JP3325646B2 - 半導体ウエハの裏面研削方法および保護テープ貼付機 - Google Patents

半導体ウエハの裏面研削方法および保護テープ貼付機

Info

Publication number
JP3325646B2
JP3325646B2 JP10132693A JP10132693A JP3325646B2 JP 3325646 B2 JP3325646 B2 JP 3325646B2 JP 10132693 A JP10132693 A JP 10132693A JP 10132693 A JP10132693 A JP 10132693A JP 3325646 B2 JP3325646 B2 JP 3325646B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
protective tape
semiconductor wafer
grinding
tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP10132693A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06310480A (ja
Inventor
丈嗣 西田
正敏 安松
千明 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP10132693A priority Critical patent/JP3325646B2/ja
Publication of JPH06310480A publication Critical patent/JPH06310480A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3325646B2 publication Critical patent/JP3325646B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの裏面研
削方法に関する。近年、電子装置の薄型化に伴い、半導
体装置の薄型化が要望されている。半導体装置を薄型化
するために、半導体ウエハに半導体装置を形成した後、
裏面を研削する方法が行われている。しかし、半導体ウ
エハを研削し薄型化すると、ウエハの機械的強度が弱く
なり、裏面研削工程で欠損が生じ易く、半導体装置の歩
留、信頼性が低下する。そこで、高歩留、高信頼性を実
現する裏面研削が期待されている。
【0002】
【従来の技術】図3、図4を参照して、裏面研削工程に
ついて説明する。図3(A)は、ウエハの半導体装置形
成面(ウエハ表面)に保護テープを貼り付ける工程を示
す。保護テープ5は保護テープ繰出しロール10から繰
り出され、圧着ロール13、13aを通して不要テープ
巻取ロール11に巻取られる。保護テープの接着面を保
護するセパレータテープは圧着ロールを通す前に剥がさ
れ、セパレータ巻取ロール12に巻取られる。
【0003】保護テープ5が圧着ロール13、13aを
通過する時に、キャリア15から取り出されて搬送され
てきたウエハと圧着される。この時にウエハ4の表面に
保護テープが貼り付けられる。
【0004】ウエハ4は、吸着テーブル14の所定の位
置に固定される。ここで、保護テープ5はカッター刃に
よってウエハの外周に沿って切り離される。切り離され
て不要になった保護テープは、不要テープ巻取ロール1
1に巻取られる。表面に保護テープを貼り付けられたウ
エハ4は、キャリア15bに収納される。
【0005】図3(B)は、ウエハ裏面研削工程を示
す。キャリア15cから取り出されたウエハ4は、吸着
テーブル14a上に固定される。この時、保護テープを
貼った表面が下側、裏面が上側になるように固定され
る。
【0006】まず、荒研削用の砥石16aを回転させ、
所望の厚さまでウエハ裏面を研削する。所望の厚さまで
研削した後、ウエハ4を吸着テーブル14b上に移載
し、固定する。続いて、仕上げ研削用の砥石16を回転
させ、ウエハ裏面を仕上げ研削する。仕上げ研削した
後、ウエハ4はキャリア15dに収納される。
【0007】図4(A)は、保護テープ剥離工程を示
す。剥離テープが剥離テープ繰出しロール20から繰り
出され、剥離用ロール22の下を通って剥離テープ巻取
ロール21に巻取られる。
【0008】キャリア15eから取り出されたウエハ4
は、保護テープを貼り付けた表面が上になるように、吸
着テーブル14c上に固定される。次に、剥離用ロール
22がウエハ4に密着しながらウエハ4上を移動する。
この時、保護テープは剥離テープに接着し、ウエハ4か
ら剥がされる。次に、ウエハ4はキャリア15fに収納
される。
【0009】図4(B)は、保護テープ剥離工程を上か
ら見た図である。キャリア15eから取り出されたウエ
ハ4は、ガイド23に沿って搬送され、オリエンテーシ
ョンフラット合わせピン24に接触したところで停止す
る。オリエンテーションフラット合わせピン24の回転
に従ってウエハ4も回転し、オリエンテーションフラッ
トが吸着テーブル14c側に向く方向で停止する。
【0010】ウエハ4は、吸着テーブル14c上に移載
され、ウエハストッパ25に接触する位置で止り、吸着
固定される。保護テープ剥離後はウエハ4は再びガイド
23に沿って搬送され、キャリア15fに収納される。
【0011】図3(A)に示す保護テープ貼り付け工程
および図3(B)に示すウエハ裏面研削工程において
も、ウエハの搬送は図4(B)と同様の方法で行われ
る。すなわち、キャリアから取り出されたウエハは、ガ
イドに沿って搬送され、オリエンテーションフラット合
わせピンによって位置合わせされ、ウエハストッパによ
って、吸着テーブル上の所望の位置に固定される。
【0012】次に、図2を参照して、保護テープ貼り付
け工程中の保護テープ切断工程について説明する。図2
(A)は、カッター刃2がウエハ4の外周に沿って保護
テープ5を切断する様子を示した斜視図である。図2
(B)は、ウエハ4とカッター刃2の接触部分を拡大し
た部分断面図である。カッター刃2およびカッターホル
ダー1は、ウエハに余分の外圧を加えないように若干の
遊びを持って保護されている。カッター刃2は、外側に
傾いてウエハ4の外周に接触する。この状態で、保護テ
ープ5を切断すると、保護テープはウエハ外周端よりも
やや内側で切断される。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】図2に示したように、
従来の方法で保護テープを切断すると、保護テープはウ
エハ外周端よりもやや内側で切断される。すなわち、ウ
エハ外周端が保護テープの外周端よりも突出する。その
ため、保護テープ貼り付け後の工程で接触、衝突等によ
りウエハに欠けが生じやすくなる。
【0014】たとえば、ウエハ裏面研削時にウエハ全面
に均一に力が加わらないため、ウエハに機械的応力が加
わり、研削工程で歪を生じる。そのためウエハが欠けや
すくなる。
【0015】さらに、工程間でのウエハキャリアによる
移動時のキャリア内面への接触、衝突、各工程内でのウ
エハ搬送中のウエハガイドへの接触、衝突およびオリエ
ンテーションフラットに接触して回転しながら位置合わ
せを行なうときの衝撃により、ウエハに欠けが生じやす
くなる。そのため、半導体装置の歩留、信頼性が低下す
る。
【0016】さらに、最近では、半導体装置のより一層
の薄型化の要求から、裏面研削後の6インチウエハの厚
さが200μm以下のものが求められている。従って、
従来の裏面研削法では、ウエハそのものが割れてしまう
という問題もある。
【0017】本発明の目的は、ウエハの欠けを少なくす
る半導体ウエハの裏面研削方法およびこの裏面研削方法
を実施するための保護テープ貼付機を提供することであ
る。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハの
裏面研削方法は、(A)半導体ウエハの半導体装置形成
面に保護テープを貼り付ける工程と、(B)隙間治具が
一側面に固定されたカッター刃を用い、前記保護テープ
を介して前記隙間治具を前記半導体ウエハの外周端に当
てながら前記カッター刃を前記半導体ウエハの外周端に
沿って移動させて、前記保護テープを前記半導体ウエハ
の外周端よりも外側で切断する工程と、(C)前記工程
(B)の後に、前記半導体ウエハの裏面を研削する工程
とを含む。
【0019】また、本発明の保護テープ貼付機は、半導
体ウエハの半導体装置形成面に保護テープを貼り付けて
半導体ウエハの外周に沿って保護テープを切断する保護
テープ貼付機において、保護テープを切断するカッター
刃の半導体ウエハと接する側面に隙間治具を有する。
【0020】
【作用】保護テープを半導体ウエハ外周端よりも外側で
切断することによって、保護テープ貼付後の工程におけ
る半導体ウエハの欠けの減少が認められた。この現象は
以下のように観察できる。
【0021】保護テープが半導体ウエハの外周端よりも
外側に突出しているため、ウエハキャリアによる移動時
のキャリア内面への接触、衝突およびウエハ搬送中のウ
エハガイドへの接触、衝突等を回避できる。このため、
ウエハ自体に加わる衝撃を少なくすることができる。
【0022】保護テープが半導体ウエハの全面に貼られ
ていることにより、裏面研削時にウエハ全面に均一に力
が加わる。そのため、ウエハに印加される不均一な応力
が減少するため、ウエハの機械的強度の劣化が最小限に
抑えられる。
【0023】
【実施例】図1を参照して、本発明の実施例による保護
テープ切断方法を説明する。図1(A)は、カッター刃
が保護テープ5を切断する様子を示す部分斜視図であ
る。カッター刃2のウエハ側の側面に隙間治具3がカッ
ター刃2に密着して固定されている。隙間治具3は、た
とえばカッター刃2とほぼ同一の幅を有し、その先端は
カッター刃2の先端よりも少し引込ませてある。
【0024】図1(B)は、ウエハの外周端とカッター
刃の部分を拡大した部分断面図である。ウエハ4の外周
端において、カッター刃2と保護テープ5との間には隙
間治具3があるため、保護テープ5はウエハ4の外周端
よりもやや外側で切断される。そのため、テープはみ出
し部6が残される。
【0025】図1(C)は、カッター刃2が保護テープ
5を切断する様子を上から見た図である。保護テープ5
はウエハ4の外周端よりもやや外側で切断され、ウエハ
4に貼り付けられた保護テープにはテープはみ出し部6
が残る。テープはみ出し部6はウエハ4の外周端より外
