JP4422933B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知の通り、家電及び産業用のインバータ装置の電源等に適用されるインテリジェントパワーモジュール等の電力用半導体装置では、その表主面上にパワーチップや制御ＩＣ等の各構成が搭載された基板が筐体内に支持され、一般に、基板上の各構成が外部環境からの保護を目的として硬化性樹脂で封止される。
【０００３】
図１０は、従来知られる樹脂封止型の電力用半導体装置の樹脂封止前の態様を概略的に示す平面図である。電力用半導体装置８０では、その表主面上にパワーチップであるＩＧＢＴ８３とＦｗＤｉ８４と制御ＩＣ８５とが搭載された絶縁基板８２が筐体８１内に支持されている。絶縁基板８２の表主面上には、上記の構成要素とともに、板状部材から形成されるミリオーム抵抗体８６が設けられている。筐体８１には、複数の外部接続用の端子８７がインサート成形されている。なお、絶縁基板８２の表主面上には、回路パターンが形成されるとともに各構成間の電気的接続用のボンディングワイヤが設けられるが、図１０では、図面の明瞭化を図り、これらの構成を省略する。
【０００４】
図１１は、図１０におけるＣ−Ｃ線に沿ったミリオーム抵抗体８６の縦断面説明図である。このミリオーム抵抗体８６は、板状部材から全体として凸状に形成されその両端（符号８６ｂで示す）側で絶縁基板８２に対して接合されるもので、絶縁基板８２の表主面８２ａ上では、絶縁基板８２との間に空間部９０を規定する。ミリオーム抵抗体８６の凸部８６ａは、絶縁基板８２に対して互いに平行になるように対向する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、絶縁基板８２上の各構成要素は、図１２に示すように、外部環境からの保護を目的として硬化性樹脂９２で封止されるが、電力用半導体装置８０では、樹脂封止工程に際して、特にミリオーム抵抗体８６と筐体８１とが互いに近接して配置されている場合には、ミリオーム抵抗体８６と絶縁基板８２との間に規定される空間部９０に、樹脂９２が注入されないまま、空気が溜まる惧れがある。この空気が樹脂硬化時に空間部９０から噴出すると、樹脂９２の表面にボイド９２ａが発生することになる。また、空間部９０に空気が溜まった状態では、ミリオーム抵抗体８６の熱伝導性が確保されず、ミリオーム抵抗体８６からの過剰な発熱が引き起こされる。
【０００６】
本発明は、上記技術的課題に鑑みてなされたもので、樹脂封止工程に際して、板状部材からなる抵抗体と絶縁基板との間に規定される空間部からの空気抜きを確実に且つ迅速に行なえる樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願の第１の発明は、基板の表主面上で、該基板との間に所定の空間部を規定するように、板状部材から形成されその両端側で該基板に対して接合される抵抗体を備えており、該抵抗体が基板上の他の半導体素子とともに硬化性樹脂で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位が、上記基板の表主面に対して所定角度で傾斜する傾斜部により構成されていることを特徴としたものである。
【０００９】
更に、本願の第２の発明は、第１の発明において、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位に、該空間部と抵抗体の上面側とを連通させる孔部が形成されていることを特徴としたものである。
【００１０】
また、更に、本願の第３の発明は、第１の発明において、上記孔部が、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位の中央に設けられていることを特徴としたものである。
【００１１】
また、更に、本願の第４の発明は、第１〜３の発明のいずれか一において、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位における基板と対向する側の面粗度が、２Ｓ以下に設定されていることを特徴としたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る樹脂封止型の電力用半導体装置の樹脂封止前の態様を概略的に示す平面図である。この電力用半導体装置１０では、筐体１内に絶縁基板２が支持されており、絶縁基板２の表主面上には、パワーチップであるＩＧＢＴ３とＦＷＤｉ（Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌ Ｄｉｏｄｅ）４と制御ＩＣ５とが配設されている。また、絶縁基板２の表主面上には、これらの構成要素の設置領域外に、各種の回路パターン８及び電極９が形成されている。更に、絶縁基板２の表主面上には、電力用半導体装置１０における電流をその母線で検出する、板状部材から形成されたミリオーム抵抗体６が設けられている。
【００１３】
また、筐体１には、複数の外部接続用端子７がインサート成形されており、その一端側で筐体１の内部に露出する一方、他端側で所定の外部部品（不図示）との接続用に筐体１の外部に突出している。そして、絶縁基板２の表主面上の構成要素及び外部接続端子７は、筐体１の内部において、アルミワイヤ１１により電気的に接続されている。
【００１４】
樹脂封止型の半導体装置１０では、これらの絶縁基板２の表主面上の構成要素，外部接続端子７及びアルミワイヤ１は、外部環境からの保護を目的として硬化性樹脂により封止される。樹脂封止工程に際して、従来技術では、ミリオーム抵抗体と絶縁基板との間に規定される空間部に空気が溜まる問題があったが、本願発明によれば、以下に記述するような特徴により、かかる問題を解消することができる。
【００１５】
図２及び３は、それぞれ、ミリオーム抵抗体６の縦断面説明図及び斜視図である。このミリオーム抵抗体６は、板状部材から全体として凸状に形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合される（接合部を符号６ｂで示す）もので、絶縁基板２の表主面２ａ上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体６の部位６ａ（以下、対向部６ａという）は平板状であり、絶縁基板２と平行になっている。
【００１６】
この実施の形態１では、ミリオーム抵抗体６の対向部６ａに、孔部６ｃが形成されている。この孔部６ｃは、対向部６ａをその厚さ方向に貫通するもので、空間部１５とミリオーム抵抗体６の上面側とを連通させる。また、孔部６ｃは、対向部６ａの中央に位置決めされている。なお、ミリオーム抵抗体６の材料としては、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００１７】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体６を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部６ａの両側から押し出されるとともに、その孔部６ｃを介して上方へ押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。樹脂封止後には、孔部６ｃ内にも樹脂が注入される。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及び孔部６ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体６の熱伝導性を良好に確保し、その抵抗体６からの発熱を抑制することができる。更に、孔部６ｃが対向部６ａの中央に設けられるため、空間部１５からの空気抜きを合理的に迅速化することができる。
【００１８】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体６の対向部６ａにおける絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体６の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体６の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００１９】
以下、本発明の別の実施の形態について説明する。なお、以下では、上記実施の形態１における場合と同じものには同一の符号を付し、それ以上の説明を省略する。
【００２０】
実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態２に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体２０は、上記実施の形態１におけるミリオーム抵抗体とほぼ同じ構造を有し、板状部材から全体として凸状に形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合され（接合部を符号２０ｂで示す）、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体２０の部位２０ａ（以下、対向部２０ａという）は平板状であり、絶縁基板２と平行になっている。
【００２１】
この実施の形態２では、平板状に形成された対向部２０ａに、複数の孔部２０ｃが所定間隔をおいて配列するように形成されている。これらの孔部２０ｃは、対向部２０ａをその厚さ方向に沿って貫通するもので、空間部１５とミリオーム抵抗体２０の上面側とを連通させる。各孔部２０ｃの直径は、所定以下（例えば０．１ｍｍ以下）に設定されている。なお、ミリオーム抵抗体２０の材料としては、上記実施の形態１における場合と同様に、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００２２】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体２０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部２０ａの両側から押し出されるとともに、各孔部２０ｃを介して上方へ押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。樹脂封止後には、孔部２０ｃ内にも樹脂が注入される。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及び孔部２０ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体２０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体２０からの発熱を抑制することができる。
【００２３】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体２０の対向部２０ａにおける絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体２０の絶縁基板２と対向する側の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体２０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００２４】
実施の形態３．
図５は、本発明の実施の形態３に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体３０は、上記実施の形態１におけるミリオーム抵抗体とほぼ同じ構造を有し、板状部材から全体として凸状に形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合され（接合部を符号３０ｂで示す）、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体３０の部位３０ａ（以下、対向部３０ａという）は平板状であり、絶縁基板２と平行になっている。
【００２５】
この実施の形態３では、平板状に形成された対向部３０ａに、その長手方向に沿って延びるスリット３０ｃが形成される。このスリット３０ｃは、対向部３０ａをその厚さ方向に貫通するもので、空間部１５とミリオーム抵抗体３０の上面側とを連通させる。また、このスリット３０ｃは、対向部３０ａの長手方向及び幅方向についてほぼ中央に位置決めされている。なお、ミリオーム抵抗体３０の材料としては、上記実施の形態１における場合と同様に、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００２６】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体３０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部３０ａの両側から押し出されるとともに、スリット３０ｃを介して上方へ押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。樹脂封止後には、スリット３０ｃ内にも樹脂が注入される。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及びスリット３０ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体３０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体３０からの発熱を抑制することができる。更に、スリット３０ｃが対向部３０ａの中央に設けられるため、空間部１５からの空気抜きを合理的に迅速化することができる。
【００２７】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体２０の空間部１５を規定する部位における絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体２０の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体３０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００２８】
実施の形態４．
図６は、本発明の実施の形態４に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体４０は、上記実施の形態３におけるミリオーム抵抗体とほぼ同じ構造を有し、板状部材から全体として凸状に形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合され（接合部を符号４０ｂで示す）、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体４０の部位４０ａ（以下、対向部４０ａという）は平板状であり、絶縁基板２と平行になっている。
