KR0155843B1 - 반도체장치 - Google Patents

반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR0155843B1
KR0155843B1 KR1019950019924A KR19950019924A KR0155843B1 KR 0155843 B1 KR0155843 B1 KR 0155843B1 KR 1019950019924 A KR1019950019924 A KR 1019950019924A KR 19950019924 A KR19950019924 A KR 19950019924A KR 0155843 B1 KR0155843 B1 KR 0155843B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat dissipation
semiconductor device
lead
package
heat
Prior art date
Application number
KR1019950019924A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970008435A (ko
Inventor
노형호
Original Assignee
이대원
삼성항공산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이대원, 삼성항공산업주식회사 filed Critical 이대원
Priority to KR1019950019924A priority Critical patent/KR0155843B1/ko
Priority to MYPI96001374A priority patent/MY113240A/en
Priority to JP8101515A priority patent/JPH0927575A/ja
Priority to FR9605700A priority patent/FR2736467A1/fr
Priority to US08/648,832 priority patent/US5644164A/en
Priority to GB9610349A priority patent/GB2303248A/en
Priority to CN96100275A priority patent/CN1125489C/zh
Priority to DE19620202A priority patent/DE19620202A1/de
Publication of KR970008435A publication Critical patent/KR970008435A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0155843B1 publication Critical patent/KR0155843B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체장치는, 접속리드를 반도체칩에 부착시키는 접착부재에 끼워진 방열판과, 일측이 방열판에 연결되고 타측이 외부로 노출된 방열리드를 구비하고 있으므로, 방열리드과 반도체칩에서 발생되는 열이 방열판과 방열리드를 통해 외부로 효과적으로 방출될 수 있게 된다.

Description

반도체장치
제1도는 종래 반도체장치의 개략적 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 반도체장치의 개략적 사시도.
제3도는 제2도에 도시된 반도체장치의 III-III선 단면도.
제4도는 제2도에 도시된 반도체장치의 IV-IV선 단면도.
제5도는 본 발명에 따른 다른 실시예의 개략적 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100,101 : 반도체장치 10 : 패키지
20 : 반도체칩 30 : 접속리드
40 : 접착부재 50 : 방열체
60 : 방열리드 70 : 열분산부재
본 발명은 반도체장치에 관한 것으로서, 특히 반도체칩에서 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있도록 개선된 반도체장치에 관한 것이다.
반도체장치는 반도체칩의 장착상태에 따라 여러가지 형태로 구별될 수 있으며, 그 중 리드가 테이프 등과 같은 접착부재에 의해 반도체칩에 부착되는 소위 LOC(lead on chip) 타입의 반도체장치를 제1도에 개략적으로 도시하였다. 도면을 참조하면, LOC타입의 반도체장치(9)는 패키지(1) 내에 내장된 반도체칩(2)에 접착부재(4)를 개재시켜 리드(3)의 일측단부가 부착되어 있다. 이 리드(3)의 타측단부는 패키지 외부로 노출되어 회로기판(미도시)에 접속되도록 되어 있다.
그런데, 상술한 구성을 갖는 종래 반도체장치(9)에 있어서는 반도체칩(2)에서 발생되는 열이 외부로 효과적으로 방출되지 못하고 일부가 리드(3)를 통해 회로기판에 전달되게 된다. 따라서, 반도체장치(9)의 수명이 단축될 뿐만 아니라, 이 반도체장치(9)를 채용한 제품의 신뢰도가 저하된다는 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 반도체칩에서 발생되는 열이 외부로 효과적으로 방출될 수 있도록 개선된 반도체장치를 제공함에 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체장치는 반도체칩을 내장하는 패키지와, 일측단부는 접착부재에 의해 상기 반도체칩에 부착되며 타측단부는 상기 패키지의 외부로 노출되어 회로기판에 접속될 다수의 접속리드와, 일측단부는 상기 접착부재에 의해 반도체칩에 부착되며 타측단부는 상기 패키지 외부로 노출되어 상기 회로기판으로부터 이격될 방열리드와, 상기 접착부재의 중심부에 끼워져 지지되며 일측이 상기 방열리드에 연결된 방열체를 구비하는 점에 특징이 있다.
이하 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체장치의 개략적 사시도이며, 제3도는 제2도에 도시된 반도체장치의 III-III선 단면도, 제4도는 제2도에 도시된 반도체장치의 IV-IV선 단면도이다.
도면을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체장치(100)의 패키지(10) 내에는 반도체칩(20)이 장착되어 있으며, 이 반도체칩(20)에는 다수의 접속리드(30)가 테이프 등과 같은 접착부재(40)를 개재시켜 부착되어 있다. 이처럼 일측단부가 반도체칩(20)에 부착된 접속리드(30)들의 타측단부는 패키지(10)의 외부로 노출되어 회로기판(미도시)에 접속되게 된다. 접착부재(40)에는 또한 방열리드(60)들의 각 일측단부가 부착되어 있으며, 방열리드(60)들의 타측단부는 패키지(10) 외부로 노출되어 있다. 이 방열리드(60)들의 노출된 단부는 회로기판으로부터 이격되는 방향 즉 도시된 바와 같이, 패키지(10)의 상측으로 굽힘가공되어 그 패키지(10)의 상단에 밀착되도록 굽힙가공되는 것이 바람직한데, 이러한 경우에 좁은 공간에서도 방열리드(60)들의 노출된 단부가 넓은 표면적을 가질 수 있게 된다. 그리고, 상기 방열리드(60)들의 상기 접착부재(40)에 접착되는 단부들이 서로 연결되어 있게 되면 방열리드(60)들을 접착부재(40)에 접착시키는 작업성이 향상될 수 있게 된다.
한편, 상기 접착부재(40)의 중심부에는 박판의 방열체(50)가 끼워져 있으며, 이 방열체(50)는 상기 방열리드(60)와 연결되어 있다. 이처럼 서로 연결된 방열체(50)와 방열리드(60)는 구리나 알루미늄 등과 같이 저렴하면서도 열전도성이 양호한 금속 소재로 된 것이 바람직하다.
이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 반도체장치(100)에 있어서, 반도체칩(20)에서 발생되는 열의 대부분은 접착부재(40)에 끼워져 있는 방열체(50)를 통해, 이 방열체(50)와 연결된 방열리드(60)로 전달되게 된다. 한편, 상기 방열리드(60)의 단부는 패키지(10)의 외부로 노출되어 있으므로, 방열리드(60)로 전달된 열은 노출된 단부들을 통해 패키지(10) 외부의 공기로 방출되게 된다.
따라서, 반도체장치(100)의 수명이 저하되는 것이 방지될 수 있을 뿐만 아니라, 그 반도체장치(100)를 채용한 제품의 신뢰도가 향상될 수 있게 된다.
본 실시예의 반도체장치(100)에 있어서는 상기 방열리드(60)가 복수개 마련되어 있으나, 그 표면적을 넓게 하여 하나만 설치하더라도 본 발명의 목적이 달성될 수 있다.
제5도에는 본 발명에 따른 다른 실시예의 반도체장치가 도시되어 있는데, 이 반도체장치(101)는 상술한 실시예의 반도체장치(100)와 마찬가지로, 반도체칩(20)을 내장하는 패키지(10)와, 일측단부는 접착부재(40)에 의해 반도체칩(20)에 부착되며 타측단부는 패키지(10) 외부로 노출되어 회로기판(미도시)에 접속되는 다수의 접속리드(30)를 구비하고 있다. 그리고, 일측단부는 상기 접착부재(40)에 의해 반도체칩(20)에 부착되며 타측단부는 패키지(10) 외부로 노출되어 상기 회로기판으로부터 이격되는 방열리드(60)와, 접착부재(40)의 중심부에 끼워져 지지되며 일측이 방열리드(60)에 연결된 방열체(50)를 구비하고 있다.
한편, 본 실시예의 반도체장치(101)에 있어서는, 상기 패키지(10)의 외부로 노출된 방열리드(60)의 단부에 열분산부재(70)가 연결되어 있다. 이 열분산부재(70)도 상기 방열판(50) 및 방열리드(60)와 마찬가지로 저렴하면서도 열전도성이 양호한 구리나 알루미늄 소재로 된 것이 바람직하다.
이러한 실시예의 반도체장치(101)에 있어서는, 열방출을 위한 열교환 면적이 방열리드(60)의 노출된 단부의 표면적에 한정되던 상기 실시예의 반도체장치(100)와는 달리, 방열리드(60)에 연결된 열분산부재(70)의 표면적에 상당하는 만큼의 열교환면적이 증대되게 되므로, 반도체칩(20)에서 발생되는 열이 보다 효과적으로 방출할 수 있게 된다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 반도체장치는, 접속리드를 반도체칩에 부착시키는 접착부재에 끼워진 방열판과, 일측이 방열판에 연결되고 타측이 외부로 노출된 방열리드를 구비하고 있으므로, 방열리드와 반도체칩에서 발생되는 열이 방열판과 방열리드를 통해 외부로 효과적으로 방출될 수 있게 된다.

