JP6521754B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の半導体装置は、放熱体と、導体を含む絶縁部材と、半導体チップと、放熱用絶縁部材と、端子と、筐体または封止材とを備える。導体を含む絶縁部材は、放熱体の一方の主表面上の少なくとも一部の領域に配置されている。半導体チップは、導体を含む絶縁部材の放熱体と反対側に配置されている。放熱用絶縁部材は、放熱体の一方の主表面の上の、半導体チップが配置される領域とは異なる他の領域を含むように配置されている。端子は、放熱用絶縁部材の放熱体と反対側における他の領域に配置され、半導体チップと電気的に接続可能である。筐体または封止材は、半導体チップを取り囲んでいる。放熱用絶縁部材は絶縁材料を含み、かつ筐体または封止材よりも熱伝導率が高い。
(実施の形態1)
まず本実施の形態の第1例のパワーモジュールの構成について、図1〜図4を用いて説明する。なお図1および図3は実質的には当該パワーモジュール内の左右方向に延びる直線に沿う部分の概略断面図であるが、そのようにすれば掲載すべき構成部材がすべて含められなくなるため、ここでは正面方向から見た概略投影図としている。また説明の便宜のため、X方向、Y方向、Z方向が導入されている。
本実施の形態においては、上記のいずれの実施例においても、ベース板3と主端子9との間に、絶縁材料を含み、かつ筐体1よりも熱伝導率が高い高放熱性絶縁体11が配置される。このため、たとえばベース板3と主端子9との間に筐体1と同じ材質のPPSなどが配置される場合に比べて、主端子9とベース板3との間の領域の熱抵抗を低減することができる。よって主端子9で発生した熱およびパワーモジュールの外部の配線から主端子9に伝わってきた熱をベース板3により多く伝え、ベース板3から外部に放熱させることができる。このため主端子9の温度をより効率的に下げることができる。主端子9の温度が下がれば、半導体チップ7からボンディングワイヤ13を介して主端子9に伝わる熱量が増加するため、半導体チップ7の温度を下げることもできる。
図10を参照して、本実施の形態のパワーモジュール201は、実施の形態1のたとえば第2例のパワーモジュール102と基本的に同様の構成であるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。ただしパワーモジュール201は、高放熱性絶縁体11が高放熱性絶縁体本体11cの代わりに高放熱性絶縁体本体11eにより構成されている。
本実施の形態の高放熱性絶縁体11を構成する高放熱性絶縁体本体11eは、筐体1よりも絶縁耐力が高い。このため、たとえばそのZ方向に関する厚みをかなり薄くしたとしても、当該部分すなわち主端子9とベース板3との間の領域における高い絶縁性を確保することができる。したがってその厚みが薄くすることにより、これが厚い場合に比べて、高放熱性絶縁体本体11eの部分の熱抵抗を小さくすることができる。これにより、その厚みを薄くすれば、たとえ筐体1より高放熱性絶縁体11の熱伝導率が低くても、その熱抵抗を小さくすることができ、主端子9からベース板3への放熱をより効率的に行なうことを可能とする。また高放熱性絶縁体11の厚みが薄くなることにより、パワーモジュール201をより小型化させることもできる。
T1<T2×(α1/α2)・・・(1)
であることが好ましい。
図11〜図12を参照して、本実施の形態のパワーモジュール301は、実施の形態1のたとえば第2例のパワーモジュール102と基本的に同様の構成であるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。ただしパワーモジュール301は、主端子がベース板3の主表面に交差するZ方向に関して、互いに間隔をあけて複数(ここでは2つ)並ぶように配置されている領域を少なくともその一部に含んだ構成となっている。言い換えれば、2つの動作中の電位が互いに(無視できない程度に)異なる主端子が、Z方向に関して互いに間隔をあけて配置されている。
本実施の形態においては、たとえば高放熱性絶縁体11として筐体1の絶縁材料よりも熱伝導率が高い(高放熱性絶縁体本体11a,11c,11dなど)を用いれば、主端子92とベース板3との間の熱抵抗を下げることができる。このため、主端子92から高放熱性絶縁体11を介してベース板3に伝わる熱の量を増やすことができ、主端子92で発生した熱およびパワーモジュール301の外部の配線から主端子92に伝わってきた熱をベース板3により多く伝え、ベース板3から外部に放熱させることができる。このため主端子92の温度をより効率的に下げることができる。主端子92の温度が下がれば、半導体チップ7からボンディングワイヤ13を介して主端子92に伝わる熱量が増加するため、半導体チップ7の温度を下げることもできる。また以上のように主端子92からの放熱効率が上がるため、実施の形態1と同様に、主端子91,92の延在する方向に交差する断面の面積を小さくし、主端子92の発熱量が増えたとしても、その放熱が可能な体制が整っているといえる。このため、主端子91,92の断面積を小さくし、パワーモジュールをより小型化することができる。
まず本実施の形態の第1例のパワーモジュールの構成について、図14〜図17を用いて説明する。なお図14および図16は実質的には当該パワーモジュール内の左右方向に延びる直線に沿う部分の概略断面図であるが、そのようにすれば掲載すべき構成部材がすべて含められなくなるため、ここでは正面方向から見た概略投影図としている。
本実施の形態においては端子として主端子9(図1参照)の代わりに平面視において板状形状のリードフレーム10が用いられ、これとヒートシンク4との間に高放熱性絶縁体11が配置(接続)される。リードフレーム10により、主端子9がボンディングワイヤ13を介して半導体チップ7と接続される実施の形態1などに比べて、半導体チップ7で発生した熱が直ちにリードフレーム10を介してそのZ方向下方のヒートスプレッダ6cおよびヒートシンク4に放熱できる。すなわちリードフレーム10により半導体チップ7の放熱効率がより向上される。
図20を参照して、本実施の形態のパワーモジュール501は、実施の形態4のたとえば第2例のパワーモジュール402と基本的に同様の構成であるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。すなわち端子としてはパワーモジュール501の外部の配線に接続されるリードフレーム10を有している。ただしパワーモジュール501は、放熱体としてヒートシンク4の代わりにベース板3を有している。ただしここでもヒートシンク4であってもよいし、図1などのようにベース板3とヒートシンク4との双方を有していてもよい。またパワーモジュール501は、絶縁シート付部材6の代わりに実施の形態1などと同様の、ベース板3の上側の主表面上の一部(図20のX方向右側の領域)のみを覆う絶縁基板5が、はんだ23aを介して接合されている。絶縁基板5の上には半導体チップ7が、はんだ23bを介して接合されている。
たとえば高放熱性絶縁体本体11aを形成する平面視における面積を十分に確保できない場合は、図20のように図18に比べて高放熱性絶縁体本体11aの平面積が小さくなってもよい。パワーモジュールの構造などに応じて、パワーモジュール402のように設計するか、あるいはパワーモジュール501のように設計するかを適宜選択し決定することが好ましい。
Claims (4)
- 放熱体と、
前記放熱体の一方の主表面上の少なくとも一部の領域に配置された、導体を含む絶縁部材と、
前記導体を含む絶縁部材の前記放熱体と反対側に配置された半導体チップと、
前記放熱体の一方の主表面の上の、前記半導体チップが配置される領域とは異なる他の領域を含むように配置された放熱用絶縁部材と、
前記放熱用絶縁部材の前記放熱体と反対側における前記他の領域に配置され、前記半導体チップと電気的に接続可能な端子と、
前記半導体チップを取り囲む筐体または封止材とを備え、
前記放熱用絶縁部材は絶縁材料を含み、かつ前記筐体または封止材よりも熱伝導率が高く、
前記端子は互いに間隔をあけて前記主表面に交差する方向に複数並ぶように配置され、
複数の前記端子のうち最も前記放熱体に近い前記端子は前記放熱用絶縁部材上に配置される、半導体装置。 - 前記放熱用絶縁部材は前記筐体よりも絶縁耐力が高い材料により形成される、請求項1に記載の半導体装置。
- 放熱体と、
前記放熱体の一方の主表面上の少なくとも一部の領域に配置された、導体を含む絶縁部材と、
前記導体を含む絶縁部材の前記放熱体と反対側に配置された半導体チップと、
前記放熱体の一方の主表面の上の、前記半導体チップが配置される領域とは異なる他の領域を含むように配置された放熱用絶縁部材と、
前記放熱用絶縁部材の前記放熱体と反対側における前記他の領域に配置され、前記半導体チップと電気的に接続可能な端子と、
前記半導体チップを取り囲む筐体または封止材とを備え、
前記放熱用絶縁部材は絶縁材料を含み、かつ前記筐体または封止材よりも熱伝導率が低く、前記筐体または封止材よりも絶縁耐力が高い、半導体装置。 - 前記端子は互いに間隔をあけて前記主表面に交差する方向に複数並ぶように配置され、
複数の前記端子のうち最も前記放熱体に近い前記端子は前記放熱用絶縁部材上に配置される、請求項3に記載の半導体装置。
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