JPH09237807A - 放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH09237807A JPH09237807A JP8067124A JP6712496A JPH09237807A JP H09237807 A JPH09237807 A JP H09237807A JP 8067124 A JP8067124 A JP 8067124A JP 6712496 A JP6712496 A JP 6712496A JP H09237807 A JPH09237807 A JP H09237807A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 126
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 79
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
- 238000004382 potting Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 54
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 18
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000272168 Laridae Species 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-YPZZEJLDSA-N lead-205 Chemical compound [205Pb] WABPQHHGFIMREM-YPZZEJLDSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-FTXFMUIASA-N lead-202 Chemical compound [202Pb] WABPQHHGFIMREM-FTXFMUIASA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱性樹脂封止型半導体装置における半導体
チップの裏面と放熱器との接着が樹脂の回り込みによっ
て不均一であった。 【解決手段】 半導体チップ５の側面に樹脂１０の回り
込み防止のための凸部５ａを設ける。半導体チップ５の
樹脂１０による封止後に、半導体チップ５の裏面にヒー
トスプレッダ１２を接着させる。
チップの裏面と放熱器との接着が樹脂の回り込みによっ
て不均一であった。 【解決手段】 半導体チップ５の側面に樹脂１０の回り
込み防止のための凸部５ａを設ける。半導体チップ５の
樹脂１０による封止後に、半導体チップ５の裏面にヒー
トスプレッダ１２を接着させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱性樹脂封止型
半導体装置、特に、フィルムキャリア型半導体素子を樹
脂封止した放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法に関
する。
半導体装置、特に、フィルムキャリア型半導体素子を樹
脂封止した放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、フィルムキャリア型半導体装置
においては、ポリイミド、ポリエステル、ガラスエポキ
シ等の絶縁フィルムに、搬送用スプロケット、位置決め
用スプロケット及び半導体素子搭載用開孔部（デバイス
ホールという）を設けたものをベースフィルムとし、こ
れに銅等の金属箔を接着してエッチングすることにより
所定形状のリード及び電気選別用パッドを形成する。次
に、このようにして形成されたフィルムキャリアテープ
のデバイスホール内に突出したリード（インナリードと
いう）と半導体素子（チップ）の金属突起物（バンプ）
とを熱圧着法もしくは共晶法によりインナリードボンデ
ィング（ＩＬＢ）し、この状態で電気選別及びバーイン
テスト（ＢＴ）を行う。次に、デバイスホールと反対側
のリード（アウタリードという）を所定長さで切断し、
たとえばプリント基板上のボンディングパッドにアウタ
リードボンディング（ＯＬＢ）して実装を完了する。
においては、ポリイミド、ポリエステル、ガラスエポキ
シ等の絶縁フィルムに、搬送用スプロケット、位置決め
用スプロケット及び半導体素子搭載用開孔部（デバイス
ホールという）を設けたものをベースフィルムとし、こ
れに銅等の金属箔を接着してエッチングすることにより
所定形状のリード及び電気選別用パッドを形成する。次
に、このようにして形成されたフィルムキャリアテープ
のデバイスホール内に突出したリード（インナリードと
いう）と半導体素子（チップ）の金属突起物（バンプ）
とを熱圧着法もしくは共晶法によりインナリードボンデ
ィング（ＩＬＢ）し、この状態で電気選別及びバーイン
テスト（ＢＴ）を行う。次に、デバイスホールと反対側
のリード（アウタリードという）を所定長さで切断し、
たとえばプリント基板上のボンディングパッドにアウタ
リードボンディング（ＯＬＢ）して実装を完了する。
【０００３】上述のフィルムキャリア型半導体装置にお
いても、半導体チップの発熱量が大きい場合には、図７
に示すごとく、ヒートシンクを設ける（参照：特開平４
−２４５４６２号公報）。すなわち、図７の（Ａ）に示
すごとく、フィルムキャリアテープ１０１のリード（イ
ンナリード）１０２に半導体チップ１０３のバンプ１０
４を接着させ、つまり、インナリードボンディングし、
この後に、これをヒートシンク１０５に接着剤１０６に
よって接続する。しかる後に、図７の（Ｂ）に示すごと
く、樹脂１０７によって封止してキュアにより硬化させ
る。
いても、半導体チップの発熱量が大きい場合には、図７
に示すごとく、ヒートシンクを設ける（参照：特開平４
−２４５４６２号公報）。すなわち、図７の（Ａ）に示