Claims (7)

  1. 반도체칩을 내장하는 패키지와, 일측단부는 접착부재에 의해 상기 반도체칩에 부착되며 타측단부는 상기 패키지 외부로 노출되어 회로기판에 접속될 다수의 접속리드와, 일측단부는 상기 접착부재에 의해 반도체칩에 부착되며 타측단부는 상기 패키지 외부로 노출되어 상기 회로기판으로부터 이격될 방열리드와, 상기 접착부재의 중심부에 끼워져 지지되며 일측이 상기 방열리드에 연결된 방열체를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방열체 및 방열리드는 구리 또는 알루미늄 소재로 된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 방열리드는 복수개 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 복수개의 방열리드는 각 일단부들이 서로 연결된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 방열리드의 노출된 단부는 상기 회로기판으로부터 이격되는 방향으로 굽힘가공되어 상기 패키지에 밀착되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 방열리드의 상기 패키지 외부로 노출된 단부와 연결되는 열분산부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 열분산부재는 구리 또는 알루미늄 소재로 된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
KR1019950019924A 1995-07-07 1995-07-07 반도체장치 KR0155843B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950019924A KR0155843B1 (ko) 1995-07-07 1995-07-07 반도체장치
MYPI96001374A MY113240A (en) 1995-07-07 1996-04-11 Semiconductor device which dissipates heat
JP8101515A JPH0927575A (ja) 1995-07-07 1996-04-23 半導体装置
FR9605700A FR2736467A1 (fr) 1995-07-07 1996-05-07 Dispositif semiconducteur dissipant la chaleur
US08/648,832 US5644164A (en) 1995-07-07 1996-05-16 Semiconductor device which dissipates heat
GB9610349A GB2303248A (en) 1995-07-07 1996-05-17 Semiconductor device which dissipates heat
CN96100275A CN1125489C (zh) 1995-07-07 1996-05-20 耗散热量的半导体器件
DE19620202A DE19620202A1 (de) 1995-07-07 1996-05-20 Wärmeabführende Halbleitervorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950019924A KR0155843B1 (ko) 1995-07-07 1995-07-07 반도체장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970008435A KR970008435A (ko) 1997-02-24
KR0155843B1 true KR0155843B1 (ko) 1998-12-01

Family

ID=19420034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950019924A KR0155843B1 (ko) 1995-07-07 1995-07-07 반도체장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5644164A (ko)
JP (1) JPH0927575A (ko)
KR (1) KR0155843B1 (ko)
CN (1) CN1125489C (ko)
DE (1) DE19620202A1 (ko)
FR (1) FR2736467A1 (ko)
GB (1) GB2303248A (ko)
MY (1) MY113240A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101366889B1 (ko) * 2012-10-18 2014-02-24 삼성전기주식회사 반도체 패키지

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5949138A (en) * 1996-10-31 1999-09-07 Texas Instruments Incorporated Heat spreader
JP3495281B2 (ja) * 1999-02-04 2004-02-09 ローム株式会社 半導体装置
JP3581268B2 (ja) * 1999-03-05 2004-10-27 株式会社東芝 ヒートシンク付半導体装置およびその製造方法
KR100416988B1 (ko) * 2001-07-30 2004-02-05 윤복현 슬러지 건조기
JP2004179253A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Nec Semiconductors Kyushu Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR100553717B1 (ko) * 2003-08-11 2006-02-24 광전자 주식회사 고방열 구조를 갖는 반도체 패키지
US6979900B2 (en) * 2003-10-21 2005-12-27 Delphi Technologies, Inc. Integrated circuit package with integral leadframe convector and method therefor
US7638861B2 (en) * 2005-12-08 2009-12-29 Fairchild Semiconductor Corporation Flip chip MLP with conductive ink
WO2007067982A2 (en) * 2005-12-08 2007-06-14 Fairchild Semiconductor Corporation Flip chip mlp with conductive ink
CN102857088B (zh) * 2012-08-28 2016-01-20 胜美达电机(香港)有限公司 电源供应模块
JP6891904B2 (ja) * 2017-02-06 2021-06-18 富士電機株式会社 半導体モジュール、電気自動車およびパワーコントロールユニット

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1800213A1 (de) * 1968-10-01 1970-05-14 Telefunken Patent Gehaeuse fuer integrierte Halbleiterschaltungen
JPS5266376A (en) * 1975-11-29 1977-06-01 Hitachi Ltd Device and manufacture of resin body type semiconductor
JPS6199650A (ja) * 1984-10-22 1986-05-17 Kubota Ltd 通電ロ−ル用合金
JPH0740600B2 (ja) * 1987-04-30 1995-05-01 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH0691174B2 (ja) * 1988-08-15 1994-11-14 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH02201949A (ja) * 1989-01-30 1990-08-10 Toshiba Corp 半導体装置
JPH02280364A (ja) * 1989-04-21 1990-11-16 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH02310954A (ja) * 1989-05-26 1990-12-26 Hitachi Ltd リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JPH0382148A (ja) * 1989-08-25 1991-04-08 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH03263862A (ja) * 1990-03-14 1991-11-25 Hitachi Ltd 電子部品の冷却装置
JPH04123448A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Toshiba Corp 半導体実装装置
JP2898383B2 (ja) * 1990-09-20 1999-05-31 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂の製造方法
JPH04267549A (ja) * 1991-02-22 1992-09-24 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2760167B2 (ja) * 1991-03-15 1998-05-28 イビデン株式会社 電子部品搭載装置
JPH04316357A (ja) * 1991-04-15 1992-11-06 Sony Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2971637B2 (ja) * 1991-06-17 1999-11-08 富士通株式会社 半導体装置
JP2857725B2 (ja) * 1991-08-05 1999-02-17 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置
JP3322429B2 (ja) * 1992-06-04 2002-09-09 新光電気工業株式会社 半導体装置
JP3167194B2 (ja) * 1992-10-02 2001-05-21 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
JPH06326230A (ja) * 1993-05-11 1994-11-25 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US5585600A (en) * 1993-09-02 1996-12-17 International Business Machines Corporation Encapsulated semiconductor chip module and method of forming the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101366889B1 (ko) * 2012-10-18 2014-02-24 삼성전기주식회사 반도체 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
DE19620202A1 (de) 1997-01-09
CN1140334A (zh) 1997-01-15
US5644164A (en) 1997-07-01
CN1125489C (zh) 2003-10-22
JPH0927575A (ja) 1997-01-28
FR2736467A1 (fr) 1997-01-10
GB2303248A (en) 1997-02-12
GB9610349D0 (en) 1996-07-24
KR970008435A (ko) 1997-02-24
MY113240A (en) 2001-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6002169A (en) Thermally enhanced tape ball grid array package
KR100201380B1 (ko) Bga 반도체 패키지의 열방출 구조
US6501103B1 (en) Light emitting diode assembly with low thermal resistance
JP3281220B2 (ja) 回路モジュールの冷却装置
KR0155843B1 (ko) 반도체장치
US5237485A (en) Apparatus and method for improved thermal coupling of a semiconductor package to a cooling plate and increased electrical coupling of package leads on more than one side of the package to a circuit board
US7405474B1 (en) Low cost thermally enhanced semiconductor package
US6977434B2 (en) Semiconductor assembly and spring member therefor
KR100208634B1 (ko) 표면 실장형 반도체 장치
JPH03174749A (ja) 半導体装置
WO1998020718A1 (en) Heat sink-lead frame structure
JP3378174B2 (ja) 高発熱素子の放熱構造
KR200325122Y1 (ko) 반도체패키지의히트싱크
JPH06302722A (ja) 放熱部材及びこの放熱部材を用いた半導体パッケージ
JP2745786B2 (ja) Tab半導体装置
KR100474193B1 (ko) 비지에이패키지및그제조방법
JPH06252299A (ja) 半導体装置及びこの半導体装置を実装した基板
KR100421033B1 (ko) 열전달 효율이 높은 전력용 패키지
JP4013780B2 (ja) 半導体装置の実装構造
JPH046860A (ja) 半導体装置
JP2000049271A (ja) 半導体装置
KR0156513B1 (ko) 반도체패키지
KR200154509Y1 (ko) 열방출형 반도체 패키지
JP3714808B2 (ja) 半導体装置
EP0997937A3 (en) Semiconductor device module with a heat sink

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070703

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee