JPS6344749A - 半導体装置及びこれに用いるリードフレーム - Google Patents

半導体装置及びこれに用いるリードフレーム

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JPS6344749A JP61189262A JP18926286A JPS6344749A JP S6344749 A JPS6344749 A JP S6344749A JP 61189262 A JP61189262 A JP 61189262A JP 18926286 A JP18926286 A JP 18926286A JP S6344749 A JPS6344749 A JP S6344749A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置およびそれに用いるリードフレーム
に関し、より詳細には、リードフレームに搭載される半
導体素子から発生する熱を効率よく放散することができ
るリードフレームに関する。
（従来の技術およびその問題点） 近年半導体素子は、大型化、多機能化、高集禎化の一途
をたどっており、その発熱量も増大している。したがっ
て、これを搭載するリードフレームは一層の多ビン化が
要請され、また半導体装置全体としても熱を一層効率良
く放散させる機能が求められている。
ところで、通例内部リードの各リード間の間隔は、リー
ドを抜き加工で形成する際のポンチの座屈等のために、
リードフレームの板厚程度まで狭小にすることが限度で
ある。そのため、通常の方法でリードを加工形成する場
合は、リードフレーム自体の大きさが限定されているの
で、形成されるビン数には自ずから限度がある。
この場合、各リード間の間隔を形成し得る最も狭い間隔
にしてかつ、多ビン化を図るためには、各内部リードが
高密度に集積する内部リードの先端部を外部リード側へ
後退させ、内部リードが形成されるフレーム面を拡大さ
せればよい。しかしながら、このように内部リードを後
退させると、半導体素子を固定するステージ部と内部リ
ード先端との距離が増大し、半導体素子と内部リードを
電気的に接続するワイヤボンディング等の作業を困難に
するとともにワイヤボンディングの信頼性が低下すると
いう問題点が生ずる。
また、従来の半導体装置において、ステージ部、樹脂封
止部などは付帯的に熱放散機能を果たしているが、これ
らステージ部等による熱放散機能のみでは、最近のｊａ
　Ｖａ度の高い半導体素子から発生する熱を放散するに
は不充分である。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、半導体素子の高集積化にともな
う半導体装置の多ビン化を図るとともに、半導体素子か
ら発生する熱を効率的に放敗さ廿る熱放散機能をリード
フレーム自身に求めた半導体装置およびそれに用いるリ
ードフレームを提供するにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解消するため次の構成を備える。
すなわち、ヒートスプレッダ−を延出形成したステージ
部に半導体素子を固定するとともに、該半導体素子と内
部リードとは回路パターン形成フィルムにより接続して
樹脂封止することを特徴とする半導体装置であり、この
半導体装置に用いるリードフレームは、半導体素子を固
定するステージ部と該ステージ部に対向する内部リード
を有するリードフレームにおいて、該内部リードと前記
ステージ部との間に該ステージ部から延出するヒートス
プレッダ−を設けることを特徴とする。
（実施例） 以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細
に説明する。
第１図は本発明に係るリードフレームを示す平面図であ
る。
１０は半導体素子を固定するステージ部で、１４は内部
リードである。内部リード１４の先端とステージ部１０
の周縁部とは、従来のリードフレームとくらべ、相当程
度前れて配設され、その結果内部リード１４は従来のも
のにくらべ短く形成すれている。
１２は前記ステージ部１ｏがら前記内部リード１４側に
延出されるヒートスプレッダ−で、このヒートスプレッ
ダ−１２は、ステージ部１０周縁と内部リード１４の先
端の間に形成される空隙を埋めるように配設されて成る
。
前記ヒートスプレッダ−１２は、ステージ部１０に固定
される半導体素子とともに樹脂封止されるので樹脂との
密着性を高めるために、透孔２６あるいはスリット２４
が穿設され、また樹脂封止後にクラックが生じないよう
に樹脂への応力束中を緩和すべく、ヒートスプレッダ−
１２の先端部は、内部リード１４先端から長距離となる
ように滑らかな凹凸形状に形成される。
１５はステージ部１０とヒートスプレッダ−１２を支持
するステージサポートパーで、このステージサポートパ
ー１５および内部リード１４はダムバー１６に連結する
。
ステージサポートパー１５はヒートスプレッダ−１２か
ら延出するようにしてもよい。
１８はダムバー１６に連絡する外部リードで、２０はタ
イバー、２２はレールである。
本発明に係るリードフレームは、前述したように、ステ
ージ部１０から後退した位置に内部り−ド１４を形成す
るので内部リード１４の幅方向に、より多くの、リード
を形成することができ、その結果多ピンのリードフレー
ムを容易に形成することができる。
そして、ステージ部１０とステージ部１０から後退した
内部リード１４との空間部位にヒートスプレッダ−１２
を配設することができ、熱放散の機能として前記空間部
位を有効に利用することができる。
第２図は、本発明に係るリードフレームを樹脂封止して
成る半導体装置の断面図である。
第２図において、２８は前記ステージ部１０に固定され
る半導体素子で、３０はこの半導体素子２８と内部リー
ド１４とを接続する回路パターン形成フィルムである。
３２は、これら半導体装置２８、ヒートスプレッダ−１
２、ステージ部１０等を封止する樹脂である。
第２図に示すように、前記ヒートスプレッダ−１２は、
樹脂３２の外面により近接するようにステージ部１０と
の境界近傍で段差を設けて折り曲げられる。このように
、樹脂３２表面に近接してヒートスプレッダ−１２を封
止することにより、熱を外部へ放散する効果を向上させ
ることができる。
ヒートスプレッダ−１２の先端部を凹凸形状とした場合
にはこの凹凸部を交互に上下に折曲して樹脂との密着性
を図るとよい。
３０は半導体素子２８と内部リード１４とを接続する導
体回路を有する回路パターン形成フィルムであるが、前
述したように、ステージ部１０と内部リード１４との距
離が大きくなるために、従来のワイヤポンディング方法
では導線が長くなり、半導体素子２８と内部リード１４
とを導線でワイヤポンディングする際、あるいは樹脂封
止する際に、導線３０がたがいに短絡する虞が出てくる
。
このため、通常のワイヤポンディングの作業を困難にす
るが、この問題点を解１失するには以下に述べるフィル
ムキャリア方式によるボンディングが有効である。
すなわち、フィルムキャリア方式によるボンディングは
、銅箔などを積層した絶縁フィルム上の銅箔などをエツ
チング加工して、フィルム面にあらかしめ内部リードパ
ターンと半導体素子の端子パターンに合致する回路パタ
ーンを形成しておき、この回路パターン形成フィルムの
各回路パターンを前記内部リード１４と半導体素子２８
に熱圧着し、対応する回路パターンを一度にボンディン
グするものである。このフィルムキャリア方式のボンデ
ィングでは、各導線のかわりに回路パターンがフィルム
面に形成されているために、誤って配線同志が短絡する
という虞がな（、また、エツチング加工により微細な回
路パターンが形成できるので、多ビンのものに対して特
に有効に利用することができる。なお、回路パターン形
成フィルムは、封止樹脂との密着性を考慮した形状とし
、穿孔などを形成すると好適であを。そして、配線時に
は、従来のワイヤポンディングのように対応する端子間
を１つずつ接続するのではなく、多数の端子間を一度に
接続できるので、ワイヤボンディング時間を大幅に短縮
することができる。
（発明の効果） 本発明に係る半導体装置およびこれに用いるリードフレ
ームによれば、上述したように、最近の高集積化されて
いる半導体素子に対応して多ピンの半導体装置を容易に
形成し得るとともに、従来の半導体素子にくらべてより
発ｑ６１が増大している半導体素子から発生する熱を効
率的に放散させる機能をも合わせて有することができる
という著効を奏する。
その結果、半導体装置の動作性に関して、−眉信頼性を
高めることができる。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の槓神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るリードフレームの実施例を示す部
分平面図、第２図は本発明のリードフレームを用いた樹
脂封止型半導体装置の一例を示す断面図である。 １０・・・ステージ部、１２・・・ヒートスプレッダ−
２，１４・・・内部リード、　１５・・・ステージサポ
ートバー、　　１６・・・ダムバー、１８・・・外部リ
ード、　２０・・・タイバー、２２・・・レール、　　
２４・・・スリット、２６・・・透孔、　２８・・・半
導体素子、３０・・・回路パターン形成フィルム、　　
３２・・１８脂。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ヒートスプレッダーを延出形成したステージ部に半
    導体素子を固定するとともに、該半導体素子と内部リー
    ドとは回路パターン形成フィルムにより接続して樹脂封
    止することを特徴とする半導体装置。 ２、半導体素子を固定するステージ部と該ステージ部に
    対向する内部リードを有するリードフレームにおいて、
    該内部リードと前記ステージ部との間に該ステージ部か
    ら延出するヒートスプレッダーを設けることを特徴とす
    るリードフレーム。
JP61189262A 1986-08-12 1986-08-12 半導体装置及びこれに用いるリードフレーム Expired - Lifetime JPH0815193B2 (ja)

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