JP3322429B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ（テープ オートメイティド ボ
ンディング）テープのインナーリードに半導体素子を搭
載し、半導体素子を覆って液状樹脂をポッティングした
簡易な半導体装置がある。しかしこの場合にはＴＡＢテ
ープ自体が強度のないものであるので、全体に撓みが生
じ、アウターリードが浮いて高さが揃わず、基板への実
装等に不都合が生じる。このため昨今では、半導体素子
をトランスファーモールドして樹脂封止した半導体装置
が開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このトランスファーモ
ールドした半導体装置によればモールド部により外形が
保持されるから構造的にポッティングによるものよりも
強度が大きく、アウターリードの浮きも少なくなる。し
かしながら、ＴＡＢテープのリードは銅箔をエッチング
加工して形成された薄いものであるため、半導体素子を
搭載したＴＡＢテープを金型内に配置すると半導体素子
の重み等によりインナーリードが撓み、さらにはキャビ
ティ内に樹脂を流入した際樹脂圧により半導体素子がキ
ャビティ内で動いてしまい、図４に示すように半導体素
子が封止樹脂内で傾き、このために半導体装置の反りが
生じ、依然としてアウターリードの高さが不揃いとなる
などの問題点を有する。
【０００４】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、封止樹
脂内での半導体素子の傾き等を防止でき、装置全体の反
り、アウターリードの曲がり等を防止できる半導体装置
を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、ＴＡＢテープの
インナーリードに半導体素子を搭載し、該半導体素子を
封止樹脂にて封止した半導体装置において、前記半導体
素子を挟んで一方の側に放熱体が封止樹脂にて固着さ
れ、該放熱体が、半導体素子面に対応する部位に半導体
素子面に直接または絶縁物を介して当接して支持する素
子支持部と、半 導体素子より外側のＴＡＢテープ部分に
直接または絶縁物を介して当接して支持するＴＡＢテー
プ支持部を有することを特徴とする。
【０００６】前記素子支持部を、前記放熱体から切り起
した突片で構成すると好適である。 また、前記ＴＡＢテ
ープ支持部を、前記放熱体から切り起した支持片で構成
すると好適である。 前記支持片から突出する突起を形成
し、該突起を、前記ＴＡＢテープに設けた透孔に挿通し
て、ＴＡＢテープの位置決めをすると好適である。 前記
放熱体から、前記突片とは反対方向に切り起され、製造
金型のキャビティ面に当接して放熱体を支持する支持突
起を設けると好適である。 また、前記半導体素子を挟ん
で他方の側となる、前記インナーリード上に絶縁物を介
して枠状をなす放熱体を固着すると好適である。
【０００７】
【作用】本発明に係る半導体装置によれば、放熱体に設
けた素子支持部により半導体素子を、またＴＡＢテープ
支持部によりＴＡＢテープを支持することにより、ＴＡ
Ｂテープを金型内に容易に組み込むことができ、またＴ
ＡＢテープの変形も防止できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。 実施例１ 図１において全体符合２は半導体装置を示す。１０はＴ
ＡＢテープであり、ポリイミド等からなる枠状の支持テ
ープ１１上に銅箔により形成された回路パターンが支持
され、該回路パターンのインナーリード１２が支持テー
プ１１内方に突出し、アウターリード１３が外方に突出
して形成されている。１４は半導体素子であり、インナ
ーリード１２上にバンプ１５を介して一括ボンディング
されて搭載されている。ＴＡＢテープ１０の支持テープ
１１、インナーリード１２、半導体素子１４は図示のご
とくトランスファーモールドされて封止樹脂４中に封止
され、アウターリード１３は封止樹脂４の外方に突出し
ている。１８は放熱体であり、金属等の熱放散性に優れ
る材料にて形成されている。
【０００９】本実施例ではＴＡＢテープ１０を下方の放
熱体１８にて支持して金型内に組み込めるようにしてい
る。 そのために放熱体１８の中央部分を切り起こして、
半導体素子１４の素子面に直接または絶縁材を介して当
接して半導体素子１４を支持する素子支持部（突片）２
７を形成し、また放熱体１８の周縁の４個所を切り起こ
して突起２８を有する支持片（ＴＡＢテープ支持部）２
９を形成している。突起２８はＴＡＢテープに設けた透
孔を挿通するようにしてＴＡＢテープ１０を位置決め
し、かつ支持片２９にてＴＡＢテープ１０を下方から支
持するようにしている。また放熱体１８の下方側には金
型のキャビティ面に当接する支持突起３０を切り起こし
ている。
【００１０】したがって本実施例によれば、支持突起３
０にてキャビティ内面に当接するようにして放熱体１８
をキャビティ内に配置し、素子支持部２７上に半導体素
子１４が、支持片２９によりＴＡＢテープ１０部分が支
持されるように、半導体素子を搭載したＴＡＢテープ１
０を配置すれば、各部を容易に金型内に配置できる。 突
起２８は必ずしも必要ではなく、支持片２９上面等にて
ＴＡＢテープ１０を支持するようにしてもよい。
【００１１】また図示のように、支持テープ１１とソル
ダーレジスト３１の周縁をモールド部の外面より外方に
突出させて、当該部位を金型にて挾持し、これによりダ
ム作用をなさしめるようにすると好適である。 図２は放
熱体１８の平面図であるが、図示のように放熱体１８に
は樹脂ブリッジ用の透孔３２を設けてある。 本実施例で
は下方の放熱体１８により半導体素子１４、ＴＡＢテー
プ１０を支持するので、上方の放熱体は必ずしも設けな
くともよい。
【００１２】また、図３は上方の放熱体１７も配置した
実施例を示す。 この実施例では、放熱体１７をあらかじ
め接着材２４にてＴＡＢテープ１０のインナーリード側
に固着しておき、この状態のまま半導体素子１４を搭載
したＴＡＢテープを金型内に組み込み、モールドするよ
うにしている。 その際、支持テープ１１の周縁、放熱体
１７の周縁が封止樹脂４の外面より外方に突出するよう
になされ、上下金型面にてこの延出部を挟み込むように
し、そして接着材２４がアウターリード１３の間隙を埋
め、これにより樹脂が外方に漏出するのを防止するダム
作用をなさしめるようにすると好適である。
【００１３】この実施例では、放熱体１７をあらかじめ
ＴＡＢテープ１０に接着しておくから、該放熱体１７に
支持されてＴＡＢテープ１０の変形が防止される。 そし
て、下方の放熱体１８は金型内のキャビティに容易に組
み込むことができるし、さらに上方の放熱体１７もＴＡ
Ｂテープ１０にあらかじめ固着されているから、ＴＡＢ
テープ１０を金型内に位置決めして組み込むときに同時
に組み込める利点がある。
【００１４】また上記のように、支持テープ１１、放熱
体１７の周縁を金型面によって挟み込んでダム作用をさ
せるようにすれば、別途ダム部を設ける必要がないし、
ＴＡＢテープが当該部分で金型に押さえ込まれることに
なって、樹脂が注入された際の樹脂圧によってＴＡＢテ
ープ１０が動いてしまうのも防止できる。
【００１５】なお、放熱体１７を図示のような枠体状の
ものにすることで、半導体素子１４のインナーリード上
への搭載は放熱体１７をあらかじめＴＡＢテープ１０上
に接着した後でも行えるから、ＴＡＢテープ１０に放熱
体１７を接着した、放熱体付きのＴＡＢテープとしても
流通させることができる。
【００１６】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置によれば、放熱
体に設けた素子支持部により半導体素子を、またＴＡＢ
テープ支持部によりＴＡＢテープを支持することによ
り、ＴＡＢテープを金型内に容易に組み込むことがで
き、またＴＡＢテープの変形も防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１を示した断面図である。
【図２】実施例１における放熱体の平面図である。
【図３】放熱体を上下に配置した実施例を示す説明図で
ある。
【図４】封止樹脂中での半導体素子の傾きを示す説明図
である。
【符号の説明】
２ 半導体装置 ４ 封止樹脂 １０ ＴＡＢテープ １１ 支持テープ １２ インナーリード １３ アウターリード １４ 半導体素子 １７、１８ 放熱体２７ 素子支持部（突片） ２８ 突起 ２９ 支持片 ３０ 支持突起
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−129253（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−278752（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−225328（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−129252（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−72748（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−34958（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−120746（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−236434（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−171651（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−282845（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−244652（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−335444（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−27145（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63113（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28 H01L 21/56 H01L 23/29

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＴＡＢテープのインナーリードに半導体
    素子を搭載し、該半導体素子を封止樹脂にて封止した半
    導体装置において、 前記半導体素子を挟んで一方の側に放熱体が封止樹脂に
    て固着され、該放熱体が、半導体素子面に対応する部位
    に半導体素子面に直接または絶縁物を介して当接して支
    持する素子支持部と、半導体素子より外側のＴＡＢテー
    プ部分に直接または絶縁物を介して当接して支持するＴ
    ＡＢテープ支持部を有することを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項２】 前記素子支持部が、前記放熱体から切り
    起された突片であることを特徴とする請求項１記載の半
    導体装置。
  3. 【請求項３】 前記ＴＡＢテープ支持部が、前記放熱体
    から切り起された支持片であることを特徴とする請求項
    １または２記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記支持片から突出する突起が形成さ
    れ、該突起が、前記ＴＡＢテープに設けた透孔を挿通し
    て、ＴＡＢテープの位置決めがなされていることを特徴
    とする請求項３記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記放熱体から、前記突片とは反対方向
    に切り起され、製造金型のキャビティ面に当接して放熱
    体を支持する支持突起を有することを特徴とする請求項
    ２、３または４記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記半導体素子を挟んで他方の側とな
    る、前記インナーリード上に絶縁物を介して枠状をなす
    放熱体が固着されていることを特徴とする請求項１〜５
    いずれか１項記載の半導体装置。
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