JPH0410554A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0410554A JPH0410554A JP2112252A JP11225290A JPH0410554A JP H0410554 A JPH0410554 A JP H0410554A JP 2112252 A JP2112252 A JP 2112252A JP 11225290 A JP11225290 A JP 11225290A JP H0410554 A JPH0410554 A JP H0410554A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法、特に厚みの厚い台
材に接着された半導体ウェハの切断方法に関するもので
ある。
材に接着された半導体ウェハの切断方法に関するもので
ある。
第２図はこの種の従来の半導体装置の製造方法を示す断
面図であり、図において、１は例えばガラスやシリコン
でなる台材、２はこの台材１上に貼着された例えばシリ
コンでなる半導体ウェハである。
面図であり、図において、１は例えばガラスやシリコン
でなる台材、２はこの台材１上に貼着された例えばシリ
コンでなる半導体ウェハである。
次にその製造方法について説明する。第２図（ａ）のよ
うに台材１を用意し、（ｂ）のようにこの台材ユ上に半
導体ウェハ２を例えば陽極接合法などにより貼り付ける
。つぎに（ｃ）のように台材１と半導体ウェハ２が貼り
付けた状態でダイシングソウなどで切断する。
うに台材１を用意し、（ｂ）のようにこの台材ユ上に半
導体ウェハ２を例えば陽極接合法などにより貼り付ける
。つぎに（ｃ）のように台材１と半導体ウェハ２が貼り
付けた状態でダイシングソウなどで切断する。
従来の半導体装置の製造方法では、台材と半導体ウェハ
が貼り付いた状態で切断するため、切る深さが深くなり
、ダイシング歯の強度から切断するダイシングソウの歯
を太くしなくてはならず、切り代が大きくなってしまい
、１枚の半導体ウェハから採れる半導体チップ数が少な
くなるという問題点があった。
が貼り付いた状態で切断するため、切る深さが深くなり
、ダイシング歯の強度から切断するダイシングソウの歯
を太くしなくてはならず、切り代が大きくなってしまい
、１枚の半導体ウェハから採れる半導体チップ数が少な
くなるという問題点があった。
この発明はかかる問題点を解消するためになされたもの
で、ダイシングソウの歯幅による切り代を小さくし、１
枚の半導体ウェハから採れる半導体チップ数を多くする
ことを目的とする。
で、ダイシングソウの歯幅による切り代を小さくし、１
枚の半導体ウェハから採れる半導体チップ数を多くする
ことを目的とする。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、台材の裏面に
あらかじめ深い切り込みを入れておき、半導体ウェハを
貼り付けた台材の表面から、上記切り込み部の対向位置
で、細いダイシング歯Ｇこよって切断するようにしたも
のである。
あらかじめ深い切り込みを入れておき、半導体ウェハを
貼り付けた台材の表面から、上記切り込み部の対向位置
で、細いダイシング歯Ｇこよって切断するようにしたも
のである。
この発明による半導体装置の製造方法では、半導体チッ
プへの切断は浅く切ればよ６ｔので、ダイシングソウの
歯は細くでき、半導体ウニ／’を上の切り代は小さくで
きる。
プへの切断は浅く切ればよ６ｔので、ダイシングソウの
歯は細くでき、半導体ウニ／’を上の切り代は小さくで
きる。
第１図はこの発明の一実施例を示すもので、図において
、１は裏面に深い切り込みＩａが設けられた台材、２は
この台材１上に貼着された半導体ウェハである。
、１は裏面に深い切り込みＩａが設けられた台材、２は
この台材１上に貼着された半導体ウェハである。
次にその製造方法について説明する。
まず（ａ）の様に台材１を用意し、（ｂ）の様に台材１
の裏面から太い歯のダイシングソウにより深く切り込み
ｌａを入れる。次に（Ｃ）の様にこの台材１上に半導体
ウェハ２を貼り付ける。そして最後に、半導体ウェハ２
表面から細い歯のダイシングソウで切り込み１ｂを入れ
、裏面から入れた切り込みｌａに至れば台材１と半導体
ウェハ２が切断されることになる。
の裏面から太い歯のダイシングソウにより深く切り込み
ｌａを入れる。次に（Ｃ）の様にこの台材１上に半導体
ウェハ２を貼り付ける。そして最後に、半導体ウェハ２
表面から細い歯のダイシングソウで切り込み１ｂを入れ
、裏面から入れた切り込みｌａに至れば台材１と半導体
ウェハ２が切断されることになる。
なお上記実施例では、台材１の裏面から切り込み１ａを
入れる作業を半導体ウェハ２の貼り付は前に行うように
したが、半導体ウェハ２の表面を十分保護できれば、半
導体ウェハ２を台材１に貼り付けた後、台材１の裏面か
ら深い切り込みを入れ、更に半導体ウェハ２の表面から
浅く切り込み切断してもよい。
入れる作業を半導体ウェハ２の貼り付は前に行うように
したが、半導体ウェハ２の表面を十分保護できれば、半
導体ウェハ２を台材１に貼り付けた後、台材１の裏面か
ら深い切り込みを入れ、更に半導体ウェハ２の表面から
浅く切り込み切断してもよい。
以上のようにこの発明によれば、台材の裏面から深く切
り込んだ後、台材に貼り付けられた半導体ウェハの表面
から浅く切り込んで切断する方法としたので、半導体ウ
ェハの切断に用いるダイシングソウの歯が細くでき、従
って切り代を小さくすることができる。これにより、１
枚の半導体ウェハから採れる半導体チップ数が多くなる
ので、半導体チップが安価に提供できる効果がある。
り込んだ後、台材に貼り付けられた半導体ウェハの表面
から浅く切り込んで切断する方法としたので、半導体ウ
ェハの切断に用いるダイシングソウの歯が細くでき、従
って切り代を小さくすることができる。これにより、１
枚の半導体ウェハから採れる半導体チップ数が多くなる
ので、半導体チップが安価に提供できる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例による半導
体装置の製造方法を示す図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従
来のこの種の半導体装置の製造方法を示す図である。 図中、１は台材、ｌａは切り込み、２は半導体ウェハで
ある。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
体装置の製造方法を示す図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従
来のこの種の半導体装置の製造方法を示す図である。 図中、１は台材、ｌａは切り込み、２は半導体ウェハで
ある。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 台材の裏面から深い切り込みを入れた後、上記台材に
貼り付けられた半導体ウェハの表面から上記切り込み位
置で浅く切り込み、これにて台材と半導体ウェハが貼り
付いたまま切断することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112252A JPH0410554A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112252A JPH0410554A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410554A true JPH0410554A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14582056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2112252A Pending JPH0410554A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0410554A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5284792A (en) * | 1992-06-09 | 1994-02-08 | International Business Machines Corporation | Full-wafer processing of laser diodes with cleaved facets |
| JP2006086509A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-30 | Denso Corp | 半導体基板の分断方法 |
| WO2015002052A1 (ja) | 2013-07-01 | 2015-01-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 切削部材の先端形状の設計方法、半導体片の製造方法、回路基板および電子装置 |
| WO2015002051A1 (ja) | 2013-07-01 | 2015-01-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および電子装置、ならびに基板のダイシング方法 |
| WO2015002064A1 (ja) | 2013-07-01 | 2015-01-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 |
| US9754833B2 (en) | 2014-09-08 | 2017-09-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor chip that includes dividing substrate by etching groove along cutting region of substrate combined with forming modified region by laser irradiating along cutting region in substrate |
| US9997363B2 (en) | 2014-09-08 | 2018-06-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for producing semiconductor piece, circuit board and electronic device including semiconductor piece, and method for designing etching condition |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2112252A patent/JPH0410554A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5284792A (en) * | 1992-06-09 | 1994-02-08 | International Business Machines Corporation | Full-wafer processing of laser diodes with cleaved facets |
| JP2006086509A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-30 | Denso Corp | 半導体基板の分断方法 |
| WO2015002052A1 (ja) | 2013-07-01 | 2015-01-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 切削部材の先端形状の設計方法、半導体片の製造方法、回路基板および電子装置 |
| WO2015002051A1 (ja) | 2013-07-01 | 2015-01-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および電子装置、ならびに基板のダイシング方法 |
| WO2015002064A1 (ja) | 2013-07-01 | 2015-01-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 |
| KR20160026878A (ko) | 2013-07-01 | 2016-03-09 | 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤 | 절삭 부재의 선단 형상의 설계 방법, 반도체편의 제조 방법, 회로 기판 및 전자 장치 |
| KR20160026860A (ko) | 2013-07-01 | 2016-03-09 | 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤 | 반도체편의 제조 방법, 반도체편을 포함하는 회로 기판 및 화상 형성 장치 |
| KR20160029018A (ko) | 2013-07-01 | 2016-03-14 | 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤 | 반도체편의 제조 방법, 반도체편을 포함하는 회로 기판 및 전자 장치, 그리고 기판의 다이싱 방법 |
| US9455173B2 (en) | 2013-07-01 | 2016-09-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor piece manufacturing method |
| US9508595B2 (en) | 2013-07-01 | 2016-11-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of tip shape of cutting member, semiconductor chip manufacturing method, circuit board, and electronic apparatus |
| US9673080B2 (en) | 2013-07-01 | 2017-06-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor piece manufacturing method |
| US9735056B2 (en) | 2013-07-01 | 2017-08-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor piece manufacturing method and substrate dicing method for suppressing breakage |
| US9754833B2 (en) | 2014-09-08 | 2017-09-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor chip that includes dividing substrate by etching groove along cutting region of substrate combined with forming modified region by laser irradiating along cutting region in substrate |
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