JPH1050897A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH1050897A JPH1050897A JP8204524A JP20452496A JPH1050897A JP H1050897 A JPH1050897 A JP H1050897A JP 8204524 A JP8204524 A JP 8204524A JP 20452496 A JP20452496 A JP 20452496A JP H1050897 A JPH1050897 A JP H1050897A
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- bonding
- bonding wire
- wiring board
- bonding pad
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディングワイヤがボンディングされてい
るボンディング部で容易に断線せず、ボンディング部で
の信頼性がより向上した半導体装置を提供する。 【解決手段】 絶縁配線基板２９が収納されたケース２
２の内側部分に設けられたボンディングパッド２７に
は、ボンディングワイヤ３１がボンディングされてお
り、また、このボンディングワイヤ３１のボンディング
部にはエポキシ樹脂３２が被着硬化されており、さらに
ケース２２内にはボンディングワイヤ３１等を覆うよう
にシリコーンゲル３３が充填されている。これによりボ
ンディングワイヤ３１のボンディング部は、被着硬化さ
れているエポキシ樹脂３２によってそのネック部分３１
ａが固定されることになり、動かなくなる。その結果、
強い振動や強制的な熱サイクルが加わるようなことが有
っても、ボンディングワイヤ３１は容易に断線しなくな
り、信頼性がより向上する。
るボンディング部で容易に断線せず、ボンディング部で
の信頼性がより向上した半導体装置を提供する。 【解決手段】 絶縁配線基板２９が収納されたケース２
２の内側部分に設けられたボンディングパッド２７に
は、ボンディングワイヤ３１がボンディングされてお
り、また、このボンディングワイヤ３１のボンディング
部にはエポキシ樹脂３２が被着硬化されており、さらに
ケース２２内にはボンディングワイヤ３１等を覆うよう
にシリコーンゲル３３が充填されている。これによりボ
ンディングワイヤ３１のボンディング部は、被着硬化さ
れているエポキシ樹脂３２によってそのネック部分３１
ａが固定されることになり、動かなくなる。その結果、
強い振動や強制的な熱サイクルが加わるようなことが有
っても、ボンディングワイヤ３１は容易に断線しなくな
り、信頼性がより向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパワートラ
ンジスタ等を絶縁配線基板に搭載してケース内に収納す
ると共に、ボンディングワイヤを所定部分間にボンディ
ングしモジュール化した半導体装置に関する。
ンジスタ等を絶縁配線基板に搭載してケース内に収納す
ると共に、ボンディングワイヤを所定部分間にボンディ
ングしモジュール化した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図６及び図７を参照して説明す
る。図６は第１の従来例における要部の断面図であり、
図７は第２の従来例における要部の断面図である。
る。図６は第１の従来例における要部の断面図であり、
図７は第２の従来例における要部の断面図である。
【０００３】先ず、第１の従来例を図６により説明す
る。図６において、１は半導体装置であり、２は底部に
金属板で形成された放熱ベース３を設けて構成された半
導体装置１のケースで、その合成樹脂製の角枠状の側壁
部材４には外部端子５が側壁部材４の成形時にインサー
トされて一体的に設けられている。さらに側壁部材４の
内側部分に形成された段部６には、外部端子５と一体の
ボンディングパッド７が設けられている。一方、ケース
２内の放熱ベース３の上面には図示しないパワートラン
ジスタ等の半導体素子が搭載された絶縁配線基板８が半
田付けされている。そしてボンディングパッド７とこれ
に対応する絶縁配線基板８上の端子部９とは、それぞれ
にアーチ形状に弛みを持たせたボンディングワイヤ１０
の端部がボンディングされ、ボンディングパッド７と端
子部９とが電気的に接続されている。またさらにケース
２内にはアーチ形状となっているボンディングワイヤ１
０を覆いつくすように、シリコーンゲル１１が充填さ
れ、ケース２内の充電部の封止がなされている。
る。図６において、１は半導体装置であり、２は底部に
金属板で形成された放熱ベース３を設けて構成された半
導体装置１のケースで、その合成樹脂製の角枠状の側壁
部材４には外部端子５が側壁部材４の成形時にインサー
トされて一体的に設けられている。さらに側壁部材４の
内側部分に形成された段部６には、外部端子５と一体の
ボンディングパッド７が設けられている。一方、ケース
２内の放熱ベース３の上面には図示しないパワートラン
ジスタ等の半導体素子が搭載された絶縁配線基板８が半
田付けされている。そしてボンディングパッド７とこれ
に対応する絶縁配線基板８上の端子部９とは、それぞれ
にアーチ形状に弛みを持たせたボンディングワイヤ１０
