JPS5922345A - 半導体基板の分割方法 - Google Patents
半導体基板の分割方法Info
- Publication number
- JPS5922345A JPS5922345A JP57132739A JP13273982A JPS5922345A JP S5922345 A JPS5922345 A JP S5922345A JP 57132739 A JP57132739 A JP 57132739A JP 13273982 A JP13273982 A JP 13273982A JP S5922345 A JPS5922345 A JP S5922345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- roller
- rulers
- pressing
- adhesive tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明６口、多数個の半導体素子を形成した半導体基板
から個々の半導体素子を分割する方法に関し、蒔にこの
分割加工工程での力１汀歩留を向上させる方法を提供す
るものである。
から個々の半導体素子を分割する方法に関し、蒔にこの
分割加工工程での力１汀歩留を向上させる方法を提供す
るものである。
従来、半導体基板から１つ１つの半導体素子全分割する
方法は、７リコン基板の所定の面及び方向にファセット
を形成し、そのファセットを基準として、所定のパター
ンニングを行ない、拡散及び電極形成を施こしてなる半
導体基板の個々の半導体素子分割領域をダイヤモンド刃
、グイシングツ−又はレーザースクライプにより、半導
体基板の表面から切り込みを伺け、その切り込みに沿っ
て分割を行なってｂた。これらの分割法は各々、短所、
長所を有し、分割作業時に半導体素子の割れや欠け、さ
らには、機械歪みの残す不都合を有していた。
方法は、７リコン基板の所定の面及び方向にファセット
を形成し、そのファセットを基準として、所定のパター
ンニングを行ない、拡散及び電極形成を施こしてなる半
導体基板の個々の半導体素子分割領域をダイヤモンド刃
、グイシングツ−又はレーザースクライプにより、半導
体基板の表面から切り込みを伺け、その切り込みに沿っ
て分割を行なってｂた。これらの分割法は各々、短所、
長所を有し、分割作業時に半導体素子の割れや欠け、さ
らには、機械歪みの残す不都合を有していた。
ダイヤモンド刃を用いる方法は、半導体基板の表面に深
さ数μの傷を入れローラーがけや、円筒表面に半導体基
板を押し付けて割る方法であるが、ダイヤモンド刃によ
る傷が浅い為、素子面での割れや、欠けを発生させやす
い。又ダイシンクン−を用いる方法は、半導体基板を完
全て分断するフルカットと、所定の深さ迄切り込みを入
れるバ一本 フカノドの２種類の方法がある前者日１、粘着テープに
半導体基板を張り付けて半導体基板表面から粘着テープ
層に迄切り込みを入れる為、ブレードの摩耗や、切り込
みの蛇行、さらには粘着テープの使いすてといった不都
合を生じ、加工技術上の困難さ、経済的な点で不都合を
有している。後者はダイヤモンド刃を用いる方法と同様
に素子自体の欠けや、割れの発生といった不都合を生じ
やすい。一方、レーザースクライブは、レーザー光線で
、半導体基板を溶融する方法であるが基板材料の溶解、
蒸発によりパターン表面を汚す恐れがある。又、ダイヤ
モンド刃と同様分割時の割れ、欠けの不都合を有してい
る。
さ数μの傷を入れローラーがけや、円筒表面に半導体基
板を押し付けて割る方法であるが、ダイヤモンド刃によ
る傷が浅い為、素子面での割れや、欠けを発生させやす
い。又ダイシンクン−を用いる方法は、半導体基板を完
全て分断するフルカットと、所定の深さ迄切り込みを入
れるバ一本 フカノドの２種類の方法がある前者日１、粘着テープに
半導体基板を張り付けて半導体基板表面から粘着テープ
層に迄切り込みを入れる為、ブレードの摩耗や、切り込
みの蛇行、さらには粘着テープの使いすてといった不都
合を生じ、加工技術上の困難さ、経済的な点で不都合を
有している。後者はダイヤモンド刃を用いる方法と同様
に素子自体の欠けや、割れの発生といった不都合を生じ
やすい。一方、レーザースクライブは、レーザー光線で
、半導体基板を溶融する方法であるが基板材料の溶解、
蒸発によりパターン表面を汚す恐れがある。又、ダイヤ
モンド刃と同様分割時の割れ、欠けの不都合を有してい
る。
本発明は、ダイヤモンド刃やダイシングソーによって傷
を形成させた後の分割作業に際し分割方向を正確に規制
することによって、半導体基板の局部的な割れや欠けを
防ぎ、分割作業の加工歩留の向上を目的としてなされた
ものである。半導体基板（シリコン）は、〔１，１，１
〕面をすべり面として（１１０）方向にすべりやすく、
分割しやすい方向である。したがって、各素子を個々に
分割するに際しては、正確にく１１ｏ〉方向に合わせた
分割作業操作が非常に重要である。
を形成させた後の分割作業に際し分割方向を正確に規制
することによって、半導体基板の局部的な割れや欠けを
防ぎ、分割作業の加工歩留の向上を目的としてなされた
ものである。半導体基板（シリコン）は、〔１，１，１
〕面をすべり面として（１１０）方向にすべりやすく、
分割しやすい方向である。したがって、各素子を個々に
分割するに際しては、正確にく１１ｏ〉方向に合わせた
分割作業操作が非常に重要である。
次に、図面でもって本発明、全説明する。
第１図（ａ）は、半導体基板１に所定の深さの切り込み
２′ｆ！：、同基板１のファセット３を基準にパターン
表面グされたものであり、切り込み２は、１つ１つの半
導体素子間の分割領域をダイシングソーにより所定の深
さで形成する。次いで、第１図（ｂ）に示すように、粘
着テープ４を固定リング６にセントし、その上に、切込
みを形成した半導体基板１を張り付ける。第１図（Ｃ）
は半導体基板分割用支持台６に、半導体基板１よりも肉
薄の直交する定規了を張り付けた治具の平面図であり、
その上に半導体基板が張り付けられた粘着テープを配す
だめのものである。尚、第１図（ｄ）は第１図（Ｃ）の
Ｃ−Ｃ断面図である。第１図（、）のように、直行する
定規７の一辺と半導体基板１のファセット３を密着させ
、他方の定規了の一辺にＵＪｌ、半導体基板１の外周の
１点を密着させる。このＣ−Ｃ断面を示したものが第１
図（ｆ）に示す。
２′ｆ！：、同基板１のファセット３を基準にパターン
表面グされたものであり、切り込み２は、１つ１つの半
導体素子間の分割領域をダイシングソーにより所定の深
さで形成する。次いで、第１図（ｂ）に示すように、粘
着テープ４を固定リング６にセントし、その上に、切込
みを形成した半導体基板１を張り付ける。第１図（Ｃ）
は半導体基板分割用支持台６に、半導体基板１よりも肉
薄の直交する定規了を張り付けた治具の平面図であり、
その上に半導体基板が張り付けられた粘着テープを配す
だめのものである。尚、第１図（ｄ）は第１図（Ｃ）の
Ｃ−Ｃ断面図である。第１図（、）のように、直行する
定規７の一辺と半導体基板１のファセット３を密着させ
、他方の定規了の一辺にＵＪｌ、半導体基板１の外周の
１点を密着させる。このＣ−Ｃ断面を示したものが第１
図（ｆ）に示す。
次に、第２図に示すように、ローラー８により半導体基
板１を押圧しながら分割を行なう。この際、ローラー８
の移動は第２図（ａ）のように、ローラー進行方向と平
行する直交定規の一辺をガイドとして行ない、次いで９
００ 回転した方向から、第２図（ｂ）のように、ロー
ラー８がけを行なう。
板１を押圧しながら分割を行なう。この際、ローラー８
の移動は第２図（ａ）のように、ローラー進行方向と平
行する直交定規の一辺をガイドとして行ない、次いで９
００ 回転した方向から、第２図（ｂ）のように、ロー
ラー８がけを行なう。
以上の様に、本発明によればローラー８の移動は、ダイ
シングソーや、ダイモンド刃を用いて半導体基板の表面
から形成した切り込みの線方向と加圧方向とを完全に一
致させることが出来、一つ一つの半導体素子は、正確に
分割がなされ、分割作業時にしばしば発−生ずる素子割
れや欠け、さらには半導体素子への機械歪みの残留の発
生が顕著に減少し、加工歩留及び品質の安定化ｐ（−大
きく寄与することが出来る。
シングソーや、ダイモンド刃を用いて半導体基板の表面
から形成した切り込みの線方向と加圧方向とを完全に一
致させることが出来、一つ一つの半導体素子は、正確に
分割がなされ、分割作業時にしばしば発−生ずる素子割
れや欠け、さらには半導体素子への機械歪みの残留の発
生が顕著に減少し、加工歩留及び品質の安定化ｐ（−大
きく寄与することが出来る。
第１図（ａ）〜（ｆ）は半導体基板分割用支持台に半導
体基板を設置するまでの状態を示す図、第２図（ａ）。 （１））はローラーにより半導体基板と分割する状態を
示す図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・切り込み、
３・・・・・・フ７セソト、４・・・・・・粘着テープ
、５・・・・・・固定リンクミロ・・・・・・半導体基
板分割用支持台、了・・・・・・直交する定規、８・・
・・・・ローラー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 （どシｉ） ＠１図 １ｄ＋ ｔアン 第 ２ 図 １θノ・ １７５
体基板を設置するまでの状態を示す図、第２図（ａ）。 （１））はローラーにより半導体基板と分割する状態を
示す図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・切り込み、
３・・・・・・フ７セソト、４・・・・・・粘着テープ
、５・・・・・・固定リンクミロ・・・・・・半導体基
板分割用支持台、了・・・・・・直交する定規、８・・
・・・・ローラー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 （どシｉ） ＠１図 １ｄ＋ ｔアン 第 ２ 図 １θノ・ １７５
Claims (1)
- 側面に少なくとも１つのファセットを有し、所定の拡散
や電極形成を施こした複数個の半導体素子を行列状に多
数形成した半導体基板に所定の分離用切り込みを入れる
工程、前記半導体基板を透明の粘着テープに張り付ける
工程、直交する定規を張り付けた半導体基板分割用支持
台上に前記半導体基板を、前記粘着テープ側を上面圧し
て、前記半導体基板のファセットと周辺部と全１１督：
Ｃ直交定規の各辺に合致させて設置する工程、しかるの
ち、前記半導体基板を張り付けた粘着デープ側から、前
記半導体基板のファセットに平行、および直交する方向
にローラーを加圧、移動さ山る工程をそなえたことを特
徴とする半導体基板の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57132739A JPS5922345A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 半導体基板の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57132739A JPS5922345A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 半導体基板の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922345A true JPS5922345A (ja) | 1984-02-04 |
Family
