JPH09116083A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置Info
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- JPH09116083A JPH09116083A JP26693795A JP26693795A JPH09116083A JP H09116083 A JPH09116083 A JP H09116083A JP 26693795 A JP26693795 A JP 26693795A JP 26693795 A JP26693795 A JP 26693795A JP H09116083 A JPH09116083 A JP H09116083A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】共通のリードフレームに大きな半導体チップを
搭載すると熱の放熱性が低下する。 【解決手段】矩形状の主アイランド１に、この主アイラ
ンドの四辺から延在する台形状の副アイランド３を設け
る。
搭載すると熱の放熱性が低下する。 【解決手段】矩形状の主アイランド１に、この主アイラ
ンドの四辺から延在する台形状の副アイランド３を設け
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム及び
半導体装置に関し、特に多種類の半導体チップを搭載で
きるリードフレームとこのリードフレームを用いた樹脂
封止型半導体装置に関する。
半導体装置に関し、特に多種類の半導体チップを搭載で
きるリードフレームとこのリードフレームを用いた樹脂
封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、納期
の短縮やコストの低減から大きさ（サイズ）の異なる複
数種の半導体チップを搭載できるリードフレームが用い
られている。このリードフレームは、例えば図７に示す
ように、最小のチップに対応する共通のアイランド１Ａ
と、このアイランド１Ａを支持する吊りリード２と、ア
イランド１Ａの周辺部に設けられた複数のリード４Ａと
から主に構成されていた。
の短縮やコストの低減から大きさ（サイズ）の異なる複
数種の半導体チップを搭載できるリードフレームが用い
られている。このリードフレームは、例えば図７に示す
ように、最小のチップに対応する共通のアイランド１Ａ
と、このアイランド１Ａを支持する吊りリード２と、ア
イランド１Ａの周辺部に設けられた複数のリード４Ａと
から主に構成されていた。
【０００３】そして、比較的小さなチップ５Ａは、図８
（ａ）に示すように、アイランド１Ａ上にロー材等によ
り固着され、ワイヤ６によりリード４Ａと接続されたの
ち樹脂ににより封止されていた。又チップ５Ｂが大きい
場合は、図８（ｂ）に示すように、リード４の先端を切
断してチップ５Ｂを搭載していた。
（ａ）に示すように、アイランド１Ａ上にロー材等によ
り固着され、ワイヤ６によりリード４Ａと接続されたの
ち樹脂ににより封止されていた。又チップ５Ｂが大きい
場合は、図８（ｂ）に示すように、リード４の先端を切
断してチップ５Ｂを搭載していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のリードフレームは、アイランドが搭載する最小
の半導体チップのサイズに対応している為、サイズの大
きな半導体チップを搭載した場合、熱の放散性が悪く熱
抵抗が高くなり、半導体装置の信頼性を低下させるとい
う問題点があった。
た従来のリードフレームは、アイランドが搭載する最小
の半導体チップのサイズに対応している為、サイズの大
きな半導体チップを搭載した場合、熱の放散性が悪く熱
抵抗が高くなり、半導体装置の信頼性を低下させるとい
う問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、熱の放散性の向上したリ
ードフレーム及び半導体装置を提供することにある。
ードフレーム及び半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明のリードフレ
ームは、矩形状の主アイランドと、この主アイランドの
四隅から四方に延在する４本の吊りリードと、この吊り
リードの接続部を除く前記主アイランドの四辺のそれぞ
れから延在して設けられた４枚の副アイランドと、この
副アイランドの周辺部に設けられた複数のリードとを含
むことを特徴とするものである。
ームは、矩形状の主アイランドと、この主アイランドの
四隅から四方に延在する４本の吊りリードと、この吊り
リードの接続部を除く前記主アイランドの四辺のそれぞ
れから延在して設けられた４枚の副アイランドと、この
副アイランドの周辺部に設けられた複数のリードとを含
むことを特徴とするものである。
【０００７】第２の発明の半導体装置は、矩形状の主ア
イランドと、この主アイランド上に固着された半導体チ
ップと、前記主アイランドの四辺のそれぞれから延在し
て設けられかつ主アイランドとの接続部より下方に折り
曲げられた４枚の副アイランドと、前記副アイランドの
周辺部にかつ前記主アイランドと同一平面上に設けられ
た複数のリードと、このリードと前記半導体チップとを
接続するワイヤと、前記半導体チップと前記主及び副ア
イランドと前記ワイヤと前記リードの一部とを封止する
樹脂とを含むことを特徴とするものである。
イランドと、この主アイランド上に固着された半導体チ
ップと、前記主アイランドの四辺のそれぞれから延在し
て設けられかつ主アイランドとの接続部より下方に折り
曲げられた４枚の副アイランドと、前記副アイランドの
周辺部にかつ前記主アイランドと同一平面上に設けられ
た複数のリードと、このリードと前記半導体チップとを
接続するワイヤと、前記半導体チップと前記主及び副ア
イランドと前記ワイヤと前記リードの一部とを封止する
樹脂とを含むことを特徴とするものである。
【０００８】第３の発明の半導体装置は、矩形状の主ア
イランドと、この主アイランドの四辺のそれぞれから延
在して設けられた４枚の副アイランドと、前記主アイラ
ンド上と前記副アイランドの少くとも一部の上に固着さ
れた半導体チップと、前記副アイランドの周辺部に設け
られた複数のリードとを含むことを特徴とするものであ
る。
イランドと、この主アイランドの四辺のそれぞれから延
在して設けられた４枚の副アイランドと、前記主アイラ
ンド上と前記副アイランドの少くとも一部の上に固着さ
れた半導体チップと、前記副アイランドの周辺部に設け
られた複数のリードとを含むことを特徴とするものであ
る。
【０００９】本発明は、搭載する半導体チップの最小の
サイズに対応する主アイランドの四辺に、折り曲げ可能
な４枚の副アイランドを設けている為、実質的にアイラ
ンドの面積は大きくなる。この為、大きな半導体チップ
を搭載しても熱の放散性はほとんど低下しない。
サイズに対応する主アイランドの四辺に、折り曲げ可能
な４枚の副アイランドを設けている為、実質的にアイラ
ンドの面積は大きくなる。この為、大きな半導体チップ
を搭載しても熱の放散性はほとんど低下しない。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為のリードフレームの上面図である。
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為のリードフレームの上面図である。
【００１１】図１において多種類の半導体チップを搭載
可能なリードフレーム１０Ａは、矩形状の主アイランド
１と、この主アイランド１の四隅から四方に延在する吊
りリード２と、吊りリード２の接続部を除く主アイラン
ドの四辺のそれぞれから延在して設けられた４枚の台形
状の副アイランド３と、この副アイランド３に近接しそ
の周辺部に設けられた複数のリード４Ａとから主に構成
されている。尚、製造方法は従来と同様にプレス又はエ
ッチング法でよく、特別の工程は必要ではない。次にこ
のように構成されたリードフレーム１０Ａに半導体チッ
プを搭載する場合について、更に図２の断面図を用いて
説明する。
可能なリードフレーム１０Ａは、矩形状の主アイランド
１と、この主アイランド１の四隅から四方に延在する吊
りリード２と、吊りリード２の接続部を除く主アイラン
ドの四辺のそれぞれから延在して設けられた４枚の台形
状の副アイランド３と、この副アイランド３に近接しそ
の周辺部に設けられた複数のリード４Ａとから主に構成
されている。尚、製造方法は従来と同様にプレス又はエ
ッチング法でよく、特別の工程は必要ではない。次にこ
のように構成されたリードフレーム１０Ａに半導体チッ
プを搭載する場合について、更に図２の断面図を用いて
説明する。
【００１２】まず主アイランドと同じ程度のサイズ（例
えば６ｍｍ×６ｍｍ）の半導体チップを搭載する場合
は、図２（ａ）に示すように、台形状の副アイランド３
を主アイランド１との接続部より下方に折り曲げ、副ア
イランド３の先端部とリード４Ａの先端部との距離を６
０μｍ以上好ましくは１５０〜２００μｍとしておく。
このように副アイランド３を折り曲げる為、成型時の副
アイランド３とリード４Ａとの間隔は１０μｍ程度であ
ってもよい。次に主アイランド１より大きく副アイラン
ド３より小さいサイズの半導体チップを搭載する場合
は、その半導体チップのサイズに合わせ、図２（ｂ）に
示すように、副アイランド３を下方に折り曲げ、副アイ
ランド３の先端とリード４Ａの先端との距離を１５０〜
２００μｍにする。又、副アイランド３のサイズより大
きい半導体チップ（例えば１５ｍｍ×１５ｍｍ）を搭載
する場合は図２（ｃ）に示すように、そのチップに合わ
せて従来例と同様に、リード４Ａの先端部を切断してお
く。
えば６ｍｍ×６ｍｍ）の半導体チップを搭載する場合
は、図２（ａ）に示すように、台形状の副アイランド３
を主アイランド１との接続部より下方に折り曲げ、副ア
イランド３の先端部とリード４Ａの先端部との距離を６
０μｍ以上好ましくは１５０〜２００μｍとしておく。
このように副アイランド３を折り曲げる為、成型時の副
アイランド３とリード４Ａとの間隔は１０μｍ程度であ
ってもよい。次に主アイランド１より大きく副アイラン
ド３より小さいサイズの半導体チップを搭載する場合
は、その半導体チップのサイズに合わせ、図２（ｂ）に
示すように、副アイランド３を下方に折り曲げ、副アイ
ランド３の先端とリード４Ａの先端との距離を１５０〜
２００μｍにする。又、副アイランド３のサイズより大
きい半導体チップ（例えば１５ｍｍ×１５ｍｍ）を搭載
する場合は図２（ｃ）に示すように、そのチップに合わ
せて従来例と同様に、リード４Ａの先端部を切断してお
く。
【００１３】このように構成したリードフレームのアイ
ランドに半導体チップを搭載した場合、副アイランド３
により、熱の放散性は向上したものとなる。
ランドに半導体チップを搭載した場合、副アイランド３
により、熱の放散性は向上したものとなる。
【００１４】図３は本発明の第２の実施の形態を説明す
る為のリードフレーム１０Ｂの上面図であり、図１に示
したリードフレーム１０Ａと異なる所は、主アイランド
１の四方に延在する副アイランド３Ａの形状を矩形と
し、この副アイランド３Ａと吊りリード２と間に一部の
リード４Ｂの先端を延したことである。このリードフレ
ーム１０Ｂでは、点線又は一点鎖線で示したように、半
導体チップ５のサイズに応じて搭載する位置を変えるこ
とにより、リード４Ｂの先端をより半導体チップ５に近
づけることができる為、半導体チップ５とリード４Ｂと
を接続するワイヤを短くできる。これにより、ワイヤ同
志の接触やワイヤとチップ等の接触を防止できるという
利点がある。
る為のリードフレーム１０Ｂの上面図であり、図１に示
したリードフレーム１０Ａと異なる所は、主アイランド
１の四方に延在する副アイランド３Ａの形状を矩形と
し、この副アイランド３Ａと吊りリード２と間に一部の
リード４Ｂの先端を延したことである。このリードフレ
ーム１０Ｂでは、点線又は一点鎖線で示したように、半
導体チップ５のサイズに応じて搭載する位置を変えるこ
とにより、リード４Ｂの先端をより半導体チップ５に近
づけることができる為、半導体チップ５とリード４Ｂと
を接続するワイヤを短くできる。これにより、ワイヤ同
志の接触やワイヤとチップ等の接触を防止できるという
利点がある。
【００１５】図４は本発明の第３の実施の形態を説明す
る為のリードフレーム１０Ｃの上面図であり、図３に示
したリードフレーム１０Ｂと異なる所は、主アイランド
１に接続する副アイランド３Ｂの形状を三角形にしたこ
とである。このように副アイランド３Ｂを三角形にする
ことにより、熱の放散性は幾分悪くなるが、リード４Ｂ
の先端を搭載する半導体チップにより近づけることがで
きる為、図３に示したリードフレーム１０Ｂの場合に比
べ、短いワイヤの数をより多くでき、ワイヤの接触をよ
り低減できる。
る為のリードフレーム１０Ｃの上面図であり、図３に示
したリードフレーム１０Ｂと異なる所は、主アイランド
１に接続する副アイランド３Ｂの形状を三角形にしたこ
とである。このように副アイランド３Ｂを三角形にする
ことにより、熱の放散性は幾分悪くなるが、リード４Ｂ
の先端を搭載する半導体チップにより近づけることがで
きる為、図３に示したリードフレーム１０Ｂの場合に比
べ、短いワイヤの数をより多くでき、ワイヤの接触をよ
り低減できる。
【００１６】すなわち、図１又は図３に示したリードフ
レームにはマイコン等に用いられるパワーの大きい半導
体チップを搭載し、図４に示したリードフレームにはＣ
−ＭＯＳトランジスタ等の比較的パワーの小さな半導体
チップを搭載することにより、各リードフレームの特性
をより有効に活用できる。
レームにはマイコン等に用いられるパワーの大きい半導
体チップを搭載し、図４に示したリードフレームにはＣ
−ＭＯＳトランジスタ等の比較的パワーの小さな半導体
チップを搭載することにより、各リードフレームの特性
をより有効に活用できる。
【００１７】図５（ａ），（ｂ）は本発明の第４の実施
の形態を説明する為の半導体装置の上面図及びＡ−Ａ線
断面図であり、見やすくする為に樹脂は除いてある。
の形態を説明する為の半導体装置の上面図及びＡ−Ａ線
断面図であり、見やすくする為に樹脂は除いてある。
【００１８】図５（ａ），（ｂ）において半導体装置
は、小さなサイズ（例えば６ｍｍ×６ｍｍ）の半導体チ
ップに対応する正方形の主アイランド１と、この主アイ
ランド１上にロー材や接着剤等により固着された半導体
チップ５Ａと、主アイランド１の四辺のそれぞれから延
在して設けられ、主アイランド１との接続部より下方に
折り曲げられた４枚の台形状の副アイランド３と、副ア
イランドの周辺部で主アイランド１と同一平面上に設け
られ樹脂封止部の外側が成型された複数のリード４と、
このリード４と半導体チップ５Ａとを接続するワイヤ６
と、半導体チップ５Ａと主アイランド１と副アイランド
３とワイヤ６及びリード４の一部とを封止する樹脂７と
から主に構成されている。
は、小さなサイズ（例えば６ｍｍ×６ｍｍ）の半導体チ
ップに対応する正方形の主アイランド１と、この主アイ
ランド１上にロー材や接着剤等により固着された半導体
チップ５Ａと、主アイランド１の四辺のそれぞれから延
在して設けられ、主アイランド１との接続部より下方に
折り曲げられた４枚の台形状の副アイランド３と、副ア
イランドの周辺部で主アイランド１と同一平面上に設け
られ樹脂封止部の外側が成型された複数のリード４と、
このリード４と半導体チップ５Ａとを接続するワイヤ６
と、半導体チップ５Ａと主アイランド１と副アイランド
３とワイヤ６及びリード４の一部とを封止する樹脂７と
から主に構成されている。
【００１９】このように構成された半導体装置では、主
アイランド１に副アイランド３が接続されている為、熱
の放散性は向上する。尚、搭載する半導体チップ５Ａが
主アイランド１より大きく副アイランド３より小さい場
合は、図２（ｂ）で説明したように、半導体チップ５Ａ
の大きさに合せて副アイランド３を下方に折り曲げ、そ
の先端とリードとの間隔を１５０〜２００μｍとしてお
く。
アイランド１に副アイランド３が接続されている為、熱
の放散性は向上する。尚、搭載する半導体チップ５Ａが
主アイランド１より大きく副アイランド３より小さい場
合は、図２（ｂ）で説明したように、半導体チップ５Ａ
の大きさに合せて副アイランド３を下方に折り曲げ、そ
の先端とリードとの間隔を１５０〜２００μｍとしてお
く。
【００２０】図６は本発明の第５の実施の形態を説明す
る為の半導体装置の断面図であり、副アイランドより大
きい半導体チップを搭載した場合を示す。図６において
副アイランド３より大きい半導体チップ５Ｂは、例えば
図１に示したリードフレームの主アイランド１と副アイ
ランド３の上で、かつ副アイランド３からはみ出して固
着されており、その周囲のリード４の先端は、図２
（ｃ）に示したように、半導体チップ５Ｂの大きさに合
わせて切断されている。
る為の半導体装置の断面図であり、副アイランドより大
きい半導体チップを搭載した場合を示す。図６において
副アイランド３より大きい半導体チップ５Ｂは、例えば
図１に示したリードフレームの主アイランド１と副アイ
ランド３の上で、かつ副アイランド３からはみ出して固
着されており、その周囲のリード４の先端は、図２
（ｃ）に示したように、半導体チップ５Ｂの大きさに合
わせて切断されている。
【００２１】このように構成された半導体装置において
も、半導体チップ５Ｂは主アイランド１及び副アイラン
ド３上に固着されている為、図８（ｂ）に示した従来の
リードフレーム上に半導体チップを固着した場合に比
べ、熱の放散性は大幅に向上したものとなる。
も、半導体チップ５Ｂは主アイランド１及び副アイラン
ド３上に固着されている為、図８（ｂ）に示した従来の
リードフレーム上に半導体チップを固着した場合に比
べ、熱の放散性は大幅に向上したものとなる。
【００２２】尚、第４及び第５の実施の形態において
は、半導体チップを搭載するリードフレームとして副ア
イランドが台形状のものを用いた場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、図３及び図４に示
したリードフレーム等を用いてもよいことは勿論であ
る。
は、半導体チップを搭載するリードフレームとして副ア
イランドが台形状のものを用いた場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、図３及び図４に示
したリードフレーム等を用いてもよいことは勿論であ
る。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、主アイラ
ンドの四辺より延在する副アイランドを設け、搭載する
半導体チップの大きさに応じてこの副アイランドを下方
に折り曲げてリードとの間隔を保つようにすることによ
り、熱の放熱性の向上したリードフレーム及び半導体装
置が得られるという効果がある。
ンドの四辺より延在する副アイランドを設け、搭載する
半導体チップの大きさに応じてこの副アイランドを下方
に折り曲げてリードとの間隔を保つようにすることによ
り、熱の放熱性の向上したリードフレーム及び半導体装
置が得られるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する為のリー
ドフレームの上面図。
ドフレームの上面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態を説明する為のリー
ドフレームの断面図。
ドフレームの断面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態を説明する為のリー
ドフレームの上面図。
ドフレームの上面図。
【図４】本発明の第３の実施の形態を説明する為のリー
ドフレームの上面図。
ドフレームの上面図。
【図５】本発明の第４の実施の形態を説明する為の半導
体装置の上面図及び断面図。
体装置の上面図及び断面図。
【図６】本発明の第５の実施の形態を説明する為の半導
体装置の断面図。
体装置の断面図。
【図７】従来のリードフレームの上面図。
【図８】従来のリードフレームに半導体チップを搭載し
た場合の断面図。
た場合の断面図。
１ 主アイランド ２ 吊りリード ３，３Ａ，３Ｂ 副アイランド ４，４Ａ，４Ｂ リード ５，５Ａ，５Ｂ 半導体チップ ６ ワイヤ ７ 樹脂 １０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ リードフレーム
Claims (7)
- 【請求項１】 矩形状の主アイランドと、この主アイラ
ンドの四隅から四方に延在する４本の吊りリードと、こ
の吊りリードの接続部を除く前記主アイランドの四辺の
それぞれから延在して設けられた４枚の副アイランド
と、この副アイランドの周辺部に設けられた複数のリー
ドとを含むことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 副アイランドの形状は台形又は矩形又は
三角形である請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 矩形状の主アイランドと、この主アイラ
ンド上に固着された半導体チップと、前記主アイランド
の四辺のそれぞれから延在して設けられかつ主アイラン
ドとの接続部より下方に折り曲げられた４枚の副アイラ
ンドと、前記副アイランドの周辺部にかつ前記主アイラ
ンドと同一平面上に設けられた複数のリードと、このリ
ードと前記半導体チップとを接続するワイヤと、前記半
導体チップと前記主及び副アイランドと前記ワイヤと前
記リードの一部とを封止する樹脂とを含むことを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項４】 矩形状の主アイランドと、この主アイラ
ンドの四辺のそれぞれから延在して設けられた４枚の副
アイランドと、前記主アイランド上と前記副アイランド
の少くとも一部の上に固着された半導体チップと、前記
副アイランドの周辺部に設けられた複数のリードとを含
むことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 副アイランドの形状は台形又は矩形又は
三角形である請求項３又は請求項４記載の半導体装置。 - 【請求項６】 副アイランドは固着された半導体チップ
の周辺部より下方に折り曲げられている請求項４記載の
半導体装置。 - 【請求項７】 半導体チップは副アイランドの周辺部よ
りはみ出して固着されている請求項４記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26693795A JPH09116083A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26693795A JPH09116083A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116083A true JPH09116083A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17437765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26693795A Pending JPH09116083A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116083A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184930A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6340353A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止半導体装置 |
| JPS6344749A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びこれに用いるリードフレーム |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP26693795A patent/JPH09116083A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6340353A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止半導体装置 |
| JPS6344749A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びこれに用いるリードフレーム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184930A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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