JPH0758160A - フィルムキャリヤ及びこのフィルムキャリヤを用いた半導体装置 - Google Patents
フィルムキャリヤ及びこのフィルムキャリヤを用いた半導体装置Info
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- JPH0758160A JPH0758160A JP21805293A JP21805293A JPH0758160A JP H0758160 A JPH0758160 A JP H0758160A JP 21805293 A JP21805293 A JP 21805293A JP 21805293 A JP21805293 A JP 21805293A JP H0758160 A JPH0758160 A JP H0758160A
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】 極めて簡単な工程で、容易にヒートシンクを
構成し得るフィルムキャリヤ及びこのフィルムキャリヤ
を用いた半導体装置を提供する。 【構成】 フィルムキャリヤは、フィルム基材１とフィ
ルム基材１上にパターン形成されたリード２とから成
り、搭載すべき半導体素子３がリード２と接続されるよ
うになっている。半導体素子３の対応位置に貫通孔４を
形成し、貫通孔４にて金属層５を設けるようにしたもの
である。またこのフィルムキャリヤを用い、金属層５上
に半導体素子３が搭載され、金属層５の半導体素子３と
は反対側の面が露出するようにモールド樹脂２７にて封
止されることにより、半導体装置１０が構成される。予
めヒートシンクとしての金属層５が形成され、ヒートシ
ンクの取付工程が不必要となっている。
構成し得るフィルムキャリヤ及びこのフィルムキャリヤ
を用いた半導体装置を提供する。 【構成】 フィルムキャリヤは、フィルム基材１とフィ
ルム基材１上にパターン形成されたリード２とから成
り、搭載すべき半導体素子３がリード２と接続されるよ
うになっている。半導体素子３の対応位置に貫通孔４を
形成し、貫通孔４にて金属層５を設けるようにしたもの
である。またこのフィルムキャリヤを用い、金属層５上
に半導体素子３が搭載され、金属層５の半導体素子３と
は反対側の面が露出するようにモールド樹脂２７にて封
止されることにより、半導体装置１０が構成される。予
めヒートシンクとしての金属層５が形成され、ヒートシ
ンクの取付工程が不必要となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヒートシンクを有効に
実現し得るフィルムキャリヤと、このフィルムキャリヤ
を用いた半導体装置に関する。
実現し得るフィルムキャリヤと、このフィルムキャリヤ
を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の電子機器等において、フレキシブ
ルなフィルム基材上に半導体素子を搭載して成る、所謂
ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）パッケージが使用さ
れている。このＴＡＢパッケージはＴＡＢテープを用い
て製作される。
ルなフィルム基材上に半導体素子を搭載して成る、所謂
ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）パッケージが使用さ
れている。このＴＡＢパッケージはＴＡＢテープを用い
て製作される。
【０００３】従来、かかるＴＡＢテープを用いた半導体
装置において、ヒートシンクを設ける場合、図７に示し
たように、先ずフィルム基材３１上のリード（インナー
リード）３２の先端部分に、半導体素子３３の素子面３
３ａの電極がバンプ３６を介して接合される。半導体素
子３３はフィルム基材３１のデバイスホール３４に配置
されるが、このように接合された半導体素子３３の裏面
３３ｂに、適宜のペースト等によりヒートシンク３５が
取り付けられる（図７（ａ））。
装置において、ヒートシンクを設ける場合、図７に示し
たように、先ずフィルム基材３１上のリード（インナー
リード）３２の先端部分に、半導体素子３３の素子面３
３ａの電極がバンプ３６を介して接合される。半導体素
子３３はフィルム基材３１のデバイスホール３４に配置
