JP2010177619A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】搭載される素子間の熱的干渉を抑制することにより、素子の発熱による性能劣化を実質的に抑制する。
【解決手段】このリードフレーム31においては、IGBT11、ダイオード21、22が搭載されており、ダイオード21、22はその中で右側において図1(a)における上下方向に並んで配置され、左側にIGBT11が配置される。そして、リードフレーム31において、IGBT11と、ダイオード21、22との間の中点付近にはスリット315が設けられている。このスリット315は、図1(a)中に破線で示されるように、ダイオード21、22とIGBT11とを結ぶ直線を遮るように縦長の形状に形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】このリードフレーム31においては、IGBT11、ダイオード21、22が搭載されており、ダイオード21、22はその中で右側において図1(a)における上下方向に並んで配置され、左側にIGBT11が配置される。そして、リードフレーム31において、IGBT11と、ダイオード21、22との間の中点付近にはスリット315が設けられている。このスリット315は、図1(a)中に破線で示されるように、ダイオード21、22とIGBT11とを結ぶ直線を遮るように縦長の形状に形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、複数の半導体素子を同一基板上に搭載して構成される半導体モジュールの構造に関する。
例えば、自動車等に用いられる半導体モジュールとして、交流電圧を整流して直流電圧に変換し、あるいは電力を制御し、かつ大電流で動作することのできるものが用いられる。こうした半導体モジュールにおいては、整流機能や電力制御機能をもつダイオードやスイッチング素子等のパワー半導体素子が基板(リードフレーム)上に設置され、モールドされてパッケージ内に封入される。少ない部品点数でこの半導体モジュールを構成した例としては、例えば特許文献1に記載された技術がある。
この技術においては、ブリッジ接続されたダイオードと、半導体スイッチング素子とが一つのパッケージ内に収納され、特に、ダイオード6個と半導体スイッチング素子とを組み合わることにより、充分な性能をもち、かつ小型の半導体モジュールとすることができる。スイッチング素子としては、例えばIGBT(Insulating Gate Bipolar Transistor)が知られている。これらのダイオードやIGBTは大電流で駆動できる構成とされている。
ただし、ダイオードやスイッチング素子は半導体で構成されるため、高温になるとその特性、例えばスイッチング特性が劣化し、更には破損することもある。従って、これらの素子は、熱伝導率の高い銅基板(リードフレーム)に、はんだや接着剤等によって設置、固定される。また、これらの構成は樹脂等からなるモールド材を用いてパッケージ中に封入される。これにより、ダイオードやスイッチング素子に大電流が流されるために発熱源となる場合でも、この熱はリードフレームを通じて放熱され、これらの素子における温度の上昇が抑制される。
この構成により、この半導体モジュールを電源回路として使用することができる。
しかしながら、搭載された素子の発熱は各素子で必ずしも均等に生ずるものではない。また、高温時の特性の劣化も各素子で同様に生ずるものではない。従って、実際には、素子が発熱することによってこの素子自身の特性が劣化することよりも、隣接する他の素子の発熱によって素子の特性が劣化する場合が多い。すなわち、特に大電流で駆動される半導体モジュールにおいては、搭載される各素子に対する個別の放熱特性よりも、搭載される素子間の熱的干渉の影響が大きい。前記の技術においては、こうした素子間の熱的干渉は全く考慮されていなかった。従って、発熱量の大きな素子に隣接する素子の特性劣化が生じた。
従って、搭載される素子間の熱的干渉を抑制することにより、素子の発熱による性能劣化を実質的に抑制した半導体モジュールは得られていなかった。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体モジュールは、リードフレームと、該リードフレームの一方の主面上に搭載された第1及び第2の半導体素子と、を具備する半導体モジュールであって、前記リードフレームにおいて、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とを直線的に結ぶ経路上にスリットが設けられたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記リードフレーム及び前記第1及び第2の半導体素子はモールド材中に封入された構造を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、前記リードフレームが絶縁シートを介して放熱フィンに固定された構造を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、前記リードフレームが前記モールド材を介して放熱フィンに固定された構造を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記第1及び/又は第2の半導体素子はパワー半導体素子であることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記第1又は第2の半導体素子はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記第1又は第2の半導体素子はダイオードであることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記第1又は第2の半導体素子は、ブリッジ回路を構成するうちの一つのダイオードであることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、リードフレームと、該リードフレームの一方の主面上に搭載された第1及び第2の半導体素子と、を具備する半導体モジュールであって、前記リードフレームにおいて、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とを直線的に結ぶ経路上にスリットが設けられたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記リードフレーム及び前記第1及び第2の半導体素子はモールド材中に封入された構造を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、前記リードフレームが絶縁シートを介して放熱フィンに固定された構造を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、前記リードフレームが前記モールド材を介して放熱フィンに固定された構造を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記第1及び/又は第2の半導体素子はパワー半導体素子であることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記第1又は第2の半導体素子はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記第1又は第2の半導体素子はダイオードであることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記第1又は第2の半導体素子は、ブリッジ回路を構成するうちの一つのダイオードであることを特徴とする。
本発明は以上のように構成されているので、搭載される素子間の熱的干渉を抑制することにより、素子の発熱による性能劣化を実質的に抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態となる半導体モジュールにつき説明する。この半導体モジュール10においては、パワー半導体素子であるダイオードとIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)が用いられ、前者は整流機能に用いられ、後者はスイッチング機能に用いられる。これにより、直流電力の供給及びその制御を行うことができる。
図1(a)は、この半導体モジュール10の内部の構成の上面図であり、図1(b)は、そのI−I方向における断面図である。また、この半導体モジュール10の外観斜視図が図2である。この構造の半導体モジュール10においては、図1に示された構造がSIP(Single Inline Package)型のパッケージ100内でモールド材中に封入されている。また、この半導体モジュール10の回路構成を図3に示す。この半導体モジュールにおいては、一つのスイッチング素子11と4個のダイオード21〜24とが一つのパッケージ内に設けられている。スイッチング素子11としてはIGBTが用いられる。
図1に示されるように、この半導体モジュールにおいては、0.5mm厚の銅製のリードフレーム31〜36が用いられており、リードフレーム31の一方の主面上には、スイッチング素子であるIGBT11と、ダイオード21、22が搭載されている。リードフレーム32にはダイオード23が、リードフレーム33にはダイオード24がそれぞれ同様に搭載されている。また、リードフレーム31からは、図1(a)において下側に向かってリード311、312が、突出して形成されている。同様に、リードフレーム32からリード321が、リードフレーム33からリード331が、リードフレーム34からリード341が、リードフレーム35からリード351が、リードフレーム36からリード361が、それぞれ突出して形成されている。図2に示されるように、これらのリードはパッケージ100から突出した形態とされ、この半導体モジュール10をプリント基板上に実装する際の接続端子として用いられる。
リードフレーム31の一方の主面上(図1(b)における上側)において、IGBT11のリードフレーム31側の面にあるコレクタ電極、ダイオード21、22のリードフレーム31側の面にあるカソード電極は、それぞれ、はんだ層(図示せず)を介してリードフレーム31に電気的に接続され、これらの素子の固定もこのはんだ層によって行われる。リードフレーム32上のダイオード23、リードフレーム33上のダイオード24についても同様である。すなわち、各リードフレームは、各素子を設置する基板として機能するだけでなく、図2の回路を構成する配線としても機能する。
また、IGBT11の表面(図1(b)における上側の面)に設けられIGBT11におけるエミッタ電極と接続されたパッド111とリードフレーム35の表面とはジャンパーリード41によって電気的に接続される。ここで、ジャンパーリード41の両端は、はんだ層(図示せず)を介してこのパッド111とリードフレーム35の表面にそれぞれ接続される。ダイオード21の表面に設けられダイオード21のアノード電極と接続されたパッド211とリードフレーム32との接続も、同様にそれぞれジャンパーリード42によって行われる。ダイオード22の表面にはパッド221、ダイオード23の表面にはパッド231、ダイオード24の表面にはパッド241がそれぞれ同様に設けられる。パッド221とリードフレーム33、パッド231とリードフレーム34、パッド241とリードフレーム34との間の接続も、同様にそれぞれジャンパーリード43、44、45によって行われる。各ジャンパーリードは、導体で構成された定形性のある配線であるため、図1(b)中のジャンパーリード42のような形状を実現できる。
また、IGBT11のゲート電極は、前記のパッド111の外側に設けられた小さなパッド(図示せず)からボンディングワイヤ51によってリードフレーム36の表面に接続される。ボンディングワイヤ51はジャンパーリードよりも細い配線材料で構成されており、並列に複数本のものを用いることもできる。すなわち、上記のリードフレームの他に、これらのジャンパーリード、ボンディングワイヤ51も配線として機能する。
なお、図1における各リードフレームや図2におけるパッケージ100から突出した各リードと、図3の回路におけるA〜Gの端子との対応は図1(a)、図2中にA〜Gで示される。
また、図1(b)にその断面構造が示されるように、上記の構造における各リードフレームは、銅製の放熱フィン60上に絶縁シート61を介して固定され、樹脂製のモールド材62で封入されてパッケージ100中に収納される。なお、放熱フィン60はこの半導体モジュール10が搭載されるプリント基板(図示せず)にビス止めできる構成とされている。この場合、この半導体モジュール10を製造するに際しては、IGBT11、ダイオード21〜24、ジャンパーリード41〜45、ボンディングワイヤ51が図1(a)に示されるように設けられたリードフレーム31〜36が絶縁シート61を介して放熱フィン60上に設置される。これをパッケージ100中に収納した後で液状のモールド材62を流し込み、冷却してモールド材62を固化して図2の形態の半導体モジュール10とされる。
以上の構成により、この半導体モジュール10においては、IGBT11、ダイオード21〜24がパッケージ100中に配置される。すなわち、図1に示されるように、IGBT11は左側に、ダイオード21〜24は右側に集中して配置される。ここで、図3に示す回路を実現するために、配線として機能するリードフレームを一体化せずに、31〜36に分割している。ただし、半導体モジュール10の機械的強度はリードフレームと、これに密着して固化したモールド材62とによって保たれるため、この機械的強度を保つためには、この分割数を必要最低限とすることが好ましい。このため、特に単一のリードフレーム31上にはIGBT11とダイオード21、22が搭載され、これにより図3中の破線で囲まれた部分がリードフレーム31を用いて形成されている。従って、リードフレーム31上において、IGBT11はダイオード21、22の発熱の影響を受けやすい。
このリードフレーム31においては、IGBT11、ダイオード21、22が搭載されており、ダイオード21、22はその中で右側において図1(a)における上下方向に並んで配置され、左側にIGBT11が配置される。そして、リードフレーム31において、IGBT11と、ダイオード21、22との間の中点付近にはスリット315が設けられている。このスリット315は、図1(a)中に破線で示されるように、ダイオード21、22とIGBT11とを結ぶ直線を遮るように縦長の形状に形成されている。このスリット315は、ダイオード21、22からの熱がIGBT11に伝達することを抑制する。従って、ダイオード21、22の発熱によるIGBT11の影響が低減される。同様にダイオード23、24も発熱するが、リードフレーム31と32、31と33とがそれぞれ分離されているため、これらの発熱のIGBT11に対する影響は小さい。
また、リードフレーム31においては、2つのリード311、312が設けられている。これらのリードは同電位であるため、電気的にはこれらのうちの一方があれば充分であるが、リードフレーム31からこの半導体モジュール10が実装される基板への放熱のために、この2つのリードを設けることが好ましい。あるいは、リードを3つ以上設けてもよい。
従って、この半導体モジュールにおいては、スイッチング素子(IGBT11)とダイオード、すなわち、搭載される素子間の熱的干渉が抑制されるため、発熱による性能劣化が抑制される。
図1(a)中におけるスリット315の上下方向の長さと上記の効果との間には相関があることは明らかである。図4は、スリットの上下方向の位置及び長さを変えた場合に、ダイオード21、22が発熱した際の、IGBT11の設置された箇所における温度上昇を、単純化したモデルによって測定した結果である。このモデルの上面図を図5に示す。図5において、リードフレームと同じ厚さ0.5mmの銅板81に幅1.0mmのスリット82を各種形成し、ダイオード21、22と同様にこの銅板上に搭載された発熱源83を発熱させ、これから3.0mm離れて同様にその左側に搭載された温度測定チップ84の温度上昇を測定した。ここで、スリット82としては、発熱源83(ダイオードに対応)と温度測定チップ84(IGBTに対応)とを結ぶ線(図5中の破線)の外側に形成された場合(A)、その上下方向における長さの半分がこれらの線の間に入るように形成された場合(B)、これらの線の間を完全に遮蔽するように形成された場合(C)の3種類について調べた。なお、図5においては、この3種類のスリットは左右方向に異なる位置で便宜上記載されているが、実際にはこれらの左右方向における位置は同じとした。
図4においては、上記のA〜Cの場合に加え、スリットを形成しなかった場合についての結果も記載されている。この結果より、スリットを形成した場合でも、これらの線の外側にスリットがある場合(A)には、スリットを形成しなかった場合と有意な差がない。これらの線の間にスリットを形成することによって、短い時定数で温度が上昇することを抑制する効果が生じるため、これらの線の間を完全に遮蔽するような形態(C)とすることが好ましい。すなわち、図1(a)において、スリット315は、2つの破線で挟まれた領域を遮蔽するような長さで上下方向に形成されていることが好ましい。
一方、スリット315が2つの破線で挟まれた領域の上下方向の幅よりも更に長い場合であっても、図4の結果より、この領域外のスリットが温度上昇の抑制に与える効果は小さい。一方、図1(a)におけるスリット315の上端からリードフレーム31の上端までの距離x1、スリット315の下端からリードフレーム31の下端間での距離x2が短くなれば、この間の電気抵抗(ダイオード21、22からIGBT11のコレクタ電極の間の電気抵抗)が増大する。従って、x1とx2との和を充分に保つことが好ましく、具体的には、リード311(312)の幅をDとすると、x1+x2>Dとすることが好ましい。また、x1+x2が小さい場合には、電気抵抗が増大するだけでなく、リードフレーム31の機械的強度が低下することも明らかである。従って、スリット315の長さは、IGBT11とダイオード21、22とを直線的に結ぶ経路を遮蔽し、かつスリット315からリードフレーム31の端部までの距離x1、x2をx1+x2>Dの範囲とすることが好ましい。
また、このスリット315における図1(a)中の左右方向の幅が狭いほど、上記の効果が小さくなることは明らかである。従って、この幅はリードフレーム31の厚さ以上とすることが好ましい。ただし、この幅が広いほどリードフレーム31の電気抵抗が増大し、かつ機械的強度も損なわれるため、この幅はリードフレーム31の厚さ程度とすることが好ましい。
また、図1(b)の構造においては、各リードフレームと放熱フィン60との間には、絶縁シート61が設けられていたが、リードフレーム等を放熱フィン60及びパッケージに固定する方法は、これに限定されない。例えば、図1(b)における絶縁シート61を用いず、この箇所にもモールド材62を形成することによって各リードフレーム及び放熱フィン60をパッケージ中に固定した構造とすることもできる。
この場合、IGBT11、ダイオード21〜24、ジャンパーリード41〜45、ボンディングワイヤ51が図1(a)に示されるように設けられたリードフレーム31〜36と、放熱フィン60とをパッケージ中に設置し、その後で液状のモールド材62を流し込み、冷却してモールド材62を固化して半導体モジュールとする。この際に、上記のスリット315がリードフレーム31に形成されていれば、液状のモールド材62が、リードフレーム31における素子側(図1(a)における上側)からその反対側(図1(b)における下側)にかけてスリット315を通して流れ込みやすくなる。従って、モールド材62をパッケージ内にボイドを形成することなく充填することができる。
すなわち、この場合、スリット315をリードフレーム31に設けることにより、半導体モジュールの製造が容易になるという効果も奏する。また、リードフレーム31と放熱フィン60との間の電気的絶縁性及び熱伝導性に優れた半導体モジュール10が得られる。
なお、上記の例では、IGBTとダイオードとを同一のリードフレーム上に設置し、これらの間にスリットを設けた構成につき記載したが、他の素子を用いた場合でも同様の効果を奏することは明らかである。この際、2つの半導体素子(第1及び第2の半導体素子)が同一のリードフレーム上に搭載され、少なくとも一方の半導体素子の発熱が他方の半導体素子に影響を与える場合であれば同様に本願発明が適用できる。従って、第1及び/又は第2の半導体素子がパワー半導体素子、すなわち、電力供給や電力制御に用いられる半導体素子である場合に特に有効である。
10 半導体モジュール
11 IGBT(スイッチング素子)
21〜24 ダイオード
31〜36 リードフレーム
41〜45 ジャンパーリード
51 ボンディングワイヤ
60 放熱フィン
61 絶縁シート
62 モールド材
81 銅板
82、315 スリット
83 発熱源
84 温度測定チップ
100 パッケージ
311、312、321、331、341、351、361 リード
11 IGBT(スイッチング素子)
21〜24 ダイオード
31〜36 リードフレーム
41〜45 ジャンパーリード
51 ボンディングワイヤ
60 放熱フィン
61 絶縁シート
62 モールド材
81 銅板
82、315 スリット
83 発熱源
84 温度測定チップ
100 パッケージ
311、312、321、331、341、351、361 リード
Claims (8)
- リードフレームと、該リードフレームの一方の主面上に搭載された第1及び第2の半導体素子とを具備する半導体モジュールであって、
前記リードフレームにおいて、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とを直線的に結ぶ経路上にスリットが設けられたことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記リードフレーム及び前記第1及び第2の半導体素子はモールド材中に封入された構造を具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記リードフレームが絶縁シートを介して放熱フィンに固定された構造を具備することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体モジュール。
- 前記リードフレームが前記モールド材を介して放熱フィンに固定された構造を具備することを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。
- 前記第1及び/又は第2の半導体素子はパワー半導体素子であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記第1又は第2の半導体素子はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であることを特徴とする請求項5に記載の半導体モジュール。
- 前記第1又は第2の半導体素子はダイオードであることを特徴とする請求項5に記載の半導体モジュール。
- 前記第1又は第2の半導体素子は、ブリッジ回路を構成するうちの一つのダイオードであることを特徴とする請求項7に記載の半導体モジュール。
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- 2009-02-02 JP JP2009021445A patent/JP2010177619A/ja active Pending
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