【００２９】
この実施の形態４では、平板状に形成された対向部４０ａに、その長手方向に沿って平行に延びる複数のスリット４０ｃが形成される。各スリット４０ｃは、対向部４０ａをその厚さ方向に貫通するもので、空間部１５とミリオーム抵抗体４０の上面側とを連通させる。なお、ミリオーム抵抗体４０の材料としては、上記実施の形態１における場合と同様に、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００３０】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体４０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部４０ａの両側から押し出されるとともに、スリット４０ｃを介して上方へ押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。樹脂封止後には、スリット４０ｃ内にも樹脂が注入される。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及びスリット４０ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体４０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体４０からの発熱を抑制することができる。
【００３１】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体４０の対向部４０ａにおける絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体４０の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体４０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００３２】
実施の形態５．
図７は、本発明の実施の形態５に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体５０は、板状部材から形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合される（接合部を符号５０ｂで示す）もので、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。
【００３３】
この実施の形態５では、絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体５０の部位５１（以下、対向部５１という）が、その長手方向における途中部（ここでは中央）にて曲折されることにより山形に形成されている。すなわち、対向部５１が、絶縁基板２の表主面に対して所定角度で傾斜しつつ抵抗体５０の幅方向に沿って延びる一対の傾斜部５１Ａ，５１Ｂにより構成されている。なお、ミリオーム抵抗体５０の材料としては、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００３４】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体５０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部５１を構成する傾斜部５１Ａ，５１Ｂに沿って上方へスムーズに移動し、それらの両側から押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５内に確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体５０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体５０からの発熱を抑制することができる。
【００３５】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体５０の対向部５１における絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体５０の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体５０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００３６】
実施の形態６．
図８は、本発明の実施の形態６に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体６０は、上記実施の形態５における場合とほぼ同じ構造を有し、板状部材から形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合される（接合部を符号６０ｂで示す）もので、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。
【００３７】
この実施の形態６では、絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体６０の部位６１（以下、対向部６１という）を構成する傾斜部６１Ａ，６１Ｂが交わる部位に、孔部６０ｃが形成されている。この孔部６０ｃは、対向部６１を貫通するもので、空間部１５とミリオーム抵抗体６０の上面側とを連通させる。また、孔部６０ｃは、対向部６１の幅方向における中央に位置決めされている。なお、ミリオーム抵抗体６０の材料としては、上記実施の形態１における場合と同様に、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００３８】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体６０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部６１を構成する傾斜部６１Ａ，６１Ｂに沿って上方へスムーズに移動した後、その両側から押し出されるとともに、孔部６０ｃを介して上方へ押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。樹脂封止後には、孔部６０ｃ内にも樹脂が注入される。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及び孔部６０ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体６０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体６０からの発熱を抑制することができる。更に、孔部６０ｃが対向部６１の幅方向における中央に設けられるため、空間部１５からの空気抜きを合理的に迅速化することができる。
【００３９】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体６０の対向部６１における絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体６０の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体６０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００４０】
実施の形態７．
図９は、本発明の実施の形態７に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体７０は、板状部材から形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合される（接合部を符号７０ｂで示す）もので、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。
【００４１】
この実施の形態７では、絶縁基板２と対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体７０の部位７１（以下、対向部７１という）が、ミリオーム抵抗体７０の長手方向に沿って延びる谷形に形成されている。すなわち、対向部７１は、絶縁基板２の表主面に対して所定角度で傾斜しつつ抵抗体７０の長手方向に延びる一対の傾斜部７１Ａ，７１Ｂにより構成されている。そして、これらの傾斜部７１Ａ，７１Ｂの下端部は、両者の間に、ミリオーム抵抗体７０の長手方向に沿って延びるスリット７０ｃが形成されるように、所定間隔をおいて隔てられている。なお、ミリオーム抵抗体７０の材料としては、上記実施の形態１における場合と同様に、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００４２】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体７０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部７１を構成する傾斜部７１Ａ，７１Ｂに沿って上方へスムーズに移動した後、外方へ押し出されるとともに、スリット７０ｃを介して押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及びスリット７０ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体７０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体７０からの発熱を抑制することができる。
【００４３】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体７０の対向部７１における絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体７０の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体７０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００４４】
なお、本発明は、例示された実施の形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の改良及び設計上の変更が可能であることは言うまでもない。例えば、前述した実施の形態では、基板として、絶縁基板２が取り上げられたが、これに限定されることなく、リードフレーム等の他の部材を用いてもよい。
【００４６】
【発明の効果】
本願の第１の発明によれば、基板の表主面上で、該基板との間に所定の空間部を規定するように、板状部材から形成されその両端側で該基板に対して接合される抵抗体を備えており、該抵抗体が基板上の他の半導体素子とともに硬化性樹脂で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位が、上記基板の表主面に対して所定角度で傾斜する傾斜部により構成されているので、樹脂封止工程に際して、上記空間部に空気が溜まるのを防止し、これにより、樹脂硬化時の樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、上記空間部に樹脂が確実に注入されることにより、抵抗体の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体からの発熱を抑制することができる。
【００４７】
更に、本願の第２の発明によれば、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位に、該空間部と抵抗体の上面側とを連通させる孔部が形成されているので、上記空間部からの空気抜きを迅速にまた確実に行なうことができる。
【００４８】
また、更に、本願の第３の発明によれば、上記孔部が、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位の中央に設けられているので、上記空間部からの空気抜きを合理的に迅速化することができる。
【００４９】
また、更に、本願の第４の発明によれば、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位における基板と対向する側の面粗度が、２Ｓ以下に設定されているので、上記抵抗体の基板と対向する面の抵抗を小さくし、空間部に溜まった空気を外部へ逃げ易くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の樹脂封止前の態様を示す平面図である。
【図２】 絶縁基板の表主面上に取り付けられた抵抗体の縦断面説明図である。
【図３】 絶縁基板の表主面上に取り付けられた抵抗体の斜視図である。
【図４】 本発明の実施の形態２に係る抵抗体の斜視図である。
【図５】 本発明の実施の形態３に係る抵抗体の斜視図である。
【図６】 本発明の実施の形態４に係る抵抗体の斜視図である。
【図７】 本発明の実施の形態５に係る抵抗体の斜視図である。
【図８】 本発明の実施の形態６に係る抵抗体の斜視図である。
【図９】 本発明の実施の形態７に係る抵抗体の斜視図である。
【図１０】 従来の電力用半導体装置の樹脂封止前の態様を概略的に示す平面図である。
【図１１】 従来の電力用半導体装置において、絶縁基板の表主面上に取り付けられた抵抗体の縦断面説明図である。
【図１２】 従来の電力用半導体装置の樹脂封止後の態様を概略的に示す平面図である。
【符号の説明】
２ 絶縁基板，６，２０，３０，４０，５０，６０，７０ ミリオーム抵抗体，６ａ，２０ａ，３０ａ，４０ａ，５１，６１，７１ 対向部，６ｂ，２０ｂ，３０ｂ，４０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂ 接合部，６ｃ，２０ｃ，６０ｃ 孔部，３０ｃ，４０ｃ，７０ｃ スリット，１５ 空間部，５１Ａ，５１Ｂ，６１Ａ，６１Ｂ，７１Ａ，７１Ｂ 傾斜部
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知の通り、家電及び産業用のインバータ装置の電源等に適用されるインテリジェントパワーモジュール等の電力用半導体装置では、その表主面上にパワーチップや制御ＩＣ等の各構成が搭載された基板が筐体内に支持され、一般に、基板上の各構成が外部環境からの保護を目的として硬化性樹脂で封止される。
【０００３】
図１０は、従来知られる樹脂封止型の電力用半導体装置の樹脂封止前の態様を概略的に示す平面図である。電力用半導体装置８０では、その表主面上にパワーチップであるＩＧＢＴ８３とＦｗＤｉ８４と制御ＩＣ８５とが搭載された絶縁基板８２が筐体８１内に支持されている。絶縁基板８２の表主面上には、上記の構成要素とともに、板状部材から形成されるミリオーム抵抗体８６が設けられている。筐体８１には、複数の外部接続用の端子８７がインサート成形されている。なお、絶縁基板８２の表主面上には、回路パターンが形成されるとともに各構成間の電気的接続用のボンディングワイヤが設けられるが、図１０では、図面の明瞭化を図り、これらの構成を省略する。
【０００４】
図１１は、図１０におけるＣ−Ｃ線に沿ったミリオーム抵抗体８６の縦断面説明図である。このミリオーム抵抗体８６は、板状部材から全体として凸状に形成されその両端（符号８６ｂで示す）側で絶縁基板８２に対して接合されるもので、絶縁基板８２の表主面８２ａ上では、絶縁基板８２との間に空間部９０を規定する。ミリオーム抵抗体８６の凸部８６ａは、絶縁基板８２に対して互いに平行になるように対向する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、絶縁基板８２上の各構成要素は、図１２に示すように、外部環境からの保護を目的として硬化性樹脂９２で封止されるが、電力用半導体装置８０では、樹脂封止工程に際して、特にミリオーム抵抗体８６と筐体８１とが互いに近接して配置されている場合には、ミリオーム抵抗体８６と絶縁基板８２との間に規定される空間部９０に、樹脂９２が注入されないまま、空気が溜まる惧れがある。この空気が樹脂硬化時に空間部９０から噴出すると、樹脂９２の表面にボイド９２ａが発生することになる。また、空間部９０に空気が溜まった状態では、ミリオーム抵抗体８６の熱伝導性が確保されず、ミリオーム抵抗体８６からの過剰な発熱が引き起こされる。
【０００６】
本発明は、上記技術的課題に鑑みてなされたもので、樹脂封止工程に際して、板状部材からなる抵抗体と絶縁基板との間に規定される空間部からの空気抜きを確実に且つ迅速に行なえる樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願の第１の発明は、基板の表主面上で、該基板との間に所定の空間部を規定するように、板状部材から形成されその両端側で該基板に対して接合される抵抗体を備えており、該抵抗体が基板上の他の半導体素子とともに硬化性樹脂で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位が、上記基板の表主面に対して所定角度で傾斜する傾斜部により構成されていることを特徴としたものである。
【０００９】
更に、本願の第２の発明は、第１の発明において、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位に、該空間部と抵抗体の上面側とを連通させる孔部が形成されていることを特徴としたものである。
【００１０】
また、更に、本願の第３の発明は、第１の発明において、上記孔部が、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位の中央に設けられていることを特徴としたものである。
【００１１】
また、更に、本願の第４の発明は、第１〜３の発明のいずれか一において、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位における基板と対向する側の面粗度が、２Ｓ以下に設定されていることを特徴としたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る樹脂封止型の電力用半導体装置の樹脂封止前の態様を概略的に示す平面図である。この電力用半導体装置１０では、筐体１内に絶縁基板２が支持されており、絶縁基板２の表主面上には、パワーチップであるＩＧＢＴ３とＦＷＤｉ（Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌ Ｄｉｏｄｅ）４と制御ＩＣ５とが配設されている。また、絶縁基板２の表主面上には、これらの構成要素の設置領域外に、各種の回路パターン８及び電極９が形成されている。更に、絶縁基板２の表主面上には、電力用半導体装置１０における電流をその母線で検出する、板状部材から形成されたミリオーム抵抗体６が設けられている。
【００１３】
また、筐体１には、複数の外部接続用端子７がインサート成形されており、その一端側で筐体１の内部に露出する一方、他端側で所定の外部部品（不図示）との接続用に筐体１の外部に突出している。そして、絶縁基板２の表主面上の構成要素及び外部接続端子７は、筐体１の内部において、アルミワイヤ１１により電気的に接続されている。
【００１４】
樹脂封止型の半導体装置１０では、これらの絶縁基板２の表主面上の構成要素，外部接続端子７及びアルミワイヤ１は、外部環境からの保護を目的として硬化性樹脂により封止される。樹脂封止工程に際して、従来技術では、ミリオーム抵抗体と絶縁基板との間に規定される空間部に空気が溜まる問題があったが、本願発明によれば、以下に記述するような特徴により、かかる問題を解消することができる。
【００１５】
図２及び３は、それぞれ、ミリオーム抵抗体６の縦断面説明図及び斜視図である。このミリオーム抵抗体６は、板状部材から全体として凸状に形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合される（接合部を符号６ｂで示す）もので、絶縁基板２の表主面２ａ上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体６の部位６ａ（以下、対向部６ａという）は平板状であり、絶縁基板２と平行になっている。
【００１６】
この実施の形態１では、ミリオーム抵抗体６の対向部６ａに、孔部６ｃが形成されている。この孔部６ｃは、対向部６ａをその厚さ方向に貫通するもので、空間部１５とミリオーム抵抗体６の上面側とを連通させる。また、孔部６ｃは、対向部６ａの中央に位置決めされている。なお、ミリオーム抵抗体６の材料としては、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００１７】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体６を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部６ａの両側から押し出されるとともに、その孔部６ｃを介して上方へ押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。樹脂封止後には、孔部６ｃ内にも樹脂が注入される。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及び孔部６ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体６の熱伝導性を良好に確保し、その抵抗体６からの発熱を抑制することができる。更に、孔部６ｃが対向部６ａの中央に設けられるため、空間部１５からの空気抜きを合理的に迅速化することができる。
【００１８】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体６の対向部６ａにおける絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体６の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体６の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００１９】
以下、本発明の別の実施の形態について説明する。なお、以下では、上記実施の形態１における場合と同じものには同一の符号を付し、それ以上の説明を省略する。
【００２０】
実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態２に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体２０は、上記実施の形態１におけるミリオーム抵抗体とほぼ同じ構造を有し、板状部材から全体として凸状に形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合され（接合部を符号２０ｂで示す）、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体２０の部位２０ａ（以下、対向部２０ａという）は平板状であり、絶縁基板２と平行になっている。
【００２１】
この実施の形態２では、平板状に形成された対向部２０ａに、複数の孔部２０ｃが所定間隔をおいて配列するように形成されている。これらの孔部２０ｃは、対向部２０ａをその厚さ方向に沿って貫通するもので、空間部１５とミリオーム抵抗体２０の上面側とを連通させる。各孔部２０ｃの直径は、所定以下（例えば０．１ｍｍ以下）に設定されている。なお、ミリオーム抵抗体２０の材料としては、上記実施の形態１における場合と同様に、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００２２】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体２０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部２０ａの両側から押し出されるとともに、各孔部２０ｃを介して上方へ押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。樹脂封止後には、孔部２０ｃ内にも樹脂が注入される。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及び孔部２０ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体２０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体２０からの発熱を抑制することができる。
【００２３】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体２０の対向部２０ａにおける絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体２０の絶縁基板２と対向する側の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体２０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００２４】
実施の形態３．
図５は、本発明の実施の形態３に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体３０は、上記実施の形態１におけるミリオーム抵抗体とほぼ同じ構造を有し、板状部材から全体として凸状に形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合され（接合部を符号３０ｂで示す）、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体３０の部位３０ａ（以下、対向部３０ａという）は平板状であり、絶縁基板２と平行になっている。
【００２５】
この実施の形態３では、平板状に形成された対向部３０ａに、その長手方向に沿って延びるスリット３０ｃが形成される。このスリット３０ｃは、対向部３０ａをその厚さ方向に貫通するもので、空間部１５とミリオーム抵抗体３０の上面側とを連通させる。また、このスリット３０ｃは、対向部３０ａの長手方向及び幅方向についてほぼ中央に位置決めされている。なお、ミリオーム抵抗体３０の材料としては、上記実施の形態１における場合と同様に、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００２６】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体３０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部３０ａの両側から押し出されるとともに、スリット３０ｃを介して上方へ押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。樹脂封止後には、スリット３０ｃ内にも樹脂が注入される。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及びスリット３０ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体３０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体３０からの発熱を抑制することができる。更に、スリット３０ｃが対向部３０ａの中央に設けられるため、空間部１５からの空気抜きを合理的に迅速化することができる。
【００２７】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体２０の空間部１５を規定する部位における絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体２０の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体３０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００２８】
実施の形態４．
図６は、本発明の実施の形態４に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体４０は、上記実施の形態３におけるミリオーム抵抗体とほぼ同じ構造を有し、板状部材から全体として凸状に形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合され（接合部を符号４０ｂで示す）、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体４０の部位４０ａ（以下、対向部４０ａという）は平板状であり、絶縁基板２と平行になっている。
【００２９】
この実施の形態４では、平板状に形成された対向部４０ａに、その長手方向に沿って平行に延びる複数のスリット４０ｃが形成される。各スリット４０ｃは、対向部４０ａをその厚さ方向に貫通するもので、空間部１５とミリオーム抵抗体４０の上面側とを連通させる。なお、ミリオーム抵抗体４０の材料としては、上記実施の形態１における場合と同様に、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００３０】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体４０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部４０ａの両側から押し出されるとともに、スリット４０ｃを介して上方へ押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。樹脂封止後には、スリット４０ｃ内にも樹脂が注入される。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及びスリット４０ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体４０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体４０からの発熱を抑制することができる。
【００３１】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体４０の対向部４０ａにおける絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体４０の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体４０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００３２】
実施の形態５．
図７は、本発明の実施の形態５に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体５０は、板状部材から形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合される（接合部を符号５０ｂで示す）もので、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。
【００３３】
この実施の形態５では、絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体５０の部位５１（以下、対向部５１という）が、その長手方向における途中部（ここでは中央）にて曲折されることにより山形に形成されている。すなわち、対向部５１が、絶縁基板２の表主面に対して所定角度で傾斜しつつ抵抗体５０の幅方向に沿って延びる一対の傾斜部５１Ａ，５１Ｂにより構成されている。なお、ミリオーム抵抗体５０の材料としては、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００３４】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体５０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部５１を構成する傾斜部５１Ａ，５１Ｂに沿って上方へスムーズに移動し、それらの両側から押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５内に確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体５０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体５０からの発熱を抑制することができる。
【００３５】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体５０の対向部５１における絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体５０の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体５０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００３６】
実施の形態６．
図８は、本発明の実施の形態６に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体６０は、上記実施の形態５における場合とほぼ同じ構造を有し、板状部材から形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合される（接合部を符号６０ｂで示す）もので、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。
【００３７】
この実施の形態６では、絶縁基板２に対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体６０の部位６１（以下、対向部６１という）を構成する傾斜部６１Ａ，６１Ｂが交わる部位に、孔部６０ｃが形成されている。この孔部６０ｃは、対向部６１を貫通するもので、空間部１５とミリオーム抵抗体６０の上面側とを連通させる。また、孔部６０ｃは、対向部６１の幅方向における中央に位置決めされている。なお、ミリオーム抵抗体６０の材料としては、上記実施の形態１における場合と同様に、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００３８】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体６０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部６１を構成する傾斜部６１Ａ，６１Ｂに沿って上方へスムーズに移動した後、その両側から押し出されるとともに、孔部６０ｃを介して上方へ押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。樹脂封止後には、孔部６０ｃ内にも樹脂が注入される。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及び孔部６０ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体６０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体６０からの発熱を抑制することができる。更に、孔部６０ｃが対向部６１の幅方向における中央に設けられるため、空間部１５からの空気抜きを合理的に迅速化することができる。
【００３９】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体６０の対向部６１における絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体６０の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体６０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００４０】
実施の形態７．
図９は、本発明の実施の形態７に係るミリオーム抵抗体の斜視図である。このミリオーム抵抗体７０は、板状部材から形成されその両端側で絶縁基板２に対して接合される（接合部を符号７０ｂで示す）もので、絶縁基板２の表主面上で、絶縁基板２との間に空間部１５を規定する。
【００４１】
この実施の形態７では、絶縁基板２と対向しつつ空間部１５を規定するミリオーム抵抗体７０の部位７１（以下、対向部７１という）が、ミリオーム抵抗体７０の長手方向に沿って延びる谷形に形成されている。すなわち、対向部７１は、絶縁基板２の表主面に対して所定角度で傾斜しつつ抵抗体７０の長手方向に延びる一対の傾斜部７１Ａ，７１Ｂにより構成されている。そして、これらの傾斜部７１Ａ，７１Ｂの下端部は、両者の間に、ミリオーム抵抗体７０の長手方向に沿って延びるスリット７０ｃが形成されるように、所定間隔をおいて隔てられている。なお、ミリオーム抵抗体７０の材料としては、上記実施の形態１における場合と同様に、銅−ニッケル合金が用いられる。
【００４２】
かかる構造を備えたミリオーム抵抗体７０を用いることにより、樹脂封止工程に際して、硬化性樹脂の注入に伴い、空間部１５内の空気が、対向部７１を構成する傾斜部７１Ａ，７１Ｂに沿って上方へスムーズに移動した後、外方へ押し出されるとともに、スリット７０ｃを介して押し出されて、空気抜きが迅速且つ確実に行なわれる。このようにして、樹脂硬化時に空間部１５に空気が溜まることが防止され、これにより、樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、空間部１５及びスリット７０ｃにも確実に樹脂が注入されることにより、ミリオーム抵抗体７０の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体７０からの発熱を抑制することができる。
【００４３】
なお、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうためには、ミリオーム抵抗体７０の対向部７１における絶縁基板２と対向する側の面粗度を所定以下（例えば２Ｓ以下）に設定してもよい。この場合には、ミリオーム抵抗体７０の絶縁基板２と対向する面の抵抗が小さくなり、空間部１５に溜まった空気がスムーズに移動できるので、空間部１５からの空気抜きを一層確実に且つ迅速に行なうことができる。
また、ミリオーム抵抗体７０の材料としては、銅−ニッケル合金に限定されることなく、例えばマンガニンを含む合金等の、温度係数に基づき抵抗変化が小さいと判定される材料が用いられてもよい。
【００４４】
なお、本発明は、例示された実施の形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の改良及び設計上の変更が可能であることは言うまでもない。例えば、前述した実施の形態では、基板として、絶縁基板２が取り上げられたが、これに限定されることなく、リードフレーム等の他の部材を用いてもよい。
【００４６】
【発明の効果】
本願の第１の発明によれば、基板の表主面上で、該基板との間に所定の空間部を規定するように、板状部材から形成されその両端側で該基板に対して接合される抵抗体を備えており、該抵抗体が基板上の他の半導体素子とともに硬化性樹脂で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位が、上記基板の表主面に対して所定角度で傾斜する傾斜部により構成されているので、樹脂封止工程に際して、上記空間部に空気が溜まるのを防止し、これにより、樹脂硬化時の樹脂表面におけるボイドの発生を回避することができる。また、上記空間部に樹脂が確実に注入されることにより、抵抗体の熱伝導性を良好に確保し、抵抗体からの発熱を抑制することができる。
【００４７】
更に、本願の第２の発明によれば、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位に、該空間部と抵抗体の上面側とを連通させる孔部が形成されているので、上記空間部からの空気抜きを迅速にまた確実に行なうことができる。
【００４８】
また、更に、本願の第３の発明によれば、上記孔部が、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位の中央に設けられているので、上記空間部からの空気抜きを合理的に迅速化することができる。
【００４９】
また、更に、本願の第４の発明によれば、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位における基板と対向する側の面粗度が、２Ｓ以下に設定されているので、上記抵抗体の基板と対向する面の抵抗を小さくし、空間部に溜まった空気を外部へ逃げ易くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の樹脂封止前の態様を示す平面図である。
【図２】 絶縁基板の表主面上に取り付けられた抵抗体の縦断面説明図である。
【図３】 絶縁基板の表主面上に取り付けられた抵抗体の斜視図である。
【図４】 本発明の実施の形態２に係る抵抗体の斜視図である。
【図５】 本発明の実施の形態３に係る抵抗体の斜視図である。
【図６】 本発明の実施の形態４に係る抵抗体の斜視図である。
【図７】 本発明の実施の形態５に係る抵抗体の斜視図である。
【図８】 本発明の実施の形態６に係る抵抗体の斜視図である。
【図９】 本発明の実施の形態７に係る抵抗体の斜視図である。
【図１０】 従来の電力用半導体装置の樹脂封止前の態様を概略的に示す平面図である。
【図１１】 従来の電力用半導体装置において、絶縁基板の表主面上に取り付けられた抵抗体の縦断面説明図である。
【図１２】 従来の電力用半導体装置の樹脂封止後の態様を概略的に示す平面図である。
【符号の説明】
２ 絶縁基板，６，２０，３０，４０，５０，６０，７０ ミリオーム抵抗体，６ａ，２０ａ，３０ａ，４０ａ，５１，６１，７１ 対向部，６ｂ，２０ｂ，３０ｂ，４０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂ 接合部，６ｃ，２０ｃ，６０ｃ 孔部，３０ｃ，４０ｃ，７０ｃ スリット，１５ 空間部，５１Ａ，５１Ｂ，６１Ａ，６１Ｂ，７１Ａ，７１Ｂ 傾斜部
Claims (4)
- 基板の表主面上で、該基板との間に所定の空間部を規定するように、板状部材から形成されその両端側で該基板に対して接合される抵抗体を備えており、該抵抗体が基板上の他の半導体素子とともに硬化性樹脂で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、
上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位が、上記基板の表主面に対して所定角度で傾斜する傾斜部により構成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位に、該空間部と抵抗体の上面側とを連通させる孔部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上記孔部が、上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位の中央に設けられていることを特徴とする請求項２記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上記基板に対向しつつ空間部を規定する上記抵抗体の部位における基板と対向する側の面粗度が、２Ｓ以下に設定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
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