されるが、このように接合された半導体素子３３の裏面
３３ｂに、適宜のペースト等によりヒートシンク３５が
取り付けられる（図７（ａ））。
【０００４】更に半導体素子３３は、図７（ｂ）に示さ
れるようにモールド樹脂３７によって封止され、これに
よりＴＡＢパッケージが得られる。このＴＡＢパッケー
ジにおいて、ヒートシンク３５は、図示のようにモール
ド樹脂３７の下面から露出するようになっており、ヒー
トシンク３５を介して半導体素子３３の発熱を放散させ
ることができる。
れるようにモールド樹脂３７によって封止され、これに
よりＴＡＢパッケージが得られる。このＴＡＢパッケー
ジにおいて、ヒートシンク３５は、図示のようにモール
ド樹脂３７の下面から露出するようになっており、ヒー
トシンク３５を介して半導体素子３３の発熱を放散させ
ることができる。
【０００５】一方また、図８に示したように、フィルム
基材４１上のリード４２の先端部分に、半導体素子４３
の素子面４３ａの電極をバンプ４６を介して接合し、デ
バイスホール４４に配置された半導体素子４３の裏面４
３ｂを露出させたまま、モールド樹脂４７によって該半
導体素子４３を封止し（図８（ａ））、その後ヒートシ
ンク４５が取り付けられる（図８（ｂ））ようにしたも
のも知られている。
基材４１上のリード４２の先端部分に、半導体素子４３
の素子面４３ａの電極をバンプ４６を介して接合し、デ
バイスホール４４に配置された半導体素子４３の裏面４
３ｂを露出させたまま、モールド樹脂４７によって該半
導体素子４３を封止し（図８（ａ））、その後ヒートシ
ンク４５が取り付けられる（図８（ｂ））ようにしたも
のも知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の半導体装置において、図７に示した例の場合、半
導体素子３３は、デバイスホール３４内で極細のリード
３２によってのみ支持されるようになっている。その半
導体素子３３に更にヒートシンク３５を取り付けるに
は、そのための支持剛性として不十分であり、このよう
な状態で別途独立して行われる取付作業は、極めて困難
にならざるを得なかった。なお、ヒートシンク３５は、
それ程高精度に成形されていないので、予めヒートシン
ク３５を半導体素子３３に取り付けておくと、リードボ
ンディングを高精度に行うのが困難になる。
従来の半導体装置において、図７に示した例の場合、半
導体素子３３は、デバイスホール３４内で極細のリード
３２によってのみ支持されるようになっている。その半
導体素子３３に更にヒートシンク３５を取り付けるに
は、そのための支持剛性として不十分であり、このよう
な状態で別途独立して行われる取付作業は、極めて困難
にならざるを得なかった。なお、ヒートシンク３５は、
それ程高精度に成形されていないので、予めヒートシン
ク３５を半導体素子３３に取り付けておくと、リードボ
ンディングを高精度に行うのが困難になる。
【０００７】また図８に示した例の場合においても、ヒ
ートシンク４５のための取付作業が必要となり、煩雑で
手間がかかる工程が増え、問題となっていた。しかもこ
の例では、半導体素子４３の裏面４３ｂがモールド樹脂
４７から露出しているので、耐湿性が必ずしも十分では
なかった。
ートシンク４５のための取付作業が必要となり、煩雑で
手間がかかる工程が増え、問題となっていた。しかもこ
の例では、半導体素子４３の裏面４３ｂがモールド樹脂
４７から露出しているので、耐湿性が必ずしも十分では
なかった。
【０００８】本発明はかかる実情に鑑み、極めて簡単な
工程で、容易にヒートシンクを構成し得るフィルムキャ
リヤ及びこのフィルムキャリヤを用いた半導体装置を提
供することを目的とする。
工程で、容易にヒートシンクを構成し得るフィルムキャ
リヤ及びこのフィルムキャリヤを用いた半導体装置を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
ヤは、フィルム基材と該フィルム基材上にパターン形成
されたリードとから成り、搭載すべき半導体素子が前記
リードと接続されるようになっているが、前記フィルム
基材における前記半導体素子の対応位置に貫通孔を形成
し、この貫通孔にて前記フィルム基材の両面に露出する
熱良導性の金属層を設けるようにしたものである。
