JPH01270335A

JPH01270335A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH01270335A
Application number: JP9938788A
Authority: JP
Inventors: Masayoshi Yoshimura; 吉邑　昌義
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1988-04-22
Filing date: 1988-04-22
Publication date: 1989-10-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体装置、特に、ペレットの放熱技術に関
するもので、例えば、多ピン、低熱抵抗で、小型かつ低
価格化が要求される半導体集積回路装置（以下、ＩＣと
いう、）に利用して有効なものに関する。

〔従来の技術〕

低価格で、作業性良くして、薄形の実装を実現するため
のパッケージを備えているＩＣとして、ペレットとリー
ド群とがテープ・オートメイテッド・ボンディング（Ｔ
ａｐｅ　　ＡｕＬｏｍａｔｅｄ　　ＢｏｎｄＩｎｇ：Ｔ
ＡＢ）により機械的かつ電気的に接続されるように構成
されているもの（以下、ＴＡＢ構造のＩＣということが
ある。）がある。すなわち、リード群はポリイミド等の
ような絶縁性樹脂からなるキャリアテープ上に銅等のよ
うな導電材料を用いて付設されている。ペレットはこの
テープに形成されているサポートリング内に各バンブが
各リードに整合するように配されて、バンブおよびリー
ドをボンディング工具により熱圧着されることによって
接続される。その後、封止樹脂がサポートリング、リー
ドおよびペレットを封止するようにボッティングされる
ことにより、樹脂封止パッケージが成形される。

なお、ＴＡＢ技術を述べである例としては、株式会社工
業調査会発行「電子材料１９８７年１１月号別冊」昭和
６２年Ｉｆ月２０日発行ＰＩ３０〜Ｐ１３６、がある。

また、所謂パワー＋ｃ等のような消費電力が大きいＩＣ
においては、パッケージにヒートシンクを内蔵すること
が行われている。

なお、ヒートシンクが内蔵されているパワーＩＣを述べ
である例としては、日経マグロウヒル社発行「別冊マイ
クロデバイセズＮ１１２Ｊ昭和５９年６月ｌ１日発行　
Ｐ１３５、がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述したようなＴＡＢ構造のＩＣにおいて、消費電力が
大きい場合、ヒートシンクを付設することが考えられる
が、前述したようなＴＡＢ構造のＩＣの構成上の特徴か
ら、ヒートシンクの付設については多くの制限があるた
め、極一部のコンピュータの中央処理ユニットに使用さ
れるＩＣにしか適用されていないのが現状である。

また、ＴＡＢ構造のｌＣにおいては、熱抵抗を小さくす
るために、ヒートシンクをペレットに付けたままの構造
にすると、リード群が細く機械的に弱いため、プリント
配線基Ｊ＆に実装された後において、移送中の振動等に
よる外力がこのＩＣに加わると、リード曲がり事故が起
き易く、短絡不良や、断線不良等が発生するという問題
点があることが、本発明者によって明らかにされた。

また、ＩＣのバフケージにヒートシンクを内蔵する技術
は、パッケージの外形的制限を受けるため、パッケージ
の外形についての設計に自由度のあるピン（リード）数
の少ないＩＣにのみ適用されているのが現状である。

しかし、ＩＣの多機能化、高集積化、高速化が進む最近
、ピン数の多いＩＣについても、熱放散性の良好なヒー
トシンク内蔵形パッケージを備えているＩＣの開発が要
望されている。

本発明の目的は、生産性および実装性良好かつ低価格に
して、小型化および多ピン化を促進することができると
ともに、高い放熱性能を得ることができる半導体装置を
提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、リード群にペレットをテープ・オートメイテ
ッド・ボンディングするとともに、このペレットの裏面
にヒートシンクを付設し、これらペレットと、リードの
一部と、ヒートシンクの一部とを樹脂封止パッケージに
より樹脂封止し、さらに、この樹脂封止パッケージから
補強用部材を突設させるようにしたものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、ペレットがリード群にテープ・
オートメイテッド・ボンディングされるため、多ビン化
することができるとともに、実装性および生産性を高め
ることができる。