すごとく、フィルムキャリアテープ１０１のリード（イ
ンナリード）１０２に半導体チップ１０３のバンプ１０
４を接着させ、つまり、インナリードボンディングし、
この後に、これをヒートシンク１０５に接着剤１０６に
よって接続する。しかる後に、図７の（Ｂ）に示すごと
く、樹脂１０７によって封止してキュアにより硬化させ
る。
【０００４】しかしながら、図７の（Ａ）に示すごと
く、インナリードボンディングした直後では、半導体チ
ップ１０３は浮いた状態にあり、このとき、半導体チッ
プ１０３をヒートシンク１０５に接着させる際に、フィ
ルムキャリアテープ１０１に十分な荷重を印加すると、
リード１０２が変形しもしくは破損し、この結果。信頼
性は低下する。逆に、フィルムキャリアテープへの荷重
が不十分であると、ヒートシンク１０５の接着が不十分
となり、従って、放熱効果が低下して半導体チップ１０
３のクラック等を招く。
く、インナリードボンディングした直後では、半導体チ
ップ１０３は浮いた状態にあり、このとき、半導体チッ
プ１０３をヒートシンク１０５に接着させる際に、フィ
ルムキャリアテープ１０１に十分な荷重を印加すると、
リード１０２が変形しもしくは破損し、この結果。信頼
性は低下する。逆に、フィルムキャリアテープへの荷重
が不十分であると、ヒートシンク１０５の接着が不十分
となり、従って、放熱効果が低下して半導体チップ１０
３のクラック等を招く。
【０００５】従って、樹脂封止後にヒートシンク等の放
熱器を取付けることが好ましい。図８、図９は放熱器を
取付ける前に樹脂封止を行う従来の放熱性樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す。
熱器を取付けることが好ましい。図８、図９は放熱器を
取付ける前に樹脂封止を行う従来の放熱性樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す。
【０００６】図８の（Ａ）においては、フィルムキャリ
アテープ２０１とソルダレジスト２０２とによって挟ま
れたリード２０２のインナリードに半導体チップ２０４
のバンプ２０５をフェイスアップで接着させ、つまり、
インナリードボンディングする。次いで、図８の（Ｂ）
に示すように、液状の樹脂２０６によってボンディング
法もしくはスクリーン印刷法により封止してキュアによ
り硬化させる。図９の（Ａ）、（Ｂ）においては、フェ
イスダウンでインナリードボンディングした場合であ
る。
アテープ２０１とソルダレジスト２０２とによって挟ま
れたリード２０２のインナリードに半導体チップ２０４
のバンプ２０５をフェイスアップで接着させ、つまり、
インナリードボンディングする。次いで、図８の（Ｂ）
に示すように、液状の樹脂２０６によってボンディング
法もしくはスクリーン印刷法により封止してキュアによ
り硬化させる。図９の（Ａ）、（Ｂ）においては、フェ
イスダウンでインナリードボンディングした場合であ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８、
図９に示す放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法によ
れば、封止樹脂２０６の半導体チップ２０４の裏面への
回り込み２０６ａが発生する。この回り込み２０６ａの
量は、ポッティング法あるいはスクリーン印刷法の条
件、樹脂２０６の種類、粘度、半導体チップ２０４の側
面及び裏面状態等に依存するが、３０〜５０μｍ程度に
なることがある。従って、通常、半導体チップ２０４の
裏面に放熱器を接着させる際の接着剤の厚さは通常１０
〜２０μｍであることから、半導体チップ２０４の裏面
と放熱器との接着が不均一となり、この結果、低熱抵抗
化が図れず放熱効果が低下するという課題がある。
図９に示す放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法によ
れば、封止樹脂２０６の半導体チップ２０４の裏面への
回り込み２０６ａが発生する。この回り込み２０６ａの
量は、ポッティング法あるいはスクリーン印刷法の条
件、樹脂２０６の種類、粘度、半導体チップ２０４の側
面及び裏面状態等に依存するが、３０〜５０μｍ程度に
なることがある。従って、通常、半導体チップ２０４の
裏面に放熱器を接着させる際の接着剤の厚さは通常１０
〜２０μｍであることから、半導体チップ２０４の裏面
と放熱器との接着が不均一となり、この結果、低熱抵抗
化が図れず放熱効果が低下するという課題がある。
【０００８】従って、本発明の目的は、半導体チップの
裏面への封止樹脂２０６の回り込み２０６ａを防止する
ことにある。他の目的は、半導体チップと放熱器との接
着を均一にして放熱効果を向上せしめた放熱性樹脂封止
型半導体装置を提供することにある。
裏面への封止樹脂２０６の回り込み２０６ａを防止する
ことにある。他の目的は、半導体チップと放熱器との接
着を均一にして放熱効果を向上せしめた放熱性樹脂封止
型半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、半導体チップの側面に凸部を形成し、こ
の半導体チップの裏面への樹脂の回り込みを凸部によっ
て防止するように半導体チップを樹脂により封止する。
この樹脂封止後、半導体チップの裏面に放熱器を取り付
けるものである。これにより、半導体素子の裏面と放熱
器との接着は均一となる。
めに本発明は、半導体チップの側面に凸部を形成し、こ
の半導体チップの裏面への樹脂の回り込みを凸部によっ
て防止するように半導体チップを樹脂により封止する。
この樹脂封止後、半導体チップの裏面に放熱器を取り付
けるものである。これにより、半導体素子の裏面と放熱
器との接着は均一となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１〜図３は本発明に係る放熱性
樹脂封止型半導体装置の製造方法の第１の実施の形態を
示す断面図である。
樹脂封止型半導体装置の製造方法の第１の実施の形態を
