JPS6282008A - 半導体ウエハ−ブレイク装置 - Google Patents
半導体ウエハ−ブレイク装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、粘着シートに貼り付けられたセミフルカッ
トウェハーのブレイクｆこ関するものである。
トウェハーのブレイクｆこ関するものである。
周知の如く、半導体ウェハーの上面に形成されたチップ
パターンのダイシングラインに沿って、ウェハー厚をわ
ずか警こ切り残して切断する作業は、一般にセミフルカ
ット作業と呼ばれ、半導体製造分野において広く行なわ
れ始めた作業である。
パターンのダイシングラインに沿って、ウェハー厚をわ
ずか警こ切り残して切断する作業は、一般にセミフルカ
ット作業と呼ばれ、半導体製造分野において広く行なわ
れ始めた作業である。
（以下、単にセミフルカットという。）前記セミフルカ
ット作業は、第４図に示す如くドーナツ状のリングクレ
ーム（以下、単にクレーム（１）という。）に均一に張
られた粘着シート（２）の粘着面に、前記ウェハー（３
）を貼り付け、前記フレ−ム（υごと位置決めされ一般
にダイサと呼ばれる切断機によって前記セミフルカット
を行なっていた。
ット作業は、第４図に示す如くドーナツ状のリングクレ
ーム（以下、単にクレーム（１）という。）に均一に張
られた粘着シート（２）の粘着面に、前記ウェハー（３
）を貼り付け、前記フレ−ム（υごと位置決めされ一般
にダイサと呼ばれる切断機によって前記セミフルカット
を行なっていた。
又、セミフルカットされたウェハ（３）は、後工程で１
チツプ各に、ピックアップしボンディングを行なう一般
にダイボンド作業と呼ばれる工程の為に、前記、セミフ
ルカットウェハー（３）を、１チツプ各にブレイクする
作業を必要とする。
チツプ各に、ピックアップしボンディングを行なう一般
にダイボンド作業と呼ばれる工程の為に、前記、セミフ
ルカットウェハー（３）を、１チツプ各にブレイクする
作業を必要とする。
次に、従来のブレイク作業について、第４図、第５図を
用いてＪ唄をおって詳細ｆこ説明する。
用いてＪ唄をおって詳細ｆこ説明する。
第４図において、フレーム（１）に均一に張られた粘着
シート（２）の粘着面に貼り付けられ、前記、セミフル
カットされたウェハー（３）は、一般に第４図（ｂ）、
並びに（Ｃ）に示した如く、ウェハー（３）厚に対しわ
ずかＥこ切り残されている。一般的に切り残し社は２０
〜８０μｍ程度である。次いで、第５図に示し明らかな
如く、フレーム位置決め固定機構（４）を殉えたＸＹテ
ーブル（５月こ、前記フレーム−υごと粘着シート（２
）に貼り付けられたセミフルカットウェハー（３）を位
置決めする。次いで＃Ｊ記、フレーム位置決め機構（４
）の下部で、前記、粘着シート（２）の下面に位置し、
先端部にｑｌ状のブレイクピン（６〕を有し、上下機構
（７）を備えてなるブレイク手段（８） ｉこよって、
前記、粘着シート（２］ごとセミフルカットウェハー（
３）を前記粘着シート（２）の下面から所定の量だけ突
き上げ、さらに前記、ＸＹテーブル（５）により、あら
かじめ認識手段（図示せず）によって読み取ったダイシ
ングラインのり側に旧ってセミフルカットウェハー（３
）を移動させることによってブレイクを行なっていた。
シート（２）の粘着面に貼り付けられ、前記、セミフル
カットされたウェハー（３）は、一般に第４図（ｂ）、
並びに（Ｃ）に示した如く、ウェハー（３）厚に対しわ
ずかＥこ切り残されている。一般的に切り残し社は２０
〜８０μｍ程度である。次いで、第５図に示し明らかな
如く、フレーム位置決め固定機構（４）を殉えたＸＹテ
ーブル（５月こ、前記フレーム−υごと粘着シート（２
）に貼り付けられたセミフルカットウェハー（３）を位
置決めする。次いで＃Ｊ記、フレーム位置決め機構（４
）の下部で、前記、粘着シート（２）の下面に位置し、
先端部にｑｌ状のブレイクピン（６〕を有し、上下機構
（７）を備えてなるブレイク手段（８） ｉこよって、
前記、粘着シート（２］ごとセミフルカットウェハー（
３）を前記粘着シート（２）の下面から所定の量だけ突
き上げ、さらに前記、ＸＹテーブル（５）により、あら
かじめ認識手段（図示せず）によって読み取ったダイシ
ングラインのり側に旧ってセミフルカットウェハー（３
）を移動させることによってブレイクを行なっていた。
次に、この種のブレイク作用について、第６区を用いて
さらに詳細に説明する。
さらに詳細に説明する。
第６図は、第５図に示したυ−り断り図で、フレーム（
１）ごと位置決め機構（４）（図示せず）に位置決めさ
れたセミフルカットウェハ（３）とブレイクピン（６）
の動作を示したものである。
１）ごと位置決め機構（４）（図示せず）に位置決めさ
れたセミフルカットウェハ（３）とブレイクピン（６）
の動作を示したものである。
第６図（３月こおいて、前記、粘着シート（２）の下面
に位置したブレイクピン（６）は、次に第６図（ｂ）に
示した如く、所定の量だけ上下機構（７）（第５図に示
す）によって突き上げられ、次いで前記ＸＹテーブル（
５〕によって、ダイシングラインの裏側に沿って移動さ
せられる。
に位置したブレイクピン（６）は、次に第６図（ｂ）に
示した如く、所定の量だけ上下機構（７）（第５図に示
す）によって突き上げられ、次いで前記ＸＹテーブル（
５〕によって、ダイシングラインの裏側に沿って移動さ
せられる。
次に、第６図（１））に示したＥ部分の拡大図である第
６図（Ｃ）に示し明らかなように、前記、一連の動作ｌ
こよって、セミフルカットされたウェハー（３）のダイ
シングラインの切り残された部分〔ト〕には、粘着シー
ト（２）をブレイクピン（６）によって突き上げた際奢
こ生じる張力〔′１〕の乗置分力（′ｌ″２〕と、ブレ
イクピン（６）と粘着シート（２）の接点（Ｑ）からチ
ップ端ＣＧ）までの距離（５）（７）槓である（Ｔｚ−
Ｌｘ〕なるブレイクが発生する。
６図（Ｃ）に示し明らかなように、前記、一連の動作ｌ
こよって、セミフルカットされたウェハー（３）のダイ
シングラインの切り残された部分〔ト〕には、粘着シー
ト（２）をブレイクピン（６）によって突き上げた際奢
こ生じる張力〔′１〕の乗置分力（′ｌ″２〕と、ブレ
イクピン（６）と粘着シート（２）の接点（Ｑ）からチ
ップ端ＣＧ）までの距離（５）（７）槓である（Ｔｚ−
Ｌｘ〕なるブレイクが発生する。
又、同時に前記ブレイク力の反力として第６図（Ｃ）に
示した如く接点〔ｑ〕からブレイクピン（６）の中心（
Ｆ）までの距離〔Ｌ２〕に〔Ｐ１〕なる反力が発生する
。
示した如く接点〔ｑ〕からブレイクピン（６）の中心（
Ｆ）までの距離〔Ｌ２〕に〔Ｐ１〕なる反力が発生する
。
両者の間には、（′Ｉ’ｚ −Ｌ、１ ＝ ＰＨ−Ｌ２
］なる関係が容易に尋びかれ、ブレイク力が反力を上回
った際始めてブレイクが行なわれる。
］なる関係が容易に尋びかれ、ブレイク力が反力を上回
った際始めてブレイクが行なわれる。
以上のことより、ブレイクを容易に行なうためには、〔
Ｐｌ〕なる反力を小さくするか、又は、〔Ｌ２〕なる距
離を短かくすること、あるいはブレイクカｌｅ弱める手
段が容易に考えられる。
Ｐｌ〕なる反力を小さくするか、又は、〔Ｌ２〕なる距
離を短かくすること、あるいはブレイクカｌｅ弱める手
段が容易に考えられる。
〔Ｐ１〕なる反力を最少限あるいは苓とするための一手
段として、一般に、前記粘着シート（２）の表面一部ま
で前記ダイシングを行なう方法でフルカット（ウェハー
完全切断）法があるが、このフルカット法は、前記ダイ
サの切刃に粘着シート（２）の粘着剤が目づまりを起こ
し切刃の寿命をいちじるしく低下させてしまう欠点があ
り実用的でない。
段として、一般に、前記粘着シート（２）の表面一部ま
で前記ダイシングを行なう方法でフルカット（ウェハー
完全切断）法があるが、このフルカット法は、前記ダイ
サの切刃に粘着シート（２）の粘着剤が目づまりを起こ
し切刃の寿命をいちじるしく低下させてしまう欠点があ
り実用的でない。
又、〔Ｌ２〕なる距離を短くする手段として、ブレイク
ピン（６）の先端部球Ｒの曲率半径を最少限にする方法
があるが、これも、ブレイク動作の際に前記ＸＹテーブ
ル（６）によってダイシングラインの裏側に沿って移動
させる場合、ブレイクピン（６）と粘着シート（２）の
間で一般にスラックスリップと呼ばれる、間欠的なしゃ
くり（ジャンピング）現象が起こり、粘着シート裏面を
４損させてしまうため実用不可能である。又この現象は
ブレイクピン（６）の先端曲率半径が球Ｒ１ｇ度から見
られることは、実験によって明らかＥこされている。
ピン（６）の先端部球Ｒの曲率半径を最少限にする方法
があるが、これも、ブレイク動作の際に前記ＸＹテーブ
ル（６）によってダイシングラインの裏側に沿って移動
させる場合、ブレイクピン（６）と粘着シート（２）の
間で一般にスラックスリップと呼ばれる、間欠的なしゃ
くり（ジャンピング）現象が起こり、粘着シート裏面を
４損させてしまうため実用不可能である。又この現象は
ブレイクピン（６）の先端曲率半径が球Ｒ１ｇ度から見
られることは、実験によって明らかＥこされている。
又、（′ｒｚ −Ｌ、Ｉ Ｊなるブレイク力を強める手
段としてブレイクピン（６）の突き上げ量を増すことで
（Ｔｚ 〕なる張力〔１′〕の分力を強める手段がある
が、この場合も、粘着シート（２ンの裏面の傷損並びに
変形の鑑点から実験的に５ｆｉ程度以下に抑える必要が
あることが判明している。
段としてブレイクピン（６）の突き上げ量を増すことで
（Ｔｚ 〕なる張力〔１′〕の分力を強める手段がある
が、この場合も、粘着シート（２ンの裏面の傷損並びに
変形の鑑点から実験的に５ｆｉ程度以下に抑える必要が
あることが判明している。
又、〔ＬＩ〕 なる距離は、ウェハー（３０こ形成され
るチップパターンとチップサイズによって種々さまざま
で、特ｆこ、ＬＩＦ３ ｍ／ｍ以下の小チップの場合得
られるブレイク力は、非常に小さくなるため、ブレイク
ピン（６）を使用したブレイク方式においては、ブレイ
クミスが多発する欠点があった。
るチップパターンとチップサイズによって種々さまざま
で、特ｆこ、ＬＩＦ３ ｍ／ｍ以下の小チップの場合得
られるブレイク力は、非常に小さくなるため、ブレイク
ピン（６）を使用したブレイク方式においては、ブレイ
クミスが多発する欠点があった。
さらに、ブレイクピン（６）は、先端部が球に状である
為に、ダイシングラインの裏側に沿って前記ＸＹテーブ
ル（５）により移動を行なわせても前記ブレイク力が、
移動方向以外の方向にも作用するために、ダイシングラ
イン以外の部分齋こ割れが発生したり、又、ブレイクラ
インが複雑な壁間形状になり、ウェハクズ（シリコンク
ズ）が多く発生し、チップパターンの上面に飛び散って
、パターンをｆＭｊ損させるといった重大な欠点があっ
た。
為に、ダイシングラインの裏側に沿って前記ＸＹテーブ
ル（５）により移動を行なわせても前記ブレイク力が、
移動方向以外の方向にも作用するために、ダイシングラ
イン以外の部分齋こ割れが発生したり、又、ブレイクラ
インが複雑な壁間形状になり、ウェハクズ（シリコンク
ズ）が多く発生し、チップパターンの上面に飛び散って
、パターンをｆＭｊ損させるといった重大な欠点があっ
た。
本発明は、上記、欠点に艦みなされたもので、チップサ
イズにより異る、ブレイク力に左右されず、ＸＹテーブ
ルによって移動されたダイシングラインだけを確実にブ
レイクすることによって、ブレイクミスがなくかつ、ブ
レイク壁間形状が単純できれいなブレイクラインを得る
ことが出来、ウェハクズの発生が最少なブレイク装置を
得ることを目的とする。
イズにより異る、ブレイク力に左右されず、ＸＹテーブ
ルによって移動されたダイシングラインだけを確実にブ
レイクすることによって、ブレイクミスがなくかつ、ブ
レイク壁間形状が単純できれいなブレイクラインを得る
ことが出来、ウェハクズの発生が最少なブレイク装置を
得ることを目的とする。
この発明によるブレイク装置は、ブレイク手段の形状を
、円弧にするとともに、円弧の中心を通る断面の先端部
が三角形を成すようにしたものである。
、円弧にするとともに、円弧の中心を通る断面の先端部
が三角形を成すようにしたものである。
この発明におけるブレイク手段は、上下機構（７）によ
って粘着シート（２）に突き上げられた際、上記ブレイ
ク手段の形状が円弧の中心を通る断面の先端部が三角形
を成していることにより、前記、〔Ｌ２〕なる距離を零
とすることでブレイク力を集中することが出来、かつ、
前記ブレイク手段の形状が円弧をなしていると共に円弧
の方向と同一方向に、前記ＸＹテーブル（５）によって
、移動されたダイシングラインだけにブレーク力が作用
すると共に、スティックスリップの発生がないために、
チップサイズにより異るブレーク力に左右されず、前記
、移動されたダイシングラインだけを確実にブレイクで
き、かつブレイク形状がＩＭできれいなブレイクライン
を得ることができ、ウェハクズの発生が最少になり又、
ブレイク手段（９）は円形をなし円形の中心を軸として
自在に回転可能に支持されているため、積重シートを傷
損することもない。
って粘着シート（２）に突き上げられた際、上記ブレイ
ク手段の形状が円弧の中心を通る断面の先端部が三角形
を成していることにより、前記、〔Ｌ２〕なる距離を零
とすることでブレイク力を集中することが出来、かつ、
前記ブレイク手段の形状が円弧をなしていると共に円弧
の方向と同一方向に、前記ＸＹテーブル（５）によって
、移動されたダイシングラインだけにブレーク力が作用
すると共に、スティックスリップの発生がないために、
チップサイズにより異るブレーク力に左右されず、前記
、移動されたダイシングラインだけを確実にブレイクで
き、かつブレイク形状がＩＭできれいなブレイクライン
を得ることができ、ウェハクズの発生が最少になり又、
ブレイク手段（９）は円形をなし円形の中心を軸として
自在に回転可能に支持されているため、積重シートを傷
損することもない。
以下この発明の一実施例を図を用いて説明する第１圓に
おいて（９）は、本発明の特許請求の範囲第１項記載の
ブレイク手段（９）を示す斜視図、（ｂ）は、本発明の
一実施例ｆこ使用した本発明の特許請求の範囲第１項及
び、第２項、第８項、並びに第４項記載のブレイク手段
（９）を一部断面して示した斜視図、（Ｃ）及び（９月
よ、前記ブレイク手段（９）の正面並びに側面図である
。
おいて（９）は、本発明の特許請求の範囲第１項記載の
ブレイク手段（９）を示す斜視図、（ｂ）は、本発明の
一実施例ｆこ使用した本発明の特許請求の範囲第１項及
び、第２項、第８項、並びに第４項記載のブレイク手段
（９）を一部断面して示した斜視図、（Ｃ）及び（９月
よ、前記ブレイク手段（９）の正面並びに側面図である
。
第２図は、本発明によるブレイク手段（９）の作用を示
したもので第８図は本発明の一実施例を示すものである
。第８図において、フレーム（υに均一に張られた粘着
シート（２）の粘着面に貼り付けられ前記、セミフルカ
ットされたウェハ（３）をフレーム位置決め機構（４）
を設えたＸＹテーブル（５）に、前記フレームＩＩＪ’
ごと位置決めする。次いで前記フレーム位置決め機構（
４）の下部で前記粘着シートの下面に位置し、先端部に
、本発明によるブレイク手段（９）を備え上下機構（７
）を備えてなるブレイク手段（８）によって前記粘着シ
ート（２）ごとセミフルカットウェハー（３）を所定の
童だけ突き上げさらにＸＹテーブル（５）によりあらか
じめ認識手段によって読み取ったダイシングラインの裏
側に旧ってブレイク手段（９）の円弧の方向と同一方向
奢こセミフルカットウェハー（３）を移動させる。
したもので第８図は本発明の一実施例を示すものである
。第８図において、フレーム（υに均一に張られた粘着
シート（２）の粘着面に貼り付けられ前記、セミフルカ
ットされたウェハ（３）をフレーム位置決め機構（４）
を設えたＸＹテーブル（５）に、前記フレームＩＩＪ’
ごと位置決めする。次いで前記フレーム位置決め機構（
４）の下部で前記粘着シートの下面に位置し、先端部に
、本発明によるブレイク手段（９）を備え上下機構（７
）を備えてなるブレイク手段（８）によって前記粘着シ
ート（２）ごとセミフルカットウェハー（３）を所定の
童だけ突き上げさらにＸＹテーブル（５）によりあらか
じめ認識手段によって読み取ったダイシングラインの裏
側に旧ってブレイク手段（９）の円弧の方向と同一方向
奢こセミフルカットウェハー（３）を移動させる。
前記、一連の動作によって第２図に示した如くセミフル
カットされたウェハー（３）のダイシングラインの切り
残された部分ＣＦ〕には、粘着シート（２）をブレイク
手段（９）によって突き上げられた際に生ずる張力（Ｔ
）の重置部分（Ｔｚ）と、ブレイク手段（９）の中心〔
オ゛〕からチツ・ブ端（Ｇ、ｌまでの距Ｍ（Ｌｔ）の積
である（’ｌ’ｚ−Ｌｌ、！なるブレイク力が発生する
。
カットされたウェハー（３）のダイシングラインの切り
残された部分ＣＦ〕には、粘着シート（２）をブレイク
手段（９）によって突き上げられた際に生ずる張力（Ｔ
）の重置部分（Ｔｚ）と、ブレイク手段（９）の中心〔
オ゛〕からチツ・ブ端（Ｇ、ｌまでの距Ｍ（Ｌｔ）の積
である（’ｌ’ｚ−Ｌｌ、！なるブレイク力が発生する
。
又、同時に、前記ブレイク力の反力として第２図に示し
た如く、ブレイク手段（９）の中心〔Ｆ〕；ブレイク手
段（９）と粘着シート（２）の接Ａ （Ｑ）の点に〔Ｐ
ｌ〕なる反力が発生する。
た如く、ブレイク手段（９）の中心〔Ｆ〕；ブレイク手
段（９）と粘着シート（２）の接Ａ （Ｑ）の点に〔Ｐ
ｌ〕なる反力が発生する。
両者の間には、（’ｌ’ｚ−ＬＨ＝Ｐｌ〕なる関係が容
易に導びかれブレイク力が反力を上回った際始めてブレ
イク力が行なわれる。
易に導びかれブレイク力が反力を上回った際始めてブレ
イク力が行なわれる。
しかし本発明によるブレイク手段（９）の形状が円弧を
成すと共に円弧の中心を通る断面の先端部が三角形を成
すことにより、ブレイク力（Ｔｚ−Ｌｔ、１がブレイク
手段（９）の中心ＣＦ）に集中する為に距離（Ｌｔ）ｌ
こ関係なく、ブレイク手段（９）を所定量突き上げた際
に生ずる粘着シート（２）の張力が（Ｔ）だけでブレイ
ク出来ることが容易に分る。
成すと共に円弧の中心を通る断面の先端部が三角形を成
すことにより、ブレイク力（Ｔｚ−Ｌｔ、１がブレイク
手段（９）の中心ＣＦ）に集中する為に距離（Ｌｔ）ｌ
こ関係なく、ブレイク手段（９）を所定量突き上げた際
に生ずる粘着シート（２）の張力が（Ｔ）だけでブレイ
ク出来ることが容易に分る。
さらに、本発明によるブレイク手段（９）は、円弧を成
している為、ダイシングライン１２Ｊ：１ってブレイク
手段（９）の円弧の方向と同一方向に前記ＸＹテーブル
（５ンによりセミフルカットウェハー（３）を移動せし
めた場合、ブレイク力は、前記円弧の方向と同一方向に
のみ作用するため、従来のブレイクビン（６）に見られ
たようにブレイク力がダイシングライン以外に作用する
ことはない。
している為、ダイシングライン１２Ｊ：１ってブレイク
手段（９）の円弧の方向と同一方向に前記ＸＹテーブル
（５ンによりセミフルカットウェハー（３）を移動せし
めた場合、ブレイク力は、前記円弧の方向と同一方向に
のみ作用するため、従来のブレイクビン（６）に見られ
たようにブレイク力がダイシングライン以外に作用する
ことはない。
又、本発明によればブレイク手段（９）を粘着シート（
２）に所定量突き上げた状態でブレイク手段（９）の形
状が円弧を通る断面の先端部が三角形を成しかつ、円弧
になっており、かつ円形でありさらに円形の中心を軸に
回転自在Ｅこ支持されているため、ブレイク手段（９）
を粘着シート（２月こ所定量突き上げた状態で、円弧の
方向と同一方向に前記粘着シート（２）を移動せしめて
もスティックスリップを生じない。
２）に所定量突き上げた状態でブレイク手段（９）の形
状が円弧を通る断面の先端部が三角形を成しかつ、円弧
になっており、かつ円形でありさらに円形の中心を軸に
回転自在Ｅこ支持されているため、ブレイク手段（９）
を粘着シート（２月こ所定量突き上げた状態で、円弧の
方向と同一方向に前記粘着シート（２）を移動せしめて
もスティックスリップを生じない。
さらに本発明による一実施例では、第１図及び特許請求
の範囲第１項第２項、第８項並びに第４項に示したごと
く、ブレイク手段（９）の形状が円弧を成すと共に、円
弧の中心を通る断面の先端部が二等辺三角形であり、か
つ、８６ｏ０全てに円弧状すなわち円板形を成しさらに
その円板形の中心を、回転軸として回転可能に支持され
ており、粘着シート（２）との胸で非常にスムーズに回
転摺動が行なわれる為粘着シートを傷損しない。
の範囲第１項第２項、第８項並びに第４項に示したごと
く、ブレイク手段（９）の形状が円弧を成すと共に、円
弧の中心を通る断面の先端部が二等辺三角形であり、か
つ、８６ｏ０全てに円弧状すなわち円板形を成しさらに
その円板形の中心を、回転軸として回転可能に支持され
ており、粘着シート（２）との胸で非常にスムーズに回
転摺動が行なわれる為粘着シートを傷損しない。
又、上記実施例では、円弧を成し、円弧の中心を通る先
端部が三角形又は二等辺三角形であり又は円形でありさ
らに回転自在な例について説明したがブレイク手段（９
）の形状は、うすい円板でかつ中心を通る断面の先端部
がＲ形状でも同様の効果を央す。
端部が三角形又は二等辺三角形であり又は円形でありさ
らに回転自在な例について説明したがブレイク手段（９
）の形状は、うすい円板でかつ中心を通る断面の先端部
がＲ形状でも同様の効果を央す。
以上のようにこの発明によれば、ブレイク手段（９）の
形状が円弧をなすと共に円弧の中心を通る断面の先端部
が三角形を成すことによりチップサイズによるブレイク
力に左右されずＸＹテーブル（ζより移動されたダイシ
ングラインだけを確実にブレイクすることができ、ブレ
イクミスがなくかつブレイク壁間形状が単純できれいな
ブレイクラインを得ることができ、さらにウェハクズの
発生が最少なブレイク装置を得ることができる。
形状が円弧をなすと共に円弧の中心を通る断面の先端部
が三角形を成すことによりチップサイズによるブレイク
力に左右されずＸＹテーブル（ζより移動されたダイシ
ングラインだけを確実にブレイクすることができ、ブレ
イクミスがなくかつブレイク壁間形状が単純できれいな
ブレイクラインを得ることができ、さらにウェハクズの
発生が最少なブレイク装置を得ることができる。
第１図は、この発明の一実施例によるブレイク手段を示
す斜視図並びに正面図と側面図、第２図はこの発明のブ
レイク手段の作用を示す拡大斜視図第８図は、本発明に
よるブレイク手段を備えた半導体ウェハブレイク装置の
全体斜視図、第４図はセミフルカットウェハとフレーム
並びｌこ粘着シートを示す斜視図及び断面図、第５図は
従来のブレイクビン（６）を有するブレイク手段を僅え
た半導体ウェハブレイク装置の斜視図、第６図は従来の
ブレイクビン（６）の作用を示す断面図を示す。 （１）はリングフレーム、（２）は粘着シート、（３）
はセミフルカットウェハー、（４ンはリングフレーム位
匝決め機構、（５）はＸＹテーブル、（７）は上下機構
、（９）はブレイク手段を示す。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
す斜視図並びに正面図と側面図、第２図はこの発明のブ
レイク手段の作用を示す拡大斜視図第８図は、本発明に
よるブレイク手段を備えた半導体ウェハブレイク装置の
全体斜視図、第４図はセミフルカットウェハとフレーム
並びｌこ粘着シートを示す斜視図及び断面図、第５図は
従来のブレイクビン（６）を有するブレイク手段を僅え
た半導体ウェハブレイク装置の斜視図、第６図は従来の
ブレイクビン（６）の作用を示す断面図を示す。 （１）はリングフレーム、（２）は粘着シート、（３）
はセミフルカットウェハー、（４ンはリングフレーム位
匝決め機構、（５）はＸＹテーブル、（７）は上下機構
、（９）はブレイク手段を示す。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）予め、一主面が所定深さまで切り込まれ、第２主
面がリングフレームに張られた粘着シートの粘着面に貼
り付けられた半導体ウェハーと、前記、リングフレーム
を位置決め支持しＸＹ方向に移動可能なテーブルと、 前記、リングフレームの下方に位置し、前記、半導体ウ
ェハーを粘着シートの裏から突き上げてブレイクするブ
レイク手段を備えたものにおいて、前記ブレイク手段の
形状が、円弧を成すと共に、円弧の中心を通る断面の先
端部が三角形を成すことを特徴とする半導体ウェハーブ
レイク装置、 - （２）ブレイク手段の先端部断面は、二等辺三角形を成
すことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
ウェハーブレイク装置、 - （３）ブレイク手段の形状は、円形をなすことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェハーブレイ
ク装置、 - （４）ブレイク手段は、円形の中心を軸に回転自在に支
持されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体ウェハーブレイク装置、
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222104A JPS6282008A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体ウエハ−ブレイク装置 |
