JPH04249113A - ウエハスクライバ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハをはじめ
各種の材料の薄板（ウエハ）を個々のチップに分割する
ために使用されるウエハスクライバに関するものである
。

【０００２】

【従来の技術】図３に示すように、１枚の半導体ウエハ
４上に多数の半導体素子５を形成し、この半導体ウエハ
４を各々の半導体素子５毎のチップに分割する場合、従
来は図４に示すように、半導体ウエハ４上の半導体素子
５相互間にウエハスクライバのダイヤモンドカッタ１を
セットし、このダイヤモンドカッタ１に適当な大きさの
荷重Ｗを加えながら、これを矢印Ｘの方向に移動させる
ことによりケガキ線であるスクライブライン６を入れ、
半導体ウエハ４の裏面からこのスクライブライン６に沿
って力を加えることにより半導体ウエハ４を個々のチッ
プに分割している。

【０００３】ウエハスクライバで半導体ウエハ４にスク
ライブライン６を入れるとき、上述のようにダイヤモン
ドカッタ１に荷重Ｗを加えるが、この場合、図５に示す
ように、ダイヤモンドカッタ１の先端は半導体ウエハ４
の表面から深さＤだけ切り込まれるように調整されてお
り、そのため、半導体ウエハ４にはダイヤモンドカッタ
１の先端のダイヤモンドチップ２ｂの角度θ１および、
荷重Ｗの大きさにより、Ａ，Ｂで示すような大きさと方
向の力が加わり、それにより半導体ウエハ４には垂直下
向きに力Ａ，Ｂの合力であるＣが加わることになる。こ
れによって、図６（ａ）に示すように、ダイタモンドカ
ッタ１の直下、すなわちスクライブライン６の半導体ウ
エハ４中には機械的な歪７が入る。そこで、外部より、
例えばロ−ラ式のウエハブレ−カ（図示せず）により半
導体ウエハ４の裏面から機械的な力８を加えると、半導
体ウエハ４はスクライブライン６に沿って割れて、図６
（ｂ）に示すように、個々の半導体チップ４ａ，４ａ…
…に分割される。

【０００４】ところが、ウエハスクライバのダイヤモン
ドカッタ１は、図７に示すように、カッタ本体２ａと先
端のダイヤモンドチップ２ｂとを具備しており、ダイヤ
モンドチップ２ｂの先端の角度θ１とその形状，図８に
示すダイヤモンドカッタ１を移動させる方向Ｘに対する
その傾き角θ２および図５に示したダイヤモンドカッタ
１に加えられる荷重Ｗの大きさ等のパラメ−タにより、
当該ダイヤモンドカッタ１が半導体ウエハ４中に切り込
まれる深さＤが決まり、従って、半導体チップ４ａの分
割後の状態が決まる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような従来のウエ
ハスクライバを用いて、例えば図９（ａ）のように半導
体ウエハ４の上に金属膜５ａが形成された部分をスクラ
イブする場合、金属膜５ａは一般に半導体ウエハ４に比
べ機械的にやわらかいため、荷重Ｗにより生じる力Ａ，
Ｂによって金属膜５ａが変形し、図９（ｂ）に示すよう
に、もり上がり部分５ｂが生じてしまい、力が分散され
半導体ウエハ４には力が加わらずスクライブができない
。また、荷重Ｗを大きくすると、図９（ｃ）に示すよう
に、金属膜５ａがケバ立ち５ｃを生じてたり、メクレ５
ｄを生じる等の不都合が発生していた。

【０００６】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体ウエハを常に正確、かつ
確実に各チップに分割することのできるウエハスクライ
バを得ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係るウエハスク
ライバは、ダイヤモンドチップを備えた複数本のダイヤ
モンドカッタをその移動方向に沿って一列に構成したも
のである。

【０００８】

【作用】本発明におけるウエハスクライバは、複数本の
ダイヤモンドカッタを有し、最初のダイヤモンドカッタ
で金属膜にスクライブラインを入れ、次のダイヤモンド
カッタで半導体ウエハにスクライブラインを入れるので
、半導体ウエハにスクライブラインに沿って確実に歪が
加えられ、半導体ウエハ４を個々のチップに確実に分割
することができる。

【０００９】

【実施例】以下、本発明のウエハスクライバを図を用い
て説明する。図１は本発明のウエハスクライバの一実施
例を示す構成図である。この図において、１１，１２は
ある間隔Ｙ離してその移動法に沿って一列に設けられた
第１，第２のダイヤモンドカッタで、第１，第２のダイ
ヤモンドカッタ１１，１２はそれぞれカッタ本体２１ａ
，２２ａと、先端のダイヤモンドチップ２１ｂ，２２ｂ
とからなり、ダイヤモンドチップ２１ｂと２２ｂは異な
る形状、つまり先端角度がθ３，θ４となっている。 さらに、第１，第２のダイヤモンドカッタ１１，１２の
水平に対する角度θ５，θ６および荷重Ｗ１，Ｗ２は個
別に変更できるようになっている。

