JPH0263143A - 半導体素子パッケージ - Google Patents
半導体素子パッケージInfo
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- JPH0263143A JPH0263143A JP21430888A JP21430888A JPH0263143A JP H0263143 A JPH0263143 A JP H0263143A JP 21430888 A JP21430888 A JP 21430888A JP 21430888 A JP21430888 A JP 21430888A JP H0263143 A JPH0263143 A JP H0263143A
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- Japan
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- semiconductor element
- metal cap
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- radiating fin
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- Pending
Links
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＴＡＢ方式を用いた半導体素子パッケージ
の構造に関するものである。
の構造に関するものである。
第４図（ａ） （ｂ）は従来の半導体素子をキャリアテ
ープに接続する状況を示す斜視図で、（ａ）は接続前、
（ｂ）は接続後を示す。第５図は従来のＴＡＢ方式を用
いた半導体素子パッケージの構造を示す断面図である。
ープに接続する状況を示す斜視図で、（ａ）は接続前、
（ｂ）は接続後を示す。第５図は従来のＴＡＢ方式を用
いた半導体素子パッケージの構造を示す断面図である。
図において（１）は半導体素子、（２）は半導体素子（
１）のポンディングパッド上に形成された突起電極、（
３）はキャリアテープ、（４）はキャリアテープ（３）
上に形成された配線パターン、（４ａ）は突起電極（２
）と接着される配線パターン（４）の一部であるインナ
ーリード、（４ｂ）は配線パターン（４）の一部で基板
・フレーム等に接着されるアウターリード、（５）は例
えば４２７０イ合金でできた裏面電位接続用の金属キャ
ップ、（６）は半導体素子（１）の裏面と金属キャップ
（５）とを接着するためのはんだ又は導電性樹脂などの
グイボンド材、（７）は半導体素子（１）を保護するた
めの封止樹脂である。
１）のポンディングパッド上に形成された突起電極、（
３）はキャリアテープ、（４）はキャリアテープ（３）
上に形成された配線パターン、（４ａ）は突起電極（２
）と接着される配線パターン（４）の一部であるインナ
ーリード、（４ｂ）は配線パターン（４）の一部で基板
・フレーム等に接着されるアウターリード、（５）は例
えば４２７０イ合金でできた裏面電位接続用の金属キャ
ップ、（６）は半導体素子（１）の裏面と金属キャップ
（５）とを接着するためのはんだ又は導電性樹脂などの
グイボンド材、（７）は半導体素子（１）を保護するた
めの封止樹脂である。
次に動作について説明する。半導体素子（１）のポンデ
ィングパッド上に形成された突起電極（２）とキャリア
テープ（３）上に写真製版によって形成されたインナー
リード（４ａ）とを位置合わせする。このとき突起電極
（２）とインナーリード（４ａ）とは常に１対１の対応
がとられる。次に突起電極（２）の外周寸法に合わせて
作られたボンディングツールが加熱されており、ボンデ
ィングツールを突起電極（２）の位置に合わせ下降させ
ることによって、突起電極（２）とインナーリード（４
ａ）とが加熱・圧着される。次に金属キャップ（５）を
はんだなどのろ−材又は導電性樹脂などのダイボンド材
（６）を用いて、半導体素子（１）の裏面に接着する。
ィングパッド上に形成された突起電極（２）とキャリア
テープ（３）上に写真製版によって形成されたインナー
リード（４ａ）とを位置合わせする。このとき突起電極
（２）とインナーリード（４ａ）とは常に１対１の対応
がとられる。次に突起電極（２）の外周寸法に合わせて
作られたボンディングツールが加熱されており、ボンデ
ィングツールを突起電極（２）の位置に合わせ下降させ
ることによって、突起電極（２）とインナーリード（４
ａ）とが加熱・圧着される。次に金属キャップ（５）を
はんだなどのろ−材又は導電性樹脂などのダイボンド材
（６）を用いて、半導体素子（１）の裏面に接着する。
このとき、半導体素子（１）の裏面と表面電極とを同電
位にする必要がある場合には、必要なリードを金属キャ
ップ（５）のフランジ部に接着する。次に金属キャップ
（５）を接着した状態のキャリアテープ（３）を例えば
トランスファーモールド法で樹脂封止する場合、封止金
型内に装着し封止が行われる。これによって、半導体素
子（１）全体及びインナーリード（４ａ）、キャリアテ
ープ（３）の一部が封止樹脂（７）によって保護される
。次に、アウターリード（４ｂ）の部分でキャリアテー
プ（３）より切断され、ガラスエポキシ基板など又はフ
レームにアウターリード（４ｂ）が接着される。
位にする必要がある場合には、必要なリードを金属キャ
ップ（５）のフランジ部に接着する。次に金属キャップ
（５）を接着した状態のキャリアテープ（３）を例えば
トランスファーモールド法で樹脂封止する場合、封止金
型内に装着し封止が行われる。これによって、半導体素
子（１）全体及びインナーリード（４ａ）、キャリアテ
ープ（３）の一部が封止樹脂（７）によって保護される
。次に、アウターリード（４ｂ）の部分でキャリアテー
プ（３）より切断され、ガラスエポキシ基板など又はフ
レームにアウターリード（４ｂ）が接着される。