側に150μm以上、かつ裏面研削処理前の半導体ウエ
ハの厚さの2倍以下はみ出すことが好ましい。
【0026】図3、図4を参照して、本発明の実施例に
よる半導体ウエハの裏面研削方法を説明する。図3
(A)は、保護テープを貼り付ける工程を示す。保護テ
ープは塩化ビニール製で、厚さ150μm、粘着力75
g/20mmのものを使用した。圧着ローる13、13
aの間を通すことによって、半導体ウエハ表面に保護テ
ープ5を貼り付ける。ウエハ4を吸着テーブル14の所
定の位置に固定し、保護テープ5をウエハ外周に沿って
外周端のやや外側で切断する。図3(A)のカッター刃
は図には記載していないが、図1に示す隙間治具3を有
するものである。
【0027】図3(B)は、ウエハ裏面研削工程を示
す。まず、ウエハ4を吸着テーブル14aに固定し、荒
研削を行う。次に、ウエハ4を吸着テーブル14bに移
載し、仕上げ研削を行う。荒研削用砥石としては、砥石
メッシュが#320、ボンド材がビトリファイドボンド
のものを使用し、4800rpmの回転数で研削を行っ
た。仕上げ研削用砥石としては砥石メッシュが#140
0、ボンド材がレジンボンドのものを使用し、5500
rpmの回転数で研削を行った。
【0028】この時、保護テープはウエハ全面に貼り付
けられているため、力がウエハ全面に均一に加わる。そ
のため、ウエハの機械的強度の劣化を防止することがで
きる。また、ウエハをキャリアに収納して保護テープ貼
り付け工程からウエハ裏面研削工程に移動する時および
キャリアから各吸着テーブル14、14aに搬送する時
等に、ウエハ自体がキャリア内面あるいはウエハガイド
に接触、衝突することを回避できる。そのため、ウエハ
の欠けを防止することが可能となる。
【0029】図4は、保護テープ剥離工程を示す。ウエ
ハ4は保護テープ貼付面を上にして吸着テーブル14c
に固定される。剥離用ロール22がウエハ4上を密着し
て移動することにより、保護テープがウエハから剥がさ
れる。
【0030】この時も、図3(B)の研削工程と同様
に、ウエハ自体がキャリア内面あるいはウエハガイドに
接触、衝突することがないため、ウエハの欠けを防止す
ることができる。
【0031】図4(B)は、保護テープ剥離工程を上か
ら見た図である。オリエンテーションフラット合わせピ
ン24を回転させて位置合わせを行う時も、ピンには保
護テープが接触し、ウエハが直接接触することがないた
め、ウエハの欠けを防止することができる。
【0032】元の厚さ630μmのウエハの裏面研削を
行い、裏面研削後の厚さを400μmとした場合のウエ
ハの欠け数を以下に示す。なお、保護テープのウエハ外
周端からのはみ出し長さは約500μmである。
【0033】従来の方法で裏面研削を行った場合は、欠
けの大きさが300μm以上のものが1個、100μm
〜300μmのものが4個、100μm以下のものが1
25個であった。
【0034】本実施例によって同数のウエハを研削した
場合には、欠けの大きさが100μm以下のものが89
個であり、100μm以上のものは無かった。上記結果
から、上述の裏面研削方法によってウエハの欠けを減少
させられることが分る。
【0035】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組合せ等が可能なことは当業者に自
明であろう。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウエハの裏面研削において、ウエハの欠けを減少
させることが可能となり、半導体装置の歩留、信頼性を
向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例により、保護テープを切断する
様子を示す切断部分の斜視図、断面図および平面図であ
る。
【図2】従来例により、保護テープを切断する様子を示
す切断部分の斜視図および断面図である。
【図3】裏面研削方法における保護テープ貼付工程およ
びウエハ研削工程を説明する概念図である。
【図4】裏面研削方法における保護テープ剥離工程を説
明する概念図である。
【符号の説明】
1 カッターホルダ 2 カッター刃 3 隙間治具 4 ウエハ 5 保護テープ 6 テープはみ出し部 10 保護テープ繰出ロール 11 不要テープ巻取ロール 12 セパレータ巻取ロール 13、13a 圧着ロール 14、14a、14b、14c 吸着テーブル 15a、15b、15c、15d キャリア 16、16a 砥石 20 剥離テープ繰出ロール 21 剥離テープ巻取ロール 22 剥離用ロール 23 ガイド 24 オリエンテーションフラット合わせピン 25 ウエハストッパ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安松 正敏 宮城県黒川郡大和町松坂平1丁目6番地 富士フイルムマイクロデバイス株式会 社内 (72)発明者 岡本 千明 宮城県黒川郡大和町松坂平1丁目6番地 富士フイルムマイクロデバイス株式会 社内 (56)参考文献 特開 昭62−236738(JP,A) 特開 平3−222418(JP,A) 特開 平3−297135(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 H01L 21/301