| KR1019860005420A KR900001649B1 (ko) | 1985-10-04 | 1986-07-04 | 반도체 웨이퍼 브레이크(wafer break)장치 |
| US06/914,865 US4775085A (en) | 1985-10-04 | 1986-10-02 | Semiconductor wafer breaking apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222104A JPS6282008A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体ウエハ−ブレイク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6282008A true JPS6282008A (ja) | 1987-04-15 |
| JPH0262367B2 JPH0262367B2 (ja) | 1990-12-25 |
Family
ID=16777200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222104A Granted JPS6282008A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体ウエハ−ブレイク装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4775085A (ja) |
| JP (1) | JPS6282008A (ja) |
| KR (1) | KR900001649B1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07100615B2 (ja) * | 1988-03-29 | 1995-11-01 | 和郎 佐藤 | ガラス加工物切断装置 |
| EP0599937B1 (en) * | 1991-08-14 | 1996-01-10 | Sela Co.-Semiconductor Engineering 1992 Ltd. | Method and apparatus for cleaving semiconductor wafers |
| US5710065A (en) * | 1995-01-03 | 1998-01-20 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for breaking and separating dies from a wafer |
| FR2749794B1 (fr) * | 1996-06-13 | 1998-07-31 | Charil Josette | Dispositif de clivage d'une plaque de materiau semi-conducteur |
| US6184063B1 (en) | 1996-11-26 | 2001-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for breaking and separating a wafer into die using a multi-radii dome |
| US6685073B1 (en) | 1996-11-26 | 2004-02-03 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for stretching and processing saw film tape after breaking a partially sawn wafer |
| IL124199A (en) | 1998-04-23 | 2001-03-19 | Sela Semiconductor Enginering | Apparatus for cleaving crystals |
| JP2001250799A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウェハおよび半導体装置 |
