JPH02168634A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02168634A JPH02168634A JP63324173A JP32417388A JPH02168634A JP H02168634 A JPH02168634 A JP H02168634A JP 63324173 A JP63324173 A JP 63324173A JP 32417388 A JP32417388 A JP 32417388A JP H02168634 A JPH02168634 A JP H02168634A
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- semiconductor
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ペレ
ットのダイボンディングに関する。
ットのダイボンディングに関する。
従来技術に関し、第４１１（ａ）、（ｂ）を用いて説明
する。
する。
第４図（ａ）に示すように、ウェーハ９をフランジに固
定した厚さ２０μｍの円板状のブレード７を高速回転さ
せてダイシングすることによって半導体ペレットを準備
するか、ハーフカットの場合は、その後ブレーキングす
るとによって半導体ペレットを準備したのち、第４図（
ｂ）に示すように二面テーバのコレット２により半導体
ペレット１を真空吸着し、セラミック基板内のダイアタ
ッチ面３にＡｕ−３ｉろう材１０を用いてダイボンディ
ングする。
定した厚さ２０μｍの円板状のブレード７を高速回転さ
せてダイシングすることによって半導体ペレットを準備
するか、ハーフカットの場合は、その後ブレーキングす
るとによって半導体ペレットを準備したのち、第４図（
ｂ）に示すように二面テーバのコレット２により半導体
ペレット１を真空吸着し、セラミック基板内のダイアタ
ッチ面３にＡｕ−３ｉろう材１０を用いてダイボンディ
ングする。
ここで半導体ペレット１上面のエツジ部は、側面と直角
となり、ペレット吸着の際、このエツジ部とコレットの
テーパ面４とは、エツジ部コーナーで線接触していた。
となり、ペレット吸着の際、このエツジ部とコレットの
テーパ面４とは、エツジ部コーナーで線接触していた。
グイボンドの際は、４３０℃前後に加熱されたダイアタ
ッチ面３にＡｕ−３ｉろう材１０を置き、半導体ペレッ
ト１をコレット２で吸着保持したまま、ダイアタッチ面
３と平行にスクラブすることにより、Ａｕ−５ｔろう材
１０を溶融させ、半導体ペレット１をダイアタッチ面３
にグイボンドしていた。
ッチ面３にＡｕ−３ｉろう材１０を置き、半導体ペレッ
ト１をコレット２で吸着保持したまま、ダイアタッチ面
３と平行にスクラブすることにより、Ａｕ−５ｔろう材
１０を溶融させ、半導体ペレット１をダイアタッチ面３
にグイボンドしていた。
上述した従来の半導体装置の製造方法では、グイボンド
作業時に半導体ペレット上面エツジ部側面が直角となっ
ているため、コレット傾斜面４との接触部が線接触とな
っていて、接触部の面積は非常に小さい。そこで、大型
半導体ペレット（１４ｍｍＸ１４ｍｍ前後）の場合は、
スクラブ時に、Ａｕ−５ｔろう材１０の溶融状態が悪い
と、半導体ペレット上面エツジ部に加わる力が、小型半
導体ペレットより特に大きくなるため、半導体ペレット
１のエツジ部にチッピングが発生する危険性がある。ま
た、半導体ペレット上面エツジ部とコレット傾斜面４で
すべりが発生しやすく、コレット傾斜面４の先端部がペ
レット上面の配線にきず（以下これをコレットきずと呼
ぶ）を付ける不良が増加しやすいという欠点がある。
作業時に半導体ペレット上面エツジ部側面が直角となっ
ているため、コレット傾斜面４との接触部が線接触とな
っていて、接触部の面積は非常に小さい。そこで、大型
半導体ペレット（１４ｍｍＸ１４ｍｍ前後）の場合は、
スクラブ時に、Ａｕ−５ｔろう材１０の溶融状態が悪い
と、半導体ペレット上面エツジ部に加わる力が、小型半
導体ペレットより特に大きくなるため、半導体ペレット
１のエツジ部にチッピングが発生する危険性がある。ま
た、半導体ペレット上面エツジ部とコレット傾斜面４で
すべりが発生しやすく、コレット傾斜面４の先端部がペ
レット上面の配線にきず（以下これをコレットきずと呼
ぶ）を付ける不良が増加しやすいという欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、表面側のエツジ部に
傾斜面又は段差部のある半導体ペレットを準備する工程
と、半導体ペレットの吸着面が凹状で前記傾斜面に対応
するテーバ面又は前記段差部の下段上面に対応する平面
を有するコレットで前記半導体ペレットを吸着保持して
半導体装置用容器にスクラブしダイボンディングを行う
工程とを有するというものである。
傾斜面又は段差部のある半導体ペレットを準備する工程
と、半導体ペレットの吸着面が凹状で前記傾斜面に対応
するテーバ面又は前記段差部の下段上面に対応する平面
を有するコレットで前記半導体ペレットを吸着保持して
半導体装置用容器にスクラブしダイボンディングを行う
工程とを有するというものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示す断面図である。
るための工程順に示す断面図である。
従来、フランジ６により固定されるブレード７の厚さが
２０μｍの円板状のものであったのに対し、第１図（ａ
）に示すように、ブレード１７の厚さを２００μｍ前後
まで厚くし、外周部をコレット１２の傾斜面と同じ傾斜
を付けたブレード１７によりダイシングを行う。ダイシ
ングされたウェーハ１９のダイシング溝１８の断面は、
三角形となり、ウェーハ１９のブレーキングの際、ウェ
ーハ１９は三角形の先端部から割れる。このようにする
と、第１図（ｂ）に示すように、ダイアタッチ面１３に
半導体ペレット１１をダイボンドする際に二面テーパの
コレット１２とペレット１１の接触部において、半導体
ペレット１１側の接触部を、コレット１２側の接触面に
対して面接触となるようにエツジ部１５に傾斜面を付け
、半導体ペレット１１とコレット１２の接触面積を大き
くすることができる。これによって半導体ペレット１１
のエツジ部１５に掛かるコレット１２の加重を分散して
、コレット１２によるすべりを防止し、半導体ペレット
１１のエツジクラックやコレットきずを防止することが
できる。
２０μｍの円板状のものであったのに対し、第１図（ａ
）に示すように、ブレード１７の厚さを２００μｍ前後
まで厚くし、外周部をコレット１２の傾斜面と同じ傾斜
を付けたブレード１７によりダイシングを行う。ダイシ
ングされたウェーハ１９のダイシング溝１８の断面は、
三角形となり、ウェーハ１９のブレーキングの際、ウェ
ーハ１９は三角形の先端部から割れる。このようにする
と、第１図（ｂ）に示すように、ダイアタッチ面１３に
半導体ペレット１１をダイボンドする際に二面テーパの
コレット１２とペレット１１の接触部において、半導体
ペレット１１側の接触部を、コレット１２側の接触面に
対して面接触となるようにエツジ部１５に傾斜面を付け
、半導体ペレット１１とコレット１２の接触面積を大き
くすることができる。これによって半導体ペレット１１
のエツジ部１５に掛かるコレット１２の加重を分散して
、コレット１２によるすべりを防止し、半導体ペレット
１１のエツジクラックやコレットきずを防止することが
できる。
第２図（ａ＞、（ｂ）は第１の実施例の製造方法の変形
を説明するための工程順に示す断面図である。
を説明するための工程順に示す断面図である。
第１図（ａ＞に示したブレードでは、ウェーハの結晶方
向によってはブレーキングするのに十分な深さのダイシ
ング溝をつけられないことがある。そこで第２図（ａ）
に示すように、円板の周辺部と中央部の厚さをそれぞれ
２０μｍと２００μｍにし間を傾斜部でつないだ構造の
ブレード１７′を用いてダイシングし、表面部に傾斜の
ある深いダイシング溝１８′をつけたのちブレーキング
すればよい。
向によってはブレーキングするのに十分な深さのダイシ
ング溝をつけられないことがある。そこで第２図（ａ）
に示すように、円板の周辺部と中央部の厚さをそれぞれ
２０μｍと２００μｍにし間を傾斜部でつないだ構造の
ブレード１７′を用いてダイシングし、表面部に傾斜の
ある深いダイシング溝１８′をつけたのちブレーキング
すればよい。
第３図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための工程順に示す断面図である。
るための工程順に示す断面図である。
第３図（ａ）に示すように、周辺部が２０μｍ中央部が
２００μｍ″′Ｃ′厚さが段階状に変化しているブレー
ド２７を用いることにより段階状のダイシング溝２８を
つけたのちブレーキングを行う。
２００μｍ″′Ｃ′厚さが段階状に変化しているブレー
ド２７を用いることにより段階状のダイシング溝２８を
つけたのちブレーキングを行う。
そうすると、第３図（ｂ）に示すように、半導体ペレッ
ト２１上面のエツジ部に階段状の段差部を設けることが
できる。コレット２２は、下段の段差部上面及び半導体
ペレット２１側壁面と平行に接する平面を有し、半導体
ペレット２１上面の配線面及びそのエッチ部に接触しな
い構造のものを用いる。
ト２１上面のエツジ部に階段状の段差部を設けることが
できる。コレット２２は、下段の段差部上面及び半導体
ペレット２１側壁面と平行に接する平面を有し、半導体
ペレット２１上面の配線面及びそのエッチ部に接触しな
い構造のものを用いる。
この実施例では、ダイアタッチ面２３に平行なスクラブ
方向に対し、垂直な面に力が加わるため、半導体ペレッ
ト２１のコレット２２に対するホールド性が第１の実施
例より優れている利点がある。
方向に対し、垂直な面に力が加わるため、半導体ペレッ
ト２１のコレット２２に対するホールド性が第１の実施
例より優れている利点がある。
上述したように本発明は、半導体ペレット上面のエツジ
部に傾斜面又は段差部を設け、コレットもそれに相応す
るものを使用することによって、半導体ペレットをスク
ラブさせる時の横方向の力を面で受けることができる。