示す断面図である。
【００１１】始めに、図１の（Ａ）を参照すると、ウエ
ハ１をダイシング用シート２上に貼付ける。次に、図１
の（Ｂ）を参照すると、第１回目のダイシングを行う。
すなわち、ブレード厚さＴ１が５０〜６０μｍのブレー
ド３を用いてウエハ１の厚さｔ１が５０〜１００μｍに
なるまでダイシングを行う。次に、図１の（Ｃ）を参照
すると、第２回目のダイシングを行う。すなわち、ブレ
ード厚さＴ１が２５〜３５μｍのブレード４を用いてダ
イシング用２の厚さｔ２が３０〜６０μｍになるまでダ
イシングを行う。このように、２工程カット法によりダ
イシングを行い、ウエハ１に段差１ａを形成し、この結
果、図１の（Ｄ）に示す凸部５ａを有する半導体チップ
５を得ることができる。この凸部５ａは、たとえば、幅
１２〜１８μｍ、高さ５０〜１００μｍであり、後述の
封止樹脂の半導体チップ５の裏面への回り込みを防止す
る。その後、紫外線照射等を行う。また、半導体チップ
５の表面には約１０〜３０μｍ厚さのＡｕ等のバンプ６
が形成される。なお、バンプ６の代りに約１〜２μｍ厚
さのＡｌ等のパッド電極を用いることもできる。
ハ１をダイシング用シート２上に貼付ける。次に、図１
の（Ｂ）を参照すると、第１回目のダイシングを行う。
すなわち、ブレード厚さＴ１が５０〜６０μｍのブレー
ド３を用いてウエハ１の厚さｔ１が５０〜１００μｍに
なるまでダイシングを行う。次に、図１の（Ｃ）を参照
すると、第２回目のダイシングを行う。すなわち、ブレ
ード厚さＴ１が２５〜３５μｍのブレード４を用いてダ
イシング用２の厚さｔ２が３０〜６０μｍになるまでダ
イシングを行う。このように、２工程カット法によりダ
イシングを行い、ウエハ１に段差１ａを形成し、この結
果、図１の（Ｄ）に示す凸部５ａを有する半導体チップ
５を得ることができる。この凸部５ａは、たとえば、幅
１２〜１８μｍ、高さ５０〜１００μｍであり、後述の
封止樹脂の半導体チップ５の裏面への回り込みを防止す
る。その後、紫外線照射等を行う。また、半導体チップ
５の表面には約１０〜３０μｍ厚さのＡｕ等のバンプ６
が形成される。なお、バンプ６の代りに約１〜２μｍ厚
さのＡｌ等のパッド電極を用いることもできる。
【００１２】次に、図２の（Ａ）を参照すると、フィル
ムキャリアテープ７とソルダレジスト８とによって挟ま
れたリード９のインナリードを半導体チップ５のバンプ
６に対応させてインナリードボンダにセットする。たと
えば、リード９は約２２〜３２μｍ厚さの銅箔で形成さ
れ、その表面は約０．２〜１．０μｍ厚さのＡｕメッキ
あるいは約０．２〜１．０μｍ厚さのＳｎメッキが施さ
れている。なお、このメッキ層はなくてもよい。次に、
図２の（Ｂ）を参照すると、インナリードボンダによっ
てインナリードボンディングを行う。この場合、電極が
バンプ６である場合には、一括（ギャング）方法あるい
はシングルポイント法によるインナリードボンディング
を行い、また、電極がパッド電極である場合には、シン
グルポイント法によるインナリードボンディングを行
う。次に、図２の（Ｃ）を参照すると、液状の樹脂１０
によってポッティング法もしくはスクリーン印刷法によ
り封止してキュアにより硬化させる。これにより、半導
体チップ５の保護とパッケージの強度を保つ。このと
き、封止樹脂１０の粘度は時間の経過と共に変化して封
止樹脂１０の流れは凸部５ａにより止まる。従って、封
止樹脂１０の半導体チップ５の裏面への回り込みは防止
できる。
ムキャリアテープ７とソルダレジスト８とによって挟ま
れたリード９のインナリードを半導体チップ５のバンプ
６に対応させてインナリードボンダにセットする。たと
えば、リード９は約２２〜３２μｍ厚さの銅箔で形成さ
れ、その表面は約０．２〜１．０μｍ厚さのＡｕメッキ
あるいは約０．２〜１．０μｍ厚さのＳｎメッキが施さ
れている。なお、このメッキ層はなくてもよい。次に、
図２の（Ｂ）を参照すると、インナリードボンダによっ
てインナリードボンディングを行う。この場合、電極が
バンプ６である場合には、一括（ギャング）方法あるい
はシングルポイント法によるインナリードボンディング
を行い、また、電極がパッド電極である場合には、シン
グルポイント法によるインナリードボンディングを行
う。次に、図２の（Ｃ）を参照すると、液状の樹脂１０
によってポッティング法もしくはスクリーン印刷法によ
り封止してキュアにより硬化させる。これにより、半導
体チップ５の保護とパッケージの強度を保つ。このと
き、封止樹脂１０の粘度は時間の経過と共に変化して封
止樹脂１０の流れは凸部５ａにより止まる。従って、封
止樹脂１０の半導体チップ５の裏面への回り込みは防止
できる。
【００１３】次に、図３の（Ａ）を参照すると、Ａｇペ
ーストもしくはエポキシ等の約１０〜２０μｍの接着剤
１１を半導体チップ５の裏面もしくはヒートスプレッタ
１２に塗布し、半導体チップ５とヒートスプレッタ１２
とを接着させる。ヒートスプレッタ１２は、厚さ約０．
１〜０．３μｍのＣｕコバール、Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ／Ｗ等
により製造されている。次に、図３の（Ｂ）を参照する
と、リード９のアウタリードを切断、成形し、後述のプ
リント基板１３等に実装できるガルウィング形状を得
る。最後に、図３の（Ｃ）を参照すると、リード９のア
ウタリードをプリント基板１３のアウタリード用パッド
１４に接続して実装を完了する。
ーストもしくはエポキシ等の約１０〜２０μｍの接着剤
１１を半導体チップ５の裏面もしくはヒートスプレッタ
１２に塗布し、半導体チップ５とヒートスプレッタ１２
とを接着させる。ヒートスプレッタ１２は、厚さ約０．
１〜０．３μｍのＣｕコバール、Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ／Ｗ等
により製造されている。次に、図３の（Ｂ）を参照する
と、リード９のアウタリードを切断、成形し、後述のプ
リント基板１３等に実装できるガルウィング形状を得
