JPS58159349A - 結晶基板の分割方法 - Google Patents
結晶基板の分割方法Info
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- JPS58159349A JPS58159349A JP57043151A JP4315182A JPS58159349A JP S58159349 A JPS58159349 A JP S58159349A JP 57043151 A JP57043151 A JP 57043151A JP 4315182 A JP4315182 A JP 4315182A JP S58159349 A JPS58159349 A JP S58159349A
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- Japan
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- pellets
- cleaved
- plane
- crystal substrate
- pellet
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結晶基板、特にゲルマニウム、シリコン、ガリ
ウム砒素勢の半導体の結晶基板いわゆるウェハをペレッ
゛トに分割するところの結晶基板の分割方法に関する。
ウム砒素勢の半導体の結晶基板いわゆるウェハをペレッ
゛トに分割するところの結晶基板の分割方法に関する。
通常、トランジスタ、ＩＣ等の半導体素子の製造工程に
杜、一般にスクライビング工程と呼ばれている主要工程
がある。この工程は、ウェハ内に作られた同一多数の素
子を個々の素子（ペレットという）に分割する工程で、
ウニβ−９のペレット数を多くするえめに、切りしろは
できるだけ狭いこと、切断ひずみを残さないこと、切断
速度が速いことなどが要求される・ 現在、これらの要求を一応満足するものとして一般的に
用いられている方法は次のようなものである◎なお以下
の説明は結晶基板としてシリコンウェハを取）上げて行
うことにする。壜ず５１１図に示すようにウェハ１の上
面の直角に交わる２本の割目ｉｌｌ、１２に沿うて例え
ばダイヤ毎ンドカッタを用い浅い切シ溝をつける。次に
、このウェハ１を合成樹脂からなるシートに貼布する。
杜、一般にスクライビング工程と呼ばれている主要工程
がある。この工程は、ウェハ内に作られた同一多数の素
子を個々の素子（ペレットという）に分割する工程で、
ウニβ−９のペレット数を多くするえめに、切りしろは
できるだけ狭いこと、切断ひずみを残さないこと、切断
速度が速いことなどが要求される・ 現在、これらの要求を一応満足するものとして一般的に
用いられている方法は次のようなものである◎なお以下
の説明は結晶基板としてシリコンウェハを取）上げて行
うことにする。壜ず５１１図に示すようにウェハ１の上
面の直角に交わる２本の割目ｉｌｌ、１２に沿うて例え
ばダイヤ毎ンドカッタを用い浅い切シ溝をつける。次に
、このウェハ１を合成樹脂からなるシートに貼布する。
次に、このシートを弾性体の敷物を敷いた分割台の上に
ウェハを下側にして載置する。次に、このウェハにまず
割目線１２に沿うてウェハの一方の端から順に他方の熾
へとはぼ一定圧力でローラを移動させ割目線１２に沿う
て割ｐ目をつける０次に１ウエハな９０度回転させて上
と同様にして割目線１１に沿うて割ｐ目を付ける・次に
、シートを引き伸すことによシ個々に分割されたペレッ
ト２が得られる。
ウェハを下側にして載置する。次に、このウェハにまず
割目線１２に沿うてウェハの一方の端から順に他方の熾
へとはぼ一定圧力でローラを移動させ割目線１２に沿う
て割ｐ目をつける０次に１ウエハな９０度回転させて上
と同様にして割目線１１に沿うて割ｐ目を付ける・次に
、シートを引き伸すことによシ個々に分割されたペレッ
ト２が得られる。
この分割方法において二つの割目１ｍ１１．１２の゛う
ちの少なくともいずれか一つは、ウェハが割れやすいよ
うにその結晶のへき−じやすい面の方向に定められる。
ちの少なくともいずれか一つは、ウェハが割れやすいよ
うにその結晶のへき−じやすい面の方向に定められる。
この結晶のへき関しやすい面は結晶体の結晶構造により
定まり、例えば、ゲルマニウム、シリコンでは（１１１
）面、ガリウム砒素では（１１Ｇ）面であることが知ら
れている。いま、第２図に示すようにウェハＩＣ）ｐ面
が（１１１）面であるとすると、この面との交わるｌＩ
が正三角となる（図中１点鎖線で示す）三つの面（１丁
１）。
定まり、例えば、ゲルマニウム、シリコンでは（１１１
）面、ガリウム砒素では（１１Ｇ）面であることが知ら
れている。いま、第２図に示すようにウェハＩＣ）ｐ面
が（１１１）面であるとすると、この面との交わるｌＩ
が正三角となる（図中１点鎖線で示す）三つの面（１丁
１）。
（τ１１）、（１１丁）がへき翻しやすい面となる。
そこで刻＠線１２會（１１１）面上で（１１丁）に平行
に規定すれば、ウェハは割目１！１２に沿うて割れやす
くなる。（丁１１）、（１１１）ｉ［Ｉではその面で割
れやすくなる方向には圧力が加わらないのでそれらの面
で割れることは無い、このようにして特定のへき細しや
すい結晶面が選ばれる。実際には、第１図に示すように
＜５ＩＴ）面と直角に交わト）面３とし、このＯＦ面３
と喬直に割目＊１２が設けられる。
に規定すれば、ウェハは割目１！１２に沿うて割れやす
くなる。（丁１１）、（１１１）ｉ［Ｉではその面で割
れやすくなる方向には圧力が加わらないのでそれらの面
で割れることは無い、このようにして特定のへき細しや
すい結晶面が選ばれる。実際には、第１図に示すように
＜５ＩＴ）面と直角に交わト）面３とし、このＯＦ面３
と喬直に割目＊１２が設けられる。
ところで、このような方法を用いて分割されたペレット
には、欠けや傷による不良ペレットがかな９多く発生す
るという欠点がある。
には、欠けや傷による不良ペレットがかな９多く発生す
るという欠点がある。
本発明の目的は、結晶基板に加える圧力の加え方を規制
することによシ、欠けや傷による不良ベレットの発生の
少い結晶基板の分割方法を提供することにある。
することによシ、欠けや傷による不良ベレットの発生の
少い結晶基板の分割方法を提供することにある。
本発明の方法は、特定された結晶面の法線方向に対して
鋭角になる方向に圧力を結晶基板の一方の端から順にそ
の相対向する他方の端へと前記結晶基板に加えることに
より前記結晶面に沿うてへき翻を行うへき一工程を含む
ことからなっている。
鋭角になる方向に圧力を結晶基板の一方の端から順にそ
の相対向する他方の端へと前記結晶基板に加えることに
より前記結晶面に沿うてへき翻を行うへき一工程を含む
ことからなっている。
以下、本発明について図面を参照し詳細に説明する。
まず初めに、従来の方法によるとなぜ欠けや傷による不
良ベレットが発生するかを考察する。第３図（ａ） 、
（ｂ）は前述した従来方法の中でのウェハ２１にロー
ラ２３を用いて圧力を加える工程の説明図である（第１
図、第２嫡のを・１目紐１１に沿うての断面図に相当）
。図で斜めに点１１２２で示したものはへき翻させよう
とする（ＩＩＴ）面を表わしてお）、表面である（１１
１）面とのなす角＃１は約７α５度である。（８１図、
籐２図の割目線１１の方向へ右から左へ移動）。すなわ
ち、へき−させようと特定された（１１Ｔ）面２２の法
線方向２５とローラ２３の移動方向２６とのなす角−が
鈍角になる条件で圧力が加えられることになる。かくし
て、へＩ！開が行われる同図（ｂｌの点艙の円で囲んで
示すように、へき開されたペレット２４（もしもローラ
を初めにかけた場合であれば、ペレット２４＆ｉまだ個
々には分割されないで横に連なった状１［ｉｌにある）
は、圧力が斜めのへき開面の下の部分から上の部分へと
順に加えられるために、次にへ書間されるペレット２７
に押しつけられる形となる。この結果ベレット２４の先
端部分か欠けたシ、ペレツ）２１０へき開面に傷が生じ
九ルして不良ペレットが発生するものと考えられるＯし
かしながら従来の方法においては、このローラの移動方
向すなわちウエノ・のどちら側から順に圧力を加えて行
くかは、なんら規定されていないので、この第３図（Ｍ
ｌに示すような場合がしけしけ起りそれに伴い多くの不
良ペレットが発生することになる。
良ベレットが発生するかを考察する。第３図（ａ） 、
（ｂ）は前述した従来方法の中でのウェハ２１にロー
ラ２３を用いて圧力を加える工程の説明図である（第１
図、第２嫡のを・１目紐１１に沿うての断面図に相当）
。図で斜めに点１１２２で示したものはへき翻させよう
とする（ＩＩＴ）面を表わしてお）、表面である（１１
１）面とのなす角＃１は約７α５度である。（８１図、
籐２図の割目線１１の方向へ右から左へ移動）。すなわ
ち、へき−させようと特定された（１１Ｔ）面２２の法
線方向２５とローラ２３の移動方向２６とのなす角−が
鈍角になる条件で圧力が加えられることになる。かくし
て、へＩ！開が行われる同図（ｂｌの点艙の円で囲んで
示すように、へき開されたペレット２４（もしもローラ