ヤは、フィルム基材と該フィルム基材上にパターン形成
されたリードとから成り、搭載すべき半導体素子が前記
リードと接続されるようになっているが、前記フィルム
基材における前記半導体素子の対応位置に貫通孔を形成
し、この貫通孔にて前記フィルム基材の両面に露出する
熱良導性の金属層を設けるようにしたものである。
【００１０】また本発明のフィルムキャリヤは、特に前
記フィルム基材の一方の面で前記リードを形成するため
の金属素材層の一部と、前記フィルム基材の他方の面か
ら前記貫通孔内に施される金属メッキ層とによって、前
記金属層を構成したものである。
記フィルム基材の一方の面で前記リードを形成するため
の金属素材層の一部と、前記フィルム基材の他方の面か
ら前記貫通孔内に施される金属メッキ層とによって、前
記金属層を構成したものである。
【００１１】前記フィルムキャリヤにおいて、前記金属
層の少なくとも一方の面を、前記貫通孔よりも大きく形
成したものである。
層の少なくとも一方の面を、前記貫通孔よりも大きく形
成したものである。
【００１２】本発明の半導体装置は、前記フィルムキャ
リヤを用い、前記金属層上に前記半導体素子が搭載さ
れ、前記金属層の前記半導体素子とは反対側の面が露出
するように、前記フィルム基材の前記半導体素子を搭載
した側のみが樹脂封止されて成る。
リヤを用い、前記金属層上に前記半導体素子が搭載さ
れ、前記金属層の前記半導体素子とは反対側の面が露出
するように、前記フィルム基材の前記半導体素子を搭載
した側のみが樹脂封止されて成る。
【００１３】また本発明の半導体装置は、特に前記金属
層の露出された面に放熱用フィンを付設したものであ
る。
層の露出された面に放熱用フィンを付設したものであ
る。
【００１４】
【作用】本発明によれば、フィルムキャリヤは金属層を
有しているが、これを形成する場合、先ずこの金属層の
下穴としての貫通孔等が穿設されたフィルム基材の一方
の面に、リード形成用の金属素材層として銅箔等が貼着
される。次ぎにマスクを用いて、上記フィルム基材の他
方の面の所定位置、即ち上記貫通孔に対して銅メッキ等
を施すことにより上記金属層が形成される。また上記銅
箔等はエッチング等によりパターン形成され、これによ
り所定の配線パターンのリードが形成される。このよう
に本発明のフィルムキャリヤは、これを用いて半導体装
置を製造する際に、予めヒートシンクとしての金属層が
形成されている。
有しているが、これを形成する場合、先ずこの金属層の
下穴としての貫通孔等が穿設されたフィルム基材の一方
の面に、リード形成用の金属素材層として銅箔等が貼着
される。次ぎにマスクを用いて、上記フィルム基材の他
方の面の所定位置、即ち上記貫通孔に対して銅メッキ等
を施すことにより上記金属層が形成される。また上記銅
箔等はエッチング等によりパターン形成され、これによ
り所定の配線パターンのリードが形成される。このよう
に本発明のフィルムキャリヤは、これを用いて半導体装
置を製造する際に、予めヒートシンクとしての金属層が
形成されている。
【００１５】かかるフィルムキャリヤの金属層上に半導
体素子が搭載され、この半導体素子は上記リードと接続
されるが、該金属層における半導体素子とは反対側の面
が露出するように、樹脂封止される。製造された半導体
装置において、樹脂から露出した金属層は、ヒートシン
クとして作用し、この種の半導体装置のヒートシンクの
取付作業もしくは工程が不必要となっている。また上記
金属層に所望の放熱フィンを付設することにより、ヒー
トシンクの能率向上を図ることができる。
体素子が搭載され、この半導体素子は上記リードと接続
されるが、該金属層における半導体素子とは反対側の面
が露出するように、樹脂封止される。製造された半導体
装置において、樹脂から露出した金属層は、ヒートシン
クとして作用し、この種の半導体装置のヒートシンクの
取付作業もしくは工程が不必要となっている。また上記
金属層に所望の放熱フィンを付設することにより、ヒー
トシンクの能率向上を図ることができる。
【００１６】
【実施例】以下、図１乃至図４に基づき、本発明による
フィルムキャリヤ及び半導体装置の第一実施例を説明す
る。
フィルムキャリヤ及び半導体装置の第一実施例を説明す
る。
【００１７】図１は、本発明に係る半導体装置１０の全
体構成を示している。図において、１はフィルム基材、
２はフィルム基材１上にパターン形成されたリード、
２′はリード２と同時に形成される銅箔部であり、この
銅箔部２′は後述する金属層の一部を構成する。３は銅
箔部２′上に搭載された半導体素子、４は銅箔部２′に
ほぼ対応してフィルム基材１に形成された貫通孔、５は
貫通孔４にて形成された金属層、６は半導体素子３及び
リード２を接続するボンディングワイヤ、７は半導体素
子３を封止するモールド樹脂である。
体構成を示している。図において、１はフィルム基材、
２はフィルム基材１上にパターン形成されたリード、
２′はリード２と同時に形成される銅箔部であり、この
銅箔部２′は後述する金属層の一部を構成する。３は銅
箔部２′上に搭載された半導体素子、４は銅箔部２′に
ほぼ対応してフィルム基材１に形成された貫通孔、５は
貫通孔４にて形成された金属層、６は半導体素子３及び
リード２を接続するボンディングワイヤ、７は半導体素
子３を封止するモールド樹脂である。
【００１８】図２及び図３は、上記半導体装置１０の製
造に用いられる本発明のフィルムキャリヤの構成例を示
しており、このフィルムキャリヤは、ポリイミド等の絶
縁性のフィルム基材１ａ及びこの上にパターン形成され
たリード２をその基本構成とし、この点において実質的
にＴＡＢテープの場合とほぼ同様な構成となっている。
なお図１に示したフィルム基材１は、図２の点線に沿っ
てフィルム基材１ａを切断したものである。本実施例で
は特に金属層５（図３参照）を有しており、この金属層
５は、前述したように銅箔部２′と一体化するものとす
る。
造に用いられる本発明のフィルムキャリヤの構成例を示
しており、このフィルムキャリヤは、ポリイミド等の絶
縁性のフィルム基材１ａ及びこの上にパターン形成され
たリード２をその基本構成とし、この点において実質的
にＴＡＢテープの場合とほぼ同様な構成となっている。
なお図１に示したフィルム基材１は、図２の点線に沿っ
てフィルム基材１ａを切断したものである。本実施例で
は特に金属層５（図３参照）を有しており、この金属層
５は、前述したように銅箔部２′と一体化するものとす
る。
【００１９】上記フィルムキャリヤを形成する場合、先
ずフィルム基材１ａにおいて、金属層５の下穴としての
貫通孔４やスプロケットホール８及びアウターリードホ
ール９がパンチング等の方法により形成される。貫通孔
４等が穿設されたフィルム基材１ａの一方の面に、上記
リード２及び銅箔部２′を形成すべき銅箔が貼着され
る。
ずフィルム基材１ａにおいて、金属層５の下穴としての
貫通孔４やスプロケットホール８及びアウターリードホ
ール９がパンチング等の方法により形成される。貫通孔
４等が穿設されたフィルム基材１ａの一方の面に、上記
リード２及び銅箔部２′を形成すべき銅箔が貼着され
る。
【００２０】次ぎにマスクを用いて、上記フィルム基材
１ａの他方の面から貫通孔４に対して銅メッキが施さ
れ、これにより上記金属層５が形成される。また上記の
ようにフィルム基材１ａの一方の面に貼着・形成された
銅箔は、エッチング等によりパターン成形され、これに
より所定の配線パターンのリード２が形成される。この
ときに上記銅箔部２′が同時に形成される。このよう
に、リード２を形成する素材層の一部である銅箔部２′
とこの裏側に施された銅メッキとを用いることにより、
貫通孔４における金属層５を極めて容易に形成すること
ができる。
１ａの他方の面から貫通孔４に対して銅メッキが施さ
れ、これにより上記金属層５が形成される。また上記の
ようにフィルム基材１ａの一方の面に貼着・形成された
銅箔は、エッチング等によりパターン成形され、これに
より所定の配線パターンのリード２が形成される。この
ときに上記銅箔部２′が同時に形成される。このよう
に、リード２を形成する素材層の一部である銅箔部２′
とこの裏側に施された銅メッキとを用いることにより、
貫通孔４における金属層５を極めて容易に形成すること
ができる。
【００２１】かかるフィルムキャリヤを用いて半導体装
置１０を製造する場合、半導体素子３は、ダイボンディ
ング等の方法により、その裏面３ｂでフィルムキャリヤ
の銅箔部２′（金属層５の対応部分）上に搭載される。
また半導体素子３の素子面３ａ側で、電極がボンディン
グワイヤ６を介してリード２と接続される。フィルム基