の端部がボンディングされ、ボンディングパッド７と端
子部９とが電気的に接続されている。またさらにケース
２内にはアーチ形状となっているボンディングワイヤ１
０を覆いつくすように、シリコーンゲル１１が充填さ
れ、ケース２内の充電部の封止がなされている。
【０００４】そして、このように構成されたものに対し
実使用に先立って振動試験や熱サイクル試験等が行われ
る。振動試験は使用状態における耐振性能を確認するた
めに行われるもので、使用時よりも悪条件となる強い振
動が加わるようにして行われる。こうした実使用に対し
大きな裕度を見て行われる振動試験において、例えばケ
ース２に設けられたボンディングパッド７に端部をボン
ディングしたボンディングワイヤ１０が、そのボンディ
ング部のネック部分１０ａで切れてしまうことがある。
また、熱サイクル試験も使用状態における耐熱サイクル
性能を確認するために行われるもので、同様に使用時に
比べ悪条件となる強制的に加速した熱サイクルが加わる
ようにして行われる。こうした熱サイクル試験でもボン
ディングワイヤ１０が、そのボンディング部のネック部
分１０ａで切れてしまうことがある。
実使用に先立って振動試験や熱サイクル試験等が行われ
る。振動試験は使用状態における耐振性能を確認するた
めに行われるもので、使用時よりも悪条件となる強い振
動が加わるようにして行われる。こうした実使用に対し
大きな裕度を見て行われる振動試験において、例えばケ
ース２に設けられたボンディングパッド７に端部をボン
ディングしたボンディングワイヤ１０が、そのボンディ
ング部のネック部分１０ａで切れてしまうことがある。
また、熱サイクル試験も使用状態における耐熱サイクル
性能を確認するために行われるもので、同様に使用時に
比べ悪条件となる強制的に加速した熱サイクルが加わる
ようにして行われる。こうした熱サイクル試験でもボン
ディングワイヤ１０が、そのボンディング部のネック部
分１０ａで切れてしまうことがある。
【０００５】このボンディングワイヤ１０のネック部分
１０ａでの切断は、加えられた振動や熱サイクルによっ
て、ケース２とその放熱ベース３、さらに放熱ベース３
に固着された絶縁配線基板８などの固定された状態にあ
るものと、ケース２内に充填された柔らかいゲル状物質
であるシリコーンゲル１１とが異なった動きをすること
で生じる。すなわち、加振されたり熱サイクルが加わる
ことによって、ケース２に設けられたボンディングパッ
ド７や絶縁配線基板８の端子部９に固着されているボン
ディングワイヤ１０の端部と、シリコーンゲル１１内に
あるアーチ形状のボンディングワイヤ１０の中間部との
間に動きのずれが生じ、ボンディングワイヤ１０のネッ
ク部分に繰り返しの応力が発生してネック部分１０ａで
の切断が生じる。
１０ａでの切断は、加えられた振動や熱サイクルによっ
て、ケース２とその放熱ベース３、さらに放熱ベース３
に固着された絶縁配線基板８などの固定された状態にあ
るものと、ケース２内に充填された柔らかいゲル状物質
であるシリコーンゲル１１とが異なった動きをすること
で生じる。すなわち、加振されたり熱サイクルが加わる
ことによって、ケース２に設けられたボンディングパッ
ド７や絶縁配線基板８の端子部９に固着されているボン
ディングワイヤ１０の端部と、シリコーンゲル１１内に
あるアーチ形状のボンディングワイヤ１０の中間部との
間に動きのずれが生じ、ボンディングワイヤ１０のネッ
ク部分に繰り返しの応力が発生してネック部分１０ａで
の切断が生じる。
【０００６】次に、第２の従来例を図７により説明す
る。図７において、１２は半導体装置であり、ケース２
内の放熱ベース３の上面に半田付けされた絶縁配線基板
８にはパワートランジスタ等の半導体素子１３が搭載さ
れている。そして、ケース２の側壁部材４の段部６に設
けられたボンディングパッド７とこれに対応する半導体
素子１３の電極端子部１４とは、アーチ形状に弛みを持
たせたボンディングワイヤ１５のそれぞれの端部がボン
ディングされ、ボンディングパッド７と電極端子部１４
とが電気的に接続されている。さらにケース２内にはア
ーチ形状となっているボンディングワイヤ１５を覆い尽
くすように、シリコーンゲル１１が充填され、ケース２
内の充電部の封止がなされている。
る。図７において、１２は半導体装置であり、ケース２
内の放熱ベース３の上面に半田付けされた絶縁配線基板
８にはパワートランジスタ等の半導体素子１３が搭載さ
れている。そして、ケース２の側壁部材４の段部６に設
けられたボンディングパッド７とこれに対応する半導体
素子１３の電極端子部１４とは、アーチ形状に弛みを持
たせたボンディングワイヤ１５のそれぞれの端部がボン
ディングされ、ボンディングパッド７と電極端子部１４
とが電気的に接続されている。さらにケース２内にはア
ーチ形状となっているボンディングワイヤ１５を覆い尽
くすように、シリコーンゲル１１が充填され、ケース２
内の充電部の封止がなされている。
【０００７】そして、このように構成されたものには上
記第１の従来例と同様に振動試験や熱サイクル試験が行
われ、これらの振動試験や熱サイクル試験において、例
えばボンディングパッド７に端部をボンディングしたボ
ンディングワイヤ１５が、そのボンディング部のネック
部分１５ａで切れてしまうことがあり、このネック部分
１５ａでの切断は、同じくケース２側に固定されている
ボンディングワイヤ１５の端部と、シリコーンゲル１１