を初めにかけた場合であれば、ペレット２４＆ｉまだ個
々には分割されないで横に連なった状１［ｉｌにある）
は、圧力が斜めのへき開面の下の部分から上の部分へと
順に加えられるために、次にへ書間されるペレット２７
に押しつけられる形となる。この結果ベレット２４の先
端部分か欠けたシ、ペレツ）２１０へき開面に傷が生じ
九ルして不良ペレットが発生するものと考えられるＯし
かしながら従来の方法においては、このローラの移動方
向すなわちウエノ・のどちら側から順に圧力を加えて行
くかは、なんら規定されていないので、この第３図（Ｍ
ｌに示すような場合がしけしけ起りそれに伴い多くの不
良ペレットが発生することになる。
本発明の方法は、上述の考察に基づいてなされたもので
あり、第４図（ａ）にその一実施例、を示すようにロー
ラ２３の移動方向２６′をｊＩ３図（ａ）の場合の移動
方向２６とは正反対にしたものである。すなわち、へき
翻させようと特定された（ＩＩＴ）面２２の法線方向２
５と移動方向２６′のなす角θ′が鋭角になる向きに移
動方向２６′を規定したものである。かくするとへき−
により分割されたペレット２４′は、同図（ｂ）の点線
の円で凹んで示すように、これまでとは反対に、圧力が
斜めのへｌ！＃１面の上の部分から下の部分へと順に加
えられるために、へき開されたペレット２４′は次にへ
き開されるペレット２７′から押し麹なされる形になｐ
、お互に欠けを生じたシ傷をつけ合うことが無くなる。
あり、第４図（ａ）にその一実施例、を示すようにロー
ラ２３の移動方向２６′をｊＩ３図（ａ）の場合の移動
方向２６とは正反対にしたものである。すなわち、へき
翻させようと特定された（ＩＩＴ）面２２の法線方向２
５と移動方向２６′のなす角θ′が鋭角になる向きに移
動方向２６′を規定したものである。かくするとへき−
により分割されたペレット２４′は、同図（ｂ）の点線
の円で凹んで示すように、これまでとは反対に、圧力が
斜めのへｌ！＃１面の上の部分から下の部分へと順に加
えられるために、へき開されたペレット２４′は次にへ
き開されるペレット２７′から押し麹なされる形になｐ
、お互に欠けを生じたシ傷をつけ合うことが無くなる。
かくして本発明の方法によると不良ベレットの発生を大
幅に減少させることができる。実ｗＩＫ本発明の適用に
より、欠け、傷などによる不良ペレットの発生率を従来
の値の１／１０以下にも改善で１１九例がある。
幅に減少させることができる。実ｗＩＫ本発明の適用に
より、欠け、傷などによる不良ペレットの発生率を従来
の値の１／１０以下にも改善で１１九例がある。
なお、これまでの棧明は、結晶基板としてシリコンウェ
ハを又、へき−させようと特定された結晶面として（１
１丁）面を取シ上けて行りたけれども、本発明の趣旨は
なにもそれらに限定されるわけではなく、例えば結晶基
板としては、ゲルマニウム、ガリウム砒素等ＯＭＰ導体
材料のほか、軌弱でしかも特定のへき翻しやすい結晶面
を有する材料の結晶基板に対し、又特定された結晶面と
しても素子の特性とも考え合せて適切に定めることがで
きる。
ハを又、へき−させようと特定された結晶面として（１
１丁）面を取シ上けて行りたけれども、本発明の趣旨は
なにもそれらに限定されるわけではなく、例えば結晶基
板としては、ゲルマニウム、ガリウム砒素等ＯＭＰ導体
材料のほか、軌弱でしかも特定のへき翻しやすい結晶面
を有する材料の結晶基板に対し、又特定された結晶面と
しても素子の特性とも考え合せて適切に定めることがで
きる。
なお又、圧力の加え方はローラを用いる場合につき説明
したが、これもローラに限らず＃１は一定の圧力で基板
にその端から端へと加えられるものであれば良い。
したが、これもローラに限らず＃１は一定の圧力で基板
にその端から端へと加えられるものであれば良い。
以上詳細に説明したとおシ、本発明の方法によとがほと
んどなくなるので、欠けや傷による不良ペレットの発生
が大幅に減少するという効果が得られる。
んどなくなるので、欠けや傷による不良ペレットの発生
が大幅に減少するという効果が得られる。
第１図はシリコンクエバの斜視図、Ｊ１２図紘上の上面
図、第３図（１） 、 （ｂ）はそれぞれ従来例のウェ
ハに対するローラのかけ方及びペレットのへ！開状態の
説明図、第４図（ａ） ｌ （ｂ）はそれぞれ本発明の
一実施例のウェハに対するローラのかけ方及びベレット
のへき開状態の説明図である。 ・・・・割目線、２２ ・・・・（１１丁）面、２５・
・・・・・法線方向、２６．２６’・・・ローラの移動
方向。
図、第３図（１） 、 （ｂ）はそれぞれ従来例のウェ
ハに対するローラのかけ方及びペレットのへ！開状態の
説明図、第４図（ａ） ｌ （ｂ）はそれぞれ本発明の
一実施例のウェハに対するローラのかけ方及びベレット
のへき開状態の説明図である。 ・・・・割目線、２２ ・・・・（１１丁）面、２５・
・・・・・法線方向、２６．２６’・・・ローラの移動
方向。
Claims (1)
- 特定された結晶面の法線方向に対して鋭角になる方向に
圧力を結晶基板の一方の端から順に七の相対向する他方
の端へと前記結晶基板に加える仁とによｐ前記結晶爾に
沿うてへき開を行うへき開工程を含む仁とを特徴とする
結晶基板の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57043151A JPS58159349A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 結晶基板の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57043151A JPS58159349A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 結晶基板の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159349A true JPS58159349A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12655835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57043151A Pending JPS58159349A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 結晶基板の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159349A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4927778A (en) * | 1988-08-05 | 1990-05-22 | Eastman Kodak Company | Method of improving yield of LED arrays |
| WO1997032376A1 (fr) * | 1996-03-01 | 1997-09-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser a semi-conducteur et procede de clivage |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559438A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-23 | Nec Home Electronics Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP57043151A patent/JPS58159349A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559438A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-23 | Nec Home Electronics Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4927778A (en) * | 1988-08-05 | 1990-05-22 | Eastman Kodak Company | Method of improving yield of LED arrays |
| WO1997032376A1 (fr) * | 1996-03-01 | 1997-09-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser a semi-conducteur et procede de clivage |
| US6118800A (en) * | 1996-03-01 | 2000-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and cleaving method |
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