【００１０】本発明によるウエハスクライバを用いて半
導体ウエハにスクライブラインを入れる作業は、図４で
説明した従来の作業と実質的に同じで、第１，第２のダ
イヤモンドカッタ１１，１２に荷重Ｗ１とＷ２を加え、
半導体ウエハ４に対する角度θ５，θ６を保ってこれを
Ｘの方向に移動させてスクライブラインを入れる。

【００１１】ここで、従来のウエハスクライバでは、例
えば図９（ａ）に示したような半導体ウエハ４の上に金
属膜５ａが形成された部分をスクライブする場合、図９
（ｂ）のように金属膜５ａが変形することにより力が分
散されて半導体ウエハ４に歪７が入らなかったが、本発
明では、まず第１のダイヤモンドカッタ１１の先端角度
θ３と第２のダイヤモンドカッタ１２の先端角度θ４を
θ３＞θ４としておき、第１のダイヤモンドカッタ１１
で図２（ａ）のように半導体ウエハ４の上に形成された
金属膜５ａに第１のスクライブライン６ａを入れる。次
に、第１のスクライブライン６ａと同じ位置に、図２（
ｂ）に示すように、第２のダイヤモンドカッタ１２のス
クライブライン６ｂを入れる。このとき、第１のダイヤ
モンドカッタ１１と第２のダイヤモンドカッタ１２の先
端角度はθ３＞θ４となっており、第１のスクライブラ
イン６ａが入っているために金属膜５ａの厚さは薄くな
っているので、第２のスクライブライン６ｂは図３のよ
うに、半導体ウエハ４に達することができるので、歪７
を半導体ウエハ４の中に入れることができる。その後、
従来例と同様に、例えばロ−ラ式のウエハブレ−カによ
り半導体ウエハ４の裏面から力を加えると、この半導体
ウエハ４はスクライブライン６に沿って確実に分割され
る。

【００１２】なお、上記実施例では、第１のダイヤモン
ドカッタ１１と第２のダイヤモンドカッタ１２の先端角
度θ３，θ４や荷重Ｗ１，Ｗ２、および角度θ５，θ６
や移動速度Ｘやダイヤモンドカッタの間隔Ｙ等はスクラ
イブしようとするウエハにより適宜選択すればよい。ま
た、上記実施例では、ダイヤモンドカッタは２本であっ
たが、これに限らず、３〜４本、あるいはそれ以上に数
を増やしても良い。さらに、本発明は、半導体材料以外
のウエハのスクライブにも使用できることはいうまでも
ない。

【００１３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ダイヤ
モンドチップを取り付けたダイヤモンドカッタを複数そ
の移動方向に沿って一列に構成したので、このウエハス
クライバを用いれば、例えば金属膜が上層に形成された
半導体ウエハのスクライブを行う場合でもダイヤモンド
カッタの先端角度の組合わせによって容易に、かつ確実
にスクライブが行える。また、ガラス膜が上に形成され
た半導体ウエハや、金属膜とガラス膜が多層に形成され
た半導体ウエハのスクライブにも応用でき、同様の効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるウエハスクライバを示す図である
。

【図２】本発明を用いて半導体ウエハをスクライブする
時のスクライブラインを示す図である。

【図３】スクライブラインが形成された半導体ウエハを
示す斜視図である。

【図４】ウエハスクライバで半導体ウエハにスクライブ
ラインを入れるときの様子を示す部分拡大斜視図である
。

【図５】ウエハスクライバで半導体ウエハにスクライブ
ラインを入れるときに、半導体ウエハに加わる力関係を
示す図である。

【図６】スクライブ工程を示す図である。

【図７】従来のウエハスクライバのダイヤモンドカッタ
を示す図である。

【図８】従来のウエハスクライバのダイヤモンドカッタ
の使用状態を説明する図である。

【図９】従来のウエハスクライバで金属膜が形成された
半導体ウエハをスクライブする工程を示す図である。

【符号の説明】

４　　　　　　半導体ウエハ ５ａ　　　　金属膜 ５ｂ　　　　金属膜のもり上がり部分 ６ａ　　　　第１のスクライブライン ６ｂ　　　　第２のスクライブライン ７　　　　　　歪 １１　　　　第１のダイヤモンドカッタ１２　　　　第
２のダイヤモンドカッタ２１ａ，２２ａ　　カッタ本体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　カッタ本体の先端にダイヤモンドチッ
   プを取り付けたダイヤモンドカッタを備えたウエハスク
   ライバにおいて、前記ダイヤモンドカッタをその移動方
   向に沿って一列に複数設けて構成したことを特徴とする
   ウエハスクライバ。