JP3167194B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP3167194B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子の冷却用
の電子冷却型素子が設けられた固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】特開昭60−220965の公報には、
ペルチェ素子のような電子冷却型素子を備えた固体撮像
装置が記載されている。この従来例は、固体撮像素子の
受光部を電子冷却型素子上に配設して受光部を冷却する
ことにより、固体撮像素子の受光部で生じた電荷を転送
する際に発生する暗電流の低減を図るものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子冷却型
素子で固体撮像素子を冷却する場合、急冷によって固体
撮像素子が破壊されたり、特性が劣化する恐れがあっ
た。そこで、従来の固体撮像装置は電子冷却型素子の温
度変化を制御するコントローラを設けて、急冷による固
体撮像素子の破壊や特性の劣化を防いでいた。
【0004】しかしながら、コントローラを用いて電子
冷却型素子の温度変化を制御しても、固体撮像素子を均
一に冷却するような細かな調節は困難であった。このた
めに、均一に冷却できないために生ずる部分的な急冷に
よって、固体撮像素子の破壊や特性の劣化が発生した。
【0005】また、たとえコントローラを設けたとして
も、デバイス自身は急冷に対して何の保護もない。この
ため、コントローラが誤動作して電子冷却型素子の温度
が急激に変化した場合には、固体撮像素子の破壊や特性
の劣化が発生した。
【0006】本発明は、このような問題を解決して、冷
却時の温度制御性能に優れた固体撮像装置を提供するこ
とを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の固体撮像素装置は、固体撮像素子とこの固
体撮像素子を冷却する電子冷却素子の間に熱緩衝部材を
介在させている。熱緩衝部材には、熱伝導率の高い材料
をこの材料よりも熱伝導率の低い材料で挟み込んだ構造
の部材を用いている。また、熱伝導率の高い及び低い材
料及びこれらの材料の厚みは、固体撮像素子の冷却速度
が緩和され且つ固体撮像素子の冷却が均一化されるよう
に設定される。ここで、冷却速度は好適には5℃/mi
n以下である。また、熱伝導率の低い材料は、熱伝導率
の高い材料よりも熱伝導率が好適には3桁以上低く、そ
の厚みは数百μmに設定される。
【0008】
【作用】本発明の固体撮像装置によれば、固体撮像素子
と電子冷却素子の間に、熱伝導率の高い材料をこの材料
よりも熱伝導率の低い材料で挟み込んだサンドイッチ構
造の熱緩衝部材を介在させている。この熱緩衝部材の熱
伝導率の低い材料によって固体撮像素子の冷却速度が低
下し、熱緩衝部材の熱伝導率の高い材料によって固体撮
像素子の冷却が均一化される。特に、熱伝導率の高い材
料が熱伝導率の低い材料に挟まれているので、一方の熱
伝導率の低い材料から伝導される温度の低下は、他方の
熱伝導率の低い材料に伝導される前に、熱伝導率の高い
材料内で十分に伝導される。このため、温度低下の均一
化が促進される。
【0009】
【実施例】以下、添付図面を用いて、本発明の固体撮像
装置の一実施例について説明する。図1は本実施例の構
造を示す斜視図であり、図2は本実施例の構造を示す断
面図である。図1の斜視図に示すように、固体撮像装置
は、階段状の凹部11を有するAl2 3 を用いたセラ
ミック基板10と、セラミック基板10の凹部11内に
固定された固体撮像素子であるシリコン製のCCD20
と、セラミック基板10の凹部11上に設けられCCD
20を取り囲んだ熱緩衝部材30と、熱緩衝部材30の
上面に接合された電子冷却型素子であるペルチェ素子4
0を備えている。
【0010】図2の断面図からも判るように、セラミッ
ク基板10の凹部11の底面には開口部12が形成さ
れ、この開口部12を通過した光がCCD20の裏面に
照射される。CCD20の裏面は薄く削られており、受
光感度の向上が図られている。この結果、削られていな
い部分の厚さが約500μmであるのに対して、削られ
た部分の厚さは10〜20μmとなる。
【0011】熱緩衝部材30は3層のサンドイッチ構造
で、厚さが100〜200μmのポリイミド層31と厚
さが500〜800μmのポリイミド層33の間に、厚
さが約500μmのAl層32が挟み込まれている。ポ
リイミド層33の裏面はCCD20と接合されており、
接合面積は約1.2cm×1.2cmとなる。
【0012】CCD20を冷却するためにペルチェ素子
40に電流を流すと、ペルチェ素子40は約−40℃に
急冷する。ペルチェ素子40の裏面にはポリイミド層3
1が接合されており、ポリイミド層31の冷却が行われ
る。ポリイミド層31は熱伝導率の低い材料なので、冷
却は徐々に行われる。
【0013】ポリイミド層31の裏面にはAl層32が
接合されており、Al層32もポリイミド層31の冷却
に合わせて冷却される。Al層32は熱伝導率の高い材
料なので、Al層32全体が均一な温度となる。つま
り、ペルチェ素子40の温度冷却にむらがあってポリイ
ミド層31の冷却が均一に行われない場合でも、Al層
32で温度冷却が均一化される。これは、Al層32の
下層のポリイミド層33が熱伝導率の低い材料なので、
Al層32によってポリイミド層33が冷却される前
に、Al層32内を冷気が十分に循環して均一に冷却さ
れるからである。また、Al層32は熱伝導率の低いポ
リイミド層31、33に挟まれているので、保温瓶と同
じ状態になり、冷気の循環が一層加速されて、Al層3
2の温度の均一化が促進される。
【0014】このようにAl層32が均一に冷却された
後に、ポリイミド層33が徐々に冷却される。ポリイミ
ド層33の裏面にはCCD20が接合されており、ポリ
イミド層33の冷却に合わせてCCD20が冷却され
る。ポリイミド層33の冷却はゆっくりと行われるの
で、CCD20の冷却も例えば5℃/min 以下の遅い温
度変化となる。このようにゆっくりとCCD20を冷却
することによって、大きな損傷を与えることなく、また
特性を劣化させることなくCCD20を冷却することが
できる。
【0015】本実施例の特徴である熱緩衝部材30は、
Al層32をポリイミド層31とポリイミド層33で挟
んだサンドイッチ構造を有している。Al層32の熱伝
導率は、2.38〔Wcm-1deg -1〕と高く、ポリイミド
層31、33の熱伝導率は、0.0012〔Wcm-1deg
-1〕と低い。熱緩衝部材30には、熱伝導率が近接した
別の材料を用いてもよく、この場合は、熱伝導率の違う
分だけ層の厚さを変えることにより、CCD20の冷却
速度を5℃/min 以下に抑えることができる。
【0016】なお、本発明は背面照射型のCCDに限定
されるものではなく、表面照射型のCCDであってもよ
い。
【0017】
【発明の効果】本発明の固体撮像装置であれば、熱緩衝
部材の熱伝導率の低い材料によって固体撮像素子の冷却
速度が緩和され、熱緩衝部材の熱伝導率の高い材料によ
って固体撮像素子の冷却が均一化される。このため、冷
却時の特性の劣化やデバイスの破壊を著しく減少でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】固体撮像装置の構造を示す斜視図である。
【図2】固体撮像装置の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
10…セラミック基板、20…CCD、30…熱緩衝部
材、31、33…ポリイミド層、32…Al層、40…
ペルチェ素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/38 H01L 23/36 H01L 27/146

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子冷却型素子により固体撮像素子を冷
    却する固体撮像装置において、前記電子冷却型素子と前
    記固体撮像素子の間に熱緩衝部材を介在させており、当
    該熱緩衝部材は熱伝導率の高い材料をこの材料よりも熱
    伝導率の低い材料で挟み込んだ構造の部材であり、前記
    熱伝導率の高い及び低い材料及びこれらの材料の厚み
    は、前記固体撮像素子の冷却速度が緩和され且つ前記固
    体撮像素子の冷却が均一化されるように設定されること
    を特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 前記冷却速度は、5℃/min以下であ
    ることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 前記熱伝導率の低い材料は、前記熱伝導
    率の高い材料よりも熱伝導率が3桁以上低く、その厚み
    は数百μmに設定されることを特徴とする請求項2に記
    載の固体撮像装置。
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JP2002033473A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体装置
JP2004134578A (ja) * 2002-10-10 2004-04-30 Hamamatsu Photonics Kk 光検出装置及びその製造方法
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