DE1800213A1 - Gehaeuse fuer integrierte Halbleiterschaltungen - Google Patents

Gehaeuse fuer integrierte Halbleiterschaltungen

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DE1800213A1 DE19681800213 DE1800213A DE1800213A1 DE 1800213 A1 DE1800213 A1 DE 1800213A1 DE 19681800213 DE19681800213 DE 19681800213 DE 1800213 A DE1800213 A DE 1800213A DE 1800213 A1 DE1800213 A1 DE 1800213A1
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Description

Telefunken Patentverwertungsgesellschaft
niob.H,
Ulm / Donau, Elisabethenstr» 3
Heilbronn, den 23<,9»1968 FE/PT-Ma/Na HN 29/68
"Gehäuse für integrierte Halbleitersohaltungen"
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Gehäuse für integrierte Halb!exterschaltungen mit einer Vielzahl von zu den Elektroden ä der Schaltungsbauelemente führenden elektrischen Zuleitungen»
Es sind bereits Gehäuse für integrierte Halbleiterschaltungen bekannt geworden, die aus einem langgestreckten Kunststoffkörper bestehen, in den die Halbleiterbauelemente eingebettet sind und aus dem bandförmige Zuleitungen herausgeführt sindο Die Zuleitungen sind im Inneren des Kunststoffgehäuses mit den Elektroden der Halbleiterbauelemente bzw« der integrierten Halbleiterschaltung elektrisch verbtindeno Alle in das Gehäuse führenden Zuleitungen sind meist bandförmig ausgebildet und untereinander völlig gleichartig.
Die Erfindung besteht nunmehr darin, daß die Querschnitte der Zuleitungen untereinander zumindest teilweise verschieden sind. Vorzugsweise wird die Breite eines Teals der bandförmigen elektrischen Zuleitungen erheblich größer gewählt als die der übrigen Zuleitungen» Einer derartigen Ausgestaltung eines Gehäuses für
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integrierte Halbleiterschaltungen liegt die Aufgabe zugrunde, vor allem für Halbleiterbauelemente oder integrierte Schaltkreise eine höhere Verlustleistung und eine günstige Wärmeabführung zu erzielen« Es werden daher auf die breiter ausgebildeten metallischen Zuleitungen, d/h; auf die Zuleitungen größerer Masse, vorzugsweise die Halbleiterkörper der Bauelemente oder Schaltungen aufgelötet oder anderweitig befestigt, während die übrigen Elektroden der Halbleiteranordnung mit den weniger breit ausgebildeten Zuleitungen mittels dünner Zuführungsdrähte elektrisch verbunden werden. Bei der Befestigung der Halbleiterkörper auf den Zuleitungen größeren Querschnitts ist vor allem darauf zu achten, daß der Wärmeübergangswiderstand zwischen der Zuleitung und dem Halbleiterkörper gering χα ι, so daß die im Halbleiterkörper beim Betrieb der Schaltung ent-
wickelte Wärme leicht über die massiven Zuleitungen verteilt und abgeführt oder abgestrahlt wird»
Auch das erfindungsgemäße Gehäuse ist vorzugsweise langgestreckt ausgebildet und besteht beispielsweise aus Kunststoff, in den die Halbleiterkörper eingegossen oder anderweitig eingeschlossen sind. Αμβ. diesem massiven Kunststoffgehäuse führen beidseitig elektrische Zuleitungen, wobei die Abstände zwischen den Zuleitungen kleinerer Breite vorteilhafterweise durch ein gegebenes Rastermaß bestimmt sind· Dann beträgt die Breite der übrigen Zuleitungen möglichst ein Vielfaches dieses Rastermajßes,
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damit die erfindungsgemäßen Gehäuse ohne Schwierigkeiten in genormte gedruckte Schaltungsplatten eingefügt werden können»
Bei einer sehr günstigen Ausfuhrungsform des erfindungsgemäßen Gehäuses sind zwei einander gegenüberliegende Zuleitungen breiter als alle übrigen Zuleitungen ausgebildete
Die Erfindung soll im weiteren noch anhand der Figuren 1 bis 3 näher erläutert werden.
Figur 1 zeigt einen Teil eines Kontaktierungsstreifens, aus dem die erfindungsgemäß ausgebildeten Zuleitungen hergestellt werden»
Figur 2 zeigt ein fertiges aus Plastik bestehendes Gehäuse und in der
Figur 3 ist dargestellt, wie die breit ausgebildeten Zuleitungen Ki >ses Gehäuses mit weiteren Kühlblechen verbunden werden können«,
Fi{/ur 1 zeigt einen Kontaktierungsstreif en 1, der beispielsweise aus dünnem vergoldtem Nickelblech besteht, aus dem die dargestellten Strukturen herausgestanzt oder herausgeätzt wurden.. Der Kontaktierungsstreifen wird seitlich durch zwei Stege 2 und 3 begrenzt, von denen rechtwinklig die nach innen ragenden Zulei-
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tungen k und 5 ausgehen» Die Zuleitungen sind durch parallel zu den Stegen 2 und 3 verlaufende Stabilisierungsstreben 6 und 7 miteinander verbundene Die beiden Zuleitungen 5a und 5b sind in der Mitte des Kontäktierungsstreifens durch einen mäanderförmig verlaufenden Spalt 18 voneinander getrennte Die Zuleitungen 4 sind an ihren freien und nach innen ragenden Enden so ausgebildet, daß sich diese Enden um die flächenhafte Erweiterung 8 eines Metallsteges 9 gruppieren, der mit einem zwischen den Stegen 2 und 3 verlaufenden weiteren Hilfssteg Io verbunden ist« Die schmal ausgebildeten Zuleitungen k verjüngen sich zweckmäßigerweise noch an ihren mit den Stegen 2 und 3 verbundenen Enden und haben untereinander einen vorgegebenen Abstand.
Auf die flächenhafte Erweiterung 8 des Metallsteges 9 wird nun beispielsweise ein Halbleiterkörper 12 aufgelötet, der eine integrierte Festkörperschaltung enthält, während auf. den beiden breit ausgeführten Zuleitungen 5a und 5b mb.-lichst in der Mitte des Kontafctierungsßtreifens und dem Halbleiterkörper 12 eng benachbart je ein Leistungstransistor mit seinem Kollektorgrundkörper aufgelötet wird. Diese beiden Transistoren sind in der Figur 1 mit den Ziffern Ire- 11 bezeichnet. Die Elektroden der genannten Halbleiterkörper werden untereinander und mit den freien Enden der Zuleitungen 3 mit Hilfe von dünnen Zuführungsdrahten 17 elektrisch verbundene
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Der in der Figur 1 gestrichelt eingerahmte Teil des Kontaktierungsstreifens wird nun in einer entsprechenden Vorrichtung in Kunststoff, beispielsweise in Epoxydharz oder in eine Siliconpressmasse eingebettet, so daß der in der Figur 2 dargestellte Gehäusekörper lh entsteht. Die Stege 2, 3 und Io werden vom übrigen Teil des Kontaktierungsstreifens abgetrennt und die die einzelnen Zuleitungen vertiadenden Stücke der Stabilisierungsstreben 6 und 7 werden gleichfalls ™ abgeschnitten,abgestanzt oder abgeätzt. Werden dann die schmalen Zuleitungen 4 und die breit ausgeführten, einander gegenüberliegenden Zuleitungen 5a und Jh abgewinkelt, entsteht die in der Figur 2 dargestellte Anordnung, die nunmehr in die gedruckten Schaltungsplatten eingesteckt und/oder eingelötet werden kann«
In der Figur 2 sind alle Zuleitungen in einer Richtung nach unten abgewinkelt? es ist jedoch - wie in der Figur 3 darge- j stellt ist - auch möglich, die breiter ausgeführten Zuleitungen 5a und 5b s-förmig nach oben abzubiegen und an gesonderte Kühlbleche l6 anzuschraubenβ In diesem Fall müssen die breit ausgebildeten Zuführungen mit je einem Loch 15 (Figur 2) zum Einführen von Befestigungsmittel versehen sein.
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Der in der Figur 1 dargestellte Kontafctierungsstreifen ist vorzugsweise Teil eines langen bandförmigen Kontaktierungsstreifens, auf dem eine Vielzahl von integrierten Halbleiter-Schaltungen in der oben beschrxebenen Weise hergestellt werden können.
ti 1 Π

Claims (1)

  1. - 7 Patentansprüche
    ( I)J Gehäuse für integrierte Halbleiterschaltungen mit einer Vielzahl von zu den Elektroden der Schaltungsbauelemente führenden elektrischen Zuleitungen, dadurch gekennzeichnet, daß die Querschnitte der Zuleitungen untereinander zumindest teilweise verschieden sind.
    2) Gehäuse nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Zuleitungen bandförmig ausgebildet sind, wobei die Breite eines Teils der Zuleitungen erheblich größer ist als die der übrigen Zuleitungen.
    3) Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse langgestreckt ausgebildet ist. und aus dem Gehäuse beidseitig elektrische Zuleitungen geführt sind, wobei die Abstände zwischen den Zuleitungen kleinerer Breite durch ein vorgegebenes Rastermaß bestimmt sind, und daß die Breite der j übrigen Zuleitungen ein Vielfaches dieses Rastermaßes beträgt.
    k) Gehäuse nach Anspruch 3> dadurch gekennzeichnet, daß zwei einander gegenüberliegende Zuleitungen breiter als die übrigen Zuleitungen ausgebildet sind.
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    5) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Zuleitungen größeren Querschnitts im Gehäuseinneren die T^lbleiterkörper von Bauelementen oder Schaltungen großer Verlustleistung mit einem gut Wärme leitenden Kontakt angeordnet sind.
    6) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da™ durch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen größerer Breite abgewinkelt und mit einem weiteren Kühlblech verbunden sind«,
    7) Gehäuse nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen größerer Breite mit je einem Loch zum Einführen von Befestigungsmitteln versehen sind.
    8) Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen Teil eines bandförmigen Kontaktxerungastreif ens sind, aus de·, eine Vielzahl von integrierten Halbleiterschaltungen hergestellt werden.
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    Lee rs e i te
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