| JP4515790B2 (ja) * | 2004-03-08 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| JP4694795B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
| JP5147230B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2013-02-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体基板の割断装置及び太陽電池モジュールの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61249709A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-06 | 日立電線株式会社 | 半導体ウエハの切断方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL284964A (ja) * | 1961-11-10 | 1900-01-01 | ||
| US3497948A (en) * | 1967-09-05 | 1970-03-03 | Transistor Automation Corp | Method and apparatus for sorting semi-conductor devices |
| US3562803A (en) * | 1969-08-01 | 1971-02-09 | Centrifugal Products Inc | Plate breaking apparatus |
| JPS5313950B2 (ja) * | 1972-03-02 | 1978-05-13 | ||
| US4005808A (en) * | 1974-01-30 | 1977-02-01 | The Fletcher-Terry Company | Plastic cutting method |
| JPS5173871A (ja) * | 1974-12-23 | 1976-06-26 | Fujitsu Ltd | Handotaisochinoseizohoho |
| US4195758A (en) * | 1978-04-03 | 1980-04-01 | Gte Automatic Electric Laboratories, Incorporated | Apparatus for separating snapstrates into individual hybrid substrates |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222104A patent/JPS6282008A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-04 KR KR1019860005420A patent/KR900001649B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-10-02 US US06/914,865 patent/US4775085A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61249709A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-06 | 日立電線株式会社 | 半導体ウエハの切断方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0262367B2 (ja) | 1990-12-25 |
| KR870004490A (ko) | 1987-05-09 |
| US4775085A (en) | 1988-10-04 |
| KR900001649B1 (ko) | 1990-03-17 |
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