JPS633774Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は半導体ウエーハのダイシングに好適
するダイシング装置に関する。

トランジスタ，ダイオード，サイリスタ等の半
導体装置は、一枚の半導体ウエーハに拡散等によ
つて多数の半導体素子を形成し、最後に各半導体
素子毎に切断分離して多数のペレツトを得、この
ペレツトをステム，リードフレーム等の放熱板上
に固着し、カンケース，樹脂モールド等で封止し
て製造されている。前記半導体ウエーハから各半
導体素子毎に切断分離する場合、従来ダイヤモン
ドポイントを用いる方法やレーザーを照射する方
法等があつたが、最近ではダイシングブレードを
高速回転するダイシング装置を用いる方法が賞用
されている。このダイシング装置を用いる方法で
は、半導体ウエーハを完全に切断してしまう方法
と、第１図および第２図に示すように、ダイシン
グブレード１で半導体ウエーハ２を完全に切断し
ない溝３を形成したのち、半導体ウエーハ２に撓
屈力を作用させて、前記溝３から個々の半導体素
子に分割する方法とがある。

ところで、上記いずれの方法にせよ、半導体ウ
エーハ２は、第３図に示すように、主たる構成材
料である半導体材料２１の他に、その表面に酸化
膜，ガラス膜，窒化膜等の絶縁膜や、オーミツク
金属膜等の半導体材料２１とは異質の膜２２を有
する。したがつて、このような半導体ウエーハ２
を、第１図に示すように、単一のダイシングブレ
ードでダイシング加工した場合、膜２２が半導体
材料２１よりも硬いと、ダイシングブレードの寿
命が著しく短くなるのみならず、第４図に示すよ
うに、膜２２に微細な亀裂２２ａが入り、特性劣
化の原因となる。一方、膜２２が半導体材料２１
よりも軟質の場合は、ダイシングブレードが目詰
りして、ダイシング加工ができないのみならず、
そのまま加工を継続しているとダイシングブレー
ドが欠けるという問題点があつた。

それゆえ、この考案の主たる目的は、上記の半
導体ウエーハのように主構成材料とこれとは異質
の膜を有する物体をダイシングする場合に、上記
の問題点を生じないダイシング装置を提供するこ
とである。

この考案は要約すると、目の粗さが異なりかつ
下端の高さが異なる複数のブレードを備えること
を特徴とする。

以下、この考案の実施例を図面を参照して説明
する。第５図はこの考案の一実施例のダイシング
装置の概略図で、半導体ウエーハの断面図を併示
している。図において、１０は小径かつ厚肉でし
かも目の粗い第１のブレードで、１１は大径かつ
薄肉でしかも目の細い第２のブレードであり、こ
れら第１，第２のブレード１０，１１の厚さの中
心線は同一線上に配置されている。１２はこれら
第１，第２のブレード１０，１１によつてダイシ
ング加工中の半導体ウエーハを示し、主構成材料
である例えばシリコン部１２１とこのシリコン１
２１とは異質の材料，例えば銀層を主体とするオ
ーミツク金属膜１２２を備えている。そして、前
記第１のブレード１０の高さは、前記オーミツク
金属膜１２２を切削するように設定され、前記第
２のブレード１１の高さは、前記シリコン部１２
１を所定の深さまでダイシングするように設定さ
れている。

第６図および第７図は、それぞれ第５図の−
線および−線に沿う拡大断面図を示す。す
なわち、第１のブレード１０でオーミツク金属膜
１２２のみを切断する比較的浅くしかも幅広の第
１の溝３１を形成し、かつ第２のブレード１１で
前記第１の溝３１の中心部にシリコン部１２１を
所定の深さまで切断する比較的深くしかも幅狭の
第２の溝３２を形成するのである。

上記の構成のダイシング装置によれば、比較的
軟いオーミツク金属膜１２２は、目の粗い第１の
ブレード１０でダイシングするので、目詰りを起
すことがなく、一方、比較的硬いシリコン部１２
１は、目の細い第２のブレード１１でダイシング
するので、亀裂等を生じることがなく、ブレード
の欠けや半導体装置の特性劣化を生ずることなく
ダイシング加工できる。

なお、上記実施例では、半導体ウエーハ１２と
第１，第２のブレード１０，１１とを一方向にの
み相対的に移動させることを前提として説明した
が、二方向に相対的に移動させてダイシングする
場合は、第５図において、第２のブレード１１の
右側に、第１のブレード１０と同様の第３のブレ
ードを配置すればよい。

また、第１〜第３のブレードは必ずしも一直線
上に配置する必要はなく、半導体素子の寸法の整
数倍だけ、第５図の紙面に対して垂直方向に配置
してもよい。

さらに、第１（および第３）のブレード１０は、
上記実施例に示したように、第２のブレード１１
よりも厚肉にすることが好ましいが、同一の厚さ
にしてもよい。

さらにまた、上記実施例は、シリコン部１２１
と異質の膜１２２が、シリコン部１２１よりも軟
質のオーミツク金属膜の場合について説明したの
で、第１（および第３）のブレード１０を、第２
のブレード１１よりも目を粗くしたが、膜１２２
が酸化膜等のように、シリコン部１２１よりも硬
質の場合は、第１（および第３）のブレード１０
を、第２のブレード１１よりも細い目にすること
はもちろんである。

この考案は以上のように、目の粗さが異なりか
つ下端の高さが異なる複数のブレードを備えるも
のであるから、目詰りによるブレードの欠けや酸
化膜等の亀裂による特性劣化を生じないダイシン
グ加工ができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のダイシング装置を半導体ウエー
ハとともに示す側面図、第２図は第１図の正面
図、第３図および第４図は二層構造を有する半導
体ウエーハおよびこの半導体ウエーハを第１図の
ダイシング装置でダイシングした場合の要部拡大
断面図、第５図はこの考案の一実施例のダイシン
グ装置で半導体ウエーハをダイシング加工してい
る状態を示す概略構成図、第６図および第７図は
それぞれ第５図の半導体ウエーハの−線およ
び−線に沿う拡大断面図である。 １０，１１……ブレード、１２……半導体ウエ
ーハ、１２１……主構成材料（シリコン）部、１
２２……異質の膜（オーミツク金属膜）、３１，
３２……溝。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 目の粗さが異なりかつ下端の高さが異なる複数
   のブレードを備えてなるダイシング装置。