JPH1084009A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 強い振動や強制的な熱サイクルのもとでもボ
ンディングされたボンディングワイヤのネック部分で容
易に断線してしまうことがなく、ボンディング部分での
信頼性がより向上した半導体装置を提供する。 【解決手段】 ケース２２の底部の放熱ベース２３上に
収納した絶縁配線基板３２の電極部３５と、ケース２２
の側壁部材２４の内側に形成された段部２６のボンディ
ングパッド２７とをボンディングワイヤ２８で接続し、
ボンディングワイヤ２８を覆うようケース２２内にシリ
コーンゲル３７を充填してなると共に、側壁部材２４に
ケース２２の内方に向けボンディングパット２７の両側
方部分を所定間隔を設けて囲うよう延出する所定形状の
側方壁部３０を備えるもので、これら側方壁部３０によ
って、強い振動や強制的な熱サイクルが加わってもボン
ディングパッド２７の近傍部分でのシリコーンゲル３７
の移動が抑制される。
ンディングされたボンディングワイヤのネック部分で容
易に断線してしまうことがなく、ボンディング部分での
信頼性がより向上した半導体装置を提供する。 【解決手段】 ケース２２の底部の放熱ベース２３上に
収納した絶縁配線基板３２の電極部３５と、ケース２２
の側壁部材２４の内側に形成された段部２６のボンディ
ングパッド２７とをボンディングワイヤ２８で接続し、
ボンディングワイヤ２８を覆うようケース２２内にシリ
コーンゲル３７を充填してなると共に、側壁部材２４に
ケース２２の内方に向けボンディングパット２７の両側
方部分を所定間隔を設けて囲うよう延出する所定形状の
側方壁部３０を備えるもので、これら側方壁部３０によ
って、強い振動や強制的な熱サイクルが加わってもボン
ディングパッド２７の近傍部分でのシリコーンゲル３７
の移動が抑制される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパワートラ
ンジスタ等の半導体素子を搭載した絶縁配線基板をケー
ス内に収納し、ボンディングワイヤを所定部分間にボン
ディングすると共にケース内にゲル状樹脂を充填して構
成した半導体装置に関する。
ンジスタ等の半導体素子を搭載した絶縁配線基板をケー
ス内に収納し、ボンディングワイヤを所定部分間にボン
ディングすると共にケース内にゲル状樹脂を充填して構
成した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、絶縁配線基板上にパワートランジ
スタ等の半導体素子を搭載したものをケース内に収納し
モジュール化した半導体装置では、高信頼性の半田レス
パッケージ構造として電極部や端子部等の間の電気的接
続にボンディングワイヤによる接続構造が取られてお
り、またケース内には電気的絶縁や保護、放熱等のため
にゲル状樹脂の充填が行われている。
スタ等の半導体素子を搭載したものをケース内に収納し
モジュール化した半導体装置では、高信頼性の半田レス
パッケージ構造として電極部や端子部等の間の電気的接
続にボンディングワイヤによる接続構造が取られてお
り、またケース内には電気的絶縁や保護、放熱等のため
にゲル状樹脂の充填が行われている。
【０００３】以下、従来例を図１５を参照して説明す
る。図１５は要部の断面図であり、図１５において、半
導体装置１は、ケース２が底部に金属板で形成された放
熱ベース３を設け、合成樹脂製の角枠状の側壁部材４を
設けて構成されている。側壁部材４には上面から突出す
る外部端子５が側壁部材４の成形時にインサートされて
一体的に設けられている。さらに側壁部材４の内側部分
に形成された段部６には、外部端子５と一体のボンディ
ングパット７が設けられている。一方、ケース２内の放
熱ベース３の上面にはパターニングされた銅薄板８が表
面に被着された絶縁配線基板９が、その裏面に被着され
た銅薄板１０を半田付けすることによって固定されてい
る。
る。図１５は要部の断面図であり、図１５において、半
導体装置１は、ケース２が底部に金属板で形成された放
熱ベース３を設け、合成樹脂製の角枠状の側壁部材４を
設けて構成されている。側壁部材４には上面から突出す
る外部端子５が側壁部材４の成形時にインサートされて
一体的に設けられている。さらに側壁部材４の内側部分
に形成された段部６には、外部端子５と一体のボンディ
ングパット７が設けられている。一方、ケース２内の放
熱ベース３の上面にはパターニングされた銅薄板８が表
面に被着された絶縁配線基板９が、その裏面に被着され
た銅薄板１０を半田付けすることによって固定されてい
る。
【０００４】また、絶縁配線基板９の上にはパターニン
グされた銅薄板８の所定部位にパワートランジスタ等の
半導体素子１１がダイボンディングされている。そして
ボンディングパット７と、これに対応する半導体素子１
１の電極部１２及び絶縁配線基板９上面の銅薄板８によ
って形成された端子部１３には、それぞれにアーチ形状
に弛みを持たせるようにしたボンディングワイヤ１４が
ボンディングされ、ボンディングパット７と半導体素子
１１の電極部１２及び端子部１３とが電気的に接続され
ている。またさらにケース２内にはアーチ形状となって
いるボンディングワイヤ１４を覆いつくすように、シリ
コーンゲル１５が充填され、ケース２内の充電部の封止
がなされている。
グされた銅薄板８の所定部位にパワートランジスタ等の
半導体素子１１がダイボンディングされている。そして
ボンディングパット７と、これに対応する半導体素子１
１の電極部１２及び絶縁配線基板９上面の銅薄板８によ
って形成された端子部１３には、それぞれにアーチ形状
に弛みを持たせるようにしたボンディングワイヤ１４が
ボンディングされ、ボンディングパット７と半導体素子
１１の電極部１２及び端子部１３とが電気的に接続され
ている。またさらにケース２内にはアーチ形状となって
いるボンディングワイヤ１４を覆いつくすように、シリ
コーンゲル１５が充填され、ケース２内の充電部の封止
がなされている。
【０００５】そして、このように構成されたものに対し
実使用に先立って振動試験や熱サイクル試験等が行われ
る。振動試験は使用状態における耐振性能を確認するた
めに行われるもので、使用時よりも悪条件となる強い振
動が加わるようにして行われる。こうした実使用に対し
大きな裕度を見て行われる振動試験において、例えばケ
ース２に設けられたボンディングパット７に端部をボン
ディングしたボンディングワイヤ１４が、そのボンディ
ング部のネック部分１４ａで切れてしまうことがある。
また、熱サイクル試験も使用状態における耐熱サイクル
性能を確認するために行われるもので、同様に使用時に
比べ悪条件となる強制的に加速した熱サイクルが加わる
ようにして行われる。こうした熱サイクル試験でもボン
ディングワイヤ１４が、そのボンディング部のネック部
分１４ａで切れてしまうことがある。
実使用に先立って振動試験や熱サイクル試験等が行われ
る。振動試験は使用状態における耐振性能を確認するた
めに行われるもので、使用時よりも悪条件となる強い振
動が加わるようにして行われる。こうした実使用に対し
大きな裕度を見て行われる振動試験において、例えばケ
ース２に設けられたボンディングパット７に端部をボン
ディングしたボンディングワイヤ１４が、そのボンディ
ング部のネック部分１４ａで切れてしまうことがある。
また、熱サイクル試験も使用状態における耐熱サイクル
性能を確認するために行われるもので、同様に使用時に
比べ悪条件となる強制的に加速した熱サイクルが加わる
ようにして行われる。こうした熱サイクル試験でもボン
ディングワイヤ１４が、そのボンディング部のネック部
分１４ａで切れてしまうことがある。
【０００６】このボンディングワイヤ１４のネック部分
１４ａでの切断は、加えられた振動や熱サイクルによっ
て、ケース２とその放熱ベース３、さらに放熱ベース３
に固着された絶縁配線基板９などの固定された状態にあ
るものと、ケース２内に充填された柔らかいゲル状物質
であるシリコーンゲル１５とがそれぞれ異なった動きを
し、これによってケース２に設けられたボンディングパ
ット７に固着されているボンディングワイヤ１４の端部
と、シリコーンゲル１５内にあるアーチ形状のボンディ
ングワイヤ１４の中間部との間に動きのずれが生じ、こ
の動きのずれによってネック部分１４ａに繰り返しの応
力が発生して生じる。
１４ａでの切断は、加えられた振動や熱サイクルによっ
て、ケース２とその放熱ベース３、さらに放熱ベース３
に固着された絶縁配線基板９などの固定された状態にあ
るものと、ケース２内に充填された柔らかいゲル状物質
であるシリコーンゲル１５とがそれぞれ異なった動きを
し、これによってケース２に設けられたボンディングパ
ット７に固着されているボンディングワイヤ１４の端部
と、シリコーンゲル１５内にあるアーチ形状のボンディ
ングワイヤ１４の中間部との間に動きのずれが生じ、こ
の動きのずれによってネック部分１４ａに繰り返しの応
力が発生して生じる。
【０００７】このため、使用時よりも強い振動が加わる
振動試験や強制的に加速した熱サイクルが加わる熱サイ
クル試験を行った場合でも、ボンディングワイヤ１４が
ボンディングされているネック部分１４ａで切れてしま
うことがないようにして、より高い信頼性が得られるも
のにすることが強く望まれている。
振動試験や強制的に加速した熱サイクルが加わる熱サイ
クル試験を行った場合でも、ボンディングワイヤ１４が
ボンディングされているネック部分１４ａで切れてしま
うことがないようにして、より高い信頼性が得られるも
のにすることが強く望まれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、強い振動や強制的な熱サ
イクルが加わるようなことが有っても、ボンディングワ
イヤがボンディングされているネック部分で容易に断線
してしまうことがなく、ボンディング部分での信頼性が
より向上した半導体装置を提供することを目的とする。
みて本発明はなされたもので、強い振動や強制的な熱サ
イクルが加わるようなことが有っても、ボンディングワ
イヤがボンディングされているネック部分で容易に断線
してしまうことがなく、ボンディング部分での信頼性が
より向上した半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
底部に放熱ベースが設けられたケースと、このケース内
の放熱ベース上に半導体素子を搭載して固着された絶縁
配線基板と、ケースの内側段部分に設けられたボンディ
ングパッドと、このボンディングパッドと絶縁配線基板
あるいは半導体素子の所定部位との間に接続されたボン
ディングワイヤとを備え、ケースには内部にボンディン
グワイヤを覆うようにゲル状樹脂が充填されていると共
に、ボンディングパッドの近傍に該ボンディングパッド
部分でのゲル状樹脂の移動を抑制する壁が設けられてい
ることを特徴とするものであり、さらに、壁は、壁面が
ボンディングパッドに接続されたボンディングワイヤの
ボンディング部位の中心から該ボンディングワイヤの直
径の５倍以内の距離に該ボンディングワイヤに沿うよう
位置すると共に、ボンディング部位のワイヤ軸方向長さ
の１０倍以上の長さを有し、かつボンディングパッドの
上面よりボンディングワイヤの直径の１０倍以上の高さ
を有するものであることを特徴とするものであり、さら
に、壁が、ボンディングワイヤを接続したボンディング
パッドの両側近傍に位置するよう設けられた側方壁部
と、内側段部分のケース内方側に側方壁部間を横断する
よう設けられた横断壁体とでなるものであることを特徴
とするものである。
底部に放熱ベースが設けられたケースと、このケース内
の放熱ベース上に半導体素子を搭載して固着された絶縁
配線基板と、ケースの内側段部分に設けられたボンディ
ングパッドと、このボンディングパッドと絶縁配線基板
あるいは半導体素子の所定部位との間に接続されたボン
ディングワイヤとを備え、ケースには内部にボンディン
グワイヤを覆うようにゲル状樹脂が充填されていると共
に、ボンディングパッドの近傍に該ボンディングパッド
部分でのゲル状樹脂の移動を抑制する壁が設けられてい
ることを特徴とするものであり、さらに、壁は、壁面が
ボンディングパッドに接続されたボンディングワイヤの
ボンディング部位の中心から該ボンディングワイヤの直
径の５倍以内の距離に該ボンディングワイヤに沿うよう
位置すると共に、ボンディング部位のワイヤ軸方向長さ
の１０倍以上の長さを有し、かつボンディングパッドの
上面よりボンディングワイヤの直径の１０倍以上の高さ
を有するものであることを特徴とするものであり、さら
に、壁が、ボンディングワイヤを接続したボンディング
パッドの両側近傍に位置するよう設けられた側方壁部
と、内側段部分のケース内方側に側方壁部間を横断する
よう設けられた横断壁体とでなるものであることを特徴
とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１１】先ず、第１の実施形態を図１乃至図６によ
り説明する。図１は要部の断面図であり、図２は部分上
面図であり、図３は部分断面図であり、図４はボンディ
ング部長さと側方壁部長さの比に対する不良率依存性を
示す図であり、図５はボンディングワイヤ直径とボンデ
ィングワイヤからの側方壁部の離間距離の比に対する不
良率依存性を示す図であり、図６はボンディングワイヤ
直径と側方壁部高さの比に対する不良率依存性を示す図
である。
り説明する。図１は要部の断面図であり、図２は部分上
面図であり、図３は部分断面図であり、図４はボンディ
ング部長さと側方壁部長さの比に対する不良率依存性を
示す図であり、図５はボンディングワイヤ直径とボンデ
ィングワイヤからの側方壁部の離間距離の比に対する不
良率依存性を示す図であり、図６はボンディングワイヤ
直径と側方壁部高さの比に対する不良率依存性を示す図
である。
【００１２】図１乃至図６において、半導体装置２１は
ケース２２が底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平
板で形成された放熱ベース２３を設け、この放熱ベース
２３の上に合成樹脂製の角枠状の側壁部材２４を設けて
構成されている。また合成樹脂製の側壁部材２４には外
部端子２５が、側壁部材２４の上面から上方に突出する
よう成形時にインサートされて一体的に設けられてい
る。さらに、側壁部材２４の１つの内壁面にはその中間
部に水平な段部２６が形成されており、この段部２６の
上面には、外部端子２５と一体に形成されたボンディン
グパット２７が設けられている。なお、ボンディングパ
ット２７の上面には直径Ｌ1 のボンディングワイヤ２８
の一端が、軸方向にボンディング長さＬ2 の潰れ部分が
形成されるようにボンディングされている。また、側壁
部材２４の段部２６が形成された内壁面からはケース２
２の内方に向け、段部２６上のボンディングパット２７
の両側方部分を所定間隔を設けるようにして囲い区画す
る所定形状の側方壁部３０が延出している。
ケース２２が底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平
板で形成された放熱ベース２３を設け、この放熱ベース
２３の上に合成樹脂製の角枠状の側壁部材２４を設けて
構成されている。また合成樹脂製の側壁部材２４には外
部端子２５が、側壁部材２４の上面から上方に突出する
よう成形時にインサートされて一体的に設けられてい
る。さらに、側壁部材２４の１つの内壁面にはその中間
部に水平な段部２６が形成されており、この段部２６の
上面には、外部端子２５と一体に形成されたボンディン
グパット２７が設けられている。なお、ボンディングパ
ット２７の上面には直径Ｌ1 のボンディングワイヤ２８
の一端が、軸方向にボンディング長さＬ2 の潰れ部分が
形成されるようにボンディングされている。また、側壁
部材２４の段部２６が形成された内壁面からはケース２
２の内方に向け、段部２６上のボンディングパット２７
の両側方部分を所定間隔を設けるようにして囲い区画す
る所定形状の側方壁部３０が延出している。
【００１３】一方、ケース２２内の放熱ベース２３の上
面にはパターニングされた銅薄板３１が表面に被着され
た絶縁配線基板３２が、その裏面に被着された銅薄板３
３を半田付けすることによって固定されている。また、
この絶縁配線基板３２の上にはパターニングされた銅薄
板３１の所定部位にパワートランジスタ等の半導体素子
３４がダイボンディングされている。そしてボンディン
グパット２７と、これに対応する半導体素子３４の電極
部３５及び絶縁配線基板３２上面の銅薄板３１によって
形成された端子部３６には、それぞれにアーチ形状に弛
みを持たせるようにしてボンディングワイヤ２８がボン
ディングされ、ボンディングパット２７と半導体素子３
４の電極部３５及び端子部３６とが電気的に接続されて
いる。またさらにケース２２内にはアーチ形状となって
いるボンディングワイヤ２８を覆いつくすように、ゲル
状樹脂のシリコーンゲル３７が充填され、ケース２２内
の充電部の封止がなされている。
面にはパターニングされた銅薄板３１が表面に被着され
た絶縁配線基板３２が、その裏面に被着された銅薄板３
３を半田付けすることによって固定されている。また、
この絶縁配線基板３２の上にはパターニングされた銅薄
板３１の所定部位にパワートランジスタ等の半導体素子
３４がダイボンディングされている。そしてボンディン
グパット２７と、これに対応する半導体素子３４の電極
部３５及び絶縁配線基板３２上面の銅薄板３１によって
形成された端子部３６には、それぞれにアーチ形状に弛
みを持たせるようにしてボンディングワイヤ２８がボン
ディングされ、ボンディングパット２７と半導体素子３
４の電極部３５及び端子部３６とが電気的に接続されて
いる。またさらにケース２２内にはアーチ形状となって
いるボンディングワイヤ２８を覆いつくすように、ゲル
状樹脂のシリコーンゲル３７が充填され、ケース２２内
の充電部の封止がなされている。
【００１４】また、側壁部材２４の内壁面からケース２
２の内方に向け延出する側方壁部３０は、ボンディング
ワイヤ２８のボンディングパット２７にボンディングさ
れているボンディング部２９の中心から、側方距離Ｗの
位置に壁面が来るように設けられていると共に、ボンデ
ィング部２９の中心からケース２２の内方へは延出長さ
Ｌを有し、さらにボンディングパット２７の上面に対し
高さｈを有するものとなっている。そして各値は、側方
距離Ｗが （Ｗ／Ｌ1 ）≦５に、延出長さＬが（Ｌ／Ｌ
2 ）≧１０に、高さｈが （ｈ／Ｌ1 ）≧１０になって
いる。
２の内方に向け延出する側方壁部３０は、ボンディング
ワイヤ２８のボンディングパット２７にボンディングさ
れているボンディング部２９の中心から、側方距離Ｗの
位置に壁面が来るように設けられていると共に、ボンデ
ィング部２９の中心からケース２２の内方へは延出長さ
Ｌを有し、さらにボンディングパット２７の上面に対し
高さｈを有するものとなっている。そして各値は、側方
距離Ｗが （Ｗ／Ｌ1 ）≦５に、延出長さＬが（Ｌ／Ｌ
2 ）≧１０に、高さｈが （ｈ／Ｌ1 ）≧１０になって
いる。
【００１５】なお、上記のボンディング部２９近傍に設
けられる側方壁部３０の形状寸法等は、各部寸法の比に
対する不良率依存性を示す図４乃至図６に基づいて決定
したものとなっている。すなわち、ボンディング長さＬ
2 と延出長さＬとの比（Ｌ／Ｌ2 ）を変化させた場合
に、（Ｌ／Ｌ2 ）が０から５と大きくなると不良率は急
減し、さらに比が１０以上になると不良率は略０とな
る。また、ボンディングワイヤ２８の直径Ｌ1 とボンデ
ィング部２９の中心から側方壁部３０の壁面までの距離
である側方距離Ｗとの比（Ｗ／Ｌ1 ）を変化させた場合
に、（Ｗ／Ｌ1 ）が０から５までの範囲では不良率は略
０で、比が５を越えると不良率は増加し、１０以上で急
増する。さらにまた、ボンディングワイヤ２８の直径Ｌ
1 と側方壁部３０のボンディングパット２７の上面から
の高さｈとの比（ｈ／Ｌ1 ）を変化させた場合に、（ｈ
／Ｌ1 ）が０から５と大きくなると不良率は急減し、さ
らに比が１０以上になると不良率は略０となる。
けられる側方壁部３０の形状寸法等は、各部寸法の比に
対する不良率依存性を示す図４乃至図６に基づいて決定
したものとなっている。すなわち、ボンディング長さＬ
2 と延出長さＬとの比（Ｌ／Ｌ2 ）を変化させた場合
に、（Ｌ／Ｌ2 ）が０から５と大きくなると不良率は急
減し、さらに比が１０以上になると不良率は略０とな
る。また、ボンディングワイヤ２８の直径Ｌ1 とボンデ
ィング部２９の中心から側方壁部３０の壁面までの距離
である側方距離Ｗとの比（Ｗ／Ｌ1 ）を変化させた場合
に、（Ｗ／Ｌ1 ）が０から５までの範囲では不良率は略
０で、比が５を越えると不良率は増加し、１０以上で急
増する。さらにまた、ボンディングワイヤ２８の直径Ｌ
1 と側方壁部３０のボンディングパット２７の上面から
の高さｈとの比（ｈ／Ｌ1 ）を変化させた場合に、（ｈ
／Ｌ1 ）が０から５と大きくなると不良率は急減し、さ
らに比が１０以上になると不良率は略０となる。
【００１６】このように構成されたものに対し、実使用
に先立って使用時よりも悪条件となる強い振動が加わる
振動試験や、使用時に比べ悪条件となる強制的に加速し
た熱サイクルが加わる熱サイクル試験が行われる。これ
らの試験が行われることによって、ケース２２とその放
熱ベース２３、さらに放熱ベース２３に固着された絶縁
配線基板３２などの固定された状態にあるものと、ケー
ス２２内に充填されたシリコーンゲル３７とが異なった
動きをする。そして、側方壁部３０により区画されてい
るボンディングパット２７に固着されたボンディング部
２９近傍のボンディングワイヤ２８と、その他のシリコ
ーンゲル３７内にあるアーチ形状のボンディングワイヤ
２８の中間部との間に動きにずれを生じる。
に先立って使用時よりも悪条件となる強い振動が加わる
振動試験や、使用時に比べ悪条件となる強制的に加速し
た熱サイクルが加わる熱サイクル試験が行われる。これ
らの試験が行われることによって、ケース２２とその放
熱ベース２３、さらに放熱ベース２３に固着された絶縁
配線基板３２などの固定された状態にあるものと、ケー
ス２２内に充填されたシリコーンゲル３７とが異なった
動きをする。そして、側方壁部３０により区画されてい
るボンディングパット２７に固着されたボンディング部
２９近傍のボンディングワイヤ２８と、その他のシリコ
ーンゲル３７内にあるアーチ形状のボンディングワイヤ
２８の中間部との間に動きにずれを生じる。
【００１７】しかし、ボンディングパット２７の両側近
傍に、所定側方距離Ｗの位置に所定高さｈ、所定延出長
さＬの側方壁部３０が設けられているので、側方壁部３
０で区画されたボンディングパット２７の近傍のシリコ
ーンゲル３７の移動が抑制される。その結果、ボンディ
ングワイヤ２８のボンディング部２９近傍での移動量が
少なくなり、ネック部分２８ａでの繰り返し曲げ量が少
なく曲げが緩和されたものとなって、ネック部分２８ａ
における繰り返し応力の発生が抑制されたものとなる。
そして、ボンディングワイヤ２８はボンディング部２９
のネック部分２８ａでの切断が生じ難くいものとなっ
て、この部分での信頼性が高いものとなる。
傍に、所定側方距離Ｗの位置に所定高さｈ、所定延出長
さＬの側方壁部３０が設けられているので、側方壁部３
０で区画されたボンディングパット２７の近傍のシリコ
ーンゲル３７の移動が抑制される。その結果、ボンディ
ングワイヤ２８のボンディング部２９近傍での移動量が
少なくなり、ネック部分２８ａでの繰り返し曲げ量が少
なく曲げが緩和されたものとなって、ネック部分２８ａ
における繰り返し応力の発生が抑制されたものとなる。
そして、ボンディングワイヤ２８はボンディング部２９
のネック部分２８ａでの切断が生じ難くいものとなっ
て、この部分での信頼性が高いものとなる。
【００１８】次に、第２の実施形態を図７乃至図９によ
り説明する。図７は部分上面図であり、図８は図７のＡ
−Ａ矢方向視の部分断面図であり、図９は図７のＢ−Ｂ
矢方向視の部分断面図である。
り説明する。図７は部分上面図であり、図８は図７のＡ
−Ａ矢方向視の部分断面図であり、図９は図７のＢ−Ｂ
矢方向視の部分断面図である。
【００１９】図７乃至図９において、半導体装置は第１
の実施形態と同様に、良熱伝導材料製平板、例えば銅製
平板で形成された図示しない放熱ベースを底部に設け、
この放熱ベースの上に合成樹脂製の角枠状の側壁部材４
１を設けてケース４２が構成されている。そして側壁部
材４１の１つの内壁面にはその中間部に水平な狭幅段部
４３と広幅段部４４が形成されており、これらの狭幅段
部４３及び広幅段部４４の上面には、ケース４２の側壁
部材４１の上面から上方に突出する図示しない外部端子
と一体に形成され、合成樹脂製の側壁部材４１の成形時
にインサートされて一体的に設けられたボンディングパ
ット４５，４６が設けられている。なお、狭幅段部４３
に設けられたボンディングパット４５の上面には直径Ｌ
1 の１本のボンディングワイヤ２８の一端が、また広幅
段部４４に設けられたボンディングパット４６の上面に
は同じく直径Ｌ1 の２本のボンディングワイヤ２８の一
端が、それぞれ軸方向にボンディング長さＬ2 の潰れ部
分が形成されるようにボンディングされている。また、
側壁部材４１の狭幅段部４３と広幅段部４４が形成され
た内壁面からはケース４２の内方に向け、狭幅段部４３
及び広幅段部４４上のボンディングパット４５，４６の
両側方部分を所定間隔を設けるようにして囲い区画する
所定形状の側方壁部４７が延出している。
の実施形態と同様に、良熱伝導材料製平板、例えば銅製
平板で形成された図示しない放熱ベースを底部に設け、
この放熱ベースの上に合成樹脂製の角枠状の側壁部材４
１を設けてケース４２が構成されている。そして側壁部
材４１の１つの内壁面にはその中間部に水平な狭幅段部
４３と広幅段部４４が形成されており、これらの狭幅段
部４３及び広幅段部４４の上面には、ケース４２の側壁
部材４１の上面から上方に突出する図示しない外部端子
と一体に形成され、合成樹脂製の側壁部材４１の成形時
にインサートされて一体的に設けられたボンディングパ
ット４５，４６が設けられている。なお、狭幅段部４３
に設けられたボンディングパット４５の上面には直径Ｌ
1 の１本のボンディングワイヤ２８の一端が、また広幅
段部４４に設けられたボンディングパット４６の上面に
は同じく直径Ｌ1 の２本のボンディングワイヤ２８の一
端が、それぞれ軸方向にボンディング長さＬ2 の潰れ部
分が形成されるようにボンディングされている。また、
側壁部材４１の狭幅段部４３と広幅段部４４が形成され
た内壁面からはケース４２の内方に向け、狭幅段部４３
及び広幅段部４４上のボンディングパット４５，４６の
両側方部分を所定間隔を設けるようにして囲い区画する
所定形状の側方壁部４７が延出している。
【００２０】一方、ケース４２内の放熱ベースの上面に
は図示しないが第１の実施形態におけると同様に、パタ
ーニングされた銅薄板が表面に被着された絶縁配線基板
が半田付けによって固定されており、この絶縁配線基板
上にはパターニングされた銅薄板の所定部位にパワート
ランジスタ等の半導体素子がダイボンディングされてい
る。そしてボンディングパット４５，４６と、これに対
応する半導体素子の電極部との間にアーチ形状に弛みを
持たせるようにしてボンディングワイヤ２８がボンディ
ングされ、ボンディングパット４５，４６と半導体素子
の電極部とが電気的に接続されている。またさらにケー
ス４２内にはアーチ形状となっているボンディングワイ
ヤ２８を覆いつくすように、シリコーンゲルが充填さ
れ、ケース４２内の充電部の封止がなされている。
は図示しないが第１の実施形態におけると同様に、パタ
ーニングされた銅薄板が表面に被着された絶縁配線基板
が半田付けによって固定されており、この絶縁配線基板
上にはパターニングされた銅薄板の所定部位にパワート
ランジスタ等の半導体素子がダイボンディングされてい
る。そしてボンディングパット４５，４６と、これに対
応する半導体素子の電極部との間にアーチ形状に弛みを
持たせるようにしてボンディングワイヤ２８がボンディ
ングされ、ボンディングパット４５，４６と半導体素子
の電極部とが電気的に接続されている。またさらにケー
ス４２内にはアーチ形状となっているボンディングワイ
ヤ２８を覆いつくすように、シリコーンゲルが充填さ
れ、ケース４２内の充電部の封止がなされている。
【００２１】また、側壁部材４１の内壁面からケース４
２の内方に向け延出する側方壁部４７は、ボンディング
パット４５，４６にボンディングされているそれぞれの
ボンディングワイヤ２８のボンディング部２９の中心か
ら、側方距離Ｗの位置に壁面が隣接して設けられている
と共に、ボンディング部２９の中心からケース４２の内
方へは延出長さＬを有し、さらにボンディングパット４
５，４６の上面に対し高さｈを有するものとなってい
る。そして各値は、第１の実施形態と同様に側方距離Ｗ
が （Ｗ／Ｌ1 ）≦５に、延出長さＬが （Ｌ／Ｌ2 ）
≧１０に、高さｈが （ｈ／Ｌ1 ）≧１０になってい
る。
２の内方に向け延出する側方壁部４７は、ボンディング
パット４５，４６にボンディングされているそれぞれの
ボンディングワイヤ２８のボンディング部２９の中心か
ら、側方距離Ｗの位置に壁面が隣接して設けられている
と共に、ボンディング部２９の中心からケース４２の内
方へは延出長さＬを有し、さらにボンディングパット４
５，４６の上面に対し高さｈを有するものとなってい
る。そして各値は、第１の実施形態と同様に側方距離Ｗ
が （Ｗ／Ｌ1 ）≦５に、延出長さＬが （Ｌ／Ｌ2 ）
≧１０に、高さｈが （ｈ／Ｌ1 ）≧１０になってい
る。
【００２２】このように構成されたものに対し、第１の
実施形態と同様の使用時よりも強い振動が加わる振動試
験や強制的に加速した熱サイクルが加わる熱サイクル試
験が行われた時、側方壁部４７により区画されているボ
ンディングパット４５，４６に固着されたボンディング
部２９近傍のボンディングワイヤ２８と、その他のシリ
コーンゲル内にあるアーチ形状のボンディングワイヤ２
８の中間部との間に動きにずれを生じる。しかし、ボン
ディングパット４５，４６の両側近傍に、所定側方距離
Ｗの位置に所定高さｈ、所定延出長さＬの側方壁部４７
が設けられているので、側方壁部４７で区画されたボン
ディングパット４５，４６の近傍のシリコーンゲルの移
動が抑制されるため、ボンディングワイヤ２８のボンデ
ィング部２９近傍での移動量が少なくなり、ネック部分
２８ａでの繰り返し曲げ量が少なく曲げが緩和されたも
のとなって、ネック部分２８ａにおける繰り返し応力の
発生が抑制されたものとなる。そして、ボンディングワ
イヤ２８はボンディング部２９のネック部分２８ａでの
切断が生じ難くいものとなって、この部分での信頼性が
高いものとなる。
実施形態と同様の使用時よりも強い振動が加わる振動試
験や強制的に加速した熱サイクルが加わる熱サイクル試
験が行われた時、側方壁部４７により区画されているボ
ンディングパット４５，４６に固着されたボンディング
部２９近傍のボンディングワイヤ２８と、その他のシリ
コーンゲル内にあるアーチ形状のボンディングワイヤ２
８の中間部との間に動きにずれを生じる。しかし、ボン
ディングパット４５，４６の両側近傍に、所定側方距離
Ｗの位置に所定高さｈ、所定延出長さＬの側方壁部４７
が設けられているので、側方壁部４７で区画されたボン
ディングパット４５，４６の近傍のシリコーンゲルの移
動が抑制されるため、ボンディングワイヤ２８のボンデ
ィング部２９近傍での移動量が少なくなり、ネック部分
２８ａでの繰り返し曲げ量が少なく曲げが緩和されたも
のとなって、ネック部分２８ａにおける繰り返し応力の
発生が抑制されたものとなる。そして、ボンディングワ
イヤ２８はボンディング部２９のネック部分２８ａでの
切断が生じ難くいものとなって、この部分での信頼性が
高いものとなる。
【００２３】次に、第３の実施形態を図１０及び図１１
により説明する。図１０は部分上面図であり、図１１は
図１０のＣ−Ｃ矢方向視の部分断面図である。
により説明する。図１０は部分上面図であり、図１１は
図１０のＣ−Ｃ矢方向視の部分断面図である。
【００２４】図１０及び図１１において、半導体装置は
第１の実施形態と同様に、良熱伝導材料製平板、例えば
銅製平板で形成された図示しない放熱ベースを底部に設
け、この放熱ベースの上に合成樹脂製の角枠状の側壁部
材５１を設けてケース５２が構成されている。そして側
壁部材５１には、その成形時にインサートすることによ
って図示しない外部端子が側壁部材５１の上面から上方
に突出するよう一体的に設けられている。また、側壁部
材５１の外部端子が設けられている内壁面には、側壁部
材５１の内壁面側の一部を上面から削設するようにして
狭幅溝５３及び広幅溝５４が形成され、これら中間部に
水平な狭幅段部５５と広幅段部５６が設けられている。
なお、このようにして形成された狭幅段部５５と広幅段
部５６の上面には、削設によって同時に外部端子と一体
に形成されインサートされていたボンディングパット５
７，５８が露出し、また内壁面を削設して狭幅溝５３及
び広幅溝５４を設けることにより、狭幅段部５５と広幅
段部５６の両側方部分を所定間隔を設けて囲い区画する
側方壁状部５９が形成される。
第１の実施形態と同様に、良熱伝導材料製平板、例えば
銅製平板で形成された図示しない放熱ベースを底部に設
け、この放熱ベースの上に合成樹脂製の角枠状の側壁部
材５１を設けてケース５２が構成されている。そして側
壁部材５１には、その成形時にインサートすることによ
って図示しない外部端子が側壁部材５１の上面から上方
に突出するよう一体的に設けられている。また、側壁部
材５１の外部端子が設けられている内壁面には、側壁部
材５１の内壁面側の一部を上面から削設するようにして
狭幅溝５３及び広幅溝５４が形成され、これら中間部に
水平な狭幅段部５５と広幅段部５６が設けられている。
なお、このようにして形成された狭幅段部５５と広幅段
部５６の上面には、削設によって同時に外部端子と一体
に形成されインサートされていたボンディングパット５
７，５８が露出し、また内壁面を削設して狭幅溝５３及
び広幅溝５４を設けることにより、狭幅段部５５と広幅
段部５６の両側方部分を所定間隔を設けて囲い区画する
側方壁状部５９が形成される。
【００２５】さらに、狭幅段部５５のボンディングパッ
ト５７の上面には直径Ｌ1 の１本のボンディングワイヤ
２８の一端が、また広幅段部５６のボンディングパット
５８の上面には同じく直径Ｌ1 の２本のボンディングワ
イヤ２８の一端が、それぞれ軸方向にボンディング長さ
Ｌ2 の潰れ部分が形成されるようにボンディングされて
いる。
ト５７の上面には直径Ｌ1 の１本のボンディングワイヤ
２８の一端が、また広幅段部５６のボンディングパット
５８の上面には同じく直径Ｌ1 の２本のボンディングワ
イヤ２８の一端が、それぞれ軸方向にボンディング長さ
Ｌ2 の潰れ部分が形成されるようにボンディングされて
いる。
【００２６】一方、ケース５２内の放熱ベースの上面に
は図示しないが第１の実施形態におけると同様に、パタ
ーニングされた銅薄板が表面に被着された絶縁配線基板
が半田付けによって固定されており、この絶縁配線基板
上にはパターニングされた銅薄板の所定部位にパワート
ランジスタ等の半導体素子がダイボンディングされてい
る。そしてボンディングパット５７，５８と、これに対
応する半導体素子の電極部との間にアーチ形状に弛みを
持たせるようにしてボンディングワイヤ２８がボンディ
ングされ、ボンディングパット５７，５８と半導体素子
の電極部とが電気的に接続されている。またさらにケー
ス５２内にはアーチ形状となっているボンディングワイ
ヤ２８を覆いつくすように、シリコーンゲルが充填さ
れ、ケース５２内の充電部の封止がなされている。
は図示しないが第１の実施形態におけると同様に、パタ
ーニングされた銅薄板が表面に被着された絶縁配線基板
が半田付けによって固定されており、この絶縁配線基板
上にはパターニングされた銅薄板の所定部位にパワート
ランジスタ等の半導体素子がダイボンディングされてい
る。そしてボンディングパット５７，５８と、これに対
応する半導体素子の電極部との間にアーチ形状に弛みを
持たせるようにしてボンディングワイヤ２８がボンディ
ングされ、ボンディングパット５７，５８と半導体素子
の電極部とが電気的に接続されている。またさらにケー
ス５２内にはアーチ形状となっているボンディングワイ
ヤ２８を覆いつくすように、シリコーンゲルが充填さ
れ、ケース５２内の充電部の封止がなされている。
【００２７】また、側壁部材５１の内壁面に形成された
側方壁状部５９は、ボンディングパット５７，５８にボ
ンディングされているそれぞれのボンディングワイヤ２
８のボンディング部２９の中心から、側方距離Ｗの位置
に壁面が隣接して設けられていると共に、ボンディング
部２９の中心からケース５２の内方へは延出長さＬを有
し、さらにボンディングパット５７，５８の上面に対し
高さｈを有するものとなっている。すなわち、側壁部材
５１の内壁面側の一部を上面から深さｈの部分まで削設
し、ボンディングパット５７，５８の上面を露出させる
ようにして狭幅段部５５と広幅段部５６が形成されてい
る。そして各値は、第１の実施形態と同様に側方距離Ｗ
が （Ｗ／Ｌ1 ）≦５に、延出長さＬが （Ｌ／Ｌ2 ）
≧１０に、高さｈが （ｈ／Ｌ1 ）≧１０になってい
る。
側方壁状部５９は、ボンディングパット５７，５８にボ
ンディングされているそれぞれのボンディングワイヤ２
８のボンディング部２９の中心から、側方距離Ｗの位置
に壁面が隣接して設けられていると共に、ボンディング
部２９の中心からケース５２の内方へは延出長さＬを有
し、さらにボンディングパット５７，５８の上面に対し
高さｈを有するものとなっている。すなわち、側壁部材
５１の内壁面側の一部を上面から深さｈの部分まで削設
し、ボンディングパット５７，５８の上面を露出させる
ようにして狭幅段部５５と広幅段部５６が形成されてい
る。そして各値は、第１の実施形態と同様に側方距離Ｗ
が （Ｗ／Ｌ1 ）≦５に、延出長さＬが （Ｌ／Ｌ2 ）
≧１０に、高さｈが （ｈ／Ｌ1 ）≧１０になってい
る。
【００２８】このように構成されたものに対し、第１の
実施形態と同様の使用時よりも強い振動が加わる振動試
験や強制的に加速した熱サイクルが加わる熱サイクル試
験が行われた時、側方壁状部５９により区画されている
ボンディングパット５７，５８に固着されたボンディン
グ部２９近傍のボンディングワイヤ２８と、その他のシ
リコーンゲル内にあるアーチ形状のボンディングワイヤ
２８の中間部との間に動きにずれを生じる。しかし、ボ
ンディングパット５７，５８の両側近傍に、所定側方距
離Ｗの位置に所定高さｈ、所定長さＬの側方壁状部５９
が設けられているので、側方壁状部５９で区画されたボ
ンディングパット５７，５８の近傍のシリコーンゲルの
移動が抑制されるため、ボンディングワイヤ２８のボン
ディング部２９近傍での移動量が少なくなり、上記各実
施形態と同じようにネック部分２８ａでの繰り返し曲げ
量が少なく曲げが緩和されたものとなって、ネック部分
２８ａにおける繰り返し応力の発生が抑制されたものと
なる。そして、ボンディングワイヤ２８はボンディング
部２９のネック部分２８ａでの切断が生じ難くいものと
なって、この部分での信頼性が高いものとなる。
実施形態と同様の使用時よりも強い振動が加わる振動試
験や強制的に加速した熱サイクルが加わる熱サイクル試
験が行われた時、側方壁状部５９により区画されている
ボンディングパット５７，５８に固着されたボンディン
グ部２９近傍のボンディングワイヤ２８と、その他のシ
リコーンゲル内にあるアーチ形状のボンディングワイヤ
２８の中間部との間に動きにずれを生じる。しかし、ボ
ンディングパット５７，５８の両側近傍に、所定側方距
離Ｗの位置に所定高さｈ、所定長さＬの側方壁状部５９
が設けられているので、側方壁状部５９で区画されたボ
ンディングパット５７，５８の近傍のシリコーンゲルの
移動が抑制されるため、ボンディングワイヤ２８のボン
ディング部２９近傍での移動量が少なくなり、上記各実
施形態と同じようにネック部分２８ａでの繰り返し曲げ
量が少なく曲げが緩和されたものとなって、ネック部分
２８ａにおける繰り返し応力の発生が抑制されたものと
なる。そして、ボンディングワイヤ２８はボンディング
部２９のネック部分２８ａでの切断が生じ難くいものと
なって、この部分での信頼性が高いものとなる。
【００２９】次に、第４の実施形態を図１２乃至図１４
により説明する。図１２は部分上面図であり、図１３は
図１２のＤ−Ｄ矢方向視の部分断面図であり、図１４は
図１２のＥ−Ｅ矢方向視の部分断面図である。
により説明する。図１２は部分上面図であり、図１３は
図１２のＤ−Ｄ矢方向視の部分断面図であり、図１４は
図１２のＥ−Ｅ矢方向視の部分断面図である。
【００３０】図１２乃至図１４において、半導体装置は
第１の実施形態と同様に、良熱伝導材料製平板、例えば
銅製平板で形成された図示しない放熱ベースを底部に設
け、この放熱ベースの上に合成樹脂製の角枠状の側壁部
材６１を設けてケース６２が構成されている。そして側
壁部材６１には、その成形時にインサートすることによ
って図示しない外部端子が側壁部材６１の上面から上方
に突出するよう一体的に設けられている。また、側壁部
材６１の外部端子が設けられている内壁面には、側壁部
材６１の内壁面側の一部を上面から削設するようにして
狭幅溝６３及び広幅溝６４が形成され、これら中間部に
水平な狭幅段部６５と広幅段部６６が設けられる。さら
に狭幅段部６５と広幅段部６６のケース６２内方側の端
縁部分には、狭幅溝６３及び広幅溝６４を横断するよう
に所定高さの壁体６７，６８が設けられている。なお、
このようにして形成された狭幅段部６５と広幅段部６６
の上面には、内壁面の削設によって同時に外部端子と一
体に形成されインサートされていたボンディングパット
６９，７０が露出し、また内壁面を削設して狭幅溝６３
及び広幅溝６４を設けることにより、狭幅段部６５と広
幅段部６６の両側方部分を所定間隔を設けて囲い区画す
る側方壁状部７１が形成される。
第１の実施形態と同様に、良熱伝導材料製平板、例えば
銅製平板で形成された図示しない放熱ベースを底部に設
け、この放熱ベースの上に合成樹脂製の角枠状の側壁部
材６１を設けてケース６２が構成されている。そして側
壁部材６１には、その成形時にインサートすることによ
って図示しない外部端子が側壁部材６１の上面から上方
に突出するよう一体的に設けられている。また、側壁部
材６１の外部端子が設けられている内壁面には、側壁部
材６１の内壁面側の一部を上面から削設するようにして
狭幅溝６３及び広幅溝６４が形成され、これら中間部に
水平な狭幅段部６５と広幅段部６６が設けられる。さら
に狭幅段部６５と広幅段部６６のケース６２内方側の端
縁部分には、狭幅溝６３及び広幅溝６４を横断するよう
に所定高さの壁体６７，６８が設けられている。なお、
このようにして形成された狭幅段部６５と広幅段部６６
の上面には、内壁面の削設によって同時に外部端子と一
体に形成されインサートされていたボンディングパット
６９，７０が露出し、また内壁面を削設して狭幅溝６３
及び広幅溝６４を設けることにより、狭幅段部６５と広
幅段部６６の両側方部分を所定間隔を設けて囲い区画す
る側方壁状部７１が形成される。
【００３１】さらに、狭幅段部６５のボンディングパッ
ト６９の上面には直径Ｌ1 の１本のボンディングワイヤ
２８の一端が、また広幅段部６６のボンディングパット
７０の上面には同じく直径Ｌ1 の２本のボンディングワ
イヤ２８の一端が、それぞれ軸方向にボンディング長さ
Ｌ2 の潰れ部分が形成されるようにボンディングされて
いる。
ト６９の上面には直径Ｌ1 の１本のボンディングワイヤ
２８の一端が、また広幅段部６６のボンディングパット
７０の上面には同じく直径Ｌ1 の２本のボンディングワ
イヤ２８の一端が、それぞれ軸方向にボンディング長さ
Ｌ2 の潰れ部分が形成されるようにボンディングされて
いる。
【００３２】一方、ケース６２内の放熱ベースの上面に
は図示しないが第１の実施形態におけると同様に、パタ
ーニングされた銅薄板が表面に被着された絶縁配線基板
が半田付けによって固定されており、この絶縁配線基板
上にはパターニングされた銅薄板の所定部位にパワート
ランジスタ等の半導体素子がダイボンディングされてい
る。そしてボンディングパット６９，７０と、これに対
応する半導体素子の電極部との間に、狭幅溝６３及び広
幅溝６４を横断する横断壁体６７，６８を越えるように
アーチ形状に弛みを持たせるようにしてボンディングワ
イヤ２８がボンディングされ、ボンディングパット６
９，７０と半導体素子の電極部とが電気的に接続されて
いる。またさらにケース６２内にはアーチ形状となって
いるボンディングワイヤ２８を覆いつくすように、シリ
コーンゲルが充填され、ケース６２内の充電部の封止が
なされている。
は図示しないが第１の実施形態におけると同様に、パタ
ーニングされた銅薄板が表面に被着された絶縁配線基板
が半田付けによって固定されており、この絶縁配線基板
上にはパターニングされた銅薄板の所定部位にパワート
ランジスタ等の半導体素子がダイボンディングされてい
る。そしてボンディングパット６９，７０と、これに対
応する半導体素子の電極部との間に、狭幅溝６３及び広
幅溝６４を横断する横断壁体６７，６８を越えるように
アーチ形状に弛みを持たせるようにしてボンディングワ
イヤ２８がボンディングされ、ボンディングパット６
９，７０と半導体素子の電極部とが電気的に接続されて
いる。またさらにケース６２内にはアーチ形状となって
いるボンディングワイヤ２８を覆いつくすように、シリ
コーンゲルが充填され、ケース６２内の充電部の封止が
なされている。
【００３３】また、側壁部材６１の内壁面に形成された
側方壁状部７１は、ボンディングパット６９，７０にボ
ンディングされているそれぞれのボンディングワイヤ２
８のボンディング部２９の中心から、側方距離Ｗの位置
に壁面が隣接して設けられていると共に、ボンディング
部２９の中心からケース６２の内方へは延出長さＬを有
し、さらにボンディングパット６９，７０の上面に対し
高さｈを有するものとなっている。すなわち、側壁部材
６１の内壁面側の一部を上面から深さｈの部分まで削設
し、ボンディングパット６９，７０の上面を露出させる
ようにして狭幅段部６５と広幅段部６６が形成されてい
る。そして各値は、第１の実施形態と同様に側方距離Ｗ
が （Ｗ／Ｌ1 ）≦５に、延出長さＬが （Ｌ／Ｌ2 ）
≧１０に、高さｈが （ｈ／Ｌ1 ）≧１０になってい
る。
側方壁状部７１は、ボンディングパット６９，７０にボ
ンディングされているそれぞれのボンディングワイヤ２
８のボンディング部２９の中心から、側方距離Ｗの位置
に壁面が隣接して設けられていると共に、ボンディング
部２９の中心からケース６２の内方へは延出長さＬを有
し、さらにボンディングパット６９，７０の上面に対し
高さｈを有するものとなっている。すなわち、側壁部材
６１の内壁面側の一部を上面から深さｈの部分まで削設
し、ボンディングパット６９，７０の上面を露出させる
ようにして狭幅段部６５と広幅段部６６が形成されてい
る。そして各値は、第１の実施形態と同様に側方距離Ｗ
が （Ｗ／Ｌ1 ）≦５に、延出長さＬが （Ｌ／Ｌ2 ）
≧１０に、高さｈが （ｈ／Ｌ1 ）≧１０になってい
る。
【００３４】このように構成されたものに対し、第１の
実施形態と同様の使用時よりも強い振動が加わる振動試
験や強制的に加速した熱サイクルが加わる熱サイクル試
験が行われた時、側方壁状部７１及び横断壁体６７，６
８により区画されているボンディングパット６９，７０
に固着されたボンディング部２９近傍のボンディングワ
イヤ２８と、その他のシリコーンゲル内にあるアーチ形
状のボンディングワイヤ２８の中間部との間に動きにず
れを生じる。しかし、ボンディングパット６９，７０の
両側近傍に、所定側方距離Ｗの位置に所定高さｈ、所定
長さＬの側方壁状部７１が設けられているので、側方壁
状部７１及び横断壁体６７，６８で区画されたボンディ
ングパット６９，７０の近傍のシリコーンゲルの移動が
抑制されるため、ボンディングワイヤ２８のボンディン
グ部２９近傍での移動量が少なくなり、上記各実施形態
と同じようにネック部分２８ａでの繰り返し曲げ量が少
なく曲げが緩和されたものとなって、ネック部分２８ａ
における繰り返し応力の発生が抑制されたものとなる。
そして、ボンディングワイヤ２８はボンディング部２９
のネック部分２８ａでの切断が生じ難くいものとなっ
て、この部分での信頼性が高いものとなる。
実施形態と同様の使用時よりも強い振動が加わる振動試
験や強制的に加速した熱サイクルが加わる熱サイクル試
験が行われた時、側方壁状部７１及び横断壁体６７，６
８により区画されているボンディングパット６９，７０
に固着されたボンディング部２９近傍のボンディングワ
イヤ２８と、その他のシリコーンゲル内にあるアーチ形
状のボンディングワイヤ２８の中間部との間に動きにず
れを生じる。しかし、ボンディングパット６９，７０の
両側近傍に、所定側方距離Ｗの位置に所定高さｈ、所定
長さＬの側方壁状部７１が設けられているので、側方壁
状部７１及び横断壁体６７，６８で区画されたボンディ
ングパット６９，７０の近傍のシリコーンゲルの移動が
抑制されるため、ボンディングワイヤ２８のボンディン
グ部２９近傍での移動量が少なくなり、上記各実施形態
と同じようにネック部分２８ａでの繰り返し曲げ量が少
なく曲げが緩和されたものとなって、ネック部分２８ａ
における繰り返し応力の発生が抑制されたものとなる。
そして、ボンディングワイヤ２８はボンディング部２９
のネック部分２８ａでの切断が生じ難くいものとなっ
て、この部分での信頼性が高いものとなる。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明
は、絶縁配線基板を収納するケース内部に、ケース内側
段部分に設けられたボンディングパッドに接続されたボ
ンディングワイヤを覆うようゲル状樹脂が充填され、さ
らにボンディングパッドの近傍に該ボンディングパッド
部分でのゲル状樹脂の移動を抑制する壁が設けられてい
る構成としたことにより、強い振動や強制的な熱サイク
ルのもとでもボンディングされたボンディングワイヤの
ネック部分で容易に断線してしまうことがなく、ボンデ
ィング部分での信頼性がより向上する等の効果を奏す
る。
は、絶縁配線基板を収納するケース内部に、ケース内側
段部分に設けられたボンディングパッドに接続されたボ
ンディングワイヤを覆うようゲル状樹脂が充填され、さ
らにボンディングパッドの近傍に該ボンディングパッド
部分でのゲル状樹脂の移動を抑制する壁が設けられてい
る構成としたことにより、強い振動や強制的な熱サイク
ルのもとでもボンディングされたボンディングワイヤの
ネック部分で容易に断線してしまうことがなく、ボンデ
ィング部分での信頼性がより向上する等の効果を奏す
る。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す要部の断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１の実施形態における部分上面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第１の実施形態における部分断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るボンディング部
長さと側方壁部長さの比に対する不良率依存性を示す図
である。
長さと側方壁部長さの比に対する不良率依存性を示す図
である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るボンディングワ
イヤ直径とボンディングワイヤからの側方壁部の離間距
離の比に対する不良率依存性を示す図である。
イヤ直径とボンディングワイヤからの側方壁部の離間距
離の比に対する不良率依存性を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るボンディングワ
イヤ直径と側方壁部高さの比に対する不良率依存性を示
す図である。
イヤ直径と側方壁部高さの比に対する不良率依存性を示
す図である。
【図７】本発明の第２の実施形態における部分上面図で
ある。
ある。
【図８】図７のＡ−Ａ矢方向視の部分断面図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ矢方向視の部分断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態における部分上面図
である。
である。
【図１１】図１０のＣ−Ｃ矢方向視の部分断面図であ
る。
る。
【図１２】本発明の第４の実施形態における部分上面図
である。
である。
【図１３】図１２のＤ−Ｄ矢方向視の部分断面図であ
る。
る。
【図１４】図１２のＥ−Ｅ矢方向視の部分断面図であ
る。
る。
【図１５】従来例の要部の断面図である。
２２，４２，５２，６２…ケース ２３…放熱ベース ２４，４１，５１，６１…側壁部材 ２６…段部 ２７，４５，４６，５７，５８，６９，７０…ボンディ
ングパッド ２８…ボンディングワイヤ ２８ａ…ネック部分 ２９…ボンディング部 ３０，４７…側方壁部 ３２…絶縁配線基板 ３４…半導体素子 ３５…電極部 ３７…シリコーンゲル ４３，５５，６５…狭幅段部 ４４，５６，６６…広幅段部 ５９，７１…側方壁状部 ６７，６８…横断壁体 Ｌ…延出長さ Ｌ1 …直径 Ｌ2 …ボンディング長さ Ｗ…側方距離 ｈ…高さ
ングパッド ２８…ボンディングワイヤ ２８ａ…ネック部分 ２９…ボンディング部 ３０，４７…側方壁部 ３２…絶縁配線基板 ３４…半導体素子 ３５…電極部 ３７…シリコーンゲル ４３，５５，６５…狭幅段部 ４４，５６，６６…広幅段部 ５９，７１…側方壁状部 ６７，６８…横断壁体 Ｌ…延出長さ Ｌ1 …直径 Ｌ2 …ボンディング長さ Ｗ…側方距離 ｈ…高さ
Claims (3)
- 【請求項１】 底部に放熱ベースが設けられたケース
と、このケース内の前記放熱ベース上に半導体素子を搭
載して固着された絶縁配線基板と、前記ケースの内側段
部分に設けられたボンディングパッドと、このボンディ
ングパッドと前記絶縁配線基板あるいは半導体素子の所
定部位との間に接続されたボンディングワイヤとを備
え、前記ケースには内部に前記ボンディングワイヤを覆
うようにゲル状樹脂が充填されていると共に、前記ボン
ディングパッドの近傍に該ボンディングパッド部分での
前記ゲル状樹脂の移動を抑制する壁が設けられているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 壁は、壁面がボンディングパッドに接続
されたボンディングワイヤのボンディング部位の中心か
ら該ボンディングワイヤの直径の５倍以内の距離に該ボ
ンディングワイヤに沿うよう位置すると共に、前記ボン
ディング部位のワイヤ軸方向長さの１０倍以上の長さを
有し、かつ前記ボンディングパッドの上面より前記ボン
ディングワイヤの直径の１０倍以上の高さを有するもの
であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 壁が、ボンディングワイヤを接続したボ
ンディングパッドの両側近傍に位置するよう設けられた
側方壁部と、内側段部分のケース内方側に前記側方壁部
間を横断するよう設けられた横断壁体とでなるものであ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8238022A JPH1084009A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8238022A JPH1084009A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1084009A true JPH1084009A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17024005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8238022A Pending JPH1084009A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1084009A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2002025087A1 (ja) * | 2000-09-22 | 2004-01-29 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 電子回路付駆動装置 |
| JP2010267726A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2015152373A1 (ja) * | 2014-04-03 | 2015-10-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP6024759B2 (ja) * | 2012-11-19 | 2016-11-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| US10727189B2 (en) | 2016-09-07 | 2020-07-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
-
1996
- 1996-09-09 JP JP8238022A patent/JPH1084009A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2002025087A1 (ja) * | 2000-09-22 | 2004-01-29 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 電子回路付駆動装置 |
| JP2010267726A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
| JP6024759B2 (ja) * | 2012-11-19 | 2016-11-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| US9728475B2 (en) | 2012-11-19 | 2017-08-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Lead portion of semiconductor device |
| WO2015152373A1 (ja) * | 2014-04-03 | 2015-10-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP6045749B2 (ja) * | 2014-04-03 | 2016-12-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US10727189B2 (en) | 2016-09-07 | 2020-07-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
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