JP2013161944A - ダイシング方法 - Google Patents
ダイシング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013161944A JP2013161944A JP2012022701A JP2012022701A JP2013161944A JP 2013161944 A JP2013161944 A JP 2013161944A JP 2012022701 A JP2012022701 A JP 2012022701A JP 2012022701 A JP2012022701 A JP 2012022701A JP 2013161944 A JP2013161944 A JP 2013161944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- silicon carbide
- cutting
- carbide wafer
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明は、炭化珪素ウエハ1を所定のダイシングライン20aに沿って切断するダイシング方法であって、炭化珪素ウエハ1は、ダイシングライン20aを含む、炭化珪素ウエハ1の第1主面が露出したダイシング領域21と、炭化珪素ウエハ1の第2主面上の全面に形成された電極層6とを備え、炭化珪素ウエハ1を、前記第2主面を表にしてワークテーブルに保持させる工程と、炭化珪素ウエハ1の第2主面側において、第1主面のダイシングライン20aと対応する位置に、電極層6を貫通する深さの切削溝8を第1のダイシングブレードによって形成する工程と、この工程の後に、切削溝8の開口よりも幅の狭い第2のダイシングブレードによって切削溝8をさらに切削することにより、炭化珪素ウエハ1を切断する工程とを備える。
【選択図】図2
Description
まず、図2に示すように、炭化珪素ウエハ1の第2主面を表にして、炭化珪素ウエハをワークテーブル(図示せず)に固定する。ここで、例えば、紫外線により粘着性が変化するダイシングテープを用いて固定を行う。
本実施の形態におけるダイシング方法は、炭化珪素ウエハ1を所定のダイシングライン20aに沿って切断するダイシング方法であって、炭化珪素ウエハ1は、ダイシングライン20aを含む、炭化珪素ウエハ1の第1主面が露出したダイシング領域21と、炭化珪素ウエハ1の第2主面上の全面に形成された電極層6とを備え、炭化珪素ウエハ1を、第2主面を表にしてワークテーブルに保持させる工程と、炭化珪素ウエハ1の第2主面において、第1主面のダイシングライン20aと対応する位置に、電極層6を貫通する深さの切削溝8を第1のダイシングブレードによって形成する工程と、この工程の後に、切削溝8の開口よりも幅の狭い第2のダイシングブレードによって切削溝8をさらに切削することにより、炭化珪素ウエハを切断する工程とを備える。
Claims (2)
- 炭化珪素ウエハを所定のダイシングラインに沿って切断するダイシング方法であって、
前記炭化珪素ウエハは、
前記ダイシングラインを含む、前記炭化珪素ウエハの第1主面が露出したダイシング領域と、
前記炭化珪素ウエハの第2主面上の全面に形成された電極層と、
を備え、
(a)前記炭化珪素ウエハを、前記第2主面を表にしてワークテーブルに保持させる工程と、
(b)前記炭化珪素ウエハの前記第2主面側において、前記第1主面の前記ダイシングラインと対応する位置に、前記電極層を貫通する深さの切削溝を第1のダイシングブレードによって形成する工程と、
(c)前記工程(b)の後に、前記切削溝の開口よりも幅の狭い第2のダイシングブレードによって前記切削溝をさらに切削することにより、前記炭化珪素ウエハを切断する工程と、
を備える、
ダイシング方法。 - 前記工程(b)において、前記切削溝がステップ状またはベベル状であることを特徴とする、
請求項1に記載のダイシング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012022701A JP2013161944A (ja) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | ダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012022701A JP2013161944A (ja) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | ダイシング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013161944A true JP2013161944A (ja) | 2013-08-19 |
Family
ID=49173959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012022701A Pending JP2013161944A (ja) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | ダイシング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013161944A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017228660A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2019161078A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN110797746A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 株式会社日立电力解决方案 | 单晶碳化硅基板、其制造方法以及半导体激光器 |
JP7460386B2 (ja) | 2020-02-14 | 2024-04-02 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5878644U (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-27 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | ダイシング装置 |
JPH1083974A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板の分割方法 |
JP2004063804A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Sharp Corp | 半導体装置、積層型半導体装置およびそれらの製造方法 |
JP2009081164A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Honma Kogyo Kk | 複合切断装置、及びその方法 |
JP2011142115A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2011145309A1 (ja) * | 2010-05-18 | 2011-11-24 | パナソニック株式会社 | 半導体チップおよびその製造方法 |
-
2012
- 2012-02-06 JP JP2012022701A patent/JP2013161944A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5878644U (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-27 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | ダイシング装置 |
JPH1083974A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板の分割方法 |
JP2004063804A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Sharp Corp | 半導体装置、積層型半導体装置およびそれらの製造方法 |
JP2009081164A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Honma Kogyo Kk | 複合切断装置、及びその方法 |
JP2011142115A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2011145309A1 (ja) * | 2010-05-18 | 2011-11-24 | パナソニック株式会社 | 半導体チップおよびその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017228660A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2017221577A1 (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2019161078A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10636708B2 (en) | 2018-03-14 | 2020-04-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP7135352B2 (ja) | 2018-03-14 | 2022-09-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN110797746A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 株式会社日立电力解决方案 | 单晶碳化硅基板、其制造方法以及半导体激光器 |
CN110797746B (zh) * | 2018-08-03 | 2021-09-24 | 株式会社日立电力解决方案 | 单晶碳化硅基板、其制造方法以及半导体激光器 |
JP7460386B2 (ja) | 2020-02-14 | 2024-04-02 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04276645A (ja) | 化合物半導体ウエーハのダイシング方法 | |
JP2008078440A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
TW201316392A (zh) | 半導體基板之分斷方法 | |
CN107634032B (zh) | 晶片及晶片制造方法 | |
EP2985785B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device with prevention of adhesive climbing up and corresponding semiconductor device | |
JP2007165371A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI589420B (zh) | Metal multilayer ceramic substrate breaking method and trench processing tools | |
JP5509057B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2013161944A (ja) | ダイシング方法 | |
TWI455199B (zh) | 晶圓切割製程 | |
TW201711097A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
TWI545636B (zh) | Fracture with a brittle material substrate and its cutting method | |
JP2008103433A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TW201607713A (zh) | 脆性材料基板之分斷方法、脆性材料基板分斷用之基板保持構件、以及脆性材料基板之分斷時使用之黏著薄膜張設用之框體 | |
JP6591240B2 (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2019050296A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2014165324A (ja) | パッケージ基板の加工方法 | |
JP2007251098A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP6185792B2 (ja) | 半導体ウエハの分断方法 | |
JP2010141085A (ja) | 積層製品の製造方法 | |
TWI592271B (zh) | Scratch the brittle substrate with the rule of the substrate, the method of characterization and breaking method | |
JP2014067859A (ja) | 積層セラミックス基板の分断方法 | |
KR20200112655A (ko) | 취성 재료 기판의 브레이크 장치 및 브레이크 방법 | |
JP2015191999A (ja) | シリコン基板の分断方法 | |
JP2014007405A (ja) | ダイオードの製造方法及びダイオード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150521 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160705 |