る。最後に、図３の（Ｃ）を参照すると、リード９のア
ウタリードをプリント基板１３のアウタリード用パッド
１４に接続して実装を完了する。
【００１４】このように、図１〜図３に示す本発明の第
１の実施の形態によれば、封止樹脂１０に対して半導体
チップ５の凸部５ａがダムとなり、この結果、封止樹脂
１０の半導体チップ５の裏面への回り込みは防止され
る。従って、ヒートスプレッタ１２を半導体チップ５の
裏面に安定的に取り付けることができる。
１の実施の形態によれば、封止樹脂１０に対して半導体
チップ５の凸部５ａがダムとなり、この結果、封止樹脂
１０の半導体チップ５の裏面への回り込みは防止され
る。従って、ヒートスプレッタ１２を半導体チップ５の
裏面に安定的に取り付けることができる。
【００１５】図４は本発明に係る放熱性樹脂封止型半導
体装置の製造方法の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。図４の（Ａ）においては、図１〜図３におけるプリ
ント基板１３への実装の前に、弾性部材としてのシリコ
ンラバー１５を接着剤１６によってプリント基板１３に
接着しておく。このシリコンラバー１５は封止樹脂１０
の直下に配置させてあるので、パッケージの重量を支え
る構造として作用し、この結果、リード９のアウタリー
ドのプリント基板１３への接着強度を安定化できる。図
４の（Ｂ）は、図２の（Ａ）の変形例であって、半導体
チップ５をフィルムキャリアテープ７に対してフェイス
ダウンでインタリードボンディングした点のみが異な
る。このように図４に示す発明の第２の実施の形態によ
れば、シリコンラバー１５によりアウタリードの構造を
安定化できる。なお、図４の（Ａ）、（Ｂ）において
は、シリコンラバー１５がヒートスプレッタ１２の装着
時の荷重を吸収できるので、プリント基板１３への実装
つまりアウトリードボンディングの後に、ヒートスプレ
ッタ１２を半導体チップ５に装着してもよい。
体装置の製造方法の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。図４の（Ａ）においては、図１〜図３におけるプリ
ント基板１３への実装の前に、弾性部材としてのシリコ
ンラバー１５を接着剤１６によってプリント基板１３に
接着しておく。このシリコンラバー１５は封止樹脂１０
の直下に配置させてあるので、パッケージの重量を支え
る構造として作用し、この結果、リード９のアウタリー
ドのプリント基板１３への接着強度を安定化できる。図
４の（Ｂ）は、図２の（Ａ）の変形例であって、半導体
チップ５をフィルムキャリアテープ７に対してフェイス
ダウンでインタリードボンディングした点のみが異な
る。このように図４に示す発明の第２の実施の形態によ
れば、シリコンラバー１５によりアウタリードの構造を
安定化できる。なお、図４の（Ａ）、（Ｂ）において
は、シリコンラバー１５がヒートスプレッタ１２の装着
時の荷重を吸収できるので、プリント基板１３への実装
つまりアウトリードボンディングの後に、ヒートスプレ
ッタ１２を半導体チップ５に装着してもよい。
【００１６】図５は本発明に係る放熱性樹脂封止型半導
体装置の第３の実施の形態を示す断面図である。図５に
おいては、図４の（Ａ）の実装後に、ヒートシンク１７
を接着剤１８によってヒートスプレッタ１２の上に装着
する。この場合にも、シリコンラバー１５がヒートシン
ク１７の装着時の荷重を吸収する。従って、リード１９
のアウタリードの構造を安定化できる。このように、図
５に示す本発明の第３の実施の形態によれば、半導体チ
ップ５がたとえば２０〜４０Ｗの高パワーであっても、
放熱効果を向上でき、従って、低熱抵抗化できる。
体装置の第３の実施の形態を示す断面図である。図５に
おいては、図４の（Ａ）の実装後に、ヒートシンク１７
を接着剤１８によってヒートスプレッタ１２の上に装着
する。この場合にも、シリコンラバー１５がヒートシン
ク１７の装着時の荷重を吸収する。従って、リード１９
のアウタリードの構造を安定化できる。このように、図
５に示す本発明の第３の実施の形態によれば、半導体チ
ップ５がたとえば２０〜４０Ｗの高パワーであっても、
放熱効果を向上でき、従って、低熱抵抗化できる。
【００１７】図６は本発明に係る放熱性樹脂封止型半導
体装置の第４の実施の形態を示す断面図である。図６に
おいては、リード１９のアウタリードの代わりに半田バ
ンプ１９を用い、この半田バンプ１９をプリント基板１
３のパッド１４に接続する。なお、半田バンプ１９は、
半田ボール供給法、スクリーン法ディスペンサ法、イン
ジェクション法、半田ワイヤを用いるボールボンディン
グ法等によって形成する。これにより、本発明はテープ
ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）にも適用できることに
なる。
体装置の第４の実施の形態を示す断面図である。図６に
おいては、リード１９のアウタリードの代わりに半田バ
ンプ１９を用い、この半田バンプ１９をプリント基板１
３のパッド１４に接続する。なお、半田バンプ１９は、
半田ボール供給法、スクリーン法ディスペンサ法、イン
ジェクション法、半田ワイヤを用いるボールボンディン
グ法等によって形成する。これにより、本発明はテープ
ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）にも適用できることに
なる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、封
止樹脂の半導体チップの裏面への回り込みを防止でき、
この結果、半導体チップへの放熱器の取付けが安定化で
き、従って、放熱効果の上昇及び低熱抵抗化を達成でき
る。
止樹脂の半導体チップの裏面への回り込みを防止でき、
この結果、半導体チップへの放熱器の取付けが安定化で
き、従って、放熱効果の上昇及び低熱抵抗化を達成でき
る。
【図１】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
【図２】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
【図３】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
【図４】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第２の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第２の実施の形態を示す断面図である。
【図５】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第３の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第３の実施の形態を示す断面図である。
【図６】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第４の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第４の実施の形態を示す断面図である。
【図７】第１の従来の放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図８】第２の従来の放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図９】第３の従来の放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
１…ウエハ １ａ…段差 ２…ダイシング用シート ３，４…ブレード ５…半導体チップ ５ａ…凸部 ６…バンプ ７…フィルムキャリアテープ ８…ソルダレジスト ９…リード １０…封止樹脂 １１…接着剤 １２…ヒートスプレッタ １３…プリント基板 １４…アウタリード用パッド １５…シリコンラバー １６…接着剤 １７…ヒートシンク １８…接着剤 １９…半田バンプ １０１…フィルムキャリアテープ １０２…リード １０３…半導体チップ １０４…バンプ １０５…ヒートシンク １０６…接着剤 １０７…封止樹脂 ２０１…フィルムキャリアテープ ２０２…ソルダレジスト ２０３…半導体チップ ２０４…リード ２０５…バンプ ２０６…封止樹脂 ２０６ａ…回り込み
【手続補正書】
【提出日】平成９年３月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】上述のフィルムキャリア型半導体装置にお
いても、半導体チップの発熱量が大きい場合には、図７
に示すごとく、ヒートシンクを設ける（参照：特開平４
−２４５４６２号公報）。すなわち、図７の（Ａ）に示
すごとく、フィルムキャリアテープ１０１のリード（イ
ンナリード）１０２に半導体チップ１０３のバンプ１０
４をインナリードボンディングし、さらに、半導体チッ
プ１０３をヒートシンク１０５に接着剤１０６によって
接続する。しかる後に、図７の（Ｂ）に示すごとく、樹
脂１０７によって封止してキュアにより硬化させる。
いても、半導体チップの発熱量が大きい場合には、図７
に示すごとく、ヒートシンクを設ける（参照：特開平４
−２４５４６２号公報）。すなわち、図７の（Ａ）に示
すごとく、フィルムキャリアテープ１０１のリード（イ
ンナリード）１０２に半導体チップ１０３のバンプ１０
４をインナリードボンディングし、さらに、半導体チッ
プ１０３をヒートシンク１０５に接着剤１０６によって
接続する。しかる後に、図７の（Ｂ）に示すごとく、樹
脂１０７によって封止してキュアにより硬化させる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】図８の（Ａ）においては、フィルムキャリ
アテープ２０１とソルダレジスト２０２とによって挟ま
れたリード２０３のインナリードに半導体チップ２０４
のバンプ２０５をフェイスアップで接着させ、つまり、
インナリードポッティングする。次いで、図８の（Ｂ）
に示すように、液状の樹脂２０６によってボンディング
法もしくはスクリーン印刷法により封止してキュアによ
り硬化させる。図９の（Ａ）、（Ｂ）においては、フェ
イスダウンでインナリードボンディングした場合であ
る。
アテープ２０１とソルダレジスト２０２とによって挟ま
れたリード２０３のインナリードに半導体チップ２０４
のバンプ２０５をフェイスアップで接着させ、つまり、
インナリードポッティングする。次いで、図８の（Ｂ）
に示すように、液状の樹脂２０６によってボンディング
法もしくはスクリーン印刷法により封止してキュアによ
り硬化させる。図９の（Ａ）、（Ｂ）においては、フェ
イスダウンでインナリードボンディングした場合であ
る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】始めに、図１の（Ａ）を参照すると、ウエ
ハ１をダイシング用シート２上に貼付ける。次に、図１
の（Ｂ）を参照すると、第１回目のダイシングを行う。
すなわち、ブレード厚さＴ１が５０〜６０μｍのブレー
ド３を用いてウエハ１の厚さｔ１が５０〜１００μｍに
なるまでダイシングを行う。次に、図１の（Ｃ）を参照
すると、第２回目のダイシングを行う。すなわち、ブレ
ード厚さＴ２が２５〜３５μｍのブレード４を用いてダ
イシング用シート２の厚さｔ２が３０〜６０μｍになる
までダイシングを行う。このように、２工程カット法に
よりダイシングを行い、ウエハ１に段差１ａを形成し、
この結果、図１の（Ｄ）に示す凸部５ａを有する半導体
チップ５を得ることができる。この凸部５ａは、たとえ
ば、幅１２〜１８μｍ、高さ５０〜１００μｍであり、
後述の封止樹脂の半導体チップ５の裏面への回り込みを
防止する。その後、紫外線照射等を行う。また、半導体
チップ５の表面には約１０〜３０μｍ厚さのＡｕ等のバ
ンプ６が形成される。なお、バンプ６の代りに約１〜２
μｍ厚さのＡｌ等のパッド電極を用いることもできる。
ハ１をダイシング用シート２上に貼付ける。次に、図１
の（Ｂ）を参照すると、第１回目のダイシングを行う。
すなわち、ブレード厚さＴ１が５０〜６０μｍのブレー
ド３を用いてウエハ１の厚さｔ１が５０〜１００μｍに
なるまでダイシングを行う。次に、図１の（Ｃ）を参照
すると、第２回目のダイシングを行う。すなわち、ブレ
ード厚さＴ２が２５〜３５μｍのブレード４を用いてダ
イシング用シート２の厚さｔ２が３０〜６０μｍになる
までダイシングを行う。このように、２工程カット法に
よりダイシングを行い、ウエハ１に段差１ａを形成し、
この結果、図１の（Ｄ）に示す凸部５ａを有する半導体
チップ５を得ることができる。この凸部５ａは、たとえ
ば、幅１２〜１８μｍ、高さ５０〜１００μｍであり、
後述の封止樹脂の半導体チップ５の裏面への回り込みを
防止する。その後、紫外線照射等を行う。また、半導体
チップ５の表面には約１０〜３０μｍ厚さのＡｕ等のバ
ンプ６が形成される。なお、バンプ６の代りに約１〜２
μｍ厚さのＡｌ等のパッド電極を用いることもできる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】次に、図３の（Ａ）を参照すると、Ａｇペ
ーストもしくはエポキシ等の約１０〜２０μｍの接着剤
１１を半導体チップ５の裏面もしくはヒートスプレッダ
１２に塗布し、半導体チップ５とヒートスプレッダ１２
とを接着させる。ヒートスプレッダ１２は、厚さ約０．
１〜０．３μｍのＣｕコバール、Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ／Ｗ等
により製造されている。次に、図３の（Ｂ）を参照する
と、リード９のアウタリードを切断、成形し、後述のプ
リント基板１３等に実装できるガルウィング形状を得
る。最後に、図３の（Ｃ）を参照すると、リード９のア
ウタリードをプリント基板１３のアウタリード用パッド
１４に接続して実装を完了する。
ーストもしくはエポキシ等の約１０〜２０μｍの接着剤
１１を半導体チップ５の裏面もしくはヒートスプレッダ
１２に塗布し、半導体チップ５とヒートスプレッダ１２
とを接着させる。ヒートスプレッダ１２は、厚さ約０．
１〜０．３μｍのＣｕコバール、Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ／Ｗ等
により製造されている。次に、図３の（Ｂ）を参照する
と、リード９のアウタリードを切断、成形し、後述のプ
リント基板１３等に実装できるガルウィング形状を得
る。最後に、図３の（Ｃ）を参照すると、リード９のア
ウタリードをプリント基板１３のアウタリード用パッド
１４に接続して実装を完了する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】このように、図１〜図３に示す本発明の第
１の実施の形態によれば、封止樹脂１０に対して半導体
チップ５の凸部５ａがダムとなり、この結果、封止樹脂
１０の半導体チップ５の裏面への回り込みは防止され
る。従って、ヒートスプレッダ１２を半導体チップ５の
裏面に安定的に取り付けることができる。
１の実施の形態によれば、封止樹脂１０に対して半導体
チップ５の凸部５ａがダムとなり、この結果、封止樹脂
１０の半導体チップ５の裏面への回り込みは防止され
る。従って、ヒートスプレッダ１２を半導体チップ５の
裏面に安定的に取り付けることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】図４は本発明に係る放熱性樹脂封止型半導
体装置の製造方法の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。図４の（Ａ）においては、図１〜図３におけるプリ
ント基板１３への実装の前に、弾性部材としてのシリコ
ンラバー１５を接着剤１６によってプリント基板１３に
接着しておく。このシリコンラバー１５は封止樹脂１０
の直下に配置させてあるので、パッケージの重量を支え
る構造として作用し、この結果、リード９のアウタリー
ドのプリント基板１３への接着強度を安定化できる。図
４の（Ｂ）は、図４の（Ａ）の変形例であって、半導体
チップ５をフィルムキャリアテープ７に対してフェイス
ダウンでインタリードボンディングした点のみが異な
る。このように図４に示す発明の第２の実施の形態によ
れば、シリコンラバー１５によりアウタリードの構造を
安定化できる。なお、図４の（Ａ）、（Ｂ）において
は、シリコンラバー１５がヒートスプレッダ１２の装着
時の荷重を吸収できるので、プリント基板１３への実装
つまりアウトリードボンディングの後に、ヒートスプレ
ッダ１２を半導体チップ５に装着してもよい。
体装置の製造方法の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。図４の（Ａ）においては、図１〜図３におけるプリ
ント基板１３への実装の前に、弾性部材としてのシリコ
ンラバー１５を接着剤１６によってプリント基板１３に
接着しておく。このシリコンラバー１５は封止樹脂１０
の直下に配置させてあるので、パッケージの重量を支え
る構造として作用し、この結果、リード９のアウタリー
ドのプリント基板１３への接着強度を安定化できる。図
４の（Ｂ）は、図４の（Ａ）の変形例であって、半導体
チップ５をフィルムキャリアテープ７に対してフェイス
ダウンでインタリードボンディングした点のみが異な
る。このように図４に示す発明の第２の実施の形態によ
れば、シリコンラバー１５によりアウタリードの構造を
安定化できる。なお、図４の（Ａ）、（Ｂ）において
は、シリコンラバー１５がヒートスプレッダ１２の装着
時の荷重を吸収できるので、プリント基板１３への実装
つまりアウトリードボンディングの後に、ヒートスプレ
ッダ１２を半導体チップ５に装着してもよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】図５は本発明に係る放熱性樹脂封止型半導
体装置の第３の実施の形態を示す断面図である。図５に
おいては、図４の（Ａ）の実装後に、ヒートシンク１７
を接着剤１８によってヒートスプレッダ１２の上に装着
する。この場合にも、シリコンラバー１５がヒートシン
ク１７の装着時の荷重を吸収する。従って、リード１９
のアウタリードの構造を安定化できる。このように、図
５に示す本発明の第３の実施の形態によれば、半導体チ
ップ５がたとえば２０〜４０Ｗの高パワーであっても、
放熱効果を向上でき、従って、低熱抵抗化できる。
体装置の第３の実施の形態を示す断面図である。図５に
おいては、図４の（Ａ）の実装後に、ヒートシンク１７
を接着剤１８によってヒートスプレッダ１２の上に装着
する。この場合にも、シリコンラバー１５がヒートシン
ク１７の装着時の荷重を吸収する。従って、リード１９
のアウタリードの構造を安定化できる。このように、図
５に示す本発明の第３の実施の形態によれば、半導体チ
ップ５がたとえば２０〜４０Ｗの高パワーであっても、
放熱効果を向上でき、従って、低熱抵抗化できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】図６は本発明に係る放熱性樹脂封止型半導
体装置の第４の実施の形態を示す断面図である。図６に
おいては、リード１９のアウタリードの代わりに半田バ
ンプ１９を用い、この半田バンプ１９をプリント基板１
３のパッド１４に接続する。なお、半田バンプ１９は、
半田ボール供給法、スクリーン法、ディスペンサ法、イ
ンジェクション法、半田ワイヤを用いるボールボンディ
ング法等によって形成する。これにより、本発明はテー
プボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）にも適用できること
になる。
体装置の第４の実施の形態を示す断面図である。図６に
おいては、リード１９のアウタリードの代わりに半田バ
ンプ１９を用い、この半田バンプ１９をプリント基板１
３のパッド１４に接続する。なお、半田バンプ１９は、
半田ボール供給法、スクリーン法、ディスペンサ法、イ
ンジェクション法、半田ワイヤを用いるボールボンディ
ング法等によって形成する。これにより、本発明はテー
プボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）にも適用できること
になる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
【図２】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
【図３】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第１の実施の形態を示す断面図である。
【図４】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第２の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第２の実施の形態を示す断面図である。
【図５】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第３の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第３の実施の形態を示す断面図である。
【図６】本発明に係る放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法の第４の実施の形態を示す断面図である。
造方法の第４の実施の形態を示す断面図である。
【図７】第１の従来の放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図８】第２の従来の放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図９】第３の従来の放熱性樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【符号の説明】 １…ウエハ １ａ…段差 ２…ダイシング用シート ３，４…ブレード ５…半導体チップ ５ａ…凸部 ６…バンプ ７…フィルムキャリアテープ ８…ソルダレジスト ９…リード １０…封止樹脂 １１…接着剤 １２…ヒートスプレッダ １３…プリント基板 １４…アウタリード用パッド １５…シリコンラバー １６…接着剤 １７…ヒートシンク １８…接着剤 １９…半田バンプ １０１…フィルムキャリアテープ １０２…リード １０３…半導体チップ １０４…バンプ １０５…ヒートシンク １０６…接着剤 １０７…封止樹脂 ２０１…フィルムキャリアテープ ２０２…ソルダレジスト ２０３…半導体チップ ２０４…リード ２０５…バンプ ２０６…封止樹脂 ２０６ａ…回り込み
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (16)
- 【請求項１】 半導体チップ（５）の側面に凸部（５
ａ）を形成する工程と、 該半導体チップの裏面への樹脂の回り込みを前記凸部に
よって防止するように前記半導体チップを前記樹脂（１
０）により封止する工程と、 前記樹脂封止後、前記半導体チップの裏面に放熱器（１
２）を取り付ける工程とを具備する放熱性樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 さらに、前記放熱器を取り付けた後に、
実装基板（１３）に取り付ける工程を具備する請求項１
に記載の放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記実装基板（１３）に弾性部材（１
５）を予め装着し、前記実装基板の取付工程は前記半導
体チップに前記弾性部材に対向せしめて取付ける請求項
２に記載の放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記実装基板の取付工程は前記半導体チ
ップに接続されたリード（９）のアウタリードボンディ
ングによって取付ける請求項２に記載の放熱性樹脂封止
型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記実装基板の取付工程は前記半導体チ
ップに接続されたリード（９）に設けられた半田バンプ
（１９）によって取付ける請求項２に記載の放熱性樹脂
封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 ウエハ（１）から２工程ダイシング法に
より凸部（５ａ）を裏面側の側面に有する半導体チップ
（５）を切出す工程と、 該半導体チップにフィルムキャリアに搭載されたリード
（９）をインナリードボンディングする工程と、 前記半導体チップの裏面への樹脂の回り込みを前記凸部
によって防止するように前記半導体チップを前記樹脂に
より封止する工程と、 前記樹脂封止後に、前記半導体チップの裏面にヒートス
プリッタ（１２）を装着させる工程とを具備する放熱性
樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 さらに、前記ヒートスプリッタ（１３）
に前記リードをアウタリードボンディングする工程を具
備する請求項６に記載の放熱性樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項８】 前記実装基板は前記半導体チップに対向
して設けられる弾性部材（１５）を有する請求項７に記
載の放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 さらに、前記ヒートスプリッタ（１３）
に前記リードに設けられた半田バンプ（１９）を取付け
る工程を具備する請求項６に記載の放熱性樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記実装基板は前記半導体チップに対
向して設けられる弾性部材（１５）を有する請求項９に
記載の放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 さらに、前記ヒートスプレッタの上に
ヒートシンク（１７）を装着する工程を具備する請求項
６に記載の放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 凸部（５ａ）を裏面側の側面に有する
半導体チップ（５）と、 フィルムキャリアテープ（７）上に設けられ、前記半導
体チップにインナリードボンディングされたリード
（９）と、 前記半導体チップの表面側及び前記リードを封止する樹
脂部材（１０）と、 前記半導体チップの裏面に装着された放熱器（１２，１
７）とを具備する放熱性樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１３】 さらに、前記リードにアウタリードボ
ンディングされた実装基板（１３）を具備する請求項１
２に記載の放熱性樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１４】 さらに、前記実装基板上に前記半導体
チップに対応して設けられた弾性部材（１５）を具備す
る請求項１３に記載の放熱性樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１５】 さらに、前記リードに設けられた半田
バンプ（１９）に接続された実装基板（１３）を具備す
る請求項１２に記載の放熱性樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１６】 さらに、前記実装基板上に前記半導体
チップに対応して設けられた弾性部材（１５）を具備す
る請求項１５に記載の放熱性樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8067124A JP3070473B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 半導体装置の実装方法及び構造 |
| US08/808,531 US5789820A (en) | 1996-02-28 | 1997-02-28 | Method for manufacturing heat radiating resin-molded semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8067124A JP3070473B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 半導体装置の実装方法及び構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09237807A true JPH09237807A (ja) | 1997-09-09 |
| JP3070473B2 JP3070473B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=13335852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8067124A Expired - Lifetime JP3070473B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 半導体装置の実装方法及び構造 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5789820A (ja) |
| JP (1) | JP3070473B2 (ja) |
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| JP3070473B2 (ja) | 2000-07-31 |
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