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)半導体ウエハの半導体装置形成面
    に保護テープを貼り付ける工程と、 (B)隙間治具が一側面に固定されたカッター刃を用
    い、前記保護テープを介して前記隙間治具を前記半導体
    ウエハの外周端に当てながら前記カッター刃を前記半導
    体ウエハの外周端に沿って移動させて、前記保護テープ
    を前記半導体ウエハの外周端よりも外側で切断する工程
    と、 (C)前記工程(B)の後に、前記半導体ウエハの裏面
    を研削する工程とを含む半導体ウエハの裏面研削方法。
  2. 【請求項2】 半導体ウエハの半導体装置形成面に保護
    テープを貼り付けて半導体ウエハの外周に沿って保護テ
    ープを切断する保護テープ貼付機において、保護テープ
    を切断するカッター刃の半導体ウエハと接する側面に隙
    間治具を有する保護テープ貼付機。
JP10132693A 1993-04-27 1993-04-27 半導体ウエハの裏面研削方法および保護テープ貼付機 Expired - Fee Related JP3325646B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10132693A JP3325646B2 (ja) 1993-04-27 1993-04-27 半導体ウエハの裏面研削方法および保護テープ貼付機

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10132693A JP3325646B2 (ja) 1993-04-27 1993-04-27 半導体ウエハの裏面研削方法および保護テープ貼付機

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06310480A JPH06310480A (ja) 1994-11-04
JP3325646B2 true JP3325646B2 (ja) 2002-09-17

Family

ID=14297706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10132693A Expired - Fee Related JP3325646B2 (ja) 1993-04-27 1993-04-27 半導体ウエハの裏面研削方法および保護テープ貼付機

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3325646B2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100297096B1 (ko) * 1998-06-30 2001-08-07 박종섭 연마장치및이를이용한평탄화막의연마방법
KR100467009B1 (ko) 2000-08-04 2005-01-24 샤프 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 표면의 오염을 방지할 수 있는 반도체웨이퍼의 박층화 방법 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭장치
SG92771A1 (en) 2000-12-19 2002-11-19 Chee Peng Neo In-process tape bur monitoring
US6852241B2 (en) 2001-08-14 2005-02-08 Lexmark International, Inc. Method for making ink jet printheads
US20030209310A1 (en) * 2002-05-13 2003-11-13 Fuentes Anastacio C. Apparatus, system and method to reduce wafer warpage
JP2009135509A (ja) * 2002-08-28 2009-06-18 Lintec Corp 半導体ウエハの保護構造、半導体ウエハの保護方法、これらに用いる積層保護シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP4307825B2 (ja) * 2002-08-28 2009-08-05 リンテック株式会社 半導体ウエハの保護構造、半導体ウエハの保護方法、これらに用いる積層保護シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP2005086074A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの移し替え方法
JP5015495B2 (ja) * 2006-05-25 2012-08-29 リンテック株式会社 シート切断装置及び切断方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06310480A (ja) 1994-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6699774B2 (en) Wafer splitting method using cleavage
TWI269379B (en) Back-grinding/dicing tape applying system
KR100468748B1 (ko) 프리컷 다이싱 테이프와 범용 다이싱 테이프를 웨이퍼에 마운팅할 수 있는 다이싱 테이프 부착 장비 및 이를포함하는 인라인 시스템
US7521384B2 (en) Method and apparatus for peeling surface protective film
US6777310B2 (en) Method of fabricating semiconductor devices on a semiconductor wafer using a carrier plate during grinding and dicing steps
JP3303294B2 (ja) 半導体保護テープの切断方法
JPH1140520A (ja) ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP4040819B2 (ja) ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP2007096115A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004349649A (ja) ウエハーの薄加工方法
JP3325646B2 (ja) 半導体ウエハの裏面研削方法および保護テープ貼付機
JP2008300521A (ja) 半導体ウェーハおよびその加工方法
JP2877997B2 (ja) 半導体ウエハの処理方法
JP2005123653A (ja) テープ貼付・剥離装置及びテープ貼付システム
JPH09213662A (ja) ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP4324788B2 (ja) ウェーハマウンタ
WO2003077297A1 (fr) Procede de meulage de la surface arriere d'une plaquette semi-conductrice
JP3446830B2 (ja) 半導体ウエハのテープ貼り付け装置およびその貼り付け方法
EP1316992B1 (en) Method for processing a semiconductor wafer using a laminate substrate as a support for said semiconductor wafer
JPS6222439A (ja) ウエ−ハ保護テ−プ
JP2005260154A (ja) チップ製造方法
JP4681704B2 (ja) 半導体ウェーハの分割方法
JP2001110757A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001085453A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000340530A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020625

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100705

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120705

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees