DE4031051A1 - Modul mit mindestens einem halbleiterschaltelement und einer ansteuerschaltung - Google Patents

Modul mit mindestens einem halbleiterschaltelement und einer ansteuerschaltung

Info

Publication number
DE4031051A1
DE4031051A1 DE4031051A DE4031051A DE4031051A1 DE 4031051 A1 DE4031051 A1 DE 4031051A1 DE 4031051 A DE4031051 A DE 4031051A DE 4031051 A DE4031051 A DE 4031051A DE 4031051 A1 DE4031051 A1 DE 4031051A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
module
connections
mounting surface
module according
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4031051A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4031051C2 (de
Inventor
Rainer Dipl Ing Dangschat
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of DE4031051A1 publication Critical patent/DE4031051A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4031051C2 publication Critical patent/DE4031051C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Modul mit mindestens einem Halblei­ terschaltelement und einer Ansteuerschaltung nach dem Oberbe­ griff des Anspruchs 1.
Es sind bereits eine Vielzahl von Modulen bekannt, die minde­ stens ein Halbleiterschaltelement, im allgemeinen ein Lei­ stungshalbleiterschaltelement, sowie eine Ansteuerschaltung zu dessen Ansteuerung aufweist. Insbesondere bei Schaltnetzteilen ist es zweckmäßig, das Halbleiterschaltelement und die Ansteu­ erschaltung in einem gemeinsamen Gehäuse anzuordnen.
Solche Module wurden bisher in Hybridtechnik ausgeführt, die meist bipolare Schalttransistoren und Ansteuerschaltungen auf Keramiksubstrat in einem großen Leistungsgehäuse vorsehen. Das Problem bei diesen Lösungen ist, daß die Kombinationen wegen des großen Leistungsgehäuses oftmals teurer als die Einzelkom­ ponenten sind.
Es sind monolithische Kombinationen bekannt geworden, bei denen jedoch zwei unterschiedliche Technologieanforderungen im Modul integriert werden mußten, das zu ungünstigen Lösungen führte. So ist beispielsweise die Herstellungstechnologie für das Halb­ leiterschaltelement, das an sich nur wenige Herstellungsmasken braucht, von seiner Struktur her nicht geeignet mit einer An­ steuerschaltung mit einer Vielzahl von Transistoren auf klein­ ster Chipfläche kombiniert zu werden. Schwierigkeiten ergeben sich bei dieser Lösung vor allem auch hinsichtlich der thermi­ schen und spannungsmäßigen Entkopplung von Halbleiterschalt­ element und Ansteuerschaltung.
Eine wirtschaftliche Lösung für Schaltnetzteile der Leistungs­ klasse 20 bis 100 Watt unter Verwendung billiger IC-Gehäuse ist bisher nicht bekannt geworden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Modul ins­ besondere für die Verwendung in einem Schaltnetzteil anzugeben, das die vorgenannten Nachteile vermeidet und unter Verwendung einfacher Herstellungstechnik realisierbar ist.
Diese Aufgabe wird duch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 oder des Anspruchs 7 gelöst.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprü­ che.
Die Erfindung beruht also im wesentlichen bei der ersten Lösung darauf, daß in einem Gehäuse des Moduls ein mit zwei voneinan­ der potentialmäßig getrennten Montageflächen aufweisender metal­ lischer Trägerkörper vorgesehen sowie ein Chip eines Halbleiter­ schaltelementes und ein Chip einer Ansteuerschaltung angeordnet ist. Dabei sitzt die Bezugspotentialfläche des Chips des Halb­ leiterschaltelementes elektrisch leitend auf der ersten Monta­ gefläche auf, die zur Wärmeableitung möglichst großflächig und mit mindestens einem Anschluß einstückig ausgebildet ist. Auf der zweiten Montagefläche sitzt das Chip der Ansteuerschaltung auf. Die extern zugänglichen Anschlüsse des Moduls sind inner­ halb des Gehäuses mit Klemmen der Ansteuerschaltung sowie des Halbleiterschaltelementes verbunden. Ein weiterer Trägerkörper, insbesondere ein Keramiksubstrat, ist nicht notwendig.
In einer Weiterbildung der Erfindung ist es vorgesehen, an die Anschlüsse der ersten Montagefläche einen Kühlkörper zur ver­ besserten Wärmeableitung anzuordnen. Dieser Kühlkörper kann ent­ weder angesteckt oder mit den Anschlüssen der ersten Montageflä­ che fest verbunden sein.
In einer zweiten Lösung der Erfindung sind die beiden Montage­ flächen auf einer gemeinsamen Metallfläche angeordnet. Dies ist vor allem dann vorteilhaft, wenn das Halbleiterschaltelement und die Ansteuerschaltung des gleiche Bezugspotential aufwei­ sen.
