JPS61267342A - 半導体チツプの製造方法 - Google Patents

半導体チツプの製造方法

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JPS61267342A
JPS61267342A JP60108745A JP10874585A JPS61267342A JP S61267342 A JPS61267342 A JP S61267342A JP 60108745 A JP60108745 A JP 60108745A JP 10874585 A JP10874585 A JP 10874585A JP S61267342 A JPS61267342 A JP S61267342A
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JP
Japan
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cutting
wafer
blade
pedestal
platform
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JP60108745A
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Toshio Suzuki
俊男 鈴木
Mitsuhiko Asano
浅野　光彦
Katsuaki Mori
毛利　克昭
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Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業−１二の利用分野〉 本発明は、半導体チップ、例えば圧力センサー等の製造
方法に関するものである。
〈従来の技術〉 従来、圧力センサー等の半導体チップを製造するには、
例えば、第４図に示すように、センサーのダイヤフラム
１や当該ダイヤフラム表面の電橋回路２等の必要な機能
素子部分を一つのウェーハー３に多数配列形成し、これ
をガラス板や金属板等の台座４に接合させた後、ウェー
ハー３の切断代（ストリート）５部分をブレード（切断
刃）６で一括切断して、個々の圧力センサー等を得てい
た。
〈発明が解決しようとする問題点〉 ところが、この従来法の場合だと、台座４が厚い場合、
この台座４を容易に切断するためには、かなり刃の厚い
ブレード６を使用しなければならす、その分、ウェーハ
ー３の切断代５の巾が大きくなければならない。つまり
、ウェーハー３の製品歩留りが悪く、コストダウンのネ
ックとなっていた。
かっと言って、ブレード６はｍｍにレズノイド砥石を使
用しているため、丈夫なものは薄く作れないのが現状で
ある。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、その特徴とする点は、使用する台座の裏面（ウェ
ーハー接合面の反対側）でつｚ−バーの切断代に対応す
る部分に予め予備切断溝を形成しておくことにある。
〈作用〉 この予備切断溝により、略ウェーハーだけの切断でよい
ため、刃の薄いブレードでの切断が可能となる。
〈実施例〉 第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示したもので
ある。
図において、１１はウェーハー、１２は台座である。こ
のウェーハー１１は、圧力センサーの場合を示し、一つ
の円形ウェーハー１１には、−ｉの拡散法等により、多
数のダイヤフラム１３・・・や、必要な電橋回路１４・
・・等が、機能素子部分として形成しである。そして、
又、各センサーチップ部分を区分けする縦横の境界部分
は切断代（ストリート）１５・・・とじて形成しである
。
上記台座１２はウェーハー１１と一体に接合されるわけ
であるが、その接合時、ウェーハー接合ｊ　　　　　　
　面と反対側（裏面）で、当該ウエーノ＼−１１の切断
代１５・・・と対応する部分に予め予備切断溝１６・・
・を形成しである。
しかして、本発明の場合、必要なダイヤフラム１３・・
・や電橋回路１４・・・等を多数配列形成した第１図に
示す如きウェーハー１１を、第２図に示すように台座１
２と一体に接合し、丁度、ウェーハー１１の切断代１５
・・・と台座１２の予備切断溝１６・・・とが対応する
ようにした後、ブレード１７でうニーバー１１の切断代
１５部分及び予備切断溝１６の底部分を切断すれば、第
３図に示したような目的の圧力センサーＳが一個の才導
体チップとして得られる。
この場合、ガラス板や金属板からなり切断が大変な台座
１２にあっても、予備切断溝１６・・・の形成により、
台座１２部分の切断は予備切断溝１６の底桟部のみでよ
いため、プレート１７による切断は極めて容易である。
又、ブレード１７の刃厚が薄く、且つ切断代１５部分が
狭くてよいため、製品の歩留りか極めてよい。
〈発明の効果〉 以、トの説明から明らかなように、本発明の半導体チッ
プの製造方法によれば、ガラス板や金属板からなり切断
が大変な台座において、その裏面に薄い底部分を少々残
して予備切断溝が形成しであるため、ブレードによる切
断は略ウェーハ一部分の切断のみでよい。従って、切断
そのものが極めて容易に行え、高精度での切断が可能と
なる。又、切断の際、従来のように不要な切粉が大量に
発生することはなくなり、切粉による他部分への悪影響
等も極力抑えられ、清掃等も簡単になる。
又、ブレードの刃厚が薄くてよくため、ブレード１７自
体、特別品でなくてよく、通常の普及品（レズノイド砥
石等）でよく、ランニングコストの面からも極めて有利
である。
更に又、それにもまして、一般に、うニーバーの切断代
の占有面積は、チップ数の増大につれて急増し、製品の
歩留り上、極めて重要な問題であるが、本発明の場合、
切断代部分の巾が従来に比較して相当狭くてよいため、
製品の歩留りがよく、大幅なコヒトダウンが達成できる
。
【図面の簡単な説明】
第１しＩないし第３図は本発明に係る半導体子ノブの製
造方法を説明するためのもので、第１図はウェーハーの
斜視図、第２図はウェーハーと台座の接合状態を示した
部分縦断面図、第３図は完成した半導体チップであり、
又、第４図は従来のウェーハーと台座の接合状態を示し
た部分縦断面図である。 図中、１１・・・ウェーハー、 １２・・・台座、 １３．１４・・・機能素子部分、 １５・・・切断代、 １６・・・予備切断溝。 第１図 第３図 ］２ 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　多数の機能素子部分が配列形成されたウェーハーを台
    座に接合した後、各素子毎、当該ウェーハーと共に台座
    を一体に切断して半導体チップを得る製造方法において
    、上記台座のウェーハー接合側とは反対側で上記ウェー
    ハーの切断代に対応する部分に予め予備切断溝を形成し
    ておくことを特徴とする半導体チップの製造方法。
JP10874585A 1985-05-21 1985-05-21 半導体チツプの製造方法 Expired - Lifetime JPH06105754B2 (ja)

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