、半導体ウェハに形成された各半導体ペレッ
トを分割するためのX、Y方向のスクライブ溝のうちい
ずれか一方向のスクライブ溝を他方向のスクライブ溝よ
り深(形成し、浅いい方のスクライブ溝の方向に押し割
りローラを移動させて、深い方のスクライブ溝に沿って
半導体ウェハを押し割ってから、押し割すローラを既に
分割された深い方のスクライブ溝の方向に移動させて押
し割り各半導体ペレットに分割することを特徴とする。
造方法では、半導体ウェハに形成された各半導体ペレッ
トを分割するためのX、Y方向のスクライブ溝のうちい
ずれか一方向のスクライブ溝を他方向のスクライブ溝よ
り深(形成し、浅いい方のスクライブ溝の方向に押し割
りローラを移動させて、深い方のスクライブ溝に沿って
半導体ウェハを押し割ってから、押し割すローラを既に
分割された深い方のスクライブ溝の方向に移動させて押
し割り各半導体ペレットに分割することを特徴とする。
[作用コ
上記半導体ペレットの製造方法では、半導体ウェハに形
成されたX、Y方向のスクライブ溝のうち、先ず深く形
成されたスクライブ溝を押し割ると、浅い方のスクライ
ブ溝に割れを生じることがなく、深い方のスクライブ溝
に沿って破断力が集中し、半導体ウェハのシリコン屑を
殆ど生しることなく押し割ることができる。さらに、浅
い方のスクライブ溝の方向に押し割ると、浅いスクライ
ブ溝の方向に沿って破断力が集中し、シリコン屑の発生
も殆どなく分割することができ、分割された各半導体ペ
レットに傷や欠損を生じることはない。
成されたX、Y方向のスクライブ溝のうち、先ず深く形
成されたスクライブ溝を押し割ると、浅い方のスクライ
ブ溝に割れを生じることがなく、深い方のスクライブ溝
に沿って破断力が集中し、半導体ウェハのシリコン屑を
殆ど生しることなく押し割ることができる。さらに、浅
い方のスクライブ溝の方向に押し割ると、浅いスクライ
ブ溝の方向に沿って破断力が集中し、シリコン屑の発生
も殆どなく分割することができ、分割された各半導体ペ
レットに傷や欠損を生じることはない。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第1図(a)から(e)はそれぞれ本発明の一実施例に
かかる半導体ペレットの製造方法を順を追って示す概略
説明図である。即ち、本発明の方法は、先ず第1図(a
)に示すように、例えば、厚さ約485μmの半導体ウ
ェハ1の裏面に粘着シート2に貼着し、各半導体ペレッ
ト3・・・を分割するためのX、 Y両方向のうち、例
えば、X方向のスクライブ溝4・・・をそれぞれ半導体
ウェハ1の厚さの、例えば約半分の235μmの深さま
で高速回転するダイシングソウ5によって切り込んで形
成する。この場合、スクライブ溝4・・・の形成はダイ
シングソウ5に限らず、ダイヤモンドカッタやレーザ光
等の手段を使用してもよい。
かかる半導体ペレットの製造方法を順を追って示す概略
説明図である。即ち、本発明の方法は、先ず第1図(a
)に示すように、例えば、厚さ約485μmの半導体ウ
ェハ1の裏面に粘着シート2に貼着し、各半導体ペレッ
ト3・・・を分割するためのX、 Y両方向のうち、例
えば、X方向のスクライブ溝4・・・をそれぞれ半導体
ウェハ1の厚さの、例えば約半分の235μmの深さま
で高速回転するダイシングソウ5によって切り込んで形
成する。この場合、スクライブ溝4・・・の形成はダイ
シングソウ5に限らず、ダイヤモンドカッタやレーザ光
等の手段を使用してもよい。
つぎに第1図(b)に示すように、Y方向のスクライブ
溝6・・・を、上記X方向のスクライブ溝4・・・の深
さより深くなるように、例えば半導体ウェハ1の表面か
ら約285μmの深さにまで上記同様に高速回転するダ
イシングソウ5によって切り込んで形成する。このよう
にX方向の浅いスクライブ溝4・・・とY方向の深いス
クライブ溝6・・・を形成すると、第2図に示すように
深い方のスクライブ溝6・・・が主となり、浅い方のス
クライブ溝4・・・が従となったスクライブ溝となる。
溝6・・・を、上記X方向のスクライブ溝4・・・の深
さより深くなるように、例えば半導体ウェハ1の表面か
ら約285μmの深さにまで上記同様に高速回転するダ
イシングソウ5によって切り込んで形成する。このよう
にX方向の浅いスクライブ溝4・・・とY方向の深いス
クライブ溝6・・・を形成すると、第2図に示すように
深い方のスクライブ溝6・・・が主となり、浅い方のス
クライブ溝4・・・が従となったスクライブ溝となる。
X方向の浅いスクライブ溝4・・・とY方向の深いスク
ライブ溝6・・・を形成すると、第1図(C)に示すよ
うに、粘着シート2と一体で半導体ウェハ1を保護シー
ト7上に裏返し、Y方向の深いスクライブ溝6・・・と
平行になるように押し割りローラ8を粘着シート2裏面
に載置し、回転移動させて先ず深いスクライプ?n6・
・・に沿って半導体ウェハ1を押し割る。この場合、深
い方のスクライブ溝6・・・に沿って破断力が集中し、
浅いスクライブ溝4・・・に影響を与えることなく深い
スクライブ溝6・・・のみが分割され、半導体ウェハ1
のシリコン屑は殆ど発生しない。
ライブ溝6・・・を形成すると、第1図(C)に示すよ
うに、粘着シート2と一体で半導体ウェハ1を保護シー
ト7上に裏返し、Y方向の深いスクライブ溝6・・・と
平行になるように押し割りローラ8を粘着シート2裏面
に載置し、回転移動させて先ず深いスクライプ?n6・
・・に沿って半導体ウェハ1を押し割る。この場合、深
い方のスクライブ溝6・・・に沿って破断力が集中し、
浅いスクライブ溝4・・・に影響を与えることなく深い
スクライブ溝6・・・のみが分割され、半導体ウェハ1
のシリコン屑は殆ど発生しない。
Y方向の深いスクライブ溝6・・・が押し割られると、
第1図(d)に示すように、今度は押し割りローラ8を
X方向の浅いスクライブ溝4・・・と平行となるように
粘着シート2の裏面に載置し、回転移動させて浅い方の
スクライブ溝4・・・に沿って押し割る。この場合、各
スクライブ溝4・・・に破断力が集中し、シリコン屑が
殆ど発生せずに該スクライブ溝4・・・が押し割られる
。
第1図(d)に示すように、今度は押し割りローラ8を
X方向の浅いスクライブ溝4・・・と平行となるように
粘着シート2の裏面に載置し、回転移動させて浅い方の
スクライブ溝4・・・に沿って押し割る。この場合、各
スクライブ溝4・・・に破断力が集中し、シリコン屑が
殆ど発生せずに該スクライブ溝4・・・が押し割られる
。
各半導体ペレット3・・・に分割されると、第1図(e
)に示すように、粘着シート2を元に戻し、該粘着シー
ト2をX、 Y方向方に引き延ばして各半導体ペレット
3・・・の間隔をあけ、半導体ウェハ1周縁等の不良の
半導体ペレット3・・・等を除去し、正常な半導体ベレ
ット3・・・だけを図示していない吸着コレット等で真
空吸着し、リードフレームの所定のベレットマウント部
等に供給している。
)に示すように、粘着シート2を元に戻し、該粘着シー
ト2をX、 Y方向方に引き延ばして各半導体ペレット
3・・・の間隔をあけ、半導体ウェハ1周縁等の不良の
半導体ペレット3・・・等を除去し、正常な半導体ベレ
ット3・・・だけを図示していない吸着コレット等で真
空吸着し、リードフレームの所定のベレットマウント部
等に供給している。
上記半導体ペレットの製造方法では、深い方のスクライ
ブ溝6・・・の方向に沿って正常な割れ断面で分割され
、ついで浅い方のスクライブ溝に沿って正常な割れ断面
で分割されるので、各スクライブ溝の交点部分の割れ断
面に歪等が生じないのでシリコン屑等の発生が殆どなく
なる。従って、半導体ペレット3・・・の表面に傷を付
けたり、周縁を欠損させて不良の半導体ペレット3にす
るといったことが回避できる。
ブ溝6・・・の方向に沿って正常な割れ断面で分割され
、ついで浅い方のスクライブ溝に沿って正常な割れ断面
で分割されるので、各スクライブ溝の交点部分の割れ断
面に歪等が生じないのでシリコン屑等の発生が殆どなく
なる。従って、半導体ペレット3・・・の表面に傷を付
けたり、周縁を欠損させて不良の半導体ペレット3にす
るといったことが回避できる。
[発明の効果]
以上の説明から明かなように、本発明の半導体ペレット
の製造方法では、各半導体ペレットの分割時に発生する
シリコン屑が殆ど発生しないので、シリコン屑によって
半導体ペレットに傷や欠損を生じることがなくなるとい
った効果を奏する。
の製造方法では、各半導体ペレットの分割時に発生する
シリコン屑が殆ど発生しないので、シリコン屑によって
半導体ペレットに傷や欠損を生じることがなくなるとい
った効果を奏する。
第1図(a)から(e)はそれぞれ本発明の半導体ペレ
ットの製造方法を11質を追って示す概略説明図、第2
図は半導体ウェハへのスクライブ溝の形成状態の一部破
断斜視図、第3図(a)から(b)はそれぞれ従来の半
導体ペレットの製造方法順を逼って示す概略説明図であ
る。 1・・・半導体ウェハ、 3・・・半導体ペレット、 4.6・・・スクライブ溝、 8・・・押し割りローラ。 第 図
ットの製造方法を11質を追って示す概略説明図、第2
図は半導体ウェハへのスクライブ溝の形成状態の一部破
断斜視図、第3図(a)から(b)はそれぞれ従来の半
導体ペレットの製造方法順を逼って示す概略説明図であ
る。 1・・・半導体ウェハ、 3・・・半導体ペレット、 4.6・・・スクライブ溝、 8・・・押し割りローラ。 第 図
Claims (1)
- (1)半導体ウェハにX、Y方向のスクライブ溝を形成
して各スクライブ溝より押し割り個々の半導体ペレット
に分割するに当って、上記スクライブ溝のうちいずれか
一方向のスクライブ溝を他方向のスクライブ溝より深く
形成し、深いスクライブ溝を押し割りローラにて押し割
った後、浅いスクライブ溝を押し割り、個々の半導体ペ
レットに分割することを特徴とする半導体ペレットの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63216086A JPH0265156A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体ペレットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63216086A JPH0265156A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体ペレットの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0265156A true JPH0265156A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16683029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63216086A Pending JPH0265156A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体ペレットの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0265156A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005286218A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及び加工対象物 |
JP2010165936A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Olympus Medical Systems Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置 |
JP2012019143A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの分割方法 |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63216086A patent/JPH0265156A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005286218A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及び加工対象物 |
WO2005098914A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法及び加工対象物 |
US7592237B2 (en) | 2004-03-30 | 2009-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and object to be processed |
JP4536407B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び加工対象物 |
JP2010165936A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Olympus Medical Systems Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置 |
JP2012019143A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの分割方法 |
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