Bevorzugt wird das Gehäuse des Moduls mit seinen Anschlüssen nach einer vorgegebenen Gehäusenorm, beispielsweise DIP 18, DIP 20 oder ähnlich, ausgebildet. Auf diese Weise kann ein platz­ sparender Aufbau von Miniaturschaltnetzteilen ermöglicht wer­ den, der z. B. für Steckernetzteile, Videorekorder oder Camkor­ der ohne Kühlkörper bis zu einer Leistung von 30 bis 50 Watt verwendbar ist. Eine verbesserte Wärmeableitung kann durch den bereits erwähnten von extern an das Modul anschließbaren Kühl­ körper ermöglicht werden, so daß Leistungen des Schaltnetz­ teiles bis zu 100 Watt möglich sind.
Die wesentlichsten Vorteile der erfindungsgemäßen Ausbildung des Moduls bestehen in folgenden Punkten:
  • - Hochspannungstrennung von Ansteuerschaltung und Halbleiter­ schaltelement (falls die erste Lösung gewählt wird),
  • - thermische Entkopplung von Ansteuerschaltung und Halbleiter­ schaltelement (falls die erste Lösung gewählt wird),
  • - niedriger thermischer Widerstand zwischen dem Chip des Halb­ leiterschaltelementes und der Leiterbahn der gedruckten Schaltung, auf dem das Modul montiert ist,
  • - eine gute Flexibilität, in dem verschiedene Chipgrößen des Halbleiterschaltelementes im Modul einsetzbar sind,
  • - die Möglichkeit der Montage des Moduls auf normalen IC-Fer­ tigungslinien, auf denen auch der mit den Chips des Halblei­ terschaltelementes und der Ansteuerschaltung versehene Trä­ gerkörper mit Kunststoff umspritzt werden kann und
  • - die Verwendung eines billigen Normgehäuses für anwendungs­ freundliche und automatengerechte Montage beim Kunden.
Als besonders vorteilhaft hat sich beim erfindungsgemäßen Modul die Verwendung von unterschiedlichen Chips des Halbleiterschalt­ elementes sowie der Ansteuerschaltung herausgestellt. Damit wird erreicht, daß das Halbleiterschaltelement und die Ansteu­ erschaltung nach unterschiedlichen Technologien wie gewohnt her­ gestellt und diese Chips dann auf den dafür vorgesehenen Monta­ geflächen des Trägerkörpers plaziert werden können. Dadurch wird ein Höchstmaß an Flexibilität der in das Modul integrier­ baren Chips von Halbleiterschaltelement und Ansteuerschaltung gewährleistet.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von fünf als bevorzug­ te Ausführungsbeispiele zu wertenden Figuren näher erläutert. Im einzelnen zeigen:
Fig. 1 eine Aufsicht auf ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Modules,
Fig. 2 eine Aufsicht auf ein Modul nach Fig. 1 mit Kühlkörper,
Fig. 3 eine Seitenansicht zu Fig. 2,
Fig. 4 eine Aufsicht auf ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Modules und
Fig. 5 eine Aufsicht auf ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Modules mit einem SIL-Gehäuse und auf einer gemeinsamen Metallfläche angeordneten Montageflä­ chen.
In Fig. 1 ist ein metallischer Trägerkörper 25 dargestellt, der eine erste Montagefläche 23 und eine zweite Montagefläche 24 so­ wie eine Vielzahl von Anschlüssen 1 bis 18, auch Pins genannt, aufweist. Die in Fig. 1 dargestellte Struktur des Trägerkörpers 25 ist zweckmäßigeweise durch Heraustrennen von Metallteilen, beispielsweise Ausstanzen, aus einem gemeinsamen Metallband er­ folgt und erlaubt die in Fig. 1 beispielhaft gewählte eine DIP 18-Gehäusenorm. Die erste Montagefläche 23 ist von der zweiten Montagefläche 24 potentialmäßig getrennt, hier durch deren zwei­ stückige und einen Abstand voneinander aufweisende Ausbildung. An die erste Montagefläche 23 sind darüber hinaus weitere An­ schlüsse, hier die Anschlüsse 1, 2, 3, 17 und 18 einstückig an­ geformt. Weiterhin sitzt auf der ersten Montagefläche 23 ein Klemmen bzw. Kontaktpads 30, 31 aufweisendes Chip 21 des Halb­ leiterschaltelementes mit seiner Bezugspotentialfläche elek­ trisch leitend auf. Dazu kann das Chip 21 des Halbleiterschalt­ elementes, das bevorzugt ein Leistungs-MOS-FET ist, entweder mit der ersten Montagefläche 23 elektrisch leitend verklebt der verlötet sein. Bei einem Leistungs-MOS-FET ist die Bezugs­ potentialfläche zugleich der Drainanschluß des Halbleiterschalt­ elementes. Der Sourceanschluß ist mit der Klemme 30 und der Gateanschluß mit der Klemme 31 des Chips 21 versehen. Über eine elektrische Verbindung 50, die bei hohen Strömen aus parallel geschalteten Bonddrähten gebildet sein kann, ist die Klemme 30 des Chips 21 des Halbleiterschaltelementes an einen Anschluß 15 des Moduls angeschlossen. Die Klemme 31 und damit der Gatean­ schluß des Chips 21 des Halbleiterschaltelementes ist ebenfalls über eine elektrische Verbindung 51 an einen anderen Anschluß 5 des Moduls elektrisch leitend angeschlossen. Die Anschlüsse 1, 2, 3, 17 und 18 sind mit dem Bezugspotential, hier also dem Drainanschluß, des Halbleiterschaltelementes durch deren ein­ stückige Ausbildung mit der ersten Montagefläche 23 verbunden.