また、ペレット、リード群およびヒートシンクは樹脂封
止パッケージにより樹脂封止されており、かつ、樹脂封
止パッケージから補強用部材が突設されているため、こ
の半導体装置がプリント配線基板に実装される時や、実
装された後において、移送中の振動等による外力がこの
半導体装置に加わった場合においても、リード曲がり等
のような事故が起きるのを防止することができ、その結
果、短絡不良や、断線不良の発生のを未然に回避するこ
とができる。

しかも、ペレットにヒートシンクが直接的に接触されて
いるため、ペレットの発熱はこのヒートシンクを経て外
部に直接的に放出されることになる。これにより、充分
な放熱性能が確保されるため、ＴＡＢ構造のＩＣ等にお
いても充分満足し得る低熱抵抗化を実現させることがで
きる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す一部
切断正面図、第２図はその外観斜視図、第３図はその製
造途中を示す一部省略平面図、第４図はインナリードボ
ンディング作業を示す縦断面図、第５図はヒートシンク
取り付は作業を示す縦断面図、第６図は樹脂封止パッケ
ージ成形作業を示す一部省略縦断面図、第７図はパッケ
ージ成形後を示す一部省略平面図、第８図はその半導体
装置の実装状態を示す縦断面図、第９図はその斜視図で
ある。

本実施例において、本発明に係る半導体装置は表面実装
形の樹脂封止パッケージを備えているＩＣとして構成さ
れている。このＩＣＩのパッケージ１日は略正方形の平
盤形状に形成されており、このバフケージの４側面の下
端辺付近からリード群のアウタ部１０が複数本宛突設さ
れているとともに、パフケージの４隅から補強用部材Ｉ
Ｉが突設されている。このＩＣＩはリード８群にベレッ
）１２がテープ・オートメイテッド・ボンディングされ
ているとともに、このベレットの裏面にヒートシンク１
６が付設されており、これらベレッ樹脂封止パンケージ
１８により樹脂封止されており、さらに、この樹脂封止
パッケージから補強用部材が前記のように突設されてい
る。そして、このＩＣは以下に述べるような製造方法に
よって製造されている。

以下、本発明の一実施例である表面実装形樹脂封止パッ
ケージを備えているＩＣの製造方法を説明する。この説
明により、前記ＩＣについての構成の詳細が明らかにさ
れる。

本実施例において、ＩＣＩはそのベレットとリード群と
がテープ・オートメイテッド・ボンディングにより機械
的かつ電気的に接続されている。

すなわち、キャリア用のテープ２はポリイミド等のよう
な絶縁性樹脂を用いて、同一パターンが長手方向に連続
するように一体成形されている。但し、説明および図示
は一単位だけについて行われている。キャリアテープ２
における幅方向の両側端辺部にはピッチ送りに使用され
る送り孔３が等ピッチに配されて開設されており、両側
の送り孔群間にはサポートリング４が等ピッチをもって
１列縦隊に配されて形成されている。サポートリング４
は略正方形の枠形状に形成されており、その枠の内側空
所には後記するベレットを収容するためのベレット収容
部５が実質的に構成されている。

サポートリング４の外側空所６には保持部材７が四隅に
配されて、サポートリング４を保持するように一体的に
架設されている。

集積回路を電気的に外部に引き出すためのり一部８は複
数本が、キャリアテープ２の片側平面（以下、第１生面
とする。）上に配されて、銅箔等のような導電性材料を
用いて溶着や接着等のような適当な手段により固定的に
付設されている。

リード８群はサポートリング４における４辺に分けられ
て、サポートリング４を径方向に貫通するように配設さ
れており、各リード８同士が互いに電気的に非接続にな
るように形成されている。各リード８におけるベレット
収容部５内に突き出された内側先端部によってインナ部
としてのインナリード９が構成されており、各リード８
における外側空所６を横断して外方に突き出された外側
端部によってアウタ部としてのアウタリード１０が構成
されている。アウタリード１０はキャリアテープ２上に
固着されており、リード８群の表面にはソルダビリティ
−を高めるために錫めっき膜（図示せず）が被着されて
いる。

本実施例において、キャリアテープ２には補強用部材１
１群が第１主面上に電気的接続用のリード８群と同時に
製作されて、固定的に付設されており、補強用部材１１
は８本のものがサポートリング４における４隅にそれぞ
れ２本宛配されている。各隅の２本の補強用部材１１は
略り字形状に配されて互いに一体的に連結されており、
それらの内側端がサポートリング４の内縁付近に、外側
端がサポートリング４の外側空所６の外部にそれぞれ位
置するように構成されている。

一方、詳細な説明は省略するが、このＩＣＩに使用され
るベレッ）１２は半導体装置の製造工程における所謂前
工程において、ウェハ状態にて所望の集積回路を適宜作
り込まれる。そして、集積回路（図示せず）が作り込ま
れたペレット１２はサポートリング４のペレット収容部
５に収容され得る略正方形の小片にグイシングされてお
り、その−平面（以下、第１主面とする。）における周
辺部には全系材料を用いて形成されたバンブ１３が複数
個、キャリアテープ２における各インナリード９に整合
し得るように配されて突設されている。

リード８群にペレット１２がインナリードボンディング
される際、キャリアテープ２は複数のスプロケット（図
示せず）間に張設されて一方向に間欠送りされる。そし
て、張設されたキャリアテープ２の途中に配設されてい
るインナリードボンディングステージにおいて、第４図
に示されているようにペレット１２はペレット収容部５
内にサポートリング４の下方から収容されるとともに、
各バンブ１３を各インナリード９にそれぞれ整合されて
ボンディング工具１４により熱圧着されることにより、
キャリアテープ２に組み付けられる。

すなわち、リード８の表面に被着されている錫めて、金
−錫の共晶が形成されるため、リード８のインナリード
９とバンブ１３とは一体的に結合されることになる。

本実施例において、第５図に示されているように、ペレ
ット１２の第２主面（裏面に相当する。

）にはヒートシンク１６が接着材層１５により機械的に
固着される。このヒートシンク１６は銅等のような熱伝
導性の良好な材料を用いて、ペレット１２の平面形状に
対して大きめに形成されており、ヒートシンク１６のベ
レット取付面には環状溝１７が複数条（本実施例におい
ては、２条）がペレット１２の外方に配されるとともに
、ペレット１２を取り囲むように形成されてそれぞれ没
設されている。そして、これら環状溝１７は後述する樹
脂封止パッケージ成形後において、リークバスを延長さ
せるとともに、樹脂と形状結合することにより、この樹
脂封止パッケージを備えているＩＣＩの耐湿性を高める
ことになる。

このようにして、ペレット１２とリード８群とがテープ
・オートメイテッド・ボンディングされるとともに、ヒ
ートシンク１６がペレット１２に結合されたキャリアテ
ープ２には、エポキシ樹脂等のような絶縁性樹脂からな
る樹脂封止パッケージ１８群が、第６図に示されている
ようなトランスファ成形装置３０を使用されて各ペレッ
ト１２について同時成形される。

第６図に示されているトランスファ成形装置はシリンダ
装置等（図示せず）によって互いに型締めされる一対の
上型３１と下型３２とを備えており、上型３１と下型３
２との合わせ面には上型キャビティー凹部３３ａと、下
型キャビティー凹部３３ｂとが互いに協働してキャビテ
ィー３３を形成するように複数組（１ｍｌ！のみが図示
されている。

）没設されている。上型３１の合わせ面にはポット３４
が開設されており、ボンド３４にはシリンダ装置（図示
せず）により進退されるプランジャ３５が成形材料とし
ての樹脂（以下、レジンという、）を送給し得るように
挿入されている。下型３２の合わせ面にはカル３６がポ
ット３４との対向位置に配されて没設されているととも
に、複数条のランナ３７がポット３４にそれぞれ接続す
るように放射状に配されて没設されている。各ランナ３
７の他端部は下側キャビティー凹部３３ｂにそれぞれ接
続されており、その接続部にはゲート３８がレジンをキ
ャビティー３３内に注入し得るように形成されている。

また、下型３２の合わせ面には逃げ凹所３９がテープ２
の厚みを逃げ得るように、テープ２の外形よりも若干大
きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法の一定深さに
没設されている。

前記構成にかかるキャリアテープ２を用いて樹脂封止形
パッケージ１８をトランスファ成形する場合、上型３１
および下型３２における各キャビティー３３はキャリア
テープ２におけるサポートリング４の空間にそれぞれ対
応される。

トランスファ成形時において、前記構成にかかるキャリ
アテープ２は下型３２に没設されている逃げ凹所３９内
に、各ペレット１２が各キャビティー３３内にそれぞれ
収容されるように配されてセットされる。続いて、上型
３１と下型３２とが型締めされ、ボット３４からプラン
ジ中３５によリレジン４０がランナ３７およびゲート３
８を通じて各キャビティー３３に送給されて圧入される
。

注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パッケージ１
日が成形されると、上型３１および下型３２は型開きさ
れるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）によりパ
ッケージ１８群が離型される。このようにして、第７図
に示されているように、パッケージ１８群を成形された
テープ２はトランスファ成形装置３０から脱装される。

そして、このよう′に樹脂成形されたパッケージ１８の
内部には、ペレット１２、リード８群のインナ部９およ
びサポートリング４と共に、ベレット１２の第２主面に
結合されたヒートシンク１６の一部、および補強用部材
１１の一部も樹脂封止されることになる。この状態にお
いて、ヒートシンク１６はそのペレット取付面とは反対
側の端面がパッケージ１８の表面から露出するようにな
っており、リード８群のアウタ部ｌＯおよび補強用角に
突出するようになっている。

このようにして樹脂封止パッケージ１８を成形されたＩ
ＣＩはキャリアテープ２に付設された状態のまま、電気
的特性試験等のような検査を受けた後、出荷される。

そして、出荷されたＩＣ１はキャリアテープ２に付設さ
れた状態のまま、または、樹脂封止パッケージ１８の外
方位置で切断されてキャリアテープ２から個別に分離さ
れた状態において、第７図に示されているように、プリ
ント配線基板２１上にヒートシンク１６を上向きにして
配され、アウタリード１０とランドパッド２２との間が
リフローはんだ処理される。このとき、リード８の表面
には錫めっき膜が被着されているため、ソルダビリティ
−は良好に行われる。

本実施例においては、電気的な接続を実行するリード８
群とランドパッド２２とのりフローはんだ処理ともに、
補強用部材１１についてのプリント配線基板２１に対す
る機械的接続処理が実行される。すなわち、プリント配
線基板２１上には補強用パッド２３が補強用部材１１に
対応するように配されて形成されており、ＩＣＩの電気
的接続用リード８群がプリント配線基板２１のランドパ
ッド２２群に整合されると、ＩＣＩの補強用部材１１が
補強用パッド２３にそれぞれ整合することになる。そし
て、リード８群とランドパッド２２とのりフローはんだ
処理と同様に、補強用部材１１と補強用パッド２３とが
リフローはんだ処理されると、ＩＣＩは補強用部材１１
によってプリント配線基板２１に機械的に強固に固定さ
れた状態になる。

ところで、補強用部材１１を有しない場合、テープ・オ
ートメイテッド・ボンディングを適正かつ精密に実行す
る必要上、テープ・オートメイテッド・ボンディングに
使用される電気的接続用のリードはきわめて薄く、かつ
、細く形成されているため、ＩＣに外力が加わると、き
わめて容易に変形されてしまう、このようなリード群の
変形は、断線不良や、短絡不良の原因になるため、未然
に回避する必要がある。

本実施例において、ＩＣ１は補強用部材ＩＩによってプ
リント配線基板２１に機械的に固定されているため、電
気的接続用リード８群の変形は防止されることになる。

すなわち、補強用部材１１はテープ・オートメイテッド
・ボンディングの実行には直接使用されないため、必要
に応じて幅広に設定することができる。つまり、厚さが
薄くても、補強用部材１１の機械的強度は大きく設定す
ることができるため、ＩＣ１に加わる外力に抗し得るよ
うに構成することができる。したがって、ＩＣＩに加わ
った外力がリード８群に作用するのをこの補強用部材１
１によって阻止することができるため、リード８群が当
該外力によって変形されるのを防止することができる。

これにより、断線不良や、短絡不良の原因になる電気的
接続用リード８群の変形が、未然に回避されることにな
る。

ここで、補強用部材１１は電気的接続用のリード８より
も短くなるように形成することが望ましい、なぜなら、
補強用部材１１が電気的接続用のリード８よりも短い場
合には、ＩＣＩに加わった外力が短い方のＪ＃１７！用
部材１１に優先的に作用することになるため、補強用部
材１１によって当該外力が電気的接続用のり−ド８に加
わるのを確実に防止することができるからである。

そして、必要に応じて、このＩＣＩにはヒートシンク１
６に放熱フィン（図示せず）が取り付けられたり、ヒー
トシンク１６が押さえ具（図示せず）によりプリント配
線基板２１に押さえられて固定されたりする。

この実装状態で、ＩＣＩが稼働されてペレット１２が発
熱した場合、その熱はペレット１２からヒートシンク１
６に直接的に熱伝導されるとともに、ヒートシンク１６
の広い表面積から外気に放熱されるため、相対的にペレ
ット１２は充分に冷却される。また、ヒートシンク１６
に放熱フィンや、押さえ具等が連設されている場合には
、ヒートシンク１６の熱が放熱フィンや、押さえ具等を
通じてさらに広い範囲に熱伝導されるため、放熱効果は
より一層高くなる。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（１）　　リード群にペレットをテープ・オートメイテ
ッド・ボンディングすることにより、小型軽量化および
多ピン化を促進することができるとともに、実装性およ
び生産性を高めることができるため、多ビンの半導体装
置においても、低価格化を実現することができる。

（２）　　ペレットの裏面にヒートシンクを付設するこ
とにより、ペレットの熱をヒートシンクに直接的に熱伝
導させることができるため、放熱性能を高めることがで
き、ＴＡＢ構造のＩＣ等においても低熱抵抗化を実現さ
せることができる。

（３）　　ペレット、リード群およびヒートシンクを樹
脂封止パッケージにより封止することにより、ＴＡＢ構
造の半導体装置であっても、充分満足し得る封止性能を
確保することができるとともに、アウタリードを樹脂封
止パッケージにより保定することができるため、その強
度を高めることができる。

（４）樹脂封止パッケージから補強用部材を突設すると
ともに、この半導体装置がプリント配線基板に実装され
る際に補強用部材をプリント配線基板に機械的に接続す
ることにより、実装された後、移送中の振動等による外
力がこの半導体装置に加わった場合において、当該外力
を補強用部材によって受けることができるため、当該外
力によって電気的接続用のリード曲がり等のような事故
が起きるのを防止することができ、その結果、短絡不良
や、断線不良の発生のを未然に回避することができる。

（５）　　Ｍｉ強用部材を電気的接続用のリードよりも
短くなるように形成することにより、半導体装置に加わ
った外力が短い方の補強用部材に優先的に作用すること
になり、当該外力が電気的接続用のリードに加わるのを
確実に防止することができるため、前記（４）のリード
曲がり防止効果を一層高めることができる。

（６）　　ヒートシンクのベレット搭Ｓ！面に環状溝を
ペレットを取り囲むように配して没設することにより、
樹脂封止パッケージ成形後において、当該環状溝をして
樹脂封止パッケージへの外部からの湿気の侵入に対する
リークパスを延長させることができるとともに、環状溝
と樹脂との形状結合により、パッケージの強度、および
耐湿性を高めることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、補強用部材はキャリアテープに予め付設してお
くように構成するに限らず、別体かつ別材質のものを後
に付設するように構成してもよい。

この場合、第１０図および第１１図に示されているよう
に、補強用部材１１Ａは肉厚等を増して機械的強度を高
めることができる。

また、補強用部材はサポートリングを延長する等して絶
縁材料により構成してもよい。

但し、キャリアテープにおけるサポートリングの省略を
妨げるものではない。

ペレットがリード群にインナボンディングされた後に、
ヒートシンクをペレットに付設させるように構成するに
限らず、インナボンディングと同時ないしは前に、ヒー
トシンクをペレットに付設させるように構成してもよい
。

また、ヒートシンクのベレット裏面への付設方法として
は、接着材による接着方法を使用するに限らず、金−シ
リコン共晶層による固着方法等を使用してもよい。

ヒートシンクの形状、大きさ、構造等は、要求される放
熱性能、実装形態（例えば、押さえ具や締結ボルトの使
用の有無等）、ペレットの性能、大きさ、形状、構造等
々の諸条件に対応して選定することが望ましく、必要に
応じて、放熱フィンやボルト挿通孔、雌ねじ等々を設け
ることができる。

また、ヒートシンクを形成する材料としては銅系材料を
使用するに限らず、アルミニューム系等のような熱伝導
性の良好な他の金属材料を使用することができる。特に
、炭化シリコン（Ｓｉｃ）等のように熱伝導性に優れ、
かつ、熱膨張率がペレットの材料であるシリコンのそれ
と略等しい材料を使用することが望ましい。

以上の説明では土として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である表面実装形樹脂封止
パッケージを備えたＩＣに適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、樹脂封止型パワ
ートランジスタや、その他の電子装置全般に適用するこ
とができる。

特に、小型軽量、多ビンで、しかも、低価格であり、高
い放熱性能が要求される半導体装置に利用して優れた効
果が得られる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

リード群にペレットをテープ・オートメイテツド・ボン
ディングすることにより、小型軽量化および多ピン化を
促進することができるとともに、実装性および生産性を
高めることができるため、多ビンの半導体装置において
も、低価格化を実現することができる。また、ペレット
の裏面にヒートシンクを付設することにより、ペレット
の熱をヒートシンクに直接的に熱伝導させることができ
るため、放熱性能を高めることができ、ＴＡＢ構造のＩ
Ｃ等においても低熱抵抗化を実現させることができる。

さらに、樹脂封止パッケージから補強用部材を突設する
とともに、この半導体装置がプリント配線基板に実装さ
れる際に補強用部材をプリント配線基板に機械的に接続
することにより、実装された後、振動等による外力がこ
の半導体装置に加わった場合において、当該外力を補強
用部材によって受けることができるため、当該外力によ
って電気的接続用のリード曲がり等のような事故が起き
るのを防止することができ、その結果、短絡不良や、Ｗ
ｒ線不良の発生のを未然に回避することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す一部
切断正面図、第２図はその外観斜視図、第３図はその製造途中を示す一部省略平面図、第４図は
インナリードボンディング作業を示す縦断面図、第５図はヒートシンク取り付は作業を示す縦断面図、第６図は樹脂封止パッケージ成形作業を示す一部省略縦
断面図、第７図はパフケージ成形後を示す一部省略平面図、第８図はその半導体装置の実装状態を示す縦断面図、第９図はその斜視図である。第１０図および第１１図は補強用部材の変形例を示す正
面断面図および斜視図である。１・・・ＴＡＢ構造のＩＣ（半導体装ｆｆ）、２川テー
プ、３・・・送り孔、４・・・サポートリング、５・・
・ベレット収容部、６・・・外側空所、７・・・保持部
材、８・・・リード、９・・・インナリード、１０・・
・アウタリード、Ｉｔ、ｌ’ｌＡ・・・補強用部材、１
２・・・ペレット、ｌ３・・・バンブ、１４・・・ボン
ディング工具、１５−・・接着材層、１６・・・ヒート
シンク、１７・・・環状溝、１８・・・パッケージ、２
１・・・プリント配線基板、２２・・・ランドパッド、
２３・・・補強用パッド、３０・・・トランスファ成形
装置、３１・・・上型、３２・・・下型、３３・・・キ
ャビティー、３４・・・ポット、３５・・・プランジャ
、３６・・・カル、３７・・・ランナ、３８・・・ゲー
ト、３９・・・凹所、４０・・・レジン。

Claims

【特許請求の範囲】１、リード群にペレットがテープ・オートメイテッド・
ボンディングされているとともに、このペレットの裏面
にヒートシンクが付設されており、これらペレットと、
リードの一部と、ヒートシンクの一部とが樹脂封止パッ
ケージにより樹脂封止されており、さらに、この樹脂封
止パッケージから補強用部材が突設されていることを特
徴とする半導体装置。２、補強用部材が、リード群のアウタ部よりも短くなる
ように形成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。３、補強用部材が、テープ・オートメイテッド・ボンデ
ィングされているリード群とは別の部材によって形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置。