部に傾斜面又は段差部を設け、コレットもそれに相応す
るものを使用することによって、半導体ペレットをスク
ラブさせる時の横方向の力を面で受けることができる。
従って、グイボンド時のスクラブ動作を複雑かつ微妙な
軌跡にすることが可能で、しかもチップに対するコレッ
トのすべりを防止でき、コレットきず、チッピング、シ
リコンクズ、汚れなどの付着を防止でき、ダイボンドの
歩留向上に効果がある。
軌跡にすることが可能で、しかもチップに対するコレッ
トのすべりを防止でき、コレットきず、チッピング、シ
リコンクズ、汚れなどの付着を防止でき、ダイボンドの
歩留向上に効果がある。
るための工程順に示す断面図、第３図（ａ）（ｂ）は第
２の実施例を説明するための工程順に示す断面図、第４
図（ａ）、（ｂ）は従来例を説明するための工程順に示
す斜視断面図である。
２の実施例を説明するための工程順に示す断面図、第４
図（ａ）、（ｂ）は従来例を説明するための工程順に示
す斜視断面図である。
１．１１．１１’、２１・・・半導体ペレット、２ １
２．１２’、２２・・・コレット、３，１３゜１３’
２３・・・ダイアタッチ面、４・・・コレットのテ
ーパ面、５，１５．１５’、２５・・・ペレット上面の
エツジ部、６，１６．１６’、２６・・・フランジ、７
，１７．１７’ 、２７・・・ブレード、８゜１８．１
８’ 、２８・・・ダイシング講、９，１９゜１９′・
・・ウェーハ、１ｏ・・・Ａｕ−３ｉろう材。
２．１２’、２２・・・コレット、３，１３゜１３’
２３・・・ダイアタッチ面、４・・・コレットのテ
ーパ面、５，１５．１５’、２５・・・ペレット上面の
エツジ部、６，１６．１６’、２６・・・フランジ、７
，１７．１７’ 、２７・・・ブレード、８゜１８．１
８’ 、２８・・・ダイシング講、９，１９゜１９′・
・・ウェーハ、１ｏ・・・Ａｕ−３ｉろう材。
Claims (1)
- 表面側のエッジ部に傾斜面又は段差部のある半導体ペレ
ットを準備する工程と、半導体ペレットの吸着面が凹状
で前記傾斜面に対応するテーパ面又は前記段差部の下段
上面に対応する平面を有するコレットで前記半導体ペレ
ットを吸着保持して半導体装置用容器にスクラブしダイ
ボンディングを行う工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324173A JPH02168634A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324173A JPH02168634A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168634A true JPH02168634A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18162911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63324173A Pending JPH02168634A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02168634A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018129424A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2018129434A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2019512890A (ja) * | 2016-04-08 | 2019-05-16 | レイセオン カンパニー | 直接読み取りピクセルアライメント |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63324173A patent/JPH02168634A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019512890A (ja) * | 2016-04-08 | 2019-05-16 | レイセオン カンパニー | 直接読み取りピクセルアライメント |
| JP2018129424A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2018129434A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US10446725B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-10-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US10504876B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
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