Auf der zweiten Montagefläche 24 des Trägerkörpers 25 sitzt ein mit Klemmen 40 bis 47 versehenes Chip 22 einer Ansteuer­ schaltung auf. Zweckmäßigerweise ist das Chip 22 der Ansteuer­ schaltung mit einer Anschlußfläche auf die zweite Montagefläche 24 elektrisch leitend geklebt oder gelötet. Ein Anschluß 14 des Moduls ist mit dieser Anschlußfläche des Chips 22 der Ansteuer­ schaltung elektrisch leitend verbunden. In diesem Ausführungs­ beispiel ist der Anschluß 14 einstückig an die zweite Montage­ fläche 24 des Trägerkörpers 25 angeformt.
Die Klemmen 40 bis 47 des Chips 24 der Ansteuerschaltung sind über elektrische Verbindungen 52, hier Bonddrähte, mit den An­ schlüssen 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12 und 13 elektrisch leitend verbunden. Diese bisher beschriebene Anordnung ist von einem Gehäuse 20 umgeben. Aus dem Gehäuse ragen lediglich die An­ schlüsse 1 bis 18, über die der Anwender des Moduls Zugang zu den Klemmen der Chips 21, 22 des Halbleiterschaltelementes sowie der Ansteuerschaltung hat. Vorzugsweise ist das Gehäuse 20 und die Anschlüsse 1 bis 18 nach einer Gehäusenorm, bei­ spielsweise DIP 18, DIP 20 oder ähnlichem, ausgeführt.
Es ist selbstverständlich auch möglich notwendige elektri­ sche Verbindungen zwischen den Klemmen des Chips 21 des Halb­ leiterschaltelementes und den Klemmen des Chips 22 der Ansteu­ erschaltung bereits innerhalb des Gehäuses 20 des Modules vor­ zusehen. Dazu kann beispielsweise eine elektrische Verbindung zwischen der Klemme 31, also dem Steueranschluß des Halblei­ terschaltelementes, und einem oder mehrerer der Klemmen des Chips 22 der Ansteuerschaltung vorgesehen sein.
Beim Herstellen eines solchen Modules werden folgende Her­ stellungsschritte durchlaufen:
  • 1. Herstellung des Trägerkörpers durch Heraustrennung von Metallteilen aus einem Metallband, wobei die Anschlüsse sowie Montageflächen des Trägerkörpers von in Fig. 1 nicht dargestellten Metallstegen gehaltert werden,
  • 2. Bestückung der ersten und zweiten Montagefläche 23, 24 mit den Chips 21, 22 des Halbleiterschaltelementes sowie der Ansteuerschaltung,
  • 3. elektrisches Verbinden der Anschlüsse 1 bis 18 mit den Klemmen 30, 31, 40 bis 47 der Chips 21, 22 des Halbleiter­ schaltelementes sowie der Ansteuerschaltung,
  • 4. Umspritzen des Trägerkörpers 25 mit Kunststoff zur Bildung eines Gehäuses 20,
  • 5. Entfernung der Metallstege und
  • 6. Biegen der extern aus dem Gehäuse ragenden Anschlüsse, vor­ zugsweise in eine Richtung senkrecht zur Hauptfläche des Moduls.
Zweckmäßigerweise werden eine Vielzahl von Trägerkörpern auf einem gemeinsamen Metallband gebildet, so daß ähnlich der TAB-Version (tape automated bonded) von Bauelementen in der SMO(Surface-mounted-device)-Technik eine automatengerechte Herstellung auf IC-Fertigungslinien ermöglicht wird.
