JP2745786B2 - Ｔａｂ半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はICの実装構造に関するものであり、特にTAB
（Tape Automated Bonding）−IC（半導体集積回路装
置）すなわちフィルムキャリア半導体素子を配線基板に
実装する実装構造に関するものである。

従来の技術 従来のTAB−ICの実装構造としては、例えば、特開平
１−59841号公報に示されているものがある。第２図は
この従来のTAB−ICの実装構造の縦断面図を示すもので
あり、TAB−IC9はヒートシンク10に接続され、治具11に
より支えられている。12は基板、13,14はネジ、15はフ
ィルムキャリアリードである。

発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構造では、治具11は単にTA
B−IC9を支えるだけの形状でしかないので、TAB−IC9が
発生する熱が治具11に伝わっても、治具11から外気へ熱
を効率良く放出することができないという欠点があり、
結局、TAB−IC9の発生する熱の大半はTAB−IC9の上部に
取付けられたヒートシンク10より放出する必要があり、
ヒートシンク10は大きくなってしまうという欠点があっ
た。本発明はかかる点に鑑み、TAB−ICの発生する熱を
効率良く外気に放出することにより、ヒートシンクを小
さくし、ひいては実装密度を高くすることを目的とす
る。

課題を解決するための手段 配線基板に実装されるTAB半導体素子の上面および下
面にヒートシンクを設置したTAB半導体装置であって、T
AB半導体素子の上面に設置されたヒートシンクは、熱伝
導性と絶縁性とを有した接着剤によりTAB半導体素子の
回路面に接着され、配線基板に接続されるTAB半導体素
子のリードはＬ字に曲げられていることを特徴とするTA
B半導体装置である。

作用 本発明は前記した構造であるため、TAB−ICの発生す
る熱はTAB−ICの上に接続されたヒートシンクに伝わり
外気に効率良く放出すると同時に、TAB−ICの下にある
ヒートシンクにも伝わり、外気に効率良く放出される。

実施例 第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。TAB−I
C1はヒートシンク形状をしたブロック２に熱伝導性の良
好な接着剤３（例えば、Ag入りのエポキシ樹脂、半田
等）で接着される。熱応力等の力を吸収できるようにＬ
字に折り曲げられたTAB−IC1のリード４は配線基板５の
接続パッド６に半田付け等で接続される。そして、熱伝
導性の良好な絶縁性の接着剤８（例えばBN入りシリコー
ン樹脂等）により、TAB−IC1の回路面にヒートシンク７
を接着すると共に、TAB−IC1およびTAB−IC1とリード４
との接続部を保護する。以上説明したようにこの実施例
によれば、TAB−IC1の発生する熱は接着剤８を通し上部
のヒートシンク７に伝わり外気に効率良く放出されると
同時に、接着剤３を通し下部のブロック２に伝わる。ブ
ロック２はヒートシンク形状をしているため、ブロック
２に伝わった熱は効率良く外気に放出される。つまり、
TAB−IC1の発生する熱は上下から効率良く放出すること
ができ、ヒートシンク７は小さくすることができる。そ
の結果、専有面積を小さいでき、実装密度を高くするこ
とができる。なお、以上の実施例ではTAB−ICの回路面
は上向きであるが、下向きでも良く、その場合、接着剤
３は絶縁性になり、接着剤８は絶縁性である必要はなく
なる。

発明の効果 以上説明したように本発明によれば、TAB−ICの放熱
効率を上げ、実装密度を高くすることができ、その実用
効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるTAB−ICの実装構造
の縦断面図、第２図は同従来構造の縦断面図である。 １……TAB−IC、２……ブロック、3,8……接着剤、４…
…リード、７……ヒートシンク。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】配線基板に実装されるTAB半導体素子の上
   面および下面にヒートシンクを設置したTAB半導体装置
   であって、前記TAB半導体素子の上面に設置されたヒー
   トシンクは、熱伝導性と絶縁性とを有した接着剤により
   前記TAB半導体素子の回路面に接着され、前記配線基板
   に接続される前記TAB半導体素子のリードはＬ字に曲げ
   られていることを特徴とするTAB半導体装置。