ID=15088458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57132739A Pending JPS5922345A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 半導体基板の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922345A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4627309A (en) * | 1984-11-30 | 1986-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Accessory drive device in engine |
| US4643046A (en) * | 1984-11-30 | 1987-02-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Accessory drive device in engine |
| US4662244A (en) * | 1984-11-30 | 1987-05-05 | Kazutoshi Kaneyuki | Accessory drive device in engine |
| US4685355A (en) * | 1984-11-30 | 1987-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Accessory drive device in engine |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP57132739A patent/JPS5922345A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4627309A (en) * | 1984-11-30 | 1986-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Accessory drive device in engine |
| US4643046A (en) * | 1984-11-30 | 1987-02-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Accessory drive device in engine |
| US4662244A (en) * | 1984-11-30 | 1987-05-05 | Kazutoshi Kaneyuki | Accessory drive device in engine |
| US4685355A (en) * | 1984-11-30 | 1987-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Accessory drive device in engine |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7134943B2 (en) | Wafer processing method | |
| KR100624931B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 분할방법 | |
| US20050059325A1 (en) | Wafer processing method | |
| JPH0845879A (ja) | 半導体ウエハを切断する方法 | |
| TW201206853A (en) | Cutter wheel for scribing fragile material substrate and method of manufacturing the same | |
| JP5879698B2 (ja) | 半導体基板のエキスパンド装置およびエキスパンド処理方法 | |
| JPS5922345A (ja) | 半導体基板の分割方法 | |
| JPH04262589A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| CN112740365B (zh) | 附金属膜衬底的分断方法 | |
| JPS6282008A (ja) | 半導体ウエハ−ブレイク装置 | |
| US6247625B1 (en) | Anvil pad configuration for laser cleaving | |
| JPH0430558A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2019150899A (ja) | 板状物の加工方法 | |
| JP2637852B2 (ja) | 半導体ウェハーのダイシング方法 | |
| JP7137242B2 (ja) | ＧａＮ基板の分断方法 | |
| JP5930840B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
| JP3276506B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11274653A (ja) | 半導体レ−ザ基板の劈開方法 | |
| JPH0442949A (ja) | ダイシングスリット付き半導体装置 | |
| JPS5997545A (ja) | ガラスセルのブレイキング方法 | |
| JPH0265156A (ja) | 半導体ペレットの製造方法 | |
| JPS62249418A (ja) | 分離方法 | |
| JPH04249113A (ja) | ウエハスクライバ | |
| JP2005109061A (ja) | 半導体装置製造用治具、治具の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20240108194A (ko) | 웨이퍼의 절단 방법 |