JP2002368177A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents

リードフレーム及び半導体装置

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Masayuki Iketani
正之 池谷
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の製造歩留まりの向上、小型化が
可能なリードフレームを提供する。 【解決手段】 半導体装置用のリードフレームにおい
て、略平行に配置されたフレームと、フレームから略垂
直方向に突出して、略等間隔に配置された複数のリード
とを含み、隣り合ったリード間のリード間隔を略一定に
保持しつつ、リードがリード幅の大きな領域と小さな領
域とを有してなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リー
ドフレーム及びそれを用いた半導体装置に関し、特に、
小型化された半導体集積回路装置用リードフレーム及び
それを用いた半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は、全体が100で表される、従来
のリードフレームの上面図である。リードフレーム10
0は、矩形の枠状のフレーム101と、フレーム101
の2つの辺に対向するように設けられた複数のリード1
02からなり、例えば金から形成される。図4に示すよ
うに、各リードは同一形状であり、一定の間隔で平行に
配置されている。ここでは、図4に示すように、リード
の幅をa、リードの間隔をbとする。
【0003】半導体チップ103には、回路等と共にパ
ッド104が設けられており、リード102とパッド1
04との間がボンディングワイヤ105で接続される。
半導体チップ103と、リード102の半導体チップ1
03近傍部分が、例えば樹脂(図示せず)により封止さ
れた後、フレーム101から各リード102が切り離さ
れて半導体集積回路装置が完成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路装置の
小型化に伴い、リード102の幅a、リード102の間
隔bを小さくすることが要求される。しかしながら、リ
ード102の幅aを狭くすると、リード102上にワイ
ヤボンディングを正確に行うことが困難となり、半導体
集積回路装置の製造歩留まりが低下する。一方、リード
102の間隔bを狭くすると、リードフレーム100の
製造工程において、リード102間の切り離しを正確に
行うことが困難となり、リードフレーム100の製造歩
留まりが低下する。
【0005】そこで、本発明は、半導体集積回路装置の
製造歩留まりを低下させることなく、半導体集積回路装
置の小型化が可能なリードフレームの提供を目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置用
のリードフレームであって、略平行に配置されたフレー
ムと、該フレームから略垂直方向に突出して、略等間隔
に配置された複数のリードとを含み、隣り合った該リー
ド間のリード間隔を略一定に保持しつつ、該リードがリ
ード幅の大きな領域と小さな領域とを有してなることを
特徴とするリードフレームである。このようなリードフ
レームを用いることにより、リードフレームの製造歩留
まりを低下させることなく、ボンディングの歩留まりの
向上が可能となる。また、ワイヤボンディングの歩留ま
りを低下させることなく、リードのピッチを小さくする
ことも可能となる。
【0007】また、本発明は、上記リードが、第1のリ
ード幅を有する第1矩形領域と、該第1矩形領域より小
さいリード幅を有する第2矩形領域と、該第1矩形領域
と該第2矩形領域とを繋ぎ、該第2矩形領域から該第1
矩形領域に向って漸次リード幅が大きくなる接続領域と
を含むことを特徴とするリードフレームでもある。かか
るリードにおいて、第1矩形領域をステッチ領域とする
ことにより、ワイヤボンディングの歩留まり、信頼性を
向上させることができる。
【0008】また、本発明は、上記リードが、互いに位
相が略180°異なる、対向する一組の正弦曲線からな
る縁部に囲まれた領域からなることを特徴とするリード
フレームでもある。かかるリードを用いることにより、
ワイヤボンディングの歩留まり、信頼性を向上させるこ
とができる。
【0009】上記リード幅の大きな領域は、略八角形で
あることが好ましい。
【0010】上記リード幅の大きな領域は、略円形であ
ることが好ましい。
【0011】上記リードは、上記フレームに略垂直方向
に延びた対称軸に対して線対称な形状であることが好ま
しい。
【0012】上記リード幅の大きな部分は、ボンディン
グワイヤの一端がボンディングされるステッチ領域であ
る。
【0013】また、本発明は、複数のパッド部を有する
半導体チップと、該半導体チップに沿って略等間隔で並
置された複数のリードと、該パッド部と該リードとを接
続するボンディングワイヤと、該半導体チップと、該ボ
ンディングワイヤと、夫々の該リードの一部とを封止す
る封止手段とを含む半導体装置において、該リードが、
隣り合った該リード間のリード間隔を略一定に保持しつ
つ、リード幅の大きな部分と小さな部分とを有してなる
ことを特徴とする半導体装置でもある。かかる半導体装
置では、ワイヤボンディングの歩留まりを向上させるこ
とができる。また、ワイヤボンディングの歩留まりを低
下させることなく、半導体装置の小型化が可能となる。
【0014】また、本発明は、上記リードが、第1のリ
ード幅を有する第1矩形領域と、該第1矩形領域より小
さいリード幅を有する第2矩形領域と、該第1矩形領域
と該第2矩形領域とを繋ぎ、該第2矩形領域から該第1
矩形領域に向って漸次リード幅が大きくなる接続領域と
を含むことを特徴とする半導体装置でもある。
【0015】また、本発明は、上記リードが、互いに位
相が略180°異なる、対向する一組の正弦曲線からな
る縁部に囲まれた領域からなることを特徴とする半導体
装置でもある。
【0016】上記リードは、上記フレームに略垂直方向
に延びた対称軸に対して線対称であることが好ましい。
【0017】上記リード幅の大きな部分は、ボンディン
グワイヤの一端がボンディングされるステッチ領域であ
る。
【0018】
【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は、全体が1
0で示される本実施の形態にかかるリードフレームの、
リード11の一部分を示す。図中、点線で囲まれた領域
Aは、図4に示す領域Aに相当する。
【0019】リードフレーム10は、第1のリード幅を
有する第1矩形領域(ステッチ領域)12と、第1矩形
領域より小さいリード幅を有する第2矩形領域13と、
第1矩形領域12と第2矩形領域13とを繋ぎ、第2矩
形領域13から第1矩形領域12に向って漸次リード幅
が大きくなる接続領域14とを含む。図中、幅aは、従
来のリードフレーム100のリード102の幅に相当す
る。また、第1矩形領域(ステッチ領域)12の形状
は、略八角形となっている。図1から明らかなように、
リードフレーム10では、第1矩形領域12のリード幅
がaより大きく、一方、第2矩形領域13のリード幅が
aより小さくなっている。
【0020】また、図中、幅bは、従来のリードフレー
ム100のリード102間隔に相当する。図1に示すよ
うに、隣り合ったリードの間隔が、リードの突出方向に
渡って幅bで略一定となっている。即ち、第1矩形領域
12の横に、第2矩形領域13が配置されるように、隣
り合ったリード11の形状を組み合わせることにより、
リードの突出方向に渡ってリードの間隔が幅bで略一定
となっている。
【0021】図1のリードフレーム10では、リード間
隔が、従来のリードフレーム100の間隔bと同じであ
るため、リードフレーム10の製造歩留まりを、従来よ
り低下させることはない。一方、リード幅が、従来のリ
ードフレーム100の幅aより広い第1矩形領域12を
設け、アセンブリ(Assy)時にかかる領域をステッ
チ領域に用いてワイヤボンディングを行うため、従来に
比べてワイヤボンディングの歩留まり、信頼性を向上さ
せることができる。
【0022】実施の形態2.図2は、全体が20で示さ
れる本実施の形態にかかるリードフレームの、リード2
1の一部分を示す。図中、点線で囲まれた領域Aは、図
4に示す領域Aに相当する。
【0023】上記リードは21、互いに位相が略180
°異なる、対向する一組の正弦曲線からなる縁部に囲ま
れた領域からなる。即ち、本実施の形態にかかるリード
21は、リード幅がaより大きい第1領域22と、リー
ド幅がaより小さい第2領域23からなり、その縁部の
形状は、略正弦曲線となっている。図中、幅aは、従来
のリードフレーム100のリード102の幅に相当す
る。また、第1領域22はステッチ領域であり、略円形
である。
【0024】このように、本実施の形態2にかかるリー
ドフレーム20を用いることにより、リードフレーム2
0の製造歩留まりを、従来より低下させることなく、ボ
ンディングの歩留まりの向上が可能となる。
【0025】実施の形態3.図3は、全体が30で示さ
れる本実施の形態にかかるリードフレームの、リード3
1の一部分を示す。図中、点線で囲まれた領域Aは、図
4に示す領域Aに相当する。
【0026】リードフレーム30では、リード31の形
状は、実施の形態2のリードフレーム20のリード21
と同じである。しかしながら、リード幅は、幅が最大と
なる領域(ステッチ領域)32でaであり、上述のリー
ド21より狭くなっている。即ち、リードフレーム20
に比較してリードフレーム30では、リード間隔は従来
のリードフレーム100と同じbのままであるが、一方
で、リード31の最大幅をaまで小さくした。これによ
り、リード31のピッチ34が、リードフレーム20よ
り狭くなり、リードフレーム30を用いて作製した半導
体装置(図示せず)の小型化が可能となる。但し、リー
ド幅が最大となる領域(ステッチ領域32)のリード幅
は、従来のリードフレーム100と同じ幅aであるた
め、ワイヤボンディングの歩留まり、信頼性は従来と同
じである。
【0027】このように、本実施の形態3にかかるリー
ドフレーム30を用いることにより、リードフレーム3
0の製造歩留まり、及びボンディングの歩留まりを、従
来より低下させることなく、リード31のピッチ34を
小さくして半導体装置の小型化が可能となる。
【0028】なお、ここでは、実施の形態2にかかるリ
ードフレーム20のピッチを小さくする場合について説
明したが、実施の形態1にかかるリードフレーム10に
対しても、同様に適用することができる。また、実施の
形態1〜3では、リード幅の大きな領域(ステッチ領
域)の形状が、略八角形、略円形の場合について説明し
たが、例えば略六角形等、これ以外の形状とすることも
可能である。また、本実施の形態1〜3にかかるリード
フレームは、図4のように、対向する2箇所のフレーム
がリードを有するものでも良く、また、4箇所のフレー
ム全てがリードを有するものでも良い。
【0029】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、リードフレームの製造歩留まりを低下させること
なく、ワイヤボンディングの歩留まり、信頼性を向上さ
せることができ、半導体装置の製造歩留まり、信頼性の
向上が可能となる。
【0030】また、本発明では、リードフレーム、ワイ
ヤボンディングの歩留まり低下させることなく、半導体
装置の小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1にかかるリードフレー
ムの一部分である。
【図2】 本発明の実施の形態2にかかるリードフレー
ムの一部分である。
【図3】 本発明の実施の形態3にかかるリードフレー
ムの一部分である。
【図4】 従来のリードフレームの上面図である。
【符号の説明】
10 リードフレーム、11 リード、12 第1矩形
領域(ステッチ領域)、13 第2矩形領域、14 接
続領域。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置用のリードフレームであっ
    て、 略平行に配置されたフレームと、 該フレームから略垂直方向に突出して、略等間隔に配置
    された複数のリードとを含み、 隣り合った該リード間のリード間隔を略一定に保持しつ
    つ、該リードがリード幅の大きな領域と小さな領域とを
    有してなることを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項2】 上記リードが、 第1のリード幅を有する第1矩形領域と、 該第1矩形領域より小さいリード幅を有する第2矩形領
    域と、 該第1矩形領域と該第2矩形領域とを繋ぎ、該第2矩形
    領域から該第1矩形領域に向って漸次リード幅が大きく
    なる接続領域とを含むことを特徴とする請求項1に記載
    のリードフレーム。
  3. 【請求項3】 上記リードが、 互いに位相が略180°異なる、対向する一組の正弦曲
    線からなる縁部に囲まれた領域からなることを特徴とす
    る請求項1に記載のリードフレーム。
  4. 【請求項4】 上記リード幅の大きな領域が、略八角形
    であることを特徴とする請求項1に記載のリードフレー
    ム。
  5. 【請求項5】 上記リード幅の大きな領域が、略円形で
    あることを特徴とする請求項1に記載のリードフレー
    ム。
  6. 【請求項6】 上記リードが、上記フレームに略垂直方
    向に延びた対称軸に対して線対称な形状であることを特
    徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のリードフレー
    ム。
  7. 【請求項7】 上記リード幅の大きな部分が、ボンディ
    ングワイヤの一端がボンディングされるステッチ領域で
    あることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の
    リードフレーム。
  8. 【請求項8】 複数のパッド部を有する半導体チップ
    と、 該半導体チップに沿って略等間隔で並置された複数のリ
    ードと、 該パッド部と該リードとを接続するボンディングワイヤ
    と、 該半導体チップと、該ボンディングワイヤと、夫々の該
    リードの一部とを封止する封止手段とを含む半導体装置
    において、 該リードが、隣り合った該リード間のリード間隔を略一
    定に保持しつつ、リード幅の大きな部分と小さな部分と
    を有してなることを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項9】 上記リードが、 第1のリード幅を有する第1矩形領域と、 該第1矩形領域より小さいリード幅を有する第2矩形領
    域と、 該第1矩形領域と該第2矩形領域とを繋ぎ、該第2矩形
    領域から該第1矩形領域に向って漸次リード幅が大きく
    なる接続領域とを含むことを特徴とする請求項8に記載
    の半導体装置。
  10. 【請求項10】 上記リードが、 互いに位相が略180°異なる、対向する一組の正弦曲
    線からなる縁部に囲まれた領域からなることを特徴とす
    る請求項8に記載の半導体装置。
  11. 【請求項11】 上記リードが、上記フレームに略垂直
    方向に延びた対称軸に対して線対称であることを特徴と
    する請求項8〜10のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 【請求項12】 上記リード幅の大きな部分が、ボンデ
    ィングワイヤの一端がボンディングされるステッチ領域
    であることを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記
    載の半導体装置。
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