内にあるアーチ形状のボンディングワイヤ１５の中間部
との間の動きのずれによる応力によって生じる。
記第１の従来例と同様に振動試験や熱サイクル試験が行
われ、これらの振動試験や熱サイクル試験において、例
えばボンディングパッド７に端部をボンディングしたボ
ンディングワイヤ１５が、そのボンディング部のネック
部分１５ａで切れてしまうことがあり、このネック部分
１５ａでの切断は、同じくケース２側に固定されている
ボンディングワイヤ１５の端部と、シリコーンゲル１１
内にあるアーチ形状のボンディングワイヤ１５の中間部
との間の動きのずれによる応力によって生じる。
【０００８】このため、使用時よりも強い振動が加わる
振動試験や強制的に加速した熱サイクルが加わる熱サイ
クル試験を行った場合でも、ボンディングワイヤ１０，
１５がボンディングされているネック部分１０ａ，１５
ａで切れてしまうことがないようにし、より高い信頼性
が得られるものにすることが強くることが望まれてい
る。
振動試験や強制的に加速した熱サイクルが加わる熱サイ
クル試験を行った場合でも、ボンディングワイヤ１０，
１５がボンディングされているネック部分１０ａ，１５
ａで切れてしまうことがないようにし、より高い信頼性
が得られるものにすることが強くることが望まれてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、強い振動や強制的な熱サ
イクルが加わるようなことが有っても、ボンディングワ
イヤがボンディングされているネック部分で容易に断線
してしまうことがなく、ボンディング部分での信頼性が
より向上した半導体装置を提供することを目的とする。
みて本発明はなされたもので、強い振動や強制的な熱サ
イクルが加わるようなことが有っても、ボンディングワ
イヤがボンディングされているネック部分で容易に断線
してしまうことがなく、ボンディング部分での信頼性が
より向上した半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
底部に放熱ベースが設けられたケースと、このケース内
の放熱ベース上に半導体素子を搭載して固着された絶縁
配線基板と、ケースの内側部分に設けられたボンディン
グパッドと、このボンディングパッドと絶縁配線基板あ
るいは半導体素子の所定部位との間に接続されたボンデ
ィングワイヤとを備えてなり、ボンディングパッドへの
ボンディングワイヤの接続部には合成樹脂が被着硬化さ
れていると共に、ケース内にはゲル状樹脂が充填されて
いることを特徴とするものであり、また、底部に放熱ベ
ースが設けられたケースと、このケース内を仕切る仕切
壁と、ケース内の放熱ベース上に半導体素子を搭載して
固着された絶縁配線基板と、ケースの仕切壁で仕切られ
た片方領域の内側部分に設けられたボンディングパッド
と、このボンディングパッドと片方領域内の絶縁配線基
板あるいは半導体素子の所定部位との間に接続されたボ
ンディングワイヤとを備えていると共に、片方領域内に
は合成樹脂が充填され硬化されており、仕切壁で仕切ら
れた他方領域内にはゲル状樹脂が充填されていることを
特徴とするものであり、さらに、ゲル状樹脂が、シリコ
ーンゲルであることを特徴とするものであり、さらに、
合成樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とするもの
であり、また、底部に放熱ベースが設けられたケース
と、このケース内の放熱ベース上に半導体素子を搭載し
て固着された絶縁配線基板と、ケースの内側部分に設け
られたボンディングパッドと、このボンディングパッド
と絶縁配線基板あるいは半導体素子の所定部位との間に
接続されたボンディングワイヤとを備えていると共に、
ケース内にはエポキシ樹脂が充填され硬化されて、ボン
ディングパッドへのボンディングワイヤの接続部がエポ
キシ樹脂によって固定されていることを特徴とするもの
である。
底部に放熱ベースが設けられたケースと、このケース内
の放熱ベース上に半導体素子を搭載して固着された絶縁
配線基板と、ケースの内側部分に設けられたボンディン
グパッドと、このボンディングパッドと絶縁配線基板あ
るいは半導体素子の所定部位との間に接続されたボンデ
ィングワイヤとを備えてなり、ボンディングパッドへの
ボンディングワイヤの接続部には合成樹脂が被着硬化さ
れていると共に、ケース内にはゲル状樹脂が充填されて
いることを特徴とするものであり、また、底部に放熱ベ
ースが設けられたケースと、このケース内を仕切る仕切
壁と、ケース内の放熱ベース上に半導体素子を搭載して
固着された絶縁配線基板と、ケースの仕切壁で仕切られ
た片方領域の内側部分に設けられたボンディングパッド
と、このボンディングパッドと片方領域内の絶縁配線基
板あるいは半導体素子の所定部位との間に接続されたボ
ンディングワイヤとを備えていると共に、片方領域内に
は合成樹脂が充填され硬化されており、仕切壁で仕切ら
れた他方領域内にはゲル状樹脂が充填されていることを
特徴とするものであり、さらに、ゲル状樹脂が、シリコ
ーンゲルであることを特徴とするものであり、さらに、
合成樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とするもの
であり、また、底部に放熱ベースが設けられたケース
と、このケース内の放熱ベース上に半導体素子を搭載し
て固着された絶縁配線基板と、ケースの内側部分に設け
られたボンディングパッドと、このボンディングパッド
と絶縁配線基板あるいは半導体素子の所定部位との間に
接続されたボンディングワイヤとを備えていると共に、
ケース内にはエポキシ樹脂が充填され硬化されて、ボン
ディングパッドへのボンディングワイヤの接続部がエポ
キシ樹脂によって固定されていることを特徴とするもの
である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１２】先ず、第１の実施形態を図１及び図２によ
り説明する。図１は要部の断面図であり、図２は絶縁配
線基板を装着したケースの要部を一部断面にして示す斜
視図である。
り説明する。図１は要部の断面図であり、図２は絶縁配
線基板を装着したケースの要部を一部断面にして示す斜
視図である。
【００１３】図１及び図２において、２１は半導体装置
であり、２２は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製
平板で形成された放熱ベース２３を設けて構成された半
導体装置２１のケースで、その合成樹脂、例えばＰＰＳ
樹脂等によって角枠状に形成された側壁部材２４には、
外部端子２５が側壁部材２４の成形時にインサートされ
て一体的に設けられている。さらに、側壁部材２４の１
つの内壁面下部には水平な段部２６が形成されており、
この段部２６の上面には、外部端子２５と一体に形成さ
れたボンディングパッド２７が設けられている。なお、
段部２６の内方側端縁部には仕切板２８が一体成形によ
り立設されている。
であり、２２は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製
平板で形成された放熱ベース２３を設けて構成された半
導体装置２１のケースで、その合成樹脂、例えばＰＰＳ
樹脂等によって角枠状に形成された側壁部材２４には、
外部端子２５が側壁部材２４の成形時にインサートされ
て一体的に設けられている。さらに、側壁部材２４の１
つの内壁面下部には水平な段部２６が形成されており、
この段部２６の上面には、外部端子２５と一体に形成さ
れたボンディングパッド２７が設けられている。なお、
段部２６の内方側端縁部には仕切板２８が一体成形によ
り立設されている。
【００１４】一方、ケース２２内の放熱ベース２３の上
面には絶縁配線基板２９が、その裏面に被着された銅薄
板を半田付けすることによって固着されている。また絶
縁配線基板２９の上表面に被着されている所定パターと
なるようパターニングされた銅薄板には、図示しないパ
ワートランジスタ等の半導体素子が搭載されている。そ
してボンディングパッド２７と、これに対応する絶縁配
線基板２９の上表面に設けられた端子部３０とは、それ
ぞれにアーチ形状に弛みを持たせ仕切板２８を跨ぐよう
に設けられたボンディングワイヤ３１の端部がボンディ
ングされ、ボンディングパッド２７と端子部３０とが電
気的に接続されている。
面には絶縁配線基板２９が、その裏面に被着された銅薄
板を半田付けすることによって固着されている。また絶
縁配線基板２９の上表面に被着されている所定パターと
なるようパターニングされた銅薄板には、図示しないパ
ワートランジスタ等の半導体素子が搭載されている。そ
してボンディングパッド２７と、これに対応する絶縁配
線基板２９の上表面に設けられた端子部３０とは、それ
ぞれにアーチ形状に弛みを持たせ仕切板２８を跨ぐよう
に設けられたボンディングワイヤ３１の端部がボンディ
ングされ、ボンディングパッド２７と端子部３０とが電
気的に接続されている。
【００１５】さらに、ボンディングパッド２７上のボン
ディングワイヤ３１の端部がボンディングされているボ
ンディング部にはエポキシ樹脂３２が、仕切板２８によ
ってボンディングパッド２７外に流れ出るのを阻止され
るようにして被着硬化されており、この硬化したエポキ
シ樹脂３２によってボンディングワイヤ３１のボンディ
ング部のネック部分３１ａが固定された状態となってい
る。そして、ケース２２内にはゲル状樹脂のシリコーン
ゲル３３が、エポキシ樹脂３２が被着硬化されているボ
ンディングパッド２７上を含めアーチ形状となっている
ボンディングワイヤ３１を覆いつくし、絶縁配線基板２
９の上表面に搭載された半導体素子等を覆いつくすよう
に充填され、ケース２２内の充電部の封止がなされてい
る。
ディングワイヤ３１の端部がボンディングされているボ
ンディング部にはエポキシ樹脂３２が、仕切板２８によ
ってボンディングパッド２７外に流れ出るのを阻止され
るようにして被着硬化されており、この硬化したエポキ
シ樹脂３２によってボンディングワイヤ３１のボンディ
ング部のネック部分３１ａが固定された状態となってい
る。そして、ケース２２内にはゲル状樹脂のシリコーン
ゲル３３が、エポキシ樹脂３２が被着硬化されているボ
ンディングパッド２７上を含めアーチ形状となっている
ボンディングワイヤ３１を覆いつくし、絶縁配線基板２
９の上表面に搭載された半導体素子等を覆いつくすよう
に充填され、ケース２２内の充電部の封止がなされてい
る。
【００１６】このように構成されたものでは、実使用に
先立って行われる使用時よりも悪条件となる強い振動が
加わる振動試験や、使用時に比べ悪条件となる強制的に
加速した熱サイクルが加わる熱サイクル試験で、ケース
２２とその放熱ベース２３、さらに放熱ベース２３に固
着された絶縁配線基板２９などの固定された状態にある
ものと、ケース２２内に充填された柔らかいゲル状物質
であるシリコーンゲル３３とが異なった動きをする。そ
して、例えばボンディングパット２７や絶縁配線基板２
９の端子部３０に固着されているボンディングワイヤ３
１の端部と、シリコーンゲル３３内にあるアーチ形状の
ボンディングワイヤ３１の中間部との間に動きにずれを
生じる。
先立って行われる使用時よりも悪条件となる強い振動が
加わる振動試験や、使用時に比べ悪条件となる強制的に
加速した熱サイクルが加わる熱サイクル試験で、ケース
２２とその放熱ベース２３、さらに放熱ベース２３に固
着された絶縁配線基板２９などの固定された状態にある
ものと、ケース２２内に充填された柔らかいゲル状物質
であるシリコーンゲル３３とが異なった動きをする。そ
して、例えばボンディングパット２７や絶縁配線基板２
９の端子部３０に固着されているボンディングワイヤ３
１の端部と、シリコーンゲル３３内にあるアーチ形状の
ボンディングワイヤ３１の中間部との間に動きにずれを
生じる。
【００１７】しかし、ボンディングパッド２７にボンデ
ィングされているボンディングワイヤ３１のボンディン
グ部にはエポキシ樹脂３２が被着硬化されているので、
そのネック部分３１ａにおいての繰り返し応力の発生が
抑制されたものとなる。この結果、ボンディングワイヤ
３１はボンディング部のネック部分３１ａでの切断が生
じ難くいものとなって、この部分での信頼性が高いもの
となる。
ィングされているボンディングワイヤ３１のボンディン
グ部にはエポキシ樹脂３２が被着硬化されているので、
そのネック部分３１ａにおいての繰り返し応力の発生が
抑制されたものとなる。この結果、ボンディングワイヤ
３１はボンディング部のネック部分３１ａでの切断が生
じ難くいものとなって、この部分での信頼性が高いもの
となる。
【００１８】次に、第２の実施形態を図３及び図４によ
り説明する。図３は要部の断面図であり、図４は絶縁配
線基板を装着したケースの要部を一部断面にして示す分
解斜視図である。
り説明する。図３は要部の断面図であり、図４は絶縁配
線基板を装着したケースの要部を一部断面にして示す分
解斜視図である。
【００１９】図３及び図４において、４１は半導体装置
であり、４２は底部に放熱ベース２３を設けて構成され
た半導体装置４１のケースで、その合成樹脂、例えばＰ
ＰＳ樹脂等によって角枠状に形成された側壁部材４３に
は、外部端子２５が側壁部材４３の成形時にインサート
されて一体的に設けられている。また、側壁部材４３の
１つの内壁面下部には水平な段部４４が形成されてお
り、この段部４４の上面には、外部端子２５と一体に形
成されたボンディングパッド２７が設けられている。さ
らに、側壁部材４３には段部４４が設けられた内壁面に
対向すると共に段部４４との間に所定距離をおいて仕切
壁４５が一体成形により設けられている。
であり、４２は底部に放熱ベース２３を設けて構成され
た半導体装置４１のケースで、その合成樹脂、例えばＰ
ＰＳ樹脂等によって角枠状に形成された側壁部材４３に
は、外部端子２５が側壁部材４３の成形時にインサート
されて一体的に設けられている。また、側壁部材４３の
１つの内壁面下部には水平な段部４４が形成されてお
り、この段部４４の上面には、外部端子２５と一体に形
成されたボンディングパッド２７が設けられている。さ
らに、側壁部材４３には段部４４が設けられた内壁面に
対向すると共に段部４４との間に所定距離をおいて仕切
壁４５が一体成形により設けられている。
【００２０】また、側壁部材４３の下端に、図示しない
パワートランジスタ等の半導体素子を搭載する絶縁配線
基板２９が上面に固着された放熱ベース２３が取り付け
られて構成されたケース４２は、その内部が仕切壁４５
によって段部４４側の片方領域４６とそれと逆側の他方
領域４７に分けられる。なお、仕切壁４５の下端は絶縁
配線基板２９の上表面に略密着するように形成されてい
る。また絶縁配線基板２９の上表面の端子部３０は、仕
切壁４５によって片方領域４６に配置されたものとな
り、この端子部３０とこれに対応するボンディングパッ
ド２７とは、それぞれにアーチ形状に弛みを持たせたボ
ンディングワイヤ３１の端部がボンディングされ、ボン
ディングパッド２７と端子部３０とが電気的に接続され
ている。
パワートランジスタ等の半導体素子を搭載する絶縁配線
基板２９が上面に固着された放熱ベース２３が取り付け
られて構成されたケース４２は、その内部が仕切壁４５
によって段部４４側の片方領域４６とそれと逆側の他方
領域４７に分けられる。なお、仕切壁４５の下端は絶縁
配線基板２９の上表面に略密着するように形成されてい
る。また絶縁配線基板２９の上表面の端子部３０は、仕
切壁４５によって片方領域４６に配置されたものとな
り、この端子部３０とこれに対応するボンディングパッ
ド２７とは、それぞれにアーチ形状に弛みを持たせたボ
ンディングワイヤ３１の端部がボンディングされ、ボン
ディングパッド２７と端子部３０とが電気的に接続され
ている。
【００２１】そして、仕切壁４５によって仕切られボン
ディングワイヤ３１の端部がボンディングされているボ
ンディングパッド２７と、絶縁配線基板２９の端子部３
０とが配置された片方領域４６内には、エポキシ樹脂４
８がアーチ形状となっているボンディングワイヤ３１を
覆いつくすように充填され硬化されており、この硬化し
たエポキシ樹脂４８によってボンディングワイヤ３１の
ボンディング部のネック部分３１ａが固定された状態と
なっている。また他方領域４７内にはゲル状樹脂のシリ
コーンゲル４９が絶縁配線基板２９の上表面に搭載され
た半導体素子等を覆いつくすように充填され、ケース４
２内の充電部の封止がなされている。
ディングワイヤ３１の端部がボンディングされているボ
ンディングパッド２７と、絶縁配線基板２９の端子部３
０とが配置された片方領域４６内には、エポキシ樹脂４
８がアーチ形状となっているボンディングワイヤ３１を
覆いつくすように充填され硬化されており、この硬化し
たエポキシ樹脂４８によってボンディングワイヤ３１の
ボンディング部のネック部分３１ａが固定された状態と
なっている。また他方領域４７内にはゲル状樹脂のシリ
コーンゲル４９が絶縁配線基板２９の上表面に搭載され
た半導体素子等を覆いつくすように充填され、ケース４
２内の充電部の封止がなされている。
【００２２】このように構成されたものでは、例えばボ
ンディングパッド２７や絶縁配線基板２９の端子部３０
にボンディングされているボンディングワイヤ３１の端
部やアーチ形状の中間部が片方領域４６内に配置され、
充填されたエポキシ樹脂４８によって固定されている。
このため、上記の第１の実施形態と同様に実施される振
動試験や熱サイクル試験でも、ボンディングワイヤ３１
の端部と中間部との間に動きにずれを生じることがな
く、ボンディング部のネック部分３１ａでの繰り返し応
力の発生が抑制されたものとなる。この結果、ボンディ
ングワイヤ３１はボンディング部のネック部分３１ａで
の切断が生じ難くいものとなって、この部分での信頼性
が高いものとなる。
ンディングパッド２７や絶縁配線基板２９の端子部３０
にボンディングされているボンディングワイヤ３１の端
部やアーチ形状の中間部が片方領域４６内に配置され、
充填されたエポキシ樹脂４８によって固定されている。
このため、上記の第１の実施形態と同様に実施される振
動試験や熱サイクル試験でも、ボンディングワイヤ３１
の端部と中間部との間に動きにずれを生じることがな
く、ボンディング部のネック部分３１ａでの繰り返し応
力の発生が抑制されたものとなる。この結果、ボンディ
ングワイヤ３１はボンディング部のネック部分３１ａで
の切断が生じ難くいものとなって、この部分での信頼性
が高いものとなる。
【００２３】次に、第３の実施形態を図５により説明す
る。図５は要部の断面図である。図５において、５１は
半導体装置であり、５２は底部に放熱ベース２３を設け
て構成された半導体装置５１のケースで、その合成樹
脂、例えばＰＰＳ樹脂等によって角枠状に形成された側
壁部材５３には、外部端子２５が側壁部材５３の成形時
にインサートされて一体的に設けられている。また、側
壁部材５３の１つの内壁面下部には水平な段部４４が形
成されており、この段部４４の上面には、外部端子２５
と一体に形成されたボンディングパッド２７が設けられ
ている。
る。図５は要部の断面図である。図５において、５１は
半導体装置であり、５２は底部に放熱ベース２３を設け
て構成された半導体装置５１のケースで、その合成樹
脂、例えばＰＰＳ樹脂等によって角枠状に形成された側
壁部材５３には、外部端子２５が側壁部材５３の成形時
にインサートされて一体的に設けられている。また、側
壁部材５３の１つの内壁面下部には水平な段部４４が形
成されており、この段部４４の上面には、外部端子２５
と一体に形成されたボンディングパッド２７が設けられ
ている。
【００２４】一方、ケース５２内の放熱ベース２３の上
面には絶縁配線基板２９が固着されており、また絶縁配
線基板２９の上表面には図示しないパワートランジスタ
等の半導体素子を搭載されている。そしてボンディング
パッド２７と、これに対応する絶縁配線基板２９の上表
面に設けられた端子部３０とは、それぞれにアーチ形状
に弛みを持たせたボンディングワイヤ３１の端部がボン
ディングされ、ボンディングパッド２７と端子部３０と
が電気的に接続されている。
面には絶縁配線基板２９が固着されており、また絶縁配
線基板２９の上表面には図示しないパワートランジスタ
等の半導体素子を搭載されている。そしてボンディング
パッド２７と、これに対応する絶縁配線基板２９の上表
面に設けられた端子部３０とは、それぞれにアーチ形状
に弛みを持たせたボンディングワイヤ３１の端部がボン
ディングされ、ボンディングパッド２７と端子部３０と
が電気的に接続されている。
【００２５】さらに、ケース５２内にはエポキシ樹脂５
４が絶縁配線基板２９の上表面に搭載された半導体素子
等を覆いつくし、アーチ形状となっているボンディング
ワイヤ３１を覆いつくすように充填され硬化されてい
る。これにより、硬化したエポキシ樹脂５４によってボ
ンディングワイヤ３１のボンディング部のネック部分３
１ａが固定された状態となっており、またケース５２内
の充電部の封止がなされている。
４が絶縁配線基板２９の上表面に搭載された半導体素子
等を覆いつくし、アーチ形状となっているボンディング
ワイヤ３１を覆いつくすように充填され硬化されてい
る。これにより、硬化したエポキシ樹脂５４によってボ
ンディングワイヤ３１のボンディング部のネック部分３
１ａが固定された状態となっており、またケース５２内
の充電部の封止がなされている。
【００２６】このように構成されたものでは、ボンディ
ングパッド２７と端子部３０にボンディングされている
ボンディングワイヤ３１について上記第２の実施形態と
同様の効果が得られると共に、ボンディングワイヤ３１
全体がエポキシ樹脂５４で埋め込まれているので、万
一、ボンディングワイヤ３１が溶断したりするようなこ
とがあったとしても発火にいたるのを防止することがで
きる。
ングパッド２７と端子部３０にボンディングされている
ボンディングワイヤ３１について上記第２の実施形態と
同様の効果が得られると共に、ボンディングワイヤ３１
全体がエポキシ樹脂５４で埋め込まれているので、万
一、ボンディングワイヤ３１が溶断したりするようなこ
とがあったとしても発火にいたるのを防止することがで
きる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、ボンディングパッドへのボンディングワイヤの接続
部を合成樹脂で覆い、覆っている合成樹脂を硬化させる
ことで動かないように固定する構成としたことにより、
強い振動や強制的な熱サイクルが加わるようなことが有
っても、ボンディングワイヤが接続部で容易に断線して
しまうことがなく、接続部での信頼性がより向上したも
のとなる等の効果を奏する。
は、ボンディングパッドへのボンディングワイヤの接続
部を合成樹脂で覆い、覆っている合成樹脂を硬化させる
ことで動かないように固定する構成としたことにより、
強い振動や強制的な熱サイクルが加わるようなことが有
っても、ボンディングワイヤが接続部で容易に断線して
しまうことがなく、接続部での信頼性がより向上したも
のとなる等の効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す要部の断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る絶縁配線基板を
装着したケースの要部を一部断面にして示す斜視図であ
る。
装着したケースの要部を一部断面にして示す斜視図であ
る。
【図３】本発明の第２の実施形態を示す要部の断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る絶縁配線基板を
装着したケースの要部を一部断面にして示す分解斜視図
である。
装着したケースの要部を一部断面にして示す分解斜視図
である。
【図５】本発明の第３の実施形態を示す要部の断面図で
ある。
ある。
【図６】第１の従来例における要部の断面図である。
【図７】第２の従来例における要部の断面図である。
２２，４２，５２…ケース ２３…放熱ベース ２４，４３，５３…側壁部材 ２７…ボンディングパッド ２９…絶縁配線基板 ３０…端子部 ３１…ボンディングワイヤ ３１ａ…ネック部分 ３２，４８，５４…エポキシ樹脂 ３３，４９…シリコーンゲル ４５…仕切壁 ４６…片方領域 ４７…他方領域
Claims (5)
- 【請求項１】 底部に放熱ベースが設けられたケース
と、このケース内の前記放熱ベース上に半導体素子を搭
載して固着された絶縁配線基板と、前記ケースの内側部
分に設けられたボンディングパッドと、このボンディン
グパッドと前記絶縁配線基板あるいは半導体素子の所定
部位との間に接続されたボンディングワイヤとを備えて
なり、前記ボンディングパッドへの前記ボンディングワ
イヤの接続部には合成樹脂が被着硬化されていると共
に、前記ケース内にはゲル状樹脂が充填されていること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 底部に放熱ベースが設けられたケース
と、このケース内を仕切る仕切壁と、前記ケース内の前
記放熱ベース上に半導体素子を搭載して固着された絶縁
配線基板と、前記ケースの前記仕切壁で仕切られた片方
領域の内側部分に設けられたボンディングパッドと、こ
のボンディングパッドと前記片方領域内の前記絶縁配線
基板あるいは半導体素子の所定部位との間に接続された
ボンディングワイヤとを備えていると共に、前記片方領
域内には合成樹脂が充填され硬化されており、前記仕切
壁で仕切られた他方領域内にはゲル状樹脂が充填されて
いることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 ゲル状樹脂が、シリコーンゲルであるこ
とを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれかに記載
の半導体装置。 - 【請求項４】 合成樹脂が、エポキシ樹脂であることを
特徴とする請求項１及び請求項２のいずれかに記載の半
導体装置。 - 【請求項５】 底部に放熱ベースが設けられたケース
と、このケース内の前記放熱ベース上に半導体素子を搭
載して固着された絶縁配線基板と、前記ケースの内側部
分に設けられたボンディングパッドと、このボンディン
グパッドと前記絶縁配線基板あるいは半導体素子の所定
部位との間に接続されたボンディングワイヤとを備えて
いると共に、前記ケース内にはエポキシ樹脂が充填され
硬化されて、前記ボンディングパッドへの前記ボンディ
ングワイヤの接続部が前記エポキシ樹脂によって固定さ
れていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8204524A JPH1050897A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8204524A JPH1050897A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050897A true JPH1050897A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16491969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8204524A Pending JPH1050897A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050897A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011117935A1 (ja) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワーモジュールとその製造方法 |
| JPWO2012144070A1 (ja) * | 2011-04-22 | 2014-07-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| WO2015152373A1 (ja) * | 2014-04-03 | 2015-10-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| WO2021261056A1 (ja) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 株式会社日立パワーデバイス | パワーモジュール |
| US11616024B2 (en) | 2020-01-31 | 2023-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage device including semiconductor chips sealed with resin on metal plate |
-
1996
- 1996-08-02 JP JP8204524A patent/JPH1050897A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011117935A1 (ja) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワーモジュールとその製造方法 |
| JP2011199207A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-06 | Hitachi Automotive Systems Ltd | パワーモジュールとその製造方法 |
| CN102754205A (zh) * | 2010-03-24 | 2012-10-24 | 日立汽车系统株式会社 | 电源模块及其制造方法 |
| US8995142B2 (en) | 2010-03-24 | 2015-03-31 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Power module and method for manufacturing the same |
| JPWO2012144070A1 (ja) * | 2011-04-22 | 2014-07-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US9153512B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-10-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device with an insulating terminal table |
| JP5847165B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2016-01-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| WO2015152373A1 (ja) * | 2014-04-03 | 2015-10-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US11616024B2 (en) | 2020-01-31 | 2023-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage device including semiconductor chips sealed with resin on metal plate |
| WO2021261056A1 (ja) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 株式会社日立パワーデバイス | パワーモジュール |
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