JPS5833706Y2 - 半導体ペレット - Google Patents
半導体ペレットInfo
- Publication number
- JPS5833706Y2 JPS5833706Y2 JP1977127250U JP12725077U JPS5833706Y2 JP S5833706 Y2 JPS5833706 Y2 JP S5833706Y2 JP 1977127250 U JP1977127250 U JP 1977127250U JP 12725077 U JP12725077 U JP 12725077U JP S5833706 Y2 JPS5833706 Y2 JP S5833706Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- wafer
- oxide film
- dicing
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Dicing (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体ウェハーを個別素子に分離した半導体
ペレツｌ−，特にその分割面の構造に関する。
ペレツｌ−，特にその分割面の構造に関する。
半導体ウェハーのベレツタイジング法は、一般に酸化膜
のある表面側から半導体ＰＮ接合層にダイシングソウ等
の切断具を用いたダイシング法やダイヤモンド針等でス
クライビングし、裏面のメッキ電極側でブレーキングし
て破断分離したペレット素子を得ている。
のある表面側から半導体ＰＮ接合層にダイシングソウ等
の切断具を用いたダイシング法やダイヤモンド針等でス
クライビングし、裏面のメッキ電極側でブレーキングし
て破断分離したペレット素子を得ている。
例えば、第１図に示すウェハー１において、先ずＰ形２
及びＮ形３の接合面を有する半導体層はその表面の酸化
膜層４側から矢印方向に向って切断具を用いたダイシン
グがなされ、次いでウェハー１の裏面に形成されたメッ
キ電極５側で押圧変形によるクラッキング又はブレーキ
ングによって個々のペレット６に分割している。
及びＮ形３の接合面を有する半導体層はその表面の酸化
膜層４側から矢印方向に向って切断具を用いたダイシン
グがなされ、次いでウェハー１の裏面に形成されたメッ
キ電極５側で押圧変形によるクラッキング又はブレーキ
ングによって個々のペレット６に分割している。
ここで、７は表面側の電極であり、この上に半球状に盛
り上げたバンプメツキロが形成されている。
り上げたバンプメツキロが形成されている。
しかし、従来のベレタイジング法では裏面のメッキ電極
６の部分が突起部分として残るためブレーキング及びそ
の後の一工程において不所望なかけらやクラックが生じ
易くペレツＩ・の微細片の発生や破損による不良を招き
易かった。
６の部分が突起部分として残るためブレーキング及びそ
の後の一工程において不所望なかけらやクラックが生じ
易くペレツＩ・の微細片の発生や破損による不良を招き
易かった。
従って、本考案の目的は上記に鑑み提案したものであり
、ブレーキングが正常に行ない得る表面酸化膜側に突起
部を残した半導体ペレツＩ・を提供することにある。
、ブレーキングが正常に行ない得る表面酸化膜側に突起
部を残した半導体ペレツＩ・を提供することにある。
本考案によれば、半導体ウェハーの分割に際し切断具を
用いるダイシングが裏面のメッキ電極側に施され、表面
の酸化膜側においてクラッキング、又はブレーキングが
なされる。
用いるダイシングが裏面のメッキ電極側に施され、表面
の酸化膜側においてクラッキング、又はブレーキングが
なされる。
従って、ブレーキング（破断）時に伴なうウェハーの微
細片の発生やクラックの生成が安定した酸化膜側では阻
止できるのみならず破断面が滑＾かとなってすり合わせ
に伴なう破片の発生も防止する。
細片の発生やクラックの生成が安定した酸化膜側では阻
止できるのみならず破断面が滑＾かとなってすり合わせ
に伴なう破片の発生も防止する。
また、裏面電極側の切断具によるダイシングはメッキ電
極の剥離等の異物発生を防ぎペレット分離の良品率の向
上に役立つ。
極の剥離等の異物発生を防ぎペレット分離の良品率の向
上に役立つ。
以下、本考案に係る実施例を図面を参照しつつ詳述する
。
。
第２図及び第３図は本考案に係る半導体ペレット１１で
あり、Ｐ形１２及びＮ形１３層にそれぞれメッキ電極１
４及び１５を形成する。
あり、Ｐ形１２及びＮ形１３層にそれぞれメッキ電極１
４及び１５を形成する。
メッキ電極は例えば銀メッキ層であり、表面側は酸化膜
１６の窓部分に形成される。
１６の窓部分に形成される。
通常、表面電極１４の引き出し用としてバンプメッキ１
７が形成され、裏面のメッキ電極１５と共にダイオード
半導体装置の両電極を構成する。
７が形成され、裏面のメッキ電極１５と共にダイオード
半導体装置の両電極を構成する。
このような半導体ペレット１１における本考案の特徴は
、ウェハー１０のペレタイズ法を裏面側からのダイシン
グと表面側でのブレーキングとによって実施することで
、ペレット１１の酸化膜１６を含む切断部分に突起又は
隆起部分を形成したことである。
、ウェハー１０のペレタイズ法を裏面側からのダイシン
グと表面側でのブレーキングとによって実施することで