Durch die möglichst großflächige Ausführung der ersten Monta­ gefläche 23 und der einstückigen Anformung der Anschlüsse 1, 2, 3, 17 und 18 sowie der großflächigen Verbindung zwischen Be­ zugspotentialfläche des Chips 21 des Halbleiterschaltelementes und der ersten Montagefläche 23 wird eine gute Wärmeableitung im Modul ermöglicht. Wird das in Fig. 1 beschriebene Modul in einer Leiterplatte für ein Schaltnetzteil mit großflächig aus­ geführter Drainverbindung eingesetzt, so können 1 bis 2 Watt Verlustleistung abgeführt werden, was Schaltnetzteile mit einer Ausgangsleistung von 30 bis 50 Watt erlaubt.
Will man Schaltnetzteile mit höheren Ausgangsleistungen reali­ sieren, so kann ein eigener Kühlkörper nach Fig. 2 und 3 vorge­ sehen werden. In Fig. 2 ist die Aufsicht auf ein Modul nach Fig. 1 mit einem extern angeordneten Kühlkörper 70 dargestellt. In Fig. 3 ist die dazugehörende Seitenansicht dargestellt. Der Kühl­ körper 70 sitzt so auf dem Modul auf, daß er die Anschlüsse 1, 2, 3, 17 und 18 berührt. Der Kühlkörper kann entweder aufsteck­ bar ausgeführt sein oder auf die genannten Anschlüsse 1, 2, 3, 17 und 18 aufgelötet werden. Der Kühlkörper 70 ist vorzugsweise U-förmig ausgebildet und mit einer Lasche 71 versehen, die auf der Oberseite, hier eine Hauptfläche 60, des Gehäuses 20 des Modules zur verbesserten Wärmeableitung aufsitzt. Der Kühlkör­ per 70 ist in diesem Ausführungsbeispiel zusätzlich mit Lötspit­ zen 81, 82, 83, 87 und 88 versehen, die ebenfalls in die Mon­ tagelöcher für die Anschlüsse 1, 2, 3, 17 und 18 einsteckbar sind und gemeinsam mit diesen verlötet werden. Durch diese Aus­ bildung des Kühlkörpers 70 ergibt sich eine problemlose Löttech­ nik. Am oberen Ende ist der Kühlkörper 70 bevorzugt geschlitzt ausgeführt um eine noch bessere Wärmeableitung zu erhalten. Mit einem solchen Kühlkörper 70 und großflächigem Drainanschluß des Halbleiterschaltelementes lassen sich 2 bis 4 Watt Verlustlei­ stung abführen, was schließlich Schaltnetzteile mit einer Aus­ gangsleistung von bis zu 100 Watt ermöglicht.
In Fig. 4 ist ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungs­ gemäßen Modules dargestellt. Die bereits bekannten Bezugszei­ chen werden für gleiche Teile weiterverwendet. Im Unterschied zu Fig. 1 ist jetzt neben einer anderen Anschlußbelegung des Moduls der Trägerkörper 25 hinsichtlich der ersten Montage­ fläche 23 und der daran einstückig angeformten Anschlüsse 6, 7, 8, 9, 10 und 11 modifiziert. Der Trägerkörper 25 weist jetzt eine Metallfläche 90 auf, die die erste Montagefläche 23 bein­ haltet, sich jedoch jetzt einerseits in Richtung der Anschlüsse 6 bis 9 und andererseits in Richtung der Anschlüsse 10 und 11 des Moduls über den Gehäuserand des Moduls hinaus erstreckt. Durch diese große Metallfläche 90 wird die Wärmeableitung gegenüber der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform des Moduls weiter verbessert.
In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß das Chip 22 der Ansteuerschaltung eine in den Figuren zur besseren Übersichtlichkeit nicht dargestellte integrierte Temperatursi­ cherung aufweist. Durch die Anordnung des Chips 22 der Ansteu­ erschaltung in einem gemeinsamen Gehäuse 20 mit dem Chip des Halbleiterschaltelementes wird eine thermische Verkopplung er­ reicht, womit eine Überschreitung der Ausgangsleistung dann von der Temperatursicherung des Chips 22 der Ansteuerschaltung er­ faßt und das Schaltnetzteil abgeschaltet wird. Dies dient zu einer zusätzlichen Langzeit-Leistungsbegrenzung, die auch die Betriebszustände des Schaltnetzteiles schützt, die von einer möglichen Drainstrom-Nachbildung oder direkten Drainstrom-Mes­ sung, die zum Schutz des Schaltnetzteils allgemein üblich ist, nicht erfaßt werden.