従来の’Ｉ’ Ａ Ｂ方式を用いた半導体素子パッケー
ジは以上のように構成されているので、半導体素子が動
作して発生する熱を外界へ放熱する経路として、半導体
素子及び金属キャップ全体が封止樹脂でおおわれている
ために、配線パターン（インナーリード−アウターリー
ド）及び封止樹脂しかなく、効率よく放熱できないとい
う問題点がちった。
ジは以上のように構成されているので、半導体素子が動
作して発生する熱を外界へ放熱する経路として、半導体
素子及び金属キャップ全体が封止樹脂でおおわれている
ために、配線パターン（インナーリード−アウターリー
ド）及び封止樹脂しかなく、効率よく放熱できないとい
う問題点がちった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体素子が発生する熱を効率よく放熱する
ことができるとともに、半導体素子パッケージの反りを
小さくできる半導体素子パッケージを得ることを目的と
する。
たもので、半導体素子が発生する熱を効率よく放熱する
ことができるとともに、半導体素子パッケージの反りを
小さくできる半導体素子パッケージを得ることを目的と
する。
この発明に係る半導体素子パッケージは、金属キャップ
にフィン状の金属又はセラミックなどの熱伝導体を設け
、封止樹脂表面に熱伝導体を突出させたものである。
にフィン状の金属又はセラミックなどの熱伝導体を設け
、封止樹脂表面に熱伝導体を突出させたものである。
１作用〕
この発明における半導体素子パンケージは、封止樹脂面
より突出した熱伝導体により半導体素子が動作すること
によって発生した熱を効率よく放熱する。
より突出した熱伝導体により半導体素子が動作すること
によって発生した熱を効率よく放熱する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は半導体素子パッケージの下面図、第２図は第１図の
Ｘ−Ｘにおける断面図である。なお、第３図はこの発明
の他の実施例による半導体素子パッケージの断面図であ
る。図において（１）〜（４）、（４ａ） 、 （４ｂ
） 、 （５）〜（７）は第４図及び第５図の従来例に
示したものと同等であるので説明を省略する。
図は半導体素子パッケージの下面図、第２図は第１図の
Ｘ−Ｘにおける断面図である。なお、第３図はこの発明
の他の実施例による半導体素子パッケージの断面図であ
る。図において（１）〜（４）、（４ａ） 、 （４ｂ
） 、 （５）〜（７）は第４図及び第５図の従来例に
示したものと同等であるので説明を省略する。
（５ａ）は金属キャップ（５）の裏面に溶接又は接着材
又は一体成形によって取り付けられた放熱フィンである
。
又は一体成形によって取り付けられた放熱フィンである
。
次に動作について説明する。なお、突起電極（２）とイ
ンナーリード（４ａ）を接着するインナーリードボンデ
ィング（Ｉ ＬＢ ）工程までは従来技術と同様である
ので省略する。次いで、あらかじめ放熱フィン（５ａ）
が溶接、接着材、又は一体成形によって金属キャップ（
５）の裏面に取り付けられた金属キャップ（５）を半導
体素子（１）の裏面にダイボンド材（６）を用いて接着
する。次いでトランスファーモールド法又はボッティン
グ法によって樹脂封止される。
ンナーリード（４ａ）を接着するインナーリードボンデ
ィング（Ｉ ＬＢ ）工程までは従来技術と同様である
ので省略する。次いで、あらかじめ放熱フィン（５ａ）
が溶接、接着材、又は一体成形によって金属キャップ（
５）の裏面に取り付けられた金属キャップ（５）を半導
体素子（１）の裏面にダイボンド材（６）を用いて接着
する。次いでトランスファーモールド法又はボッティン
グ法によって樹脂封止される。
このとき、放熱フィン（５ａ）は封止樹脂（７）の表面
より突出しており、放熱効果を上げている。また、放熱
フィン（５ａ）はダイボンド工程及びモールド工程にお
いては、放熱フィン（５ａ）の形状に合わせてダイボン
ド治具及びモールド金型が製作されているため、キャリ
アテープ（３）と金属キャップ（５）の位置合わせ及び
モールド金型へのセットにも利用される。以上のような
構造にしたことによって半導体素子（１）が動作すると
きに発生する熱が、半導体素子（１）、金属キャップ（
５）、放熱フィン（５ａ）を通って放熱するため、熱抵
抗値Ｏｊａが放熱フィン（５ａ）のついていない場合に
比べい一１’３に減少する。
より突出しており、放熱効果を上げている。また、放熱
フィン（５ａ）はダイボンド工程及びモールド工程にお
いては、放熱フィン（５ａ）の形状に合わせてダイボン
ド治具及びモールド金型が製作されているため、キャリ
アテープ（３）と金属キャップ（５）の位置合わせ及び
モールド金型へのセットにも利用される。以上のような
構造にしたことによって半導体素子（１）が動作すると
きに発生する熱が、半導体素子（１）、金属キャップ（
５）、放熱フィン（５ａ）を通って放熱するため、熱抵
抗値Ｏｊａが放熱フィン（５ａ）のついていない場合に
比べい一１’３に減少する。
また、ダイボンド工程及びモールド工程においてもキャ
リアテープ（３）と金属キャップ（５）及びキャリアテ
ープ（３）と封止樹脂（７）の位置合わせ精度を±０．
０５ｎ以内に入れることができる。
リアテープ（３）と金属キャップ（５）及びキャリアテ
ープ（３）と封止樹脂（７）の位置合わせ精度を±０．
０５ｎ以内に入れることができる。
なお、上記実施例では金属キャップ（５）に平板の放熱
フィン（５ａ）を取付けた例を示したが、放熱フィン（
５ａ）の形状は第３図に示すようにプレス加工によって
、金型キャップ（５）を変形させても良く、熱的効果は
同様な結果を得る。
フィン（５ａ）を取付けた例を示したが、放熱フィン（
５ａ）の形状は第３図に示すようにプレス加工によって
、金型キャップ（５）を変形させても良く、熱的効果は
同様な結果を得る。
以上のようにこの発明によれば、金属キャップに放熱フ
ィンを取り付け、封止樹脂の表面より突出させたことに
より半導体素子の発生する熱を金属キャップ、放熱フィ
ンを通して外界へ効率よく放熱することができるので、
半導体素子に掛かる負担を軽減でき信頼性面においても
効果が得られ、コンピューターなどに用いた場合でもシ
ステムに対する負担が少ないという効果がある。
ィンを取り付け、封止樹脂の表面より突出させたことに
より半導体素子の発生する熱を金属キャップ、放熱フィ
ンを通して外界へ効率よく放熱することができるので、
半導体素子に掛かる負担を軽減でき信頼性面においても
効果が得られ、コンピューターなどに用いた場合でもシ
ステムに対する負担が少ないという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体素子パッケー
ジの下面図、第２図は第１図のＸ−ｘにおける断面図、
第３図はこの発明の他の実施例による半導体素子パッケ
ージの断面図、第４図（ａ） （ｂ）は従来の半導体素
子をキャリアテープに接続する状況を示す図で、（ａ）
は接続前、（ｂ）は接続後を示す。 第５図は従来のＴＡＢ方式を用いた半導体素子パッケー
ジの断面図である。図１こおいて（１）は半導体素子、
（２）は突起電極、（３）はキャリアテープ、（４）は
配線パターン、（４ａ）はインナーリード、（４ｂ）は
アウターリード、（５）は金、寓キャップ、（５ａ）は
放熱フィン、（６）はダイボンド材、（７）は封止樹脂
である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
ジの下面図、第２図は第１図のＸ−ｘにおける断面図、
第３図はこの発明の他の実施例による半導体素子パッケ
ージの断面図、第４図（ａ） （ｂ）は従来の半導体素
子をキャリアテープに接続する状況を示す図で、（ａ）
は接続前、（ｂ）は接続後を示す。 第５図は従来のＴＡＢ方式を用いた半導体素子パッケー
ジの断面図である。図１こおいて（１）は半導体素子、
（２）は突起電極、（３）はキャリアテープ、（４）は
配線パターン、（４ａ）はインナーリード、（４ｂ）は
アウターリード、（５）は金、寓キャップ、（５ａ）は
放熱フィン、（６）はダイボンド材、（７）は封止樹脂
である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- テープオートメーテッドボンディング（ＴａｐｅＡｕｔ
ｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ：ＴＡＢ）方式を用いた半
導体素子の樹脂封止型パッケージにおいて、半導体素子
の裏面に接着された金属又はセラミックを封止面より突
出させたことを特徴とする半導体素子パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21430888A JPH0263143A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体素子パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21430888A JPH0263143A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体素子パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263143A true JPH0263143A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16653592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21430888A Pending JPH0263143A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体素子パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0263143A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5299091A (en) * | 1991-03-20 | 1994-03-29 | Hitachi, Ltd. | Packaged semiconductor device having heat dissipation/electrical connection bumps and method of manufacturing same |
| US5365107A (en) * | 1992-06-04 | 1994-11-15 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Semiconductor device having tab tape |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP21430888A patent/JPH0263143A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5299091A (en) * | 1991-03-20 | 1994-03-29 | Hitachi, Ltd. | Packaged semiconductor device having heat dissipation/electrical connection bumps and method of manufacturing same |
| US5365107A (en) * | 1992-06-04 | 1994-11-15 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Semiconductor device having tab tape |
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