JP2586344B2 - キャリアフィルム - Google Patents
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、キャリアフィルムに関
し、特に高密度実装に適したキャリアフィルムに関す
る。
し、特に高密度実装に適したキャリアフィルムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージは、小型軽量化、高速
化、高機能化という電子機器の要求に対応する為に、新
しい形態が次々に開発されている。チップの高集積化に
よる多ピン化と、装置の小型・薄型化の要求は厳しくな
り、その両立にはファインピッチ化が避けられない。よ
って、狭ピッチ化が可能なインナーリード接続とピッチ
を拡大できるエリアアレイ接続は必要不可欠な技術にな
ることは間違いないと思われる。
化、高機能化という電子機器の要求に対応する為に、新
しい形態が次々に開発されている。チップの高集積化に
よる多ピン化と、装置の小型・薄型化の要求は厳しくな
り、その両立にはファインピッチ化が避けられない。よ
って、狭ピッチ化が可能なインナーリード接続とピッチ
を拡大できるエリアアレイ接続は必要不可欠な技術にな
ることは間違いないと思われる。
【０００３】現在、半導体チップ（以下、単にチップと
も呼ぶ）とリードとの電気的接続、いわゆるインナーリ
ード接続（ＩＬＢ）には主にワイヤボンディング（wire
bonding）方式が用いられている。ワイヤボンディング
方式とは、チップ上のボンディングパッドとパッケージ
のリードとの接続間を２０〜３０μｍ径の細線により結
線することをいう。ワイヤボンディング方式には熱圧着
法（thermo compression bonding) と超音波ボンディン
グ法（ultrasonic bonding）およびこれら両者の特徴を
取り入れた超音波熱圧着法がある。
も呼ぶ）とリードとの電気的接続、いわゆるインナーリ
ード接続（ＩＬＢ）には主にワイヤボンディング（wire
bonding）方式が用いられている。ワイヤボンディング
方式とは、チップ上のボンディングパッドとパッケージ
のリードとの接続間を２０〜３０μｍ径の細線により結
線することをいう。ワイヤボンディング方式には熱圧着
法（thermo compression bonding) と超音波ボンディン
グ法（ultrasonic bonding）およびこれら両者の特徴を
取り入れた超音波熱圧着法がある。
【０００４】しかしながら、多ピン化に伴い、パッドピ
ッチが狭くなり、接続が困難になってきた為、ワイヤボ
ンディング方式の代わりに、ワイヤレスボンディング
（wireless bonding）方式が注目されている。ワイヤレ
スボンディング方式とは、チップ上の全パッドと特定の
バンブ（bump）や金属リードによりパッケージ上の端子
に一度にボンディングする方法であり、ギャングボンデ
ィング（gang bonding）とも呼ばれる。ワイヤレスボン
ディング方式には、ＴＡＢ（tape automated bonding）
方式やフリップチップ（flip chip ）方式がある。
ッチが狭くなり、接続が困難になってきた為、ワイヤボ
ンディング方式の代わりに、ワイヤレスボンディング
（wireless bonding）方式が注目されている。ワイヤレ
スボンディング方式とは、チップ上の全パッドと特定の
バンブ（bump）や金属リードによりパッケージ上の端子
に一度にボンディングする方法であり、ギャングボンデ
ィング（gang bonding）とも呼ばれる。ワイヤレスボン
ディング方式には、ＴＡＢ（tape automated bonding）
方式やフリップチップ（flip chip ）方式がある。
【０００５】ＴＡＢ方式では、絶縁フィルム上にエッチ
ングして作った金属箔のインナーリンドをチップのパッ
ド上に形成されたバンプとボンディングする。この為、
薄型・小型実装化に対してもメリットがある。ＴＡＢ方
式はテープキャリア方式とも呼ばれる。一方、フリップ
チップ方式は、チップの能動素子面に半田バンプを形成
し、チップを裏返して基板に直接接続する方式である。
その為、多ピン・狭ピッチ化に対応でき、接続配線長が
極めて短い為、高速化や低ノイズ化にも有利である。
ングして作った金属箔のインナーリンドをチップのパッ
ド上に形成されたバンプとボンディングする。この為、
薄型・小型実装化に対してもメリットがある。ＴＡＢ方
式はテープキャリア方式とも呼ばれる。一方、フリップ
チップ方式は、チップの能動素子面に半田バンプを形成
し、チップを裏返して基板に直接接続する方式である。
その為、多ピン・狭ピッチ化に対応でき、接続配線長が
極めて短い為、高速化や低ノイズ化にも有利である。
【０００６】とにかく、ＴＡＢ方式やフリップチップ方
式のいずれの方式にしても、チップとフィルム（パッケ
ージ）との電気的接続に、それらの間に設けられたバン
プを使用している。このような方式は、例えば、特開平
５−１２９３６６号公報や特開平６−７７２９３号公報
に開示されている。
式のいずれの方式にしても、チップとフィルム（パッケ
ージ）との電気的接続に、それらの間に設けられたバン
プを使用している。このような方式は、例えば、特開平
５−１２９３６６号公報や特開平６−７７２９３号公報
に開示されている。
【０００７】また、本願出願人は、ワイヤレスボンディ
ング方式の一種であるが、半導体チップとキャリアフィ
ルムとを組立工程で電気的に接続する新方式を提案して
いる（平成６年５月２５日出願、特願平６−１１０８５
７号、発明の名称「フレキシブルフィルム及びこれを有
する半導体装置」）。この新方式では、チップとキャリ
アフィルムとの電気的接続にバンプを使用せず、バンプ
をキャリアフィルムのチップが搭載されない側の面に形
成している。尚、本明細書中において、“半導体チップ
（チップ）”とは、チップをモールド封止していない
「半導体ベアチップ」とチップをモールド封止した「半
導体モールドチップ」の両方を意味するものとする。
ング方式の一種であるが、半導体チップとキャリアフィ
ルムとを組立工程で電気的に接続する新方式を提案して
いる（平成６年５月２５日出願、特願平６−１１０８５
７号、発明の名称「フレキシブルフィルム及びこれを有
する半導体装置」）。この新方式では、チップとキャリ
アフィルムとの電気的接続にバンプを使用せず、バンプ
をキャリアフィルムのチップが搭載されない側の面に形
成している。尚、本明細書中において、“半導体チップ
（チップ）”とは、チップをモールド封止していない
「半導体ベアチップ」とチップをモールド封止した「半
導体モールドチップ」の両方を意味するものとする。
【０００８】以下、図５を参照して、上記特願平６−１
１０８５７号に開示した、半導体チップと従来のキャリ
アフィルムとを組立工程で電気的に接続して、フィルム
キャリア半導体装置を製造する第１の従来の製造方法に
ついて説明する。この例は、半導体チップが半導体ベア
チップの場合である。
１０８５７号に開示した、半導体チップと従来のキャリ
アフィルムとを組立工程で電気的に接続して、フィルム
キャリア半導体装置を製造する第１の従来の製造方法に
ついて説明する。この例は、半導体チップが半導体ベア
チップの場合である。
【０００９】まず、図５（Ａ）に示すように、フィルム
キャリア半導体装置を構成するのに必要な部材は、半導
体ベアチップ１０とキャリアフィルム２０´と接着フィ
ルム３０である。
キャリア半導体装置を構成するのに必要な部材は、半導
体ベアチップ１０とキャリアフィルム２０´と接着フィ
ルム３０である。
【００１０】キャリアフィルム２０´は、ポリイミド系
有機絶縁フィルム２１を有する。この絶縁フィルム２１
の一主面には、半導体ベアチップ１０への接続部を有す
る配線層２２が形成されている。また、絶縁フィルム２
１には、スルーホールが開孔しており、このスルーホー
ルの一端は配線層２２の接続部とは異なる部分に接し、
他端は絶縁フィルム２１の裏面に到達している。スルー
ホールは導電極２３で埋められている。絶縁フィルム２
１の配線層２２の接続部に対応する部分に開孔部が設け
られ、この開孔部に充填物２４が挿入されている。尚、
キャリアフィルム２０´の詳細な構造及びその製造方法
については、上記特願平６−１１０８５７号を参照され
たい。
有機絶縁フィルム２１を有する。この絶縁フィルム２１
の一主面には、半導体ベアチップ１０への接続部を有す
る配線層２２が形成されている。また、絶縁フィルム２
１には、スルーホールが開孔しており、このスルーホー
ルの一端は配線層２２の接続部とは異なる部分に接し、
他端は絶縁フィルム２１の裏面に到達している。スルー
ホールは導電極２３で埋められている。絶縁フィルム２
１の配線層２２の接続部に対応する部分に開孔部が設け
られ、この開孔部に充填物２４が挿入されている。尚、
キャリアフィルム２０´の詳細な構造及びその製造方法
については、上記特願平６−１１０８５７号を参照され
たい。
【００１１】接着フィルム３０はチップサイズより小さ
く切断されており、その厚さは数十μｍ程度である。
く切断されており、その厚さは数十μｍ程度である。
【００１２】半導体ベアチップ１０は、周知のウエハー
製造技術によりウエハーに形成された多数のチップ領域
をダイシング（dicing）により個々のチップに分割した
ものである。一般に、このダイシングはダイシングソー
（dicing saw）方式によって行われる。図示の半導体ベ
アチップ１０では、接続パッド（チップ電極）１１がチ
ップ外周縁部に設置されているが、活性領域に配置され
ていても良い。接続パッド１１を形成する金属としては
一般的にアルミニウム系合金が使用される。また、半導
体ベアチップ１０の表面に形成されているパッシベーシ
ョン膜１２としては、ポリイミド、窒化ケイ素膜、酸化
ケイ素膜等が使用される。
製造技術によりウエハーに形成された多数のチップ領域
をダイシング（dicing）により個々のチップに分割した
ものである。一般に、このダイシングはダイシングソー
（dicing saw）方式によって行われる。図示の半導体ベ
アチップ１０では、接続パッド（チップ電極）１１がチ
ップ外周縁部に設置されているが、活性領域に配置され
ていても良い。接続パッド１１を形成する金属としては
一般的にアルミニウム系合金が使用される。また、半導
体ベアチップ１０の表面に形成されているパッシベーシ
ョン膜１２としては、ポリイミド、窒化ケイ素膜、酸化
ケイ素膜等が使用される。
【００１３】図５（Ｂ）に移って、上記切断済み接着フ
ィルム３０を半導体ベアチップ１０上に精度良く位置決
めしてセッティングする。尚、接着フィルム３０として
熱可塑性樹脂を用いる場合、接着フィルム３０が溶融す
る温度まで半導体ベアチップ１０側から接着フィルム３
０を加熱することで仮に固定できる。この時、ボイドが
トラップされないように、接着フィルム３０を設置、加
熱する必要がある。
ィルム３０を半導体ベアチップ１０上に精度良く位置決
めしてセッティングする。尚、接着フィルム３０として
熱可塑性樹脂を用いる場合、接着フィルム３０が溶融す
る温度まで半導体ベアチップ１０側から接着フィルム３
０を加熱することで仮に固定できる。この時、ボイドが
トラップされないように、接着フィルム３０を設置、加
熱する必要がある。
【００１４】図５（Ｃ）に移って、ＴＡＢ方式による接
続で用いられるシングルポイントボンダーを流用し、キ
ャリアフィルム２０´と接着フィルム３０が仮固定され
た半導体ベアチップ１０とを位置合わせした後、インナ
ーリード接続する。この接合は、半導体ベアチップ１０
のチップ電極１１を構成するアルミニウムとキャリアフ
ィルム２０´の配線層２２を構成する銅の合金化によっ
て強固なものとなる。
続で用いられるシングルポイントボンダーを流用し、キ
ャリアフィルム２０´と接着フィルム３０が仮固定され
た半導体ベアチップ１０とを位置合わせした後、インナ
ーリード接続する。この接合は、半導体ベアチップ１０
のチップ電極１１を構成するアルミニウムとキャリアフ
ィルム２０´の配線層２２を構成する銅の合金化によっ
て強固なものとなる。
【００１５】次に、図５（Ｄ）に移って、キャリアフィ
ルム２０´と半導体ベアチップ１０とをそれらの間に接
着フィルム３０を挟んで貼り合わせる為に、キャリアフ
ィルム２０´側或いは半導体ベアチップ１０側から加
熱、加圧を数秒間行う。そのことによって、キャリアフ
ィルム２０´と半導体ベアチップ１０とは接着する。
ルム２０´と半導体ベアチップ１０とをそれらの間に接
着フィルム３０を挟んで貼り合わせる為に、キャリアフ
ィルム２０´側或いは半導体ベアチップ１０側から加
熱、加圧を数秒間行う。そのことによって、キャリアフ
ィルム２０´と半導体ベアチップ１０とは接着する。
【００１６】ところで、キャリアフィルム２０´と半導
体ベアチップ１０との接着は、図５（Ｂ）〜（Ｄ）に示
した方法に限定されない。例えば、接着フィルム３０は
キャリアフィルム２０´側にセッティングしても構わな
い。また、キャリアフィルム２０´と半導体ベアチップ
１０とをそれらの間に接着フィルム３０を挟んで位置精
度よく貼り合わせた後に、インナーリード接続しても良
い。また、予めウエハー状態で接着層をチップ表面に形
成しておいても構わない。
体ベアチップ１０との接着は、図５（Ｂ）〜（Ｄ）に示
した方法に限定されない。例えば、接着フィルム３０は
キャリアフィルム２０´側にセッティングしても構わな
い。また、キャリアフィルム２０´と半導体ベアチップ
１０とをそれらの間に接着フィルム３０を挟んで位置精
度よく貼り合わせた後に、インナーリード接続しても良
い。また、予めウエハー状態で接着層をチップ表面に形
成しておいても構わない。
【００１７】次に、図５（Ｅ）では、選別用パッド２５
を利用して通常のテープキャリヤパッケージ（ＴＣＰ）
と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施する。キャリア
フィルム２０´の外形や寸法等、ＥＩＡＪに準拠するよ
う設計することで、ソケット、ボール等の選別治具は共
有化することができる。
を利用して通常のテープキャリヤパッケージ（ＴＣＰ）
と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施する。キャリア
フィルム２０´の外形や寸法等、ＥＩＡＪに準拠するよ
う設計することで、ソケット、ボール等の選別治具は共
有化することができる。
【００１８】図５（Ｆ）に移って、チップ裏面にレーザ
ー捺印で品名表示後、金型を用いチップサイズに切断す
る。切りしろを考慮に入れ、通常、片端１００μｍ程度
づつやや大きめに切断するが、ダイシングソーやレーザ
ー等により高精度に切断することも可能である。
ー捺印で品名表示後、金型を用いチップサイズに切断す
る。切りしろを考慮に入れ、通常、片端１００μｍ程度
づつやや大きめに切断するが、ダイシングソーやレーザ
ー等により高精度に切断することも可能である。
【００１９】最後に、図５（Ｇ）に移って、キャリアフ
ィルム２０´の基板対応面に同一ピッチで格子状に配置
された外部接続用パッドに半田バンプ（バンプ電極）２
６を形成する。この半田バンプ２６の形成方法は、例え
ば、特開昭４９−５２９７３号公報に開示された方法を
使用できる。すなわち、半田から成るワイヤをワイヤボ
ンディング法を使用してボールを形成し、ボールをパッ
ド上に接合後、ボールのみを残してワイヤを切断する。
以上のような工程を経て、フィルムキャリア半導体装置
が完成する。
ィルム２０´の基板対応面に同一ピッチで格子状に配置
された外部接続用パッドに半田バンプ（バンプ電極）２
６を形成する。この半田バンプ２６の形成方法は、例え
ば、特開昭４９−５２９７３号公報に開示された方法を
使用できる。すなわち、半田から成るワイヤをワイヤボ
ンディング法を使用してボールを形成し、ボールをパッ
ド上に接合後、ボールのみを残してワイヤを切断する。
以上のような工程を経て、フィルムキャリア半導体装置
が完成する。
【００２０】次に、図６を参照して、上記特願平６−１
１０８５７号に開示した、半導体チップと従来のキャリ
アフィルムとを組立工程で電気的に接続して、フィルム
キャリア半導体装置を製造する第２の従来の製造方法に
ついて説明する。この例は、半導体チップが半導体モー
ルドチップの場合である。前述した第１の従来の製造方
法との相違点は、接着層の形成方法である。
１０８５７号に開示した、半導体チップと従来のキャリ
アフィルムとを組立工程で電気的に接続して、フィルム
キャリア半導体装置を製造する第２の従来の製造方法に
ついて説明する。この例は、半導体チップが半導体モー
ルドチップの場合である。前述した第１の従来の製造方
法との相違点は、接着層の形成方法である。
【００２１】図６（Ａ）に参照符号２７として示すよう
に、配線層２２が形成されているキャリアフィルム２０
´の半導体ベアチップ１０搭載部の中央付近に液状樹脂
注入ホールが付加されている。かかるホール２７を有す
るキャリアフィルム２０´と半導体ベアチップ１０を準
備する。
に、配線層２２が形成されているキャリアフィルム２０
´の半導体ベアチップ１０搭載部の中央付近に液状樹脂
注入ホールが付加されている。かかるホール２７を有す
るキャリアフィルム２０´と半導体ベアチップ１０を準
備する。
【００２２】図６（Ｂ）に移って、キャリアフィルム２
０´の配線層２２の接続部と半導体ベアチップ１０のチ
ップ電極１１とをインナーリード接続する。
０´の配線層２２の接続部と半導体ベアチップ１０のチ
ップ電極１１とをインナーリード接続する。
【００２３】図６（Ｃ）に移って、樹脂注入ホール２７
から封止用の液状樹脂１４を流し込む。このとき、液状
樹脂１４の表面張力によって半導体ベアチップ１０の側
壁面にも止まる。樹脂としては、適度な流動性を有し、
かつ薄い塗膜を形成できることが望ましい。エポキシ
系、シリコン系、シリコンエポキシ系、テフロン系等が
候補に挙げられるが、キュア後もゴムの性質を有するシ
リコン系やテフロン系が適当である。
から封止用の液状樹脂１４を流し込む。このとき、液状
樹脂１４の表面張力によって半導体ベアチップ１０の側
壁面にも止まる。樹脂としては、適度な流動性を有し、
かつ薄い塗膜を形成できることが望ましい。エポキシ
系、シリコン系、シリコンエポキシ系、テフロン系等が
候補に挙げられるが、キュア後もゴムの性質を有するシ
リコン系やテフロン系が適当である。
【００２４】図６（Ｄ）に移って、キャリアフィルム２
０´のしわをなくし、高平坦性が得られるように、軽く
均した後に、キュアを行う。上記第１の従来の方法に比
べ、平坦性や均一な塗布量や領域の制御は劣るものの、
樹脂を容易にチップ表面からはみ出させることが可能と
なる。
０´のしわをなくし、高平坦性が得られるように、軽く
均した後に、キュアを行う。上記第１の従来の方法に比
べ、平坦性や均一な塗布量や領域の制御は劣るものの、
樹脂を容易にチップ表面からはみ出させることが可能と
なる。
【００２５】次に、図６（Ｅ）では、選別用パッド２５
を利用して通常のテープキャリヤパッケージ（ＴＣＰ）
と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施する。
を利用して通常のテープキャリヤパッケージ（ＴＣＰ）
と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施する。
【００２６】図６（Ｆ）に移って、チップ裏面にレーザ
ー捺印で品名表示後、金型を用いモールドサイズに切断
する。このとき、半導体ベアチップ１０の側壁面に液状
樹脂１４が残るように切断する。
ー捺印で品名表示後、金型を用いモールドサイズに切断
する。このとき、半導体ベアチップ１０の側壁面に液状
樹脂１４が残るように切断する。
【００２７】最後に、図６（Ｇ）に移って、キャリアフ
ィルム２０´の基板対応面に同一ピッチで格子状に配置
された外部接続用パッドに半田バンプ（バンプ電極）２
６を形成する。
ィルム２０´の基板対応面に同一ピッチで格子状に配置
された外部接続用パッドに半田バンプ（バンプ電極）２
６を形成する。
【００２８】尚、本発明に関連する技術として、特開平
４−２１６６６０号公報には、ダイパッドの中央部と絶
縁性フィルム用パッドとの間の境の部分にダイパッドの
辺に沿って延びる４つのスリット孔を穿設し、これらス
リット孔により、ダイパッドをディプレスした際に生じ
る歪みを吸収できるようにした「半導体素子用リードフ
レーム」が開示されている。
４−２１６６６０号公報には、ダイパッドの中央部と絶
縁性フィルム用パッドとの間の境の部分にダイパッドの
辺に沿って延びる４つのスリット孔を穿設し、これらス
リット孔により、ダイパッドをディプレスした際に生じ
る歪みを吸収できるようにした「半導体素子用リードフ
レーム」が開示されている。
【００２９】また、上記特願平６−１１０８５７号に
は、キャリアフィルムの半導体チップ搭載部内側に開口
部を形成したものが開示されている。
は、キャリアフィルムの半導体チップ搭載部内側に開口
部を形成したものが開示されている。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示した第１の従来方法のように、従来のキャリアフィル
ム２０´を使用して半導体チップ１０とそのキャリアフ
ィルム２０´とを組み立ると、図５（Ｄ）〜（Ｆ）の点
線で示すように、熱履歴によりキャリアフィルム２０´
が反ってしまうという欠点がある。このように、キャリ
アフィルム２０´が反った状態で、図５（Ｆ）に示すよ
うに、チップサイズに切断すると、半導体チップ１０と
キャリアフィルム２０´の接合部に負荷がかかり、図５
（Ｇ）の点線で示すように、キャリアフィルム２０´が
半導体チップ１０から剥がれてしまい、導通不良が起こ
ってしまうという虞があった。また、キャリアフィルム
２０´が変形すると、半導体ベアチップ１０をキャリア
フィルム２０´に張り付けた工程から、キャリアフィル
ム２０´を半導体ベアチップ１０の大きさに切断する工
程のまでの間に、キャリアフィルム２０´の変形に起因
する搬送等のトラブルが発生することもあった。
示した第１の従来方法のように、従来のキャリアフィル
ム２０´を使用して半導体チップ１０とそのキャリアフ
ィルム２０´とを組み立ると、図５（Ｄ）〜（Ｆ）の点
線で示すように、熱履歴によりキャリアフィルム２０´
が反ってしまうという欠点がある。このように、キャリ
アフィルム２０´が反った状態で、図５（Ｆ）に示すよ
うに、チップサイズに切断すると、半導体チップ１０と
キャリアフィルム２０´の接合部に負荷がかかり、図５
（Ｇ）の点線で示すように、キャリアフィルム２０´が
半導体チップ１０から剥がれてしまい、導通不良が起こ
ってしまうという虞があった。また、キャリアフィルム
２０´が変形すると、半導体ベアチップ１０をキャリア
フィルム２０´に張り付けた工程から、キャリアフィル
ム２０´を半導体ベアチップ１０の大きさに切断する工
程のまでの間に、キャリアフィルム２０´の変形に起因
する搬送等のトラブルが発生することもあった。
【００３１】一方、図６に示した第２の従来方法では、
第１の従来方法のような不具合が発生し、更に、図６
（Ｃ）に示すように、液状樹脂１４が半導体ベアチップ
１０の側壁面にも止まり、樹脂封止範囲を制御できず、
製造して得られたフィルムキャリア半導体装置のサイズ
がチップサイズよりも大きいモールドサイズになってし
まうという欠点がある。
第１の従来方法のような不具合が発生し、更に、図６
（Ｃ）に示すように、液状樹脂１４が半導体ベアチップ
１０の側壁面にも止まり、樹脂封止範囲を制御できず、
製造して得られたフィルムキャリア半導体装置のサイズ
がチップサイズよりも大きいモールドサイズになってし
まうという欠点がある。
【００３２】したがって本発明の目的は、半導体チップ
とキャリアフィルムとを組み立てる際にキャリアフィル
ムが反るのを防止することができるキャリアフィルムを
提供することにある。
とキャリアフィルムとを組み立てる際にキャリアフィル
ムが反るのを防止することができるキャリアフィルムを
提供することにある。
【００３３】本発明の他の目的は、半導体チップとキャ
リアフィルムとを組み立てた後に、切断するときに導通
不良が発生するのを防止することができるキャリアフィ
ルムを提供することにある。
リアフィルムとを組み立てた後に、切断するときに導通
不良が発生するのを防止することができるキャリアフィ
ルムを提供することにある。
【００３４】本発明の別の目的は、液状樹脂によって半
導体ベアチップを封止する際に、液状樹脂の封止範囲を
制御でき、できるだけチップサイズに近いサイズで切断
できるキャリアフィルムを提供することにある。
導体ベアチップを封止する際に、液状樹脂の封止範囲を
制御でき、できるだけチップサイズに近いサイズで切断
できるキャリアフィルムを提供することにある。
【００３５】尚、特開平４−２１６６６０号公報に開示
された技術は、インナーリードを半導体素子のパッドと
をワイヤによりボンディングする技術に関するものであ
り、本発明のように、ワイヤレスボンディング方式に係
る技術とは全く異なるものである。また、この特開平４
−２１６６６０号公報において、ダイパッドの辺に沿っ
てスリット孔を穿設する目的は、ダイパッドをディプレ
スした際に生じる歪みを吸収するためであって、本発明
のように、キャリアフィルムと半導体ベアチップとを組
み立てる際に発生するキャリアフィルムの反りを防止す
るものとは、全く目的が相違するものである。また、こ
のスリット孔は半導体素子を搭載する搭載部から離間し
て穿設されている。
された技術は、インナーリードを半導体素子のパッドと
をワイヤによりボンディングする技術に関するものであ
り、本発明のように、ワイヤレスボンディング方式に係
る技術とは全く異なるものである。また、この特開平４
−２１６６６０号公報において、ダイパッドの辺に沿っ
てスリット孔を穿設する目的は、ダイパッドをディプレ
スした際に生じる歪みを吸収するためであって、本発明
のように、キャリアフィルムと半導体ベアチップとを組
み立てる際に発生するキャリアフィルムの反りを防止す
るものとは、全く目的が相違するものである。また、こ
のスリット孔は半導体素子を搭載する搭載部から離間し
て穿設されている。
【００３６】また、上記特願平６−１１０８５７号にお
いて、キャリアフィルムに形成した開口部は、キャリア
フィルムの配線を半導体チップのチップ電極に接続する
為に、ボンディングルールがキャリアフィルムの配線に
直接接続できるようにしたもので、その目的や作用効果
が本発明とは相違するものである。
いて、キャリアフィルムに形成した開口部は、キャリア
フィルムの配線を半導体チップのチップ電極に接続する
為に、ボンディングルールがキャリアフィルムの配線に
直接接続できるようにしたもので、その目的や作用効果
が本発明とは相違するものである。
【００３７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
チップを、その半導体チップの一表面と実質的に密着し
た状態で、搭載するための搭載部を有するキャリアフィ
ルムにおいて、搭載部の外側近傍に複数のスリットを形
成したことを特徴とするキャリアフィルムが得られる。
チップを、その半導体チップの一表面と実質的に密着し
た状態で、搭載するための搭載部を有するキャリアフィ
ルムにおいて、搭載部の外側近傍に複数のスリットを形
成したことを特徴とするキャリアフィルムが得られる。
【００３８】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００３９】図１に本発明の第１の実施例によるキャリ
アフィルム２０をその上に半導体ベアチップ１０を搭載
した状態で示す。図１において、（ａ）は断面図、
（ｂ）は（ａ）を下から見た平面図である。
アフィルム２０をその上に半導体ベアチップ１０を搭載
した状態で示す。図１において、（ａ）は断面図、
（ｂ）は（ａ）を下から見た平面図である。
【００４０】図示のキャリアフィルム２０は、半導体ベ
アチップ１０を搭載するための搭載部の外側近傍に形成
した複数のスリット２８を有する。図示の例において、
搭載すべき半導体ベアチップ１０は矩形をしており、ス
リット２８は矩形の４辺に沿って搭載部を囲むように４
箇所形成されている。スリット２８の幅は例えば約０．
４ｍｍである。このようなスリット２８は、金型による
打ち抜きやエッチングなどによって形成される。
アチップ１０を搭載するための搭載部の外側近傍に形成
した複数のスリット２８を有する。図示の例において、
搭載すべき半導体ベアチップ１０は矩形をしており、ス
リット２８は矩形の４辺に沿って搭載部を囲むように４
箇所形成されている。スリット２８の幅は例えば約０．
４ｍｍである。このようなスリット２８は、金型による
打ち抜きやエッチングなどによって形成される。
【００４１】このようなスリット２８を設けることによ
り、半導体ベアチップ１０をキャリアフィルム２０に張
り付けた時に、キャリアフィルム２０の半導体ベアチッ
プ１０と接した部分が熱膨脹を起こしても、その膨脹が
半導体ベアチップ１０の外側にまで影響しないように、
スリット２８で応力をストップすることができる。
り、半導体ベアチップ１０をキャリアフィルム２０に張
り付けた時に、キャリアフィルム２０の半導体ベアチッ
プ１０と接した部分が熱膨脹を起こしても、その膨脹が
半導体ベアチップ１０の外側にまで影響しないように、
スリット２８で応力をストップすることができる。
【００４２】図２に本発明の第２の実施例によるキャリ
アフィルム２０ａをその上に半導体ベアチップ１０を搭
載した状態で示す。
アフィルム２０ａをその上に半導体ベアチップ１０を搭
載した状態で示す。
【００４３】図示の例において、搭載すべき半導体ベア
チップ１０は矩形をしており、キャリアフィルム２０ａ
には、スリット２８ａが矩形の四隅から延在するように
放射状に４箇所形成されている。図示のスリット２８ａ
の幅は０．４ｍｍで、各スリット２８ａの両端部には半
径が０．２ｍｍの丸みが形成されている。本実施例のス
リット２８ａも上記スリット２８と同様の作用効果を奏
する。また、このスリット２８ａも、スリット２８と同
様に、金型による打ち抜きやエッチングなどによって形
成される。
チップ１０は矩形をしており、キャリアフィルム２０ａ
には、スリット２８ａが矩形の四隅から延在するように
放射状に４箇所形成されている。図示のスリット２８ａ
の幅は０．４ｍｍで、各スリット２８ａの両端部には半
径が０．２ｍｍの丸みが形成されている。本実施例のス
リット２８ａも上記スリット２８と同様の作用効果を奏
する。また、このスリット２８ａも、スリット２８と同
様に、金型による打ち抜きやエッチングなどによって形
成される。
【００４４】以下、図３を参照して、半導体チップと図
１に示すキャリアフィルム２０とを組立工程で電気的に
接続して、フィルムキャリア半導体装置を製造する第１
の製造方法について説明する。この例は、半導体チップ
が半導体ベアチップの場合である。この第１の製造方法
は、図５に示した第１の従来の製造方法とは、使用する
キャリアフィルムが相違するだけである。
１に示すキャリアフィルム２０とを組立工程で電気的に
接続して、フィルムキャリア半導体装置を製造する第１
の製造方法について説明する。この例は、半導体チップ
が半導体ベアチップの場合である。この第１の製造方法
は、図５に示した第１の従来の製造方法とは、使用する
キャリアフィルムが相違するだけである。
【００４５】まず、図３（Ａ）に示すように、フィルム
キャリア半導体装置を構成するのに必要な部材は、半導
体ベアチップ１０とキャリアフィルム２０と接着フィル
ム３０である。
キャリア半導体装置を構成するのに必要な部材は、半導
体ベアチップ１０とキャリアフィルム２０と接着フィル
ム３０である。
【００４６】図３（Ｂ）に移って、上記切断済み接着フ
ィルム３０を半導体ベアチップ１０上に精度良く位置決
めしてセッティングする。
ィルム３０を半導体ベアチップ１０上に精度良く位置決
めしてセッティングする。
【００４７】図３（Ｃ）に移って、ＴＡＢ方式による接
続で用いられるシングルポイントボンダーを流用し、キ
ャリアフィルム２０と接着フィルム３０が仮固定された
半導体ベアチップ１０とを位置合わせした後、インナー
リード接続する。この接合は、半導体ベアチップ１０の
チップ電極１１を構成するアルミニウムとキャリアフィ
ルム２０の配線層２２を構成する銅の合金化によって強
固なものとなる。
続で用いられるシングルポイントボンダーを流用し、キ
ャリアフィルム２０と接着フィルム３０が仮固定された
半導体ベアチップ１０とを位置合わせした後、インナー
リード接続する。この接合は、半導体ベアチップ１０の
チップ電極１１を構成するアルミニウムとキャリアフィ
ルム２０の配線層２２を構成する銅の合金化によって強
固なものとなる。
【００４８】次に、図３（Ｄ）に移って、キャリアフィ
ルム２０と半導体ベアチップ１０とをそれらの間に接着
フィルム３０を挟んで貼り合わせる為に、キャリアフィ
ルム２０側或いは半導体ベアチップ１０側から加熱、加
圧を数秒間行う。そのことによって、キャリアフィルム
２０と半導体ベアチップ１０とは接着する。
ルム２０と半導体ベアチップ１０とをそれらの間に接着
フィルム３０を挟んで貼り合わせる為に、キャリアフィ
ルム２０側或いは半導体ベアチップ１０側から加熱、加
圧を数秒間行う。そのことによって、キャリアフィルム
２０と半導体ベアチップ１０とは接着する。
【００４９】このとき、第１の従来の製造方法では、キ
ャリアフィルム２０´の半導体ベアチップ１０と接した
部分が熱膨脹を起こして、その膨脹が半導体ベアチップ
１０の外側まで影響を及ぼし、これにより、図５（Ｄ）
で点線で示したように、応力によりキャリアフィルム２
０に反りが発生する。これに対して、本製造方法では、
そのような応力がスリット２８でストップするので、キ
ャリアフィルム２０の反りを低減できる。
ャリアフィルム２０´の半導体ベアチップ１０と接した
部分が熱膨脹を起こして、その膨脹が半導体ベアチップ
１０の外側まで影響を及ぼし、これにより、図５（Ｄ）
で点線で示したように、応力によりキャリアフィルム２
０に反りが発生する。これに対して、本製造方法では、
そのような応力がスリット２８でストップするので、キ
ャリアフィルム２０の反りを低減できる。
【００５０】ところで、キャリアフィルム２０と半導体
ベアチップ１０との接着は、図３（Ｂ）〜（Ｄ）に示し
た方法に限定されない。例えば、接着フィルム３０はキ
ャリアフィルム２０側にセッティングしても構わない。
また、キャリアフィルム２０と半導体ベアチップ１０と
をそれらの間に接着フィルム３０を挟んで位置精度よく
貼り合わせた後に、インナーリード接続しても良い。ま
た、予めウエハー状態で接着層をチップ表面に形成して
おいても構わない。
ベアチップ１０との接着は、図３（Ｂ）〜（Ｄ）に示し
た方法に限定されない。例えば、接着フィルム３０はキ
ャリアフィルム２０側にセッティングしても構わない。
また、キャリアフィルム２０と半導体ベアチップ１０と
をそれらの間に接着フィルム３０を挟んで位置精度よく
貼り合わせた後に、インナーリード接続しても良い。ま
た、予めウエハー状態で接着層をチップ表面に形成して
おいても構わない。
【００５１】次に、図３（Ｅ）では、選別用パッド２５
を利用して通常のテープキャリヤパッケージ（ＴＣＰ）
と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施する。キャリア
フィルム２０の外形や寸法等、ＥＩＡＪに準拠するよう
設計することで、ソケット、ボール等の選別治具は共有
化することができる。
を利用して通常のテープキャリヤパッケージ（ＴＣＰ）
と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施する。キャリア
フィルム２０の外形や寸法等、ＥＩＡＪに準拠するよう
設計することで、ソケット、ボール等の選別治具は共有
化することができる。
【００５２】図３（Ｆ）に移って、チップ裏面にレーザ
ー捺印で品名表示後、金型を用いチップサイズに切断す
る。このとき、キャリアフィルム２０にはスリット２８
が形成されているので、キャリアフィルム２０の切断部
を低減できる。
ー捺印で品名表示後、金型を用いチップサイズに切断す
る。このとき、キャリアフィルム２０にはスリット２８
が形成されているので、キャリアフィルム２０の切断部
を低減できる。
【００５３】最後に、図３（Ｇ）に移って、キャリアフ
ィルム２０の基板対応面に同一ピッチで格子状に配置さ
れた外部接続用パッドに半田バンプ（バンプ電極）２６
を形成する。以上のような工程を経て、フィルムキャリ
ア半導体装置が完成する。このようにして製造されたフ
ィルムキャリア半導体装置は、図５（Ｇ）の点線で示す
ような、キャリアフィルム２０´が半導体ベアチップ１
０から剥がれることがなく、導通不良の発生を防止でき
る。
ィルム２０の基板対応面に同一ピッチで格子状に配置さ
れた外部接続用パッドに半田バンプ（バンプ電極）２６
を形成する。以上のような工程を経て、フィルムキャリ
ア半導体装置が完成する。このようにして製造されたフ
ィルムキャリア半導体装置は、図５（Ｇ）の点線で示す
ような、キャリアフィルム２０´が半導体ベアチップ１
０から剥がれることがなく、導通不良の発生を防止でき
る。
【００５４】次に、図４を参照して、半導体チップと図
１に示したキャリアフィルムとを組立工程で電気的に接
続して、フィルムキャリア半導体装置を製造する第２の
製造方法について説明する。この第２の製造方法は、図
６に示した第２の従来の製造方法とは、使用するキャリ
アフィルムが相違するだけである。
１に示したキャリアフィルムとを組立工程で電気的に接
続して、フィルムキャリア半導体装置を製造する第２の
製造方法について説明する。この第２の製造方法は、図
６に示した第２の従来の製造方法とは、使用するキャリ
アフィルムが相違するだけである。
【００５５】図４（Ａ）に示すように、配線層２２が形
成されているキャリアフィルム２０の半導体ベアチップ
１０搭載部の中央付近に液状樹脂注入ホール２７が付加
されている。かかるホール２７を有するキャリアフィル
ム２０と半導体ベアチップ１０を準備する。
成されているキャリアフィルム２０の半導体ベアチップ
１０搭載部の中央付近に液状樹脂注入ホール２７が付加
されている。かかるホール２７を有するキャリアフィル
ム２０と半導体ベアチップ１０を準備する。
【００５６】図４（Ｂ）に移って、キャリアフィルム２
０の配線層２２の接続部と半導体ベアチップ１０のチッ
プ電極１１とをインナーリード接続する。
０の配線層２２の接続部と半導体ベアチップ１０のチッ
プ電極１１とをインナーリード接続する。
【００５７】図４（Ｃ）に移って、樹脂注入ホール２７
から封止用の液状樹脂１４を流し込む。このとき、キャ
リアフィルム２０に形成されているスリット２８によっ
て、液状樹脂１４の流動範囲が制御される。これは、ス
リット２８を形成している箇所から液状樹脂１４が流れ
出てしまう為である。したがって、液状樹脂１４が半導
体ベアチップ１０の側壁面に止まることがない。尚、ス
リット２８を形成する位置を半導体ベアチップ１０の搭
載部より若干外側に変更することにより、半導体ベアチ
ップ１０の側壁面に止まる液状樹脂１４の量を制御でき
る。
から封止用の液状樹脂１４を流し込む。このとき、キャ
リアフィルム２０に形成されているスリット２８によっ
て、液状樹脂１４の流動範囲が制御される。これは、ス
リット２８を形成している箇所から液状樹脂１４が流れ
出てしまう為である。したがって、液状樹脂１４が半導
体ベアチップ１０の側壁面に止まることがない。尚、ス
リット２８を形成する位置を半導体ベアチップ１０の搭
載部より若干外側に変更することにより、半導体ベアチ
ップ１０の側壁面に止まる液状樹脂１４の量を制御でき
る。
【００５８】図４（Ｄ）に移って、キャリアフィルム２
０のしわをなくし、高平坦性が得られるように、軽く均
した後に、キュアを行う。
０のしわをなくし、高平坦性が得られるように、軽く均
した後に、キュアを行う。
【００５９】次に、図４（Ｅ）では、選別用パッド２５
を利用して通常のテープキャリヤパッケージ（ＴＣＰ）
と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施する。
を利用して通常のテープキャリヤパッケージ（ＴＣＰ）
と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施する。
【００６０】図４（Ｆ）に移って、チップ裏面にレーザ
ー捺印で品名表示後、金型を用いチップに切断する。こ
のとき、このとき、キャリアフィルム２０にはスリット
２８が形成されているので、キャリアフィルム２０の切
断部を低減できる。尚、スリット２８の形成位置によ
り、半導体ベアチップ１０の側壁面に液状樹脂１４が残
っている場合には、モールドサイズに切断する。すなわ
ち、スリット２８により、キャリアフィルム２０を半導
体ベアチップ１０のチップサイズに出来るだけ近いサイ
ズで切断できる。
ー捺印で品名表示後、金型を用いチップに切断する。こ
のとき、このとき、キャリアフィルム２０にはスリット
２８が形成されているので、キャリアフィルム２０の切
断部を低減できる。尚、スリット２８の形成位置によ
り、半導体ベアチップ１０の側壁面に液状樹脂１４が残
っている場合には、モールドサイズに切断する。すなわ
ち、スリット２８により、キャリアフィルム２０を半導
体ベアチップ１０のチップサイズに出来るだけ近いサイ
ズで切断できる。
【００６１】最後に、図４（Ｇ）に移って、キャリアフ
ィルム２０の基板対応面に同一ピッチで格子状に配置さ
れた外部接続用パッドに半田バンプ（バンプ電極）２６
を形成する。
ィルム２０の基板対応面に同一ピッチで格子状に配置さ
れた外部接続用パッドに半田バンプ（バンプ電極）２６
を形成する。
【００６２】尚、図３および図４に示したキャリアフィ
ルム２０はその上に形成した配線層２２が半導体ベアチ
ップ１０の搭載部を越えて延在しているが、配線層２２
は半導体ベアチップ１０の搭載部内にのみ形成されてい
て良い。
ルム２０はその上に形成した配線層２２が半導体ベアチ
ップ１０の搭載部を越えて延在しているが、配線層２２
は半導体ベアチップ１０の搭載部内にのみ形成されてい
て良い。
【００６３】以上、本発明を実施例によって説明した
が、本発明は上記実施例に限定せず、本発明の趣旨を逸
脱しない範囲内で種々の変形・変更をしても良いのは勿
論である。例えば、キャリアフィルムに対するスリット
の形成位置は上述したものに限定せず、半導体ベアチッ
プ搭載部の外側近傍に複数箇所形成してあれば良い。但
し、半導体ベアチップをキャリアフィルムに張り付けた
時に発生するキャリアフィルムの反りを効果的に低減す
るためには、スリットを半導体ベアチップ搭載部に対し
て対称に形成することが好ましい。
が、本発明は上記実施例に限定せず、本発明の趣旨を逸
脱しない範囲内で種々の変形・変更をしても良いのは勿
論である。例えば、キャリアフィルムに対するスリット
の形成位置は上述したものに限定せず、半導体ベアチッ
プ搭載部の外側近傍に複数箇所形成してあれば良い。但
し、半導体ベアチップをキャリアフィルムに張り付けた
時に発生するキャリアフィルムの反りを効果的に低減す
るためには、スリットを半導体ベアチップ搭載部に対し
て対称に形成することが好ましい。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
キャリアフィルムに、半導体チップ搭載部の外側近傍に
複数のスリットを形成したので、キャリアフィルムと半
導体チップとを組み立てる際にキャリアフィルムに発生
する反りを低減でき、これによって切断時に起こる導通
不良を防止できる。また、スリットが半導体チップ搭載
部の外側近傍に形成されているので、キャリアフィルム
を切断するときの切断部分を低減でき、これによっても
切断時に起こる導通不良を防止できる。また、キャリア
フィルムと半導体ベアチップとを液状樹脂を使用して組
み立てる場合、キャリアフィルムに形成したスリットに
よって液状樹脂の流動範囲を制御できるので、キャリア
フィルムを半導体ベアチップに出来るだけ近いサイズで
切断できるという利点もある。
キャリアフィルムに、半導体チップ搭載部の外側近傍に
複数のスリットを形成したので、キャリアフィルムと半
導体チップとを組み立てる際にキャリアフィルムに発生
する反りを低減でき、これによって切断時に起こる導通
不良を防止できる。また、スリットが半導体チップ搭載
部の外側近傍に形成されているので、キャリアフィルム
を切断するときの切断部分を低減でき、これによっても
切断時に起こる導通不良を防止できる。また、キャリア
フィルムと半導体ベアチップとを液状樹脂を使用して組
み立てる場合、キャリアフィルムに形成したスリットに
よって液状樹脂の流動範囲を制御できるので、キャリア
フィルムを半導体ベアチップに出来るだけ近いサイズで
切断できるという利点もある。
【図１】本発明の第１の実施例によるキャリアフィルム
をその上に半導体ベアチップを搭載した状態で示す図
で、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）を下から見た平面
図である。
をその上に半導体ベアチップを搭載した状態で示す図
で、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）を下から見た平面
図である。
【図２】本発明の第２の実施例によるキャリアフィルム
をその上に半導体ベアチップを搭載した状態で示す平面
図である。
をその上に半導体ベアチップを搭載した状態で示す平面
図である。
【図３】半導体チップと図１に示すキャリアフィルムと
を絶縁フィルムを使用して組立工程で電気的に接続し
て、フィルムキャリア半導体装置を製造する第１の製造
方法を示す断面図である。
を絶縁フィルムを使用して組立工程で電気的に接続し
て、フィルムキャリア半導体装置を製造する第１の製造
方法を示す断面図である。
【図４】半導体チップと図１に示すキャリアフィルムと
を液状樹脂を使用して組立工程で電気的に接続して、フ
ィルムキャリア半導体装置を製造する第２の製造方法を
示す断面図である。
を液状樹脂を使用して組立工程で電気的に接続して、フ
ィルムキャリア半導体装置を製造する第２の製造方法を
示す断面図である。
【図５】半導体チップと従来のキャリアフィルムとを絶
縁フィルムを使用して組立工程で電気的に接続して、フ
ィルムキャリア半導体装置を製造する第１の従来の製造
方法を示す断面図である。
縁フィルムを使用して組立工程で電気的に接続して、フ
ィルムキャリア半導体装置を製造する第１の従来の製造
方法を示す断面図である。
【図６】半導体チップと従来のキャリアフィルムとを液
状樹脂を使用して組立工程で電気的に接続して、フィル
ムキャリア半導体装置を製造する第２の従来の製造方法
を示す断面図である。
状樹脂を使用して組立工程で電気的に接続して、フィル
ムキャリア半導体装置を製造する第２の従来の製造方法
を示す断面図である。
１０ 半導体ベアチップ ２０，２０ａ キャリアフィルム ２８，２８ａ スリット
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップを、該半導体チップの一表
面と実質的に密着した状態で、搭載するための搭載部を
有するキャリアフィルムにおいて、前記搭載部の外側近
傍に複数のスリットを形成したことを特徴とするキャリ
アフィルム。 - 【請求項２】 搭載すべき前記半導体チップは矩形をし
ており、前記スリットは前記矩形の４辺に沿って前記搭
載部を囲むように４箇所形成されている請求項１記載の
キャリアフィルム。 - 【請求項３】 搭載すべき前記半導体チップは矩形をし
ており、前記複数のスリットは前記矩形の四隅から延在
するように放射状に４箇所形成されている請求項１記載
のキャリアフィルム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6237425A JP2586344B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | キャリアフィルム |
| US08/533,208 US5757068A (en) | 1994-09-30 | 1995-09-25 | Carrier film with peripheral slits |
| EP95306886A EP0704898A3 (en) | 1994-09-30 | 1995-09-29 | Carrier film |
| KR1019950033150A KR100268505B1 (ko) | 1994-09-30 | 1995-09-29 | 캐리어 필름 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6237425A JP2586344B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | キャリアフィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102475A JPH08102475A (ja) | 1996-04-16 |
| JP2586344B2 true JP2586344B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=17015171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6237425A Expired - Fee Related JP2586344B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | キャリアフィルム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5757068A (ja) |
| EP (1) | EP0704898A3 (ja) |
| JP (1) | JP2586344B2 (ja) |
| KR (1) | KR100268505B1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2843315B1 (ja) * | 1997-07-11 | 1999-01-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8071128B2 (en) * | 1996-06-14 | 2011-12-06 | Kyowa Hakko Kirin Co., Ltd. | Intrabuccally rapidly disintegrating tablet and a production method of the tablets |
| SG60099A1 (en) * | 1996-08-16 | 1999-02-22 | Sony Corp | Semiconductor package and manufacturing method of lead frame |
| DE19702014A1 (de) * | 1996-10-14 | 1998-04-16 | Fraunhofer Ges Forschung | Chipmodul sowie Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls |
| US6093971A (en) * | 1996-10-14 | 2000-07-25 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Chip module with conductor paths on the chip bonding side of a chip carrier |
| CN1106036C (zh) * | 1997-05-15 | 2003-04-16 | 日本电气株式会社 | 芯片型半导体装置的制造方法 |
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