In Fig. 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungs­ gemäßen Modules dargestellt. Im Gegensatz zu den vorgenannten Ausführungsformen sind die beiden Montageflächen 23 und 24 jetzt auf einer gemeinsamen Metallfläche 100 des Trägerkörpers 25 angeordnet. Dies ist besonders dann zweckmäßig, wenn die Chips 21, 22 des Halbleiterschaltelementes sowie der Ansteuer­ schaltung an das gleiche Bezugspotential anzuschließen sind. Die Metallfläche 100 weist zusätzlich eine Lasche auf, die als Anschluß 101 für das Bezugspotential dient. Damit kann - wie in Fig. 5 dargestellt - in besonders einfacher Weise ein SIL-Ge­ häuse (Single-Inline) für das Modul realisiert werden. Durch die große Metallfläche 100 ist eine gute Wärmeableitung ge­ währleistet.

Claims (15)

1. Modul mit mindestens einem Halbleiterschaltelement und einer Ansteuerschaltung sowie einem Gehäuse (20), das eine Vielzahl von extern zugänglichen Anschlüssen (1 bis 18) aufweist, gekennzeichnet durch:
  • - einen eine erste und zweite Montagefläche (23, 24) aufweisen­ den metallischen Trägerkörper (25),
  • - die erste und zweite Montagefläche (23, 24) sind potential­ mäßig voneinander getrennt angeordnet,
  • - die erste Montagefläche (23) ist mit mindestens einem An­ schluß (1, 2, 3, 17, 18) einstückig ausgebildet,
  • - auf der ersten Montagefläche (23) sitzt ein Klemmen (30, 31) aufweisendes Chip (21) des Halbleiterschaltelementes mit sei­ ner Bezugspotentialfläche elektrisch leitend auf
  • - auf der zweiten Montagefläche (24) sitzt ein mit Klemmen (40 bis 47) versehenes Chip (22) der Ansteuerschaltung auf,
  • - die Klemmen (30, 31, 40 bis 47) sind über elektrische Verbin­ dungen (50) mindestens teilweise mit den Anschlüssen (1 bis 18) des Moduls verbunden.
2. Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Montagefläche (23, 24) zweistückig ausgebildet sind.
3. Modul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die aus dem Gehäuse (20) ragenden Anschlüsse (1 bis 18) L-förmig ausgebildet sind und mit ihren einen Enden in jeweils gleiche Richtung senkrecht zu einer Hauptfläche (60) des Moduls weisen.
4. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kühlkörper (70) vorgesehen ist, der an den einstückig mit der ersten Montagefläche (23) ausgebildeten Anschlüssen zur Wärmeableitung aufsitzt.
5. Modul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper (70) an die einstückig mit der ersten Monta­ gefläche (23) ausgebildeten Anschlüsse (1, 2, 3, 17 und 18) aufsteckbar ist.
6. Modul nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper (70) zur verbesserten Wärmeableitung eine Lasche (71) aufweist und diese Lasche (71) auf dem Modul aufliegt.
7. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Montagefläche (23) innerhalb einer Metallfläche (90) angeordnet ist, die sich zur verbesserten Wärmeableitung über den Rand des Gehäuses (20) erstreckt.
8. Modul mit mindestens einem Halbleiterschaltelement und einer Ansteuerschaltung sowie einem Gehäuse (20), das eine Vielzahl von extern zugänglichen Anschlüssen (1 bis 18) aufweist, gekennzeichnet durch:
  • - einen eine erste und zweite Montagefläche (23, 24) aufweisen­ den metallischen Trägerkörper (25),
  • - die erste und zweite Montagefläche (23, 24) sind auf einer ge­ meinsamen Metallfläche (100) angeordnet,
  • - die Metallfläche (100) ist mit mindestens einem Anschluß (101) versehen,
  • - auf der ersten Montagefläche (23) sitzt ein Klemmen (30, 31) aufweisendes Chip (21) des Halbleiterschaltelementes mit sei­ ner Bezugspotentialfläche elektrisch leitend auf
  • - auf der zweiten Montagefläche (24) sitzt ein mit Klemmen (40 bis 47) versehenes Chip (22) der Ansteuerschaltung auf,
  • - die Klemmen (30, 31, 40 bis 47) sind über elektrische Verbin­ dungen (50) mindestens teilweise mit den Anschlüssen (1 bis 18) des Moduls verbunden.
9. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der metallische Trägerkörper (25) sowie die Anschlüsse (1 bis 18) aus einem gemeinsamen Metallband durch Heraustrennen von Metallteilen gebildet sind.
10. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, gekennzeichnet durch die Verwendung in einem Schaltnetzteil.
11. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Chip (21) des Halbleiterschaltelementes ein Leistungs- MOS-FET ist, dessen Drainfläche mit der ersten Montagefläche (23) elektrisch leitend verklebt oder verlötet ist.
12. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Verbindungen (50, 51, 52) zwischen den Klemmen (30, 31, 40 bis 47) und der Anschlüsse (1 bis 18) des Moduls durch Bonddrähte gebildet sind.
13. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Modul eine im Chip (22) der Ansteuerschaltung angeordne­ te Temperatursicherung aufweist.
14. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (20) und die Anschlüsse (1 bis 18) des Moduls nach einer vorgegebenen Gehäusenorm angeordnet sind.
15. Modul nach Anspruch 8 und 14, gekennzeichnet , durch die Verwendung eines SIL-(Single-Inline)-Gehäuses.
DE4031051A 1989-11-14 1990-10-01 Modul mit mindestens einem Halbleiterschaltelement und einer Ansteuerschaltung Expired - Fee Related DE4031051C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP89121099 1989-11-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4031051A1 true DE4031051A1 (de) 1991-05-16
DE4031051C2 DE4031051C2 (de) 1997-05-07

Family

ID=8202129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4031051A Expired - Fee Related DE4031051C2 (de) 1989-11-14 1990-10-01 Modul mit mindestens einem Halbleiterschaltelement und einer Ansteuerschaltung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4031051C2 (de)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4118255A1 (de) * 1991-06-04 1992-12-10 Itt Ind Gmbh Deutsche Monolithisch integrierter sensorschaltkreis in cmos-technik
EP0540926A1 (de) * 1991-11-04 1993-05-12 Motorola, Inc. Schutzschaltung auf einem Leiter einer Leistungsanordnung
EP0546731A1 (de) * 1991-12-10 1993-06-16 Fuji Electric Co. Ltd. Innere Leiterstruktur einer Halbleiteranordnung
FR2690274A1 (fr) * 1992-04-15 1993-10-22 Motorola Semiconducteurs Boîtier pour dispositif à semiconducteur et procédé de formation de boîtier pour dispositif à semiconducteur.
EP0566921A1 (de) * 1992-04-18 1993-10-27 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Halbleiterbaugruppe, insbesondere Fernsteuer-Empfangsmodul
WO1996008842A1 (en) * 1994-09-15 1996-03-21 National Semiconductor Corporation Electronic system circuit package
DE4440088A1 (de) * 1994-11-10 1996-05-15 Telefunken Microelectron Halbleiterbaugruppe für die bidirektionale, leitungsungebundene, optische Datenübertragung
DE19529785A1 (de) * 1995-04-14 1996-10-17 Abb Management Ag Leistungshalbleitermodul
DE19612515A1 (de) * 1995-11-24 1997-05-28 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul-System
EP0696818A3 (de) * 1994-08-12 1997-07-02 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit isolierendem Gehäuse
DE19604614A1 (de) * 1996-02-08 1997-08-14 Bayerische Motoren Werke Ag Elektronisches Steuergerät mit einem Gehäuse
DE19624478A1 (de) * 1996-02-08 1998-01-02 Bayerische Motoren Werke Ag Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Steuergeräts
US5844779A (en) * 1995-04-27 1998-12-01 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor package, and semiconductor device using the same
DE10205563A1 (de) * 2002-02-11 2003-08-28 Advanced Micro Devices Inc Halbleiter-Die-Packung mit zwei Die-Paddles
EP1507291A2 (de) * 2003-08-14 2005-02-16 International Rectifier Corporation Leistungsmodul für Halbleiterrelais
DE102004025773A1 (de) * 2004-05-26 2006-01-05 Siemens Ag Elektronisches Bauelement
WO2006024626A2 (de) * 2004-08-31 2006-03-09 Siemens Aktiengesellschaft Elektrische baugruppe
DE102006021412B3 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102007017546A1 (de) * 2007-04-10 2008-10-30 Qimonda Ag Multichipmodul
US20110299250A1 (en) * 2010-06-03 2011-12-08 Yazaki Corporation Wiring substrate and manufacturing method thereof
US9349628B2 (en) 2013-02-25 2016-05-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method and an alignment plate for engaging a stiffener frame and a circuit board

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2876399A (en) * 1957-04-24 1959-03-03 Gen Electric Semiconductor devices
DE1800213A1 (de) * 1968-10-01 1970-05-14 Telefunken Patent Gehaeuse fuer integrierte Halbleiterschaltungen
DE1614134A1 (de) * 1966-03-16 1970-07-09 Motorola Inc Modultraegerplatte fuer integrierte Schaltungen
DE7040339U (de) * 1970-10-31 1971-02-04 Norddeutsche Mende Rundfunk Kg Kuehlkoerper fuer transistoren im kunststoffgehaeuse
DE3212442A1 (de) * 1981-04-06 1982-11-04 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. Gehaeuseanordnung mit paarweise miteinander ausgerichteten leitungsanschluessen, insbesondere zur kapselung von halbleiterbauteilen
DE3129756A1 (de) * 1981-07-28 1983-02-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München In einen becher eingesetztes elektrisches bauelement, bauelementegruppe oder integrierte schaltung
US4783428A (en) * 1987-11-23 1988-11-08 Motorola Inc. Method of producing a thermogenetic semiconductor device
DE3825534A1 (de) * 1987-07-28 1989-02-09 Sgs Thomson Microelectronics Mehrere halbleiterchips enthaltende vorrichtung mit einem metall-kunstharz-gehaeuse

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2876399A (en) * 1957-04-24 1959-03-03 Gen Electric Semiconductor devices
DE1614134A1 (de) * 1966-03-16 1970-07-09 Motorola Inc Modultraegerplatte fuer integrierte Schaltungen
DE1800213A1 (de) * 1968-10-01 1970-05-14 Telefunken Patent Gehaeuse fuer integrierte Halbleiterschaltungen
DE7040339U (de) * 1970-10-31 1971-02-04 Norddeutsche Mende Rundfunk Kg Kuehlkoerper fuer transistoren im kunststoffgehaeuse
DE3212442A1 (de) * 1981-04-06 1982-11-04 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. Gehaeuseanordnung mit paarweise miteinander ausgerichteten leitungsanschluessen, insbesondere zur kapselung von halbleiterbauteilen
DE3129756A1 (de) * 1981-07-28 1983-02-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München In einen becher eingesetztes elektrisches bauelement, bauelementegruppe oder integrierte schaltung
DE3825534A1 (de) * 1987-07-28 1989-02-09 Sgs Thomson Microelectronics Mehrere halbleiterchips enthaltende vorrichtung mit einem metall-kunstharz-gehaeuse
US4783428A (en) * 1987-11-23 1988-11-08 Motorola Inc. Method of producing a thermogenetic semiconductor device

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4118255A1 (de) * 1991-06-04 1992-12-10 Itt Ind Gmbh Deutsche Monolithisch integrierter sensorschaltkreis in cmos-technik
EP0540926A1 (de) * 1991-11-04 1993-05-12 Motorola, Inc. Schutzschaltung auf einem Leiter einer Leistungsanordnung
EP0546731A1 (de) * 1991-12-10 1993-06-16 Fuji Electric Co. Ltd. Innere Leiterstruktur einer Halbleiteranordnung
US5410450A (en) * 1991-12-10 1995-04-25 Fuji Electric Co., Ltd. Internal wiring structure of a semiconductor device
FR2690274A1 (fr) * 1992-04-15 1993-10-22 Motorola Semiconducteurs Boîtier pour dispositif à semiconducteur et procédé de formation de boîtier pour dispositif à semiconducteur.
EP0566921A1 (de) * 1992-04-18 1993-10-27 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Halbleiterbaugruppe, insbesondere Fernsteuer-Empfangsmodul
EP0696818A3 (de) * 1994-08-12 1997-07-02 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit isolierendem Gehäuse
WO1996008842A1 (en) * 1994-09-15 1996-03-21 National Semiconductor Corporation Electronic system circuit package
US5668383A (en) * 1994-11-10 1997-09-16 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Semiconductor device for bidirectional non-conducted optical data transmission
DE4440088A1 (de) * 1994-11-10 1996-05-15 Telefunken Microelectron Halbleiterbaugruppe für die bidirektionale, leitungsungebundene, optische Datenübertragung
DE19529785A1 (de) * 1995-04-14 1996-10-17 Abb Management Ag Leistungshalbleitermodul
US5844779A (en) * 1995-04-27 1998-12-01 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor package, and semiconductor device using the same
DE19612515A1 (de) * 1995-11-24 1997-05-28 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul-System
DE19604614A1 (de) * 1996-02-08 1997-08-14 Bayerische Motoren Werke Ag Elektronisches Steuergerät mit einem Gehäuse
DE19624478A1 (de) * 1996-02-08 1998-01-02 Bayerische Motoren Werke Ag Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Steuergeräts