、ペレット１１の酸化膜１６を含む切断部分に突起又は
隆起部分を形成したことである。
すなわち、先ず、切断具を用いてウェハー裏面側の銀メ
ツキ電極１５からダイシングによる切り込みが第２図の
矢印方向に入れられた。
ツキ電極１５からダイシングによる切り込みが第２図の
矢印方向に入れられた。
この切り込みによりダイシング溝が形成され、次のブレ
ーキングにおけるＹ軸及びＸ軸の位置出し分割を可能に
した。
ーキングにおけるＹ軸及びＸ軸の位置出し分割を可能に
した。
例えば、厚さ１７０〜２００μのウェハー１０に対し２
０〜４０μを残す状態までダイシングラットを施しダイ
シング溝を形成する。
０〜４０μを残す状態までダイシングラットを施しダイ
シング溝を形成する。
このダイシングにおける切り込み深さは全体の厚さの９
０〜７０％の範囲が好適であり、次のブレーキング処理
を容易にする。
０〜７０％の範囲が好適であり、次のブレーキング処理
を容易にする。
ブレーキングは、例えば、押板を用いてウェハーを変形
させる通常の方法で行なわれるが、本考案における半導
体ペレットではシリコン半導体層に強固に被着した酸化
膜を含む表面側部分で行なわれる。
させる通常の方法で行なわれるが、本考案における半導
体ペレットではシリコン半導体層に強固に被着した酸化
膜を含む表面側部分で行なわれる。
従って、破断する際にかけらやフレックを生じることな
くスムーズな分割面をもってブレーキングが達成される
。
くスムーズな分割面をもってブレーキングが達成される
。
これは従来の裏面メッキ電極部分で破断する場合に比べ
破片等の混入物不良を著しるしく低減する。
破片等の混入物不良を著しるしく低減する。
また裏面電極の損傷がないから、電流が素子内を均一に
流れ、局部発熱による不良や特性の不安定を除去できる
。
流れ、局部発熱による不良や特性の不安定を除去できる
。
上述するように、表面の酸化膜を含む部分にブレーキン
グ時の突起を形成した半導体ペレットは、ペレット分離
の歩留向上と共にその後の破損を著しるしく低減させる
等の利点がある。
グ時の突起を形成した半導体ペレットは、ペレット分離
の歩留向上と共にその後の破損を著しるしく低減させる
等の利点がある。
第１図は従来の半導体ペレットを示す断面図、第２図は
本考案に係る半導体ペレットを示す断面図、及び第３図
は第２図の分離した状態の半導体ペレツＩ・の斜視図で
ある。 １０・・・・・・ウェハー、１１・・・・・・半導体ペ
レット、１５・・・・・・裏面メッキ電極、１６・・・
・・・表面酸化膜。
本考案に係る半導体ペレットを示す断面図、及び第３図
は第２図の分離した状態の半導体ペレツＩ・の斜視図で
ある。 １０・・・・・・ウェハー、１１・・・・・・半導体ペ
レット、１５・・・・・・裏面メッキ電極、１６・・・
・・・表面酸化膜。
Claims (1)
- 表面の酸化膜窓部分にバンプ電極と裏面の半導体層にメ
ッキ電極を形成した半導体ウェハーの分割素子であり、
前記素子はその分割面が裏面側に切断具によって形成さ
れたダイシング切断部分を、表面側に押板等のウェハー
分断によるブレーキング切断部分を有することを特徴と
する半導体ペレツＩ・。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977127250U JPS5833706Y2 (ja) | 1977-09-21 | 1977-09-21 | 半導体ペレット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977127250U JPS5833706Y2 (ja) | 1977-09-21 | 1977-09-21 | 半導体ペレット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5453359U JPS5453359U (ja) | 1979-04-13 |
| JPS5833706Y2 true JPS5833706Y2 (ja) | 1983-07-28 |
Family
ID=29089844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977127250U Expired JPS5833706Y2 (ja) | 1977-09-21 | 1977-09-21 | 半導体ペレット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833706Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5032589A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-29 |
-
1977
- 1977-09-21 JP JP1977127250U patent/JPS5833706Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5032589A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5453359U (ja) | 1979-04-13 |
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