材１ａのリード２側の面において、半導体素子３の周囲
（図２、一点鎖線参照）がモールド樹脂７によって樹脂
封止される。
置１０を製造する場合、半導体素子３は、ダイボンディ
ング等の方法により、その裏面３ｂでフィルムキャリヤ
の銅箔部２′（金属層５の対応部分）上に搭載される。
また半導体素子３の素子面３ａ側で、電極がボンディン
グワイヤ６を介してリード２と接続される。フィルム基
材１ａのリード２側の面において、半導体素子３の周囲
（図２、一点鎖線参照）がモールド樹脂７によって樹脂
封止される。
【００２２】かくして半導体装置１０において、図１か
らも明らかなように金属層５は、この上に設けられた半
導体素子３とは反対側の面が露出しており、このように
露出した金属層５は、それ自体ヒートシンクとして作用
する。本発明のフィルムキャリヤによれば、予めヒート
シンクとしての金属層５を形成しておくことにより、従
来の半導体装置の場合のようなヒートシンク取付作業も
しくは工程を不必要にする。そして半導体素子３をフィ
ルムキャリヤ上に搭載する場合、金属層５の対応部分に
おいて該半導体素子３に対する高い支持剛性が確保され
る。またフィルム基材１の貫通孔４にて金属層５が形成
され、言わばヒートシンク内蔵型として構成することに
より、半導体装置１０の小型化及び薄型化を有効に実現
することができる。更に半導体装置１０の下面側は、全
体的にフィルム基材１となっているので、耐湿性も優れ
たものとなる。
らも明らかなように金属層５は、この上に設けられた半
導体素子３とは反対側の面が露出しており、このように
露出した金属層５は、それ自体ヒートシンクとして作用
する。本発明のフィルムキャリヤによれば、予めヒート
シンクとしての金属層５を形成しておくことにより、従
来の半導体装置の場合のようなヒートシンク取付作業も
しくは工程を不必要にする。そして半導体素子３をフィ
ルムキャリヤ上に搭載する場合、金属層５の対応部分に
おいて該半導体素子３に対する高い支持剛性が確保され
る。またフィルム基材１の貫通孔４にて金属層５が形成
され、言わばヒートシンク内蔵型として構成することに
より、半導体装置１０の小型化及び薄型化を有効に実現
することができる。更に半導体装置１０の下面側は、全
体的にフィルム基材１となっているので、耐湿性も優れ
たものとなる。
【００２３】ここで図４は、本発明のフィルムキャリヤ
の変形例を示しており、銅箔部２′及び金属層５（露出
側）は、それぞれ上記貫通孔４よりも幾分大きく形成さ
れている。貫通孔４の周縁部は、銅箔部２′及び金属層
５によって両側から挟まれようになっており、これによ
りフィルム基材１と金属層５等との結合強度を高めるこ
とができる。また特に金属層５の露出面を大きく形成す
ると、放熱効果をより一層向上させることができる。
の変形例を示しており、銅箔部２′及び金属層５（露出
側）は、それぞれ上記貫通孔４よりも幾分大きく形成さ
れている。貫通孔４の周縁部は、銅箔部２′及び金属層
５によって両側から挟まれようになっており、これによ
りフィルム基材１と金属層５等との結合強度を高めるこ
とができる。また特に金属層５の露出面を大きく形成す
ると、放熱効果をより一層向上させることができる。
【００２４】図５は、本発明によるフィルムキャリヤ及
び半導体装置の第二実施例を示している。この第二実施
例では、半導体装置１０自体は、前記第一実施例のもの
と基本的に同様に構成されるが、特に金属層５の露出さ
れた面に放熱用フィン１１が付設されている。金属層５
は、前述した通りそれ自体ヒートシンクとして作用する
が、放熱用フィン１１を設けることにより、該放熱用フ
ィン１１を介して半導体素子３の発熱を効率良く放散さ
せ、ヒートシンクとしての能率向上を図ることができ
る。
び半導体装置の第二実施例を示している。この第二実施
例では、半導体装置１０自体は、前記第一実施例のもの
と基本的に同様に構成されるが、特に金属層５の露出さ
れた面に放熱用フィン１１が付設されている。金属層５
は、前述した通りそれ自体ヒートシンクとして作用する
が、放熱用フィン１１を設けることにより、該放熱用フ
ィン１１を介して半導体素子３の発熱を効率良く放散さ
せ、ヒートシンクとしての能率向上を図ることができ
る。
【００２５】ところで本発明のフィルムキャリヤによれ
