JP7460386B2 - 被加工物の加工方法 - Google Patents

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Description

本発明は、交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法に関する。
従来、交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有する半導体ウェーハを被加工物とし、この被加工物を高速回転する切削ブレードで分割予定ラインに沿って切削加工するための切削装置が知られている。
例えば、特許文献１では、ウェーハユニットを保持する保持手段と、ウェーハを切削する切削手段と、ウェーハを洗浄する洗浄手段とを具備する切削装置が開示されている。この種の切削装置では、切削加工によってウェーハに切削溝を形成した後、洗浄手段にてウェーハが洗浄される。
洗浄手段は、スピンナーテーブル機構によりウェーハを保持して高速回転させつつ、ウェーハの上方に位置付けた洗浄液噴射ノズルから洗浄液を噴射するように構成される。このような洗浄方法はスピン洗浄といわれ、切削工程でウェーハに付着した切削屑（異物、コンタミ）の除去が行われる。
特開２０１６－４６４８５号
上述のスピン洗浄においては、回転する被加工物の上方から洗浄液が供給されるため、洗浄液が切削溝に入り込み難く、切削溝に入り込んだ切削屑が洗い流されないままに残存してしまうことがあった。
この切削屑は、後に分割予定ラインに沿ってウェーハが分割されてチップに個片化された後に、そのままチップ側面に付着したまま残存してしまうことになる。そして、この切削屑が例えばピックアップ時に落下しデバイスに付着することでデバイスが損傷し、デバイス不良等の不具合を生じさせてしまうおそれがある。
以上に鑑み、本願発明は、切削溝を形成する切削工程と、その後にスピン洗浄を実施する洗浄工程と、を含む加工方法において、切削工程にて生じる切削屑をより確実に洗い流し、切削屑が残存しないようにするための新規な加工方法を提案するものである。
本発明の一態様によれば、
交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、
可視光に対して透過性を有するテープを被加工物の表面に貼着する被加工物準備ステップと、
少なくとも一部が透明な保持部材を有した保持テーブルで該テープを介して該被加工物の該表面側を保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、該保持部材と該テープとを介して該保持テーブルで保持された該被加工物の該表面を撮像カメラで撮像して該分割予定ラインの位置を検出する分割予定ライン位置検出ステップと、
該分割予定ライン位置検出ステップを実施した後、先端がＶ形状を有する切削ブレードで該分割予定ラインに沿って該被加工物を切削し溝の浅い部分の幅が溝の深い部分よりも幅広となる溝を形成する切削ステップと、
該切削ステップを実施した後、該被加工物の該裏面を洗浄液で洗浄する洗浄ステップと、を有する被加工物の加工方法とする。
本発明の一態様によれば、溝の浅い部分の幅が溝の深い部分よりも幅広となる溝が形成されるため、洗浄ステップにおいて洗浄液が溝内に進入し易くなり、溝に入り込んだ切削屑を確実に洗い流すことができ、チップの側面や裏面に切削屑が残存してしまうことを防止できる。また、溝内に進入した切削液も切削屑とともに排出されやすい状況を実現することができる。
本発明の実施に使用される切削装置の一実施形態の斜視図である。 支持ボックス及び保持テーブル部分の分解斜視図である。 （Ａ）は支持ボックス上に搭載された保持テーブルの斜視図である。（Ｂ）は下方撮像機構及びその支持構造の斜視図である。 保持テーブルの断面形状等について示す図である。 （Ａ）は、下方撮像機構の構成について示す側面概要図である。（Ｂ）は、プリズム本体の別実施形態について示す図である。 下方撮像機構の構成について示す正面概要図である。 （Ａ）は被加工物の一例であるウェーハの表面を表す図である。（Ｂ）は被加工物の一例であるウェーハの裏面を表す図である。 保持テーブルと下方撮像機構の位置関係について説明する図である。 切削ステップについて説明する図である。 スピンナー洗浄ユニットについて説明する図である。 （Ａ）はＶ字形状の溝を形成する切削ステップについて説明する図である。（Ｂ）は切削ステップによりチップに分割された様子について説明する図である。 （Ａ）はＶ字形状の溝を形成する切削ステップについて説明する図である。（Ｂ）は直線状の溝を形成するフルカットする様子について説明する図である。 洗浄ステップについて説明する図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る切削装置２について示す斜視図である。なお、本発明は以下に説明される切削装置の他、レーザーにて被加工物を加工する加工ユニットであって、レーザービームを発生させる発振器とレーザービームを被加工物に集光する集光器とを備えた加工ユニットを有するレーザー加工装置においても適用できる。
図１に示すように、切削装置２の基台４には、保持テーブル２７が移動機構２３（図３（Ａ））によりＸ軸方向に往復動可能に配設されている。保持テーブル２７の周囲にはウォーターカバー１４が配設されており、このウォーターカバー１４と基台４にわたり蛇腹１６が連結されている。
図１に示すように、基台４の前側角部には、後述する被加工物を収容するカセット２０を載置するためのカセット載置台２１が設けられる。
図１に示すように、基台４上には門型形状のコラム２４が立設されており、コラム２４にはＹ軸方向に伸長する一対のガイドレール２６が固定されている。ガイドレール２６に対しＹ軸移動ブロック２８が移動可能に設けられており、ボールねじ３０とパルスモータ３２とからなるＹ軸移動機構３４によって、Ｙ軸移動ブロック２８がガイドレール２６に案内されてＹ軸方向に移動する。
図１に示すように、Ｙ軸移動ブロック２８にはＺ軸方向に伸長する一対のガイドレール３６が固定されている。ガイドレール３６に対しＺ軸移動ブロック３８が移動可能に設けられており、ボールねじ４０とパルスモータ４２とからなるＺ軸移動機構４４によって、Ｚ軸移動ブロック３８がガイドレール３６に案内されてＺ軸方向に移動する。
図１に示すように、Ｚ軸移動ブロック３８には切削ユニット４６及び上方撮像機構５２が取付けられている。切削ユニット４６は、図９に示すように、図示せぬモータにより回転駆動されるスピンドル４８の先端部に切削ブレードＢ１を着脱可能に装着して構成されている。
図１に示すように、基台４上には、スピンナーテーブル５６を有するスピンナー洗浄ユニット５４が設けられており、切削加工後の被加工物をスピンナーテーブル５６で吸引保持してスピンナー洗浄するとともに、スピン乾燥できるようになっている。
図２は、保持テーブル２７の構成について説明する図である。
保持テーブル２７は環状ベース６２と、円盤状の保持部材７４とを有する。環状ベース６２は、嵌合部６４と、嵌合部６４より大径のベルト巻回部６６と、嵌合部６４軸方向に貫通する貫通部６５と、貫通部６５を塞ぐ透明部材６８と、を有する。
図２に示すように、環状ベース６２の上面には、円盤状の保持部材７４の枠部７４ｂを載置して固定するための被装着領域７０が設けられる。
図２に示すように、保持部材７４は、円盤状の保持部７４ａと、その周囲を取り囲む枠部７４ｂを有して構成される。保持部７４ａは、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、サファイア、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム等の透明部材にて構成されている。なお、透明部材の「透明」とは、「可視光の少なくとも一部の波長の光を透過し、吸収、散乱しない」ことをいうものであり、後述する外周凸部検出ステップや、分割予定ライン検出ステップの実行を可能とするものであればよく、着色されたものであってもよい。また、保持部材７４の一部の必要な範囲にのみ透明領域を構成することとしてもよい。以上のようにして、保持部材７４の保持部７４ａにて、保持テーブル２７に透明領域が構成される。
図４に示すように、保持部７４ａの上面は、ウェーハＷを保持する保持面７４ｃを形成する。保持面７４ｃにおいて、保持部７４ａの外周縁に近い箇所には、環状の吸引溝７６が同心状に複数設けられており（本実施例では３列）、この吸引溝７６にテープＴが吸着保持される。吸引溝７６は、保持部材７４が環状ベース６２に取付けられた状態で吸引源８９に接続される。
図２及び図４に示すように、環状ベース６２の上面には、保持部材７４の周囲を取り囲むように、ウェーハユニット８の環状フレームＦを下側から支持するフレーム支持部７２が４箇所に設けられる。
図２及び図４に示すように、フレーム支持部７２は、環状フレームＦを支持する支持面を構成する支持ブロック７２ａと、環状フレームＦの下側から吸着保持する吸着部７２ｂと、を有し、吸着部７２ｂは、吸引源８９に接続される。
図２及び図４に示すように、保持テーブル２７の環状ベース６２には、保持部材７４の保持部７４ａとほぼ同径の貫通部６５が形成されており、貫通部６５の下部が透明部材６８（例えば、ガラス）にて閉鎖される。これにより、下側から順に、透明部材６８、貫通部６５、保持部材７４の保持部７４ａが配置され、これらの部位において光が透過することで、詳しくは後述するように、保持テーブル２７の下方からの撮像が可能となる。なお、透明部材６８は省略することとしてもよい。
図２に示すように、保持部材７４を環状ベース６２の被装着領域７０上に搭載し、環状ベース６２から下方に突設される環状の嵌合部６４を支持ボックス１５の円形開口１５ａに嵌合させることで、図３（Ａ）に示すように保持テーブル２７が支持ボックス１５に回転可能に搭載された状態となる。
図３（Ａ）に示すように、支持ボックス１５の連結板１５ｂにはモータ１７が取付けられており、モータ１７の出力軸に連結されたプーリー１７ａと環状ベース６２のベルト巻回部６６に渡りベルト２９が巻回される。モータ１７を駆動すると、ベルト２９を介して保持テーブル２７が回転される。
図３（Ａ）に示すモータ１７は、例えばパルスモータから構成され、アライメント遂行時にモータ１７を所定パルスで駆動すると、保持テーブル２７が所定量回転（θ回転）されて、図７（Ａ）に示すウェーハＷの分割予定ライン（ストリート）１３のアライメントを行うことができる。
図３（Ａ）に示すように、支持ボックス１５は、Ｘ軸方向に固定的に延在する一対のガイドレール３１にスライド可能に載置されており、移動機構２３によりＸ軸方向に移動される。移動機構２３は、ガイドレール３１の間に平行に配置されるボールネジ２３ａと、パルスモータ２３ｂを有して構成される。
図３（Ａ）に示すように、ボールネジ２３ａは支持ボックス１５の下板１５ｅの下面に設けた雌ネジ部に螺合され、パルスモータ２３ｂを駆動してボールネジ２３ａを回転させることで、支持ボックス１５がＸ軸方向に移動する。
図３（Ａ）に示すように、支持ボックス１５の近傍には、保持テーブル２７に保持された半導体ウェーハ等の被加工物を保持部材７４の下側から撮像する下方撮像機構８２が設けられている。
図８に示すように、支持ボックス１５は、上板１５ｃ、下板１５ｅ、及び、連結板１５ｂにて側面視において略コ字をなしており、連結板１５ｂの反対側には、上板１５ｃと下板１５ｅの間の空間に下方撮像機構８２の進入を可能とする開口部１５ｇが形成される。
図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、下方撮像機構８２は、Ｙ軸移動ブロック８３に立設されるコラム９６に設けられる。Ｙ軸移動ブロック８３は、Ｙ軸方向に固定的に延在する一対のガイドレール８１にスライド可能に載置されており、駆動手段８７によりＹ軸方向に移動される。駆動手段８７は、ガイドレール８１の間に平行に配置されるボールネジ８７ａと、パルスモータ８７ｂを有して構成される。
図３（Ａ）に示すように、ボールネジ８７ａはＹ軸移動ブロック８３の下面に設けた雌ネジ部に螺合され、パルスモータ８７ｂを駆動してボールネジ８７ａを回転させることで、Ｙ軸移動ブロック８３がＹ軸方向に移動する。
図３（Ｂ）に示すように、下方撮像機構８２は、プリズム機構Ｐと、撮像カメラＣと、を有して構成される。
図５（Ａ）、及び、図６に示すように、プリズム機構Ｐは、プリズム本体９０と、光源９２と、プリズム本体９０、及び、光源９２を収容する筐体８４と、を有して構成される。
図５（Ａ）に示すように、プリズム機構Ｐのプリズム本体９０は、側面視において約４５度の角度の傾斜をなす反射面９０ａを有するいわゆる直角プリズム（側面視直角三角形）にて構成される。
図５（Ａ）に示すように、筐体８４において、反射面９０ａに対して斜め４５度上方の位置、即ち、プリズム本体９０に対して上方となる位置には、第一通過口８５ａが形成されている。反射面９０ａは第一通過口８５ａを通じて保持テーブル２７に対向する。
図５（Ａ）に示すように、筐体８４において、反射面９０ａに対し斜め４５度下方の位置、即ち、プリズム本体９０に対して側方となる位置には、第二通過口８５ｂが形成されている。
以上のようにして、図５（Ａ）に示すように、第一通過口８５ａから進入する光Ｈ１が、反射面９０ａで反射して９０度屈折し、第二通過口８５ｂから出射される。
なお、図５（Ａ）に示すプリズム本体９０のように、反射面９０ａで光Ｈ１を直接反射させる他、図５（Ｂ）に示すプリズム本体９０Ａのように、プリズム本体９０Ａ内に光Ｈ１を透過させて反射面９０ｂで光Ｈ１を屈折させることとしてもよい。この場合、光路長を長く形成することができ、各部品の干渉を避けるなどの設計が可能となる。
図５（Ａ）及び図６に示すように、筐体８４内には、例えばＬＥＤからなる光源９２が収容されており、筐体８４の上面には、光源９２の光を透過させるための光透過口８６が形成されている。本実施例では、プリズム本体９０を挟んで両側に３個づつ光源９２が配置され、各光源９２に対応する位置に光透過口８６が形成される。
図６に示すように、光源９２から照射される光Ｈ２は、上方に配置される保持テーブル２７に保持されたウェーハＷの下面に向けて照射され、その反射した光Ｈ１がプリズム本体９０に入射する。なお、光源９２は、照射される光Ｈ２が撮像カメラＣ（図５（Ａ））の焦点位置を照らすように傾斜して配置され、光Ｈ２の光軸が傾斜するように構成される。
図５（Ａ）に示すように、撮像カメラＣは、鏡筒９１と、鏡筒９１の一端側に設けられる対物レンズ９３と、鏡筒９１の他端側に設けられる撮像素子９５と、を有して構成される。
図５（Ａ）に示すように、鏡筒９１は、第二通過口８８ｂに接続されるように設けられ、対物レンズ９３がプリズム本体９０の反射面９０ａに対向するように配置される。
図５（Ａ）に示すように、対物レンズ９３を通過した光Ｈ１は撮像素子９５にて受光され、図示せぬ画像処理装置により画像データ化される。
図３（Ｂ）に示すように、下方撮像機構８２を構成するプリズム機構Ｐや撮像カメラＣは、支持プレート９４により支持され、支持プレート９４の基端部はＺ軸移動ブロック９８に固定されている。Ｙ軸移動ブロック８３（図３（Ａ））に立設されるコラム９６には、ボールねじ１００及びパルスモータ１０２から構成されるＺ軸移動手段１０４が設けられ、Ｚ軸移動ブロック９８が一対のガイドレール１０６に沿ってＺ軸方向（上下方向）に移動され、これに伴って、下方撮像機構８２もＺ軸方向（上下方向）に移動される。
図１０は、ウェーハＷを洗浄するためのスピンナー洗浄ユニット５４の一部側面断面図である。スピンナー洗浄ユニット５４は、スピンナーテーブル機構１５４と、スピンナーテーブル機構１５４を包囲するように配設される液体受け機構１５６を具備している。
スピンナーテーブル機構１５４は、ウェーハＷを吸引保持するスピンナーテーブル（保持テーブル）１５８と、スピンナーテーブル１５８を支持する支持部材１６０と、支持部材１６０を介してスピンナーテーブル１５８を回転駆動する電動モータ１６２と、を有して構成される。
スピンナーテーブル１５８にはクランプ１４４が設けられ、スピンナーテーブル１５８が回転されるとこれらのクランプ１４４が遠心力で揺動し、図７（Ｂ）に示す環状のフレームＦをクランプして保持する。
液体受け機構１５６は、液体受け容器１５６ａと、支持部材１６０に装着されたカバー部材１５６ｂとを有して構成され、洗浄液などの液体を受けるとともに、図示せぬ排出経路を通じて排液が排出されるように構成される。
液体受け容器１５６ａで囲まれる空間内には、洗浄液１４０を吐出するための洗浄液吐出ノズル１７０が設けられている。洗浄液吐出ノズル１７０は、略Ｌ字形状のアーム１７１の先端に形成されており、アーム１７１の他端は電動モータ１７２によって揺動されるようになっている。アーム１７１は、洗浄液供給路１７３、及び、開閉制御弁１７４を通じて洗浄液供給源１７５に接続されている。洗浄液１４０は、例えば純水である。
さらに、液体受け容器１５６ａで囲まれる空間内には、乾燥エアーを噴出するための乾燥エアー噴出ノズル１８０が設けられている。
乾燥エアー噴出ノズル１８０は、略Ｌ字形状のアーム１８１の先端に形成されており、アーム１８１の他端は電動モータ１８２によって揺動されるようになっている。アーム１８１は、乾燥エアー供給路１８３、及び、開閉制御弁１８４を通じて乾燥エアー供給源１８５に接続されている。
以上の構成とするスピンナー洗浄ユニット５４において、まずは、洗浄液吐出ノズル１７０をウェーハＷの上方に位置付けるとともに、ウェーハＷを所定の速度で回転させ、ウェーハＷに向けて洗浄液１４０を吐出してスピン洗浄が行われる。
スピン洗浄を実施した後、乾燥エアー噴出ノズル１８０をウェーハＷの上方に位置付けるとともに、ウェーハＷを所定の速度で回転させ、ウェーハＷに向けて乾燥エアーを吹き付けることで、スピン乾燥が行われる。
次に、以上の装置構成を用いた加工例について説明する。
＜被加工物準備ステップ＞
可視光に対して透過性を有するテープを被加工物の表面に貼着するステップである。
図７（Ａ）（Ｂ）は、被加工物の一例であるウェーハＷを示すものである。ウェーハＷは、例えば半導体にて構成される基板１０の裏面１０ｂに、電極やダイボンド材となる金属膜１２が成膜されたものである。
図７（Ａ）に示すように、ウェーハＷを構成する基板１０の表面１０ａには、デバイス１１が格子状に配列され、分割予定ライン１３（ストリート）に沿って切削加工が施されることにより、チップに分割されるものである。基板１０は、例えば、厚さが１００μｍのＳｉＣウェーハである。
図７（Ｂ）は、ウェーハＷの裏面側を示すものであり、ウェーハＷを構成する基板１０の裏面１０ｂに、金属膜１２が形成されている。金属膜１２の材質や構造、厚み等に特段の制限はないが、例えば、チタンと銅との積層構造や、ニッケルとプラチナと金との積層構造、ニッケルと金との積層構造、銀の単層構造等である。
また、図７（Ｂ）に示すように、金属膜１２を上側にして露出させるとともに、ウェーハＷの表面ＷａをテープＴに貼着し、テープＴを介して環状フレームＦとウェーハＷを一体とするウェーハユニット８が構成される。
以上のようなウェーハユニット８を構成することで、表面Ｗａのデバイス１１をテープＴにて保護しつつ、ウェーハＷがハンドリング可能な状態とされる。なお、環状フレームＦを用いずに、ウェーハＷの表面Ｗａにテープを貼着して保護することとしてもよい。
また、図７（Ｂ）において、テープＴは透明、即ち、「可視光の少なくとも一部の波長の光を透過し、吸収、散乱しない」特性を有することとし、後述する分割予定ライン検出ステップの実行を可能とするものである。また、テープＴは着色されたもであってもよく、伸縮性のある樹脂製のテープにて構成することができる。また、テープＴを用いる代わりに、ガラスや樹脂等からなる板状のハードプレートにてウェーハＷの表面Ｗａを保護してハンドリングすることとしてもよい。
なお、被加工物としては、金属膜１２が形成されていないものも対象となる。即ち、本発明は、デバイス１１が形成される表面ＷａをテープＴに貼着して保護しつつ、表面Ｗａの分割予定ラインを撮像するアプリケーションについて、幅広く好適に採用し得る。
＜保持ステップ＞
図８に示すように、少なくとも一部が透明な保持部材７４を有した保持テーブル２７でテープＴを介して被加工物（ウェーハＷ）の表面Ｗａ側を保持するステップである。
ウェーハＷは、テープＴを介して保持テーブル２７の保持部材７４に吸引保持される。テープＴと保持部材７４は、上述したように透明にて構成されるものである。
＜分割予定ライン検出ステップ＞
図８に示すように、保持ステップを実施した後、保持部材７４とテープＴとを介して保持テーブル２７で保持された被加工物（ウェーハＷ）の表面Ｗａを撮像カメラＣ（図５（Ａ））で撮像して分割予定ライン１３（図７（Ａ））の位置を検出するステップである。
具体的には、図８に示すように、Ｙ軸移動ブロック８３を移動させることで、下方撮像機構８２をウェーハＷの下方に位置付け、保持テーブル２７の保持部材７４、テープＴを介して、ウェーハＷの表面Ｗａを撮像するとともに、撮像画像をもとにウェーハＷの分割予定ライン１３（図７（Ａ））が検出される。
＜切削ステップ＞
図１１（Ａ）（Ｂ）に示すように、分割予定ライン位置検出ステップを実施した後、先端がＶ形状を有する切削ブレードＢ１で分割予定ライン１３に沿って被加工物（ウェーハＷ）を切削し、溝の浅い部分の幅が溝の深い部分よりも幅広となる溝Ｍ１を形成するステップである。
具体的には、図９に示すように、切削ユニット４６の切削ブレードＢ１の位置を、分割予定ライン検出ステップで検出された分割予定ライン１３（図７（Ａ））の位置に合わせるとともに、切削ユニット４６を所定の高さに位置付け、保持テーブル２７を加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動させることで、切削加工が行われる。
図９に示すように、一つの分割予定ライン１３（図７（Ａ））について切削加工を行った後、切削ブレードＢ１をＹ軸方向にインデックス送りを行って、隣の分割予定ラインについて同様に切削加工を行う。
図７（Ａ）において、第一の方向（例えば、Ｘ軸方向）に伸びる全ての分割予定ライン１３について切削加工を行った後、保持テーブル２７（図９）を９０度回転させ、図７（Ａ）において第二の方向（例えば、Ｙ軸方向）について、同様の切削加工が実施される。
以上の切削加工により、図１１（Ａ）（Ｂ）に示す例では、溝の浅い部分の幅が溝の深い部分よりも幅広となるＶ字形状の溝Ｍ１が形成され、溝Ｍ１がウェーハ１０を貫通してテープＴまで到達するようにフルカットが行われる。これにより、溝Ｍ１の両側にチップ５，５が形成された状態となり、各チップ５，５の側面５ａが傾斜面となる。
なお、図１２（Ａ）（Ｂ）に示すように、第一切削ステップとして、Ｖ形状の先端を有する切削ブレードＢ２で分割予定ライン１３に沿って被加工物（ウェーハＷ）にＶ字形状の溝Ｍ２形成するハーフカットを実施し、第二切削ステップとして、直線状の先端を有する切削ブレードＢ３で残存部分を切断し、直線状の溝Ｍ３を形成するフルカットを実施することとしてもよい。
このように段階的に切削を行うステップカットの形態によっても、溝の浅い部分の幅が溝の深い部分よりも幅広となるＶ字形状の溝Ｍ２を構成することができる。なお、この場合、図１に示す切削装置２の代わりに、２つの切削ブレードを備える切削装置が使用される。
＜洗浄ステップ＞
図１３に示すように、切削ステップを実施した後、被加工物（ウェーハＷ）の裏面Ｗｂに洗浄液１４０を供給して、被加工物を洗浄するステップである。
この洗浄においては、溝Ｍ１がＶ字状の断面をなすため、洗浄液１４０が溝Ｍ１に入り込み易く、溝Ｍ１に入り込んだ切削屑を確実に洗い流すことができ、チップ５の側面５ａや裏面５ｂに切削屑が残存してしまうことを防止できる。
以上のようにして本発明を実施することができる。
即ち、図８、図９、図１１、及び、図１３に示すように、
交差する複数の分割予定ライン１３で区画された領域にそれぞれデバイス１１が形成された表面を有する被加工物（ウェーハＷ）の加工方法であって、
可視光に対して透過性を有するテープＴを被加工物の表面に貼着する被加工物準備ステップと、
少なくとも一部が透明な保持部材７４を有した保持テーブル２７でテープＴを介して被加工物の表面側を保持する保持ステップと、
保持ステップを実施した後、保持部材７４とテープＴとを介して保持テーブル２７で保持された被加工物の表面を撮像カメラＣで撮像して分割予定ライン１３の位置を検出する分割予定ライン１３位置検出ステップと、
分割予定ライン１３位置検出ステップを実施した後、先端がＶ形状を有する切削ブレードＢ１で分割予定ライン１３に沿って被加工物を切削し溝の浅い部分の幅が溝の深い部分よりも幅広となる溝Ｍ１を形成する切削ステップと、
切削ステップを実施した後、被加工物の裏面Ｗｂを洗浄液１４０で洗浄する洗浄ステップと、を有する被加工物の加工方法とするものである。
これによれば、図１３に示すように、溝の浅い部分の幅が溝の深い部分よりも幅広となる溝Ｍ１が形成されるため、洗浄ステップにおいて洗浄液１４０が溝内に進入し易くなり、溝Ｍ１に入り込んだ切削屑を確実に洗い流すことができ、チップ５の側面５ａや裏面５ｂに切削屑が残存してしまうことを防止できる。また、溝内に進入した切削液も切削屑とともに排出されやすい状況を実現することができる。
２ 切削装置
５ チップ
５ａ 側面
８ ウェーハユニット
１０ 基板
１０ａ 表面
１０ｂ 裏面
１１ デバイス
１３ 分割予定ライン
２７ 保持テーブル
４６ 切削ユニット
７４ 保持部材
Ｂ１ 切削ブレード
Ｃ 撮像カメラ
Ｆ 環状フレーム
Ｍ 溝
Ｔ テープ
Ｗ ウェーハ
Ｗａ 表面
Ｗｂ 裏面

Claims (3)

  1. 交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、
    可視光に対して透過性を有するテープを被加工物の表面に貼着する被加工物準備ステップと、
    少なくとも一部が透明な保持部材を有した保持テーブルで該テープを介して該被加工物の該表面側を保持する保持ステップと、
    該保持ステップを実施した後、該保持部材と該テープとを介して該保持テーブルで保持された該被加工物の該表面を撮像カメラで撮像して該分割予定ラインの位置を検出する分割予定ライン位置検出ステップと、
    該分割予定ライン位置検出ステップを実施した後、先端がＶ形状を有する切削ブレードで該分割予定ラインに沿って該被加工物の裏面から切削し、溝の浅い部分の幅が溝の深い部分よりも幅広となるＶ字形状の溝形成するハーフカットを実施する第一切削ステップと、
    直線状の先端を有する切削ブレードで残存部分を切断し、直線状の溝を形成するフルカットを実施する第二切削ステップと、
    該第二切削ステップを実施した後、該テープで該被加工物の該表面を保護したまま、該被加工物の該裏面を洗浄液で洗浄する洗浄ステップと、を有する被加工物の加工方法。
  2. 交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、
    可視光に対して透過性を有するテープを被加工物の表面に貼着する被加工物準備ステップと、
    少なくとも一部が透明な保持部材を有した保持テーブルで該テープを介して該被加工物の該表面側を保持する保持ステップと、
    該保持ステップを実施した後、該保持部材と該テープとを介して該保持テーブルで保持された該被加工物の該表面を撮像カメラで撮像して該分割予定ラインの位置を検出する分割予定ライン位置検出ステップと、
    該分割予定ライン位置検出ステップを実施した後、先端がＶ形状を有する切削ブレードで該分割予定ラインに沿って該被加工物の裏面から切削し、溝の浅い部分の幅が溝の深い部分よりも幅広となる溝であって、該テープに到達する溝を形成する切削ステップと、
    該切削ステップを実施した後、該被加工物の該裏面を洗浄液で洗浄する洗浄ステップと、
    該切削ステップを実施した後、該テープで該被加工物の該表面を保護したまま、該被加工物の該裏面を洗浄液で洗浄する洗浄ステップと、を有する被加工物の加工方法。
  3. 該被加工物準備ステップでは、該被加工物の表面に溝加工を行わない状態において、該テープを該表面に貼着する、
    ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の被加工物の加工方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114012529B (zh) * 2021-10-12 2022-08-30 泰州市宇航航空器材有限公司 一种基于人工智能的航空座椅餐桌加工用打磨装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319899A (ja) 2000-05-11 2001-11-16 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
JP2006024586A (ja) 2004-07-06 2006-01-26 Nachi Fujikoshi Corp 半導体ウエーハの切断方法
JP2009200422A (ja) 2008-02-25 2009-09-03 Panasonic Corp 半導体装置とその製造方法及び実装方法
JP2010087141A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2013161944A (ja) 2012-02-06 2013-08-19 Mitsubishi Electric Corp ダイシング方法
JP2015109381A (ja) 2013-12-05 2015-06-11 株式会社ディスコ 洗浄装置および切削装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6309943B1 (en) * 2000-04-25 2001-10-30 Amkor Technology, Inc. Precision marking and singulation method
TWI228780B (en) * 2000-05-11 2005-03-01 Disco Corp Semiconductor wafer dividing method
US6946326B2 (en) * 2000-12-05 2005-09-20 Analog Devices, Inc. Method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer
CN100334689C (zh) * 2002-04-11 2007-08-29 积水化学工业株式会社 半导体芯片的制造方法
JP4554901B2 (ja) * 2003-08-12 2010-09-29 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2006086516A (ja) * 2004-08-20 2006-03-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子の製造方法
JP2007036143A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの加工方法
JP4750519B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-17 株式会社ディスコ 切削方法および切削装置
JP2007123362A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
JP4749851B2 (ja) * 2005-11-29 2011-08-17 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
US7494900B2 (en) * 2006-05-25 2009-02-24 Electro Scientific Industries, Inc. Back side wafer dicing
US8916416B2 (en) * 2007-09-25 2014-12-23 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of laser-marking laminate layer formed over eWLB with tape applied to opposite surface
JP2009176793A (ja) * 2008-01-22 2009-08-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US20150037915A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Wei-Sheng Lei Method and system for laser focus plane determination in a laser scribing process
JP6397270B2 (ja) 2014-08-26 2018-09-26 株式会社ディスコ 切削装置
JP6695102B2 (ja) * 2015-05-26 2020-05-20 株式会社ディスコ 加工システム
JP2019079884A (ja) * 2017-10-23 2019-05-23 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7157301B2 (ja) * 2017-11-06 2022-10-20 株式会社東京精密 ウェーハの加工方法
JP7189026B2 (ja) * 2019-01-07 2022-12-13 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319899A (ja) 2000-05-11 2001-11-16 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
JP2006024586A (ja) 2004-07-06 2006-01-26 Nachi Fujikoshi Corp 半導体ウエーハの切断方法
JP2009200422A (ja) 2008-02-25 2009-09-03 Panasonic Corp 半導体装置とその製造方法及び実装方法
JP2010087141A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2013161944A (ja) 2012-02-06 2013-08-19 Mitsubishi Electric Corp ダイシング方法
JP2015109381A (ja) 2013-12-05 2015-06-11 株式会社ディスコ 洗浄装置および切削装置

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