US5887342A (en) * 1996-02-08 1999-03-30 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Method for making an electronic control unit
DE10205563A1 (de) * 2002-02-11 2003-08-28 Advanced Micro Devices Inc Halbleiter-Die-Packung mit zwei Die-Paddles
DE10205563B4 (de) * 2002-02-11 2009-06-10 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Gehäustes Halbleiterbauelement mit zwei Die-Paddles sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1507291A2 (de) * 2003-08-14 2005-02-16 International Rectifier Corporation Leistungsmodul für Halbleiterrelais
EP1507291A3 (de) * 2003-08-14 2009-07-29 Siliconix Technology C.V. Leistungsmodul für Halbleiterrelais
DE102004025773A1 (de) * 2004-05-26 2006-01-05 Siemens Ag Elektronisches Bauelement
DE102004025773B4 (de) * 2004-05-26 2008-08-21 Siemens Ag Elektronisches Bauelement mit thermisch voneinander isolierten Bereichen
WO2006024626A2 (de) * 2004-08-31 2006-03-09 Siemens Aktiengesellschaft Elektrische baugruppe
WO2006024626A3 (de) * 2004-08-31 2007-02-01 Siemens Ag Elektrische baugruppe
US8174097B2 (en) 2004-08-31 2012-05-08 Continental Automotive Gmbh Electric sub-assembly
DE102006021412B3 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
CN101071809B (zh) * 2006-05-09 2011-08-03 塞米克朗电子有限及两合公司 功率半导体模块
EP1855319A3 (de) * 2006-05-09 2008-05-28 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Leistungshalbleitermodul
DE102007017546A1 (de) * 2007-04-10 2008-10-30 Qimonda Ag Multichipmodul
US7872350B2 (en) 2007-04-10 2011-01-18 Qimonda Ag Multi-chip module
DE102007017546B4 (de) * 2007-04-10 2012-10-25 Qimonda Ag Mehrzahl von Multichipmodulen und Verfahren zur Herstellung
US20110299250A1 (en) * 2010-06-03 2011-12-08 Yazaki Corporation Wiring substrate and manufacturing method thereof
US9888558B2 (en) * 2010-06-03 2018-02-06 Yazaki Corporation Wiring substrate and manufacturing method thereof
US9980364B2 (en) 2010-06-03 2018-05-22 Yazaki Corporation Wiring substrate and manufacturing method thereof
US9349628B2 (en) 2013-02-25 2016-05-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method and an alignment plate for engaging a stiffener frame and a circuit board

Also Published As

Publication number Publication date
DE4031051C2 (de) 1997-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4031051C2 (de) Modul mit mindestens einem Halbleiterschaltelement und einer Ansteuerschaltung
DE102006025453B4 (de) Halbleiterschaltungsanordnung
DE19939933B4 (de) Elektronische Leistungs-Moduleinheit
DE4430047C2 (de) Leistungs-Halbleitermodul mit verbessertem Wärmehaushalt
DE102005024900B4 (de) Leistungsmodul
DE4420698C2 (de) Adapter zur elektrischen Verbindung von optoelektronischen Bauelementen mit einer Leiterplatte
DE2603575C2 (de) Einsteckmodul für eine elektronische Einrichtung
EP2525397B1 (de) Leistungshalbleiter
DE10313917B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102008006835A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE29620596U1 (de) Sockel für eine integrierte Schaltung
EP1450404A2 (de) Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102013100701B4 (de) Halbleitermodulanordnung und verfahren zur herstellung einer halbleitermodulanordnung
DE69907590T2 (de) Halbleitermodul
EP1183916A1 (de) Intelligentes leistungsmodul in sandwich-bauweise
DE69118591T2 (de) Anschlussanordnung für einen auf einer Leiterplatte angeordneten Chip
DE69017322T2 (de) Modultyp-Halbleiteranordnung von hoher Leistungskapazität.
DE3903615C2 (de)
DE202020106792U1 (de) Umrichtervorrichtung
DE19960013A1 (de) Gehäuse für Hochstrom-Bauleiterteile
DE10123198A1 (de) Anordnung aus einem Gehäuse und einem Schaltungsträger
DE10055177B4 (de) Elektronisches Bauelement mit einem Halbleiter, insbesondere einem Leistungshalbleiter, mit Trennwänden zwischen den Anschlussstiften
DE3545253C2 (de)
DE102005001151B4 (de) Bauelementanordnung zur Serienschaltung bei Hochspannungsanwendungen
DE8913465U1 (de) Modul mit mindestens einem Halbleiterschaltelement und einer Ansteuerschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8120 Willingness to grant licences paragraph 23
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 23/62

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: MICRONAS MUNICH GMBH, 81541 MUENCHEN, DE

8339 Ceased/non-payment of the annual fee