ば、図６に示したように、前記ボンディングワイヤ６を
用いないで、つまりＴＡＢ方式を利用して半導体装置２
０を構成することも可能である。即ち、フィルム基材２
１の一方の面に、所定の配線パターンのリード２２と銅
箔部２２′が形成されると共に、貫通孔２４にて金属層
２５が形成されるが、特に半導体素子２３は、その素子
面２３ａ側で上記銅箔部２２′に搭載される。そして半
導体素子２３の電極がバンプ２６を介してリード２２と
ボンディング接続されるようになっている。
ば、図６に示したように、前記ボンディングワイヤ６を
用いないで、つまりＴＡＢ方式を利用して半導体装置２
０を構成することも可能である。即ち、フィルム基材２
１の一方の面に、所定の配線パターンのリード２２と銅
箔部２２′が形成されると共に、貫通孔２４にて金属層
２５が形成されるが、特に半導体素子２３は、その素子
面２３ａ側で上記銅箔部２２′に搭載される。そして半
導体素子２３の電極がバンプ２６を介してリード２２と
ボンディング接続されるようになっている。
【００２６】この場合においては、半導体素子２３の素
子面２３ａに適当な保護処理を施す必要があるが、フィ
ルム基材２１側で露出している金属層２５がヒートシン
クとして作用するので、フィルムキャリヤにおいて、予
めヒートシンクとしての金属層２５を形成しておくこと
により、ヒートシンク取付作業等を不必要にすることが
できる。またこの例の場合、半導体素子２３の裏面２３
ｂ側のモールド樹脂２７を薄くすることができるため、
半導体装置２０を更に小型化及び薄型化することができ
る。なお、この例においても、金属層２５の露出した面
に前述の放熱用フィン１１を付設するようにしてもよい
のは勿論である。
子面２３ａに適当な保護処理を施す必要があるが、フィ
ルム基材２１側で露出している金属層２５がヒートシン
クとして作用するので、フィルムキャリヤにおいて、予
めヒートシンクとしての金属層２５を形成しておくこと
により、ヒートシンク取付作業等を不必要にすることが
できる。またこの例の場合、半導体素子２３の裏面２３
ｂ側のモールド樹脂２７を薄くすることができるため、
半導体装置２０を更に小型化及び薄型化することができ
る。なお、この例においても、金属層２５の露出した面
に前述の放熱用フィン１１を付設するようにしてもよい
のは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、こ
の種のフィルムキャリヤにおいて、従来設けていたデバ
イスホールをなくして、その基材フィルムに穿設された
貫通孔にて金属層を設けたことにより、該フィルムキャ
リヤを用いて内蔵型ヒートシンクを有する半導体装置を
簡単に製造することができる。しかもそのヒートシンク
はフィルムキャリヤに予め形成されるため、製造工程を
簡素化し、更にコンパクトな半導体装置を実現すること
ができる等の利点を有している。
の種のフィルムキャリヤにおいて、従来設けていたデバ
イスホールをなくして、その基材フィルムに穿設された
貫通孔にて金属層を設けたことにより、該フィルムキャ
リヤを用いて内蔵型ヒートシンクを有する半導体装置を
簡単に製造することができる。しかもそのヒートシンク
はフィルムキャリヤに予め形成されるため、製造工程を
簡素化し、更にコンパクトな半導体装置を実現すること
ができる等の利点を有している。
【図１】本発明に係る半導体装置の第一実施例における
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】本発明に係るフィルムキャリヤの平面図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る上記フィルムキャリヤの底面図で
ある。
ある。
【図４】本発明に係る上記半導体装置の変形例における
縦断面図である。
縦断面図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の第二実施例における
縦断面図である。
縦断面図である。
【図６】本発明に係る半導体装置の別の変形例における
縦断面図である。
縦断面図である。
【図７】従来の半導体装置の構成例を示す縦断面図であ
る。
る。
【図８】従来の半導体装置の他の構成例を示す縦断面図
である。
である。
１ フィルム基材 ２ リード ２′ 銅箔部 ３ 半導体素子 ４ 貫通孔 ５ 金属層 ６ ボンディングワイヤ ７ モールド樹脂 ８ スプロケットホール ９ アウターリードホール １０ 半導体装置 １１ 放熱用フィン ２０ 半導体装置 ２１ フィルム基材 ２２ リード ２２′ 銅箔部 ２３ 半導体素子 ２４ 貫通孔 ２５ 金属層 ２６ バンプ ２７ モールド樹脂
Claims (5)
- 【請求項１】 フィルム基材と該フィルム基材上にパタ
ーン形成されたリードとから成り、搭載すべき半導体素
子が前記リードと接続されるようにしたフィルムキャリ
ヤにおいて、前記フィルム基材における前記半導体素子
の対応位置に貫通孔を形成し、この貫通孔にて前記フィ
ルム基材の両面に露出する熱良導性の金属層を設けるよ
うにしたことを特徴とするフィルムキャリヤ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のフィルムキャリヤにお
いて、前記フィルム基材の一方の面で前記リードを形成
するための金属素材層の一部と、前記フィルム基材の他
方の面から前記貫通孔内に施される金属メッキ層とによ
って、前記金属層を構成したことを特徴とするフィルム
キャリヤ。 - 【請求項３】 請求項１に記載のフィルムキャリヤにお
いて、前記金属層の少なくとも一方の面を、前記貫通孔
よりも大きく形成したことを特徴とするフィルムキャリ
ヤ。 - 【請求項４】 請求項１に記載のフィルムキャリヤの前
記金属層上に、前記半導体素子が搭載され、前記金属層
の前記半導体素子とは反対側の面が露出するように、前
記フィルム基材の前記半導体素子を搭載した側のみが樹
脂封止されて成ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体装置において、
前記金属層の露出された面に放熱用フィンを付設したこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21805293A JPH0758160A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | フィルムキャリヤ及びこのフィルムキャリヤを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21805293A JPH0758160A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | フィルムキャリヤ及びこのフィルムキャリヤを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758160A true JPH0758160A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16713903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21805293A Withdrawn JPH0758160A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | フィルムキャリヤ及びこのフィルムキャリヤを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758160A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0974149A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 小型パッケージ及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-08-10 JP JP21805293A patent/JPH0758160A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0974149A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 小型パッケージ及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |