JP2021015856A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】放熱性を確保しつつ、電気絶縁性を確保できる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置１００は、第１半導体素子１と、第１リードフレーム３０と、第１クリップ５１と、封止樹脂７とを備えている。第１半導体素子は、一面に露出した第１ドレイン電極１４と一面の反対面に露出した第１ソース電極１２とを有している。第１リードフレームは、第１半導体素子が実装され第１ドレイン電極が電気的に接続された第１ドレイン端子３２と、第１ドレイン端子と分割された第１ソース端子３１とを含んでいる。第１クリップは、導電性を有し、第１ソース電極と第１ソース端子とを電気的に接続している。封止樹脂は、電気的な絶縁性を有し熱伝導率が２．２Ｗ以上であり、第１ドレイン端子の実装面の反対面Ｓ１１が露出した状態で、第１半導体素子及び第１リードフレーム及び第１クリップを覆っている。【選択図】図２

Description

本開示は、半導体装置に関する。
従来、半導体装置の一例として特許文献１に記載された半導体装置がある。半導体装置は、発熱素子と、発熱素子の一方の面に電気的及び熱的に接続されたターミナル及び第１ヒートシンクと、発熱素子の他方の面に電気的及び熱的に接続された第２ヒートシンクと、これらを封止する封止樹脂体と、を備えている。また、第１ヒートシンクは、ターミナルとの対向面の反対面が封止樹脂体から露出している。第２ヒートシンクは、発熱素子との対向面の反対面が封止樹脂体から露出している。
特開２０１５−１３８８４３号公報
半導体装置は、放熱面として、第１ヒートシンクと第２ヒートシンクが封止樹脂体から露出している。このため、半導体装置は、電気絶縁性を確保するために、ゲルなどの絶縁部材をさらに設ける必要がある。
本開示は、上記問題点に鑑みなされたものであり、放熱性を確保しつつ、電気絶縁性を確保できる半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本開示は、
一面に露出した第１電極（１４）と、一面の反対面に露出した第２電極（１２、２２）とを有する半導体素子（１、２）と、
半導体素子が実装され第１電極が電気的に接続された実装部（３２、４２）と、実装部と分割された非実装部（３１、４１）とを含むリードフレーム（３０、４０）と、
第２電極と非実装部とを電気的に接続している導電性の架橋部材（５１、５２）と、
電気的な絶縁性を有し熱伝導率が２．２Ｗ以上であり、実装部の実装面（Ｓ１２）の反対面（Ｓ１１）が露出した状態で、半導体素子及びリードフレーム及び架橋部材を覆う封止樹脂（７）と、を備えていることを特徴とする。
このように、本開示は、架橋部材を露出させることなく封止樹脂で覆っているため、電気的な絶縁性を確保することができる。さらに、本開示は、封止樹脂の熱伝導率を２．２Ｗ以上としているため、放熱性も確保することができる。
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、一つの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本開示の技術的範囲を限定するものではない。
実施形態における半導体装置の概略構成を示す平面図である。 図１のII-II線に沿う断面図である。 実施形態における半導体装置の放熱特性を示すグラフである。 変形例１における半導体装置の概略構成を示す断面図である。 変形例２における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
以下において、図面を参照しながら、本開示を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。なお、以下においては、互いに直交する３方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向と示す。
図１、図２、図３を用いて、半導体装置１００に関して説明する。図１、図２に示すように、半導体装置１００は、二つの半導体素子１、２と、二つのリードフレーム３０、４０と、二つのクリップ５１、５２と、封止樹脂７とを備えている。本実施形態では、二つの半導体素子１、２を備えた半導体装置１００を採用している。これに伴って、半導体装置１００は、二つのリードフレーム３０、４０と、二つのクリップ５１、５２とを備えている。さらに、半導体装置１００は、二つのワイヤ６１、６２を備えている。
しかしながら、本開示は、これに限定されず、少なくとも一つの半導体素子を備えていればよい。また、半導体装置１００は、半導体素子の個数と同数のリードフレームと、半導体素子の個数と同数のクリップとを備えていればよい。
なお、図１では、図面を簡略化して、各構成要素をわかりやすくするために、封止樹脂７の一部を省略している。つまり、図１では、封止樹脂７における、二つの半導体素子１、２と、二つのリードフレーム３０、４０と、二つのクリップ５１、５２と、二つのワイヤ６１、６２を覆っている部分を省略している。
半導体素子１、２は、一例として、ＭＯＳＦＥＴを採用している。しかしながら、本開示は、これに限定されず、半導体素子１、２としてＩＧＢＴ（Insulated‐Gate Bipolar Transistor）などであっても採用できる。さらに、半導体素子１、２の一例として、ＩＧＢＴとダイオードを一体化したＲＣ−ＩＧＢＴを採用することもできる。また、半導体素子１、２は、例えば、Ｓｉを主成分とするものや、ＳｉＣを主成分として構成されたものを採用できる。
第１半導体素子１は、第１基板１１と、第１基板１１の一面側に露出した第１ドレイン電極１４と、第１基板１１の一面の反対面に露出した第１ソース電極１２及び第１ゲート電極１３とを有している。第１ドレイン電極１４は、第１基板１１の一面側の略全域に形成されている。一方、第１ソース電極１２と第１ゲート電極１３は、第１基板１１の反対面に部分的に形成されている。
なお、第１基板１１は、ＸＹ平面において例えば矩形状をなしており、Ｚ方向に厚みを有する。本実施形態では、一例として、Ｙ方向が長手方向で、Ｘ方向が短手方向の第１基板１１を採用している。
半導体素子１は、温度センサや電流センサなどが形成されていてもよい。この場合、半導体素子１は、温度センサや電流センサと電気的に接続されたパッドが、第１ソース電極１２と第１ゲート電極１３と同一面に形成される。また、このパッドは、例えば、Ｘ方向において、第１ゲート電極１３と並んで配置されている。
第２半導体素子２は、第２基板２１と、第２基板２１の一面側に露出した第２ドレイン電極と、第２基板２１の一面の反対面に露出した第２ソース電極２２及び第２ゲート電極２３とを有している。第２半導体素子２は、第１半導体素子１と同様の構成を有している。このため、第２半導体素子２に関しては、第１半導体素子１の説明を参照できる。
なお、第１半導体素子１と第２半導体素子２は、半導体素子に相当する。第１ドレイン電極１４と第２ドレインは、第１電極に相当する。第１ソース電極１２と第２ソース電極２２は、第２電極に相当する。
第１リードフレーム３０は、第１ソース端子３１と、第１ドレイン端子３２と、第１信号端子３３とを有している。第１リードフレーム３０は、例えば、ＣｕやＦｅやその合金等の金属材料の導電性材料を主成分として構成されたものを採用できる。第１ソース端子３１と、第１ドレイン端子３２と、第１信号端子３３は、互いに分割されている。
第１ドレイン端子３２は、実装面Ｓ１２に第１半導体素子１が実装されている。詳述すると、第１ドレイン端子３２は、第１半導体素子１が実装され、第１ドレイン電極１４が電気的に接続される部位である。第１ドレイン端子３２は、はんだなどの導電性接続部材を介して、第１ドレイン電極１４と電気的に接続されている。よって、第１半導体素子１は、導電性接続部材を介して第１ドレイン電極１４と第１ドレイン端子３２とが電気的に接続されることで、第１ドレイン端子３２に実装される。なお、本実施形態では、導電性接続部材としてはんだを採用する。
後程説明するが、第１ドレイン端子３２は、実装面Ｓ１２の反対面Ｓ１１が封止樹脂７から露出している。このため、第１ドレイン端子３２は、電気的な配線としての機能に加えて、第１半導体素子１から発せられた熱を放熱するためのヒートシンクとしての機能も有している。よって、反対面Ｓ１１は、放熱面とも言える。実装面Ｓ１２と反対面Ｓ１１は、例えば平坦な面を採用できる。
なお、第１ドレイン端子３２は、実装部に相当する。また、第１ドレイン端子３２は、アイランドとも言える。
第１ソース端子３１は、第１クリップ５１を介して、第１ソース電極１２と電気的に接続されている。このように、第１ソース端子３１は、第１半導体素子１が実装されておらず、第１クリップ５１を介して、第１半導体素子１（第１ソース電極１２）と電気的に接続されている。
第１クリップ５１は、例えば、ＣｕやＦｅやその合金等の金属材料等の導電性材料を主成分として構成されたものを採用できる。第１クリップ５１は、第１ソース電極１２に対向する第１素子対向部５１ａと、第１ソース端子３１に対応する第１端子対向部５１ｂと、第１素子対向部５１ａと第１端子対向部５１ｂとを繋ぐ第１連結部５１ｃとを有している。第１素子対向部５１ａと、第１端子対向部５１ｂと、第１連結部５１ｃとは、一体物として構成されている。
第１素子対向部５１ａは、はんだを介して、第１ソース電極１２と電気的に接続されている。同様に、第１端子対向部５１ｂは、はんだを介して、第１ソース端子３１と電気的に接続されている。このように、第１半導体素子１は、第１クリップ５１を介して、第１ソース電極１２と第１ソース端子３１とが電気的に接続されている。
本実施形態では、一例として、ＸＹ平面において例えば矩形状をなしており、Ｚ方向に厚みを有した第１クリップ５１を採用している。また、本実施形態では、一例として、第１連結部５１ｃが第１半導体素子１の端部及び第１ドレイン端子３２に対向する第１クリップ５１を採用している。さらに、本実施形態では、図２に示すように、第１連結部５１ｃの厚みが第１素子対向部５１ａよりも薄い第１クリップ５１を採用している。
これによって、半導体装置１００は、第１ドレイン端子３２と第１クリップ５１との絶縁距離を確保しやすくなる。さらに、半導体装置１００は、第１素子対向部５１ａが第１連結部５１ｃと同程度の厚みである場合よりも、第１半導体素子１上の熱容量を大きくすることができるため放熱性を向上できる。
なお、第１ソース端子３１は、非実装部に相当する。また、第１クリップ５１は、架橋部材に相当する。
第１信号端子３３は、第１ワイヤ６１を介して、第１ゲート電極１３と電気的に接続されている。このように、第１信号端子３３は、第１半導体素子１が実装されておらず、第１ワイヤ６１を介して、第１半導体素子１（第１ゲート電極１３）と電気的に接続されている。
また、本実施形態では、複数の第１信号端子３３が形成された例を採用している。よって、一つの第１信号端子３３は、第１ゲート電極１３と電気的に接続されている。そして、他の第１信号端子３３は、温度センサや電流センサと電気的に接続されたパッドと、第１ワイヤ６１を介して電気的に接続されている。
なお、第１リードフレーム３０は、第１ソース端子３１における第１端子対向部５１ｂが接続される面、及び第１信号端子３３における第１ワイヤ６１が接続される面が、第１ドレイン端子３２の実装面Ｓ１２と面一となっている。つまり、第１ソース端子３１における第１端子対向部５１ｂが接続される面、及び第１信号端子３３における第１ワイヤ６１が接続される面は、実装面Ｓ１２を通るＸＹ平面上に形成されていると言える。同様に、第１ソース端子３１における第１端子対向部５１ｂが接続される面の反対面、及び第１信号端子３３における第１ワイヤ６１が接続される面の反対面は、第１ドレイン端子３２の反対面Ｓ１１と面一となっている。
よって、反対面Ｓ１１と、第１ソース端子３１における第１端子対向部５１ｂが接続される面の反対面と、及び第１信号端子３３における第１ワイヤ６１が接続される面の反対面は、まとめて反対面Ｓ１１とも称することもできる。
さらに、第２リードフレーム４０は、第１リードフレーム３０と同様、実装面と反対面とを有している。よって、以下において、特に断りなく反対面Ｓ１１と記載している箇所は、第１リードフレーム３０と第２リードフレーム４０の反対面Ｓ１１を示している。
第２リードフレーム４０は、第２ソース端子４１と、第２ドレイン端子４２と、第２信号端子４３とを有している。第２リードフレーム４０は、第１リードフレーム３０と同様の構成を有している。このため、第２リードフレーム４０に関しては、第１リードフレーム３０の説明を参照できる。
第２クリップ５２は、第２素子対向部５２ａと、第２端子対向部５２ｂと、第２連結部５２ｃとを有している。第２クリップ５２は、第１クリップ５１と同様の構成を有している。このため、第２クリップ５２に関しては、第１クリップ５１の説明を参照できる。
第２ワイヤ６２は、第１ワイヤ６１と同様の構成を有している。このため、第２ワイヤ６２に関しては、第１ワイヤ６１の説明を参照できる。
封止樹脂７は、構成材料として電気絶縁性樹脂と、電気絶縁性樹脂よりも熱伝導率が高いフィラーとを含んでいる。つまり、封止樹脂７は、電気絶縁性樹脂にフィラーが埋設されている。電気絶縁性樹脂は、例えばエポキシ系樹脂などを採用できる。一方、フィラーは、アルミナなど無機物粒子を採用できる。封止樹脂７は、例えば金型を用いた射出成型などで形成される。
封止樹脂７は、半導体素子１、２と、リードフレーム３０、４０と、クリップ５１、５２と、ワイヤ６１、６２とを一体的に覆っている。封止樹脂７は、これらと接しつつ封止していると言える。また、上記のように、図１で図示している、半導体素子１、２と、リードフレーム３０、４０と、クリップ５１、５２と、ワイヤ６１、６２は、封止樹脂７で封止されている。そして、封止樹脂７は、ＸＹ平面において矩形状をなしている。
封止樹脂７は、図２に示すように、第１表面Ｓ１と、第１表面Ｓ１の反対面の第２表面Ｓ２とを有している。第１表面Ｓ１と第２表面Ｓ２は、例えば平坦な面を採用できる。また、第１表面Ｓ１と第２表面Ｓ２は、ＸＹ平面に沿って形成されていると言える。
封止樹脂７は、図２に示すように、ドレイン端子３２、４２の反対面Ｓ１１が露出した状態で、半導体素子１、２と、リードフレーム３０、４０と、クリップ５１、５２と、ワイヤ６１、６２とを覆っている。リードフレーム３０、４０は、反対面Ｓ１１の全域が封止樹脂７から露出している。第１表面Ｓ１は、反対面Ｓ１１と面一に形成されている。
封止樹脂７は、電気的な絶縁性を有し熱伝導率が２．２Ｗ以上である。封止樹脂７は、フィラーの量や材料によって、熱伝導率を調整することができる。よって、後程説明する表層樹脂部７１は、電気的な絶縁性を有し熱伝導率が２．２Ｗ以上の材料によって構成されている。
封止樹脂７は、クリップ５１、５２におけるリードフレーム３０、４０との接続箇所を除く全域を覆っている。よって、封止樹脂７は、クリップ５１、５２上にも一部が形成されている。つまり、封止樹脂７は、クリップ５１、５２上に形成された表層樹脂部７１を含んでいる。半導体装置１００は、クリップ５１、５２が封止樹脂７から露出しないように、表層樹脂部７１を備えている。半導体装置１００は、表層樹脂部７１を備えることで、クリップ５１、５２の電気絶縁性を確保することができる。
表層樹脂部７１は、クリップ５１、５２における半導体素子１、２とは反対側の面上に形成されている。また、表層樹脂部７１は、クリップ５１、５２における半導体素子１、２とは反対側の面の全域に形成されている。よって、第２表面Ｓ２と、クリップ５１、５２における半導体素子１、２との対向面の反対面とは、Ｚ方向における異なる位置の面である。なお、クリップ５１、５２における半導体素子１、２との対向面は、ソース電極１２、２２と対向する面である。
表層樹脂部７１は、少なくともフィラーの粒径の１倍の厚みを有する。これによって、封止樹脂７は、フィラーを含んだ表層樹脂部７１とすることができる。つまり、封止樹脂７は、フィラーによる熱伝導率を維持しつつ、電気絶縁性を確保することができる。言い換えると、封止樹脂７は、放熱性と電気絶縁性を確保することができる。
なお、表層樹脂部７１の厚みがフィラーの粒径程度の場合、封止樹脂７は、クリップ５１、５２上に１層の樹脂層が形成されていると言える。また、封止樹脂７は、フィラーの粒径の１倍以上の厚みを有する表層樹脂部７１を含んでいるとも言える。
また、表層樹脂部７１は、厚みが０．２ｍｍ以上で、且つ、０．６ｍｍ以下とすると好ましい。表層樹脂部７１の厚みは、Ｚ方向の厚みである。また、表層樹脂部７１の厚みは、金型のキャビティ（空洞）のサイズによって調整することができる。
よって、表層樹脂部７１の厚みは、クリップ５１、５２の形状及び板厚の公差、半導体素子１、２の両面に形成されたはんだの公差、リードフレーム３０、４０の板厚公差によって変動することが考えられる。発明者は、これらの公差と、封止樹脂７を成型する際の工程能力などを考慮して表層樹脂部７１の厚みを検討した。そして、表層樹脂部７１の厚みは、０．４ｍｍ±０．２ｍｍとすることが好ましいという結果を得ることができた。つまり、半導体装置１００は、表層樹脂部７１の厚みを０．４ｍｍ±０．２ｍｍとすることで、フィラーを含む表層樹脂部７１を形成しやすく、放熱性と電気絶縁性を確保できる。
なお、本実施形態では、図２に示すように、反対面Ｓ１１から凹んだ部位が形成されたリードフレーム３０、４０を採用している。このため、封止樹脂７は、リードフレーム３０、４０と、第１表面Ｓ１との間にも形成されている。しかしながら、本開示は、これに限定されない。
以上のように、半導体装置１００は、クリップ５１、５２を露出させることなく封止樹脂７で覆っているため、電気的な絶縁性を確保することができる。さらに、半導体装置１００は、封止樹脂７の熱伝導率を２．２Ｗ以上としているため、放熱性も確保することができる。つまり、半導体装置１００は、クリップ５１、５２上に、電気絶縁性の放熱ゲルなどを設けることなく、電気絶縁性と放熱性を確保することができる。言い換えると、半導体装置１００は、半導体装置１００単体で電気絶縁性と放熱性を確保することができる。このため、半導体装置１００は、納品先などのユーザ側で電気絶縁性と放熱性を保証する必要がない。
さらに、図３に示すように、シミュレーションによって、半導体装置１００と比較例の半導体装置（以下、単に比較例）との放熱特性を比較した。図３は、横軸にゲルの厚み［ｍｍ］をとり、縦軸に熱抵抗［℃／Ｗ］をとっている。このシミュレーションでは、ゲル上面の温度を固定した状態で行った。ゲルは、電気絶縁性を有した放熱ゲルである。
比較例は、両面放熱構造の半導体装置をゲルで絶縁した構造を有する。つまり、比較例は、ヒートシンク上に熱伝導率３Ｗの電気絶縁性の放熱ゲルが設けられたものである。
また、熱抵抗は、表層樹脂部７１やゲルにおける熱抵抗を示している。つまり、半導体装置１００の熱抵抗は、クリップ５１、５２上に設けられた表層樹脂部７１の熱抵抗を示している。また、表層樹脂部７１上にゲルが設けられている場合、半導体装置１００の熱抵抗は、表層樹脂部７１とゲルの熱抵抗を示している。
菱形（◇）のポイントで示すグラフは、比較例の放熱特性を示すグラフである。三角形（△）のポイントで示すグラフは、封止樹脂７の熱伝導率が３Ｗで、表層樹脂部７１の厚みが０．５ｍｍの場合の半導体装置１００の放熱特性を示すグラフである。丸形（○）のポイントで示すグラフは、封止樹脂７の熱伝導率が２．２Ｗで、表層樹脂部７１の厚みが０．６ｍｍの場合の半導体装置１００の放熱特性を示すグラフである。四角（□）のポイントで示すグラフは、封止樹脂７の熱伝導率が１Ｗで、表層樹脂部７１の厚みが０．５ｍｍの場合の半導体装置１００の放熱特性を示すグラフである。
本実施形態の半導体装置１００は、ゲルが設けられていない。このため、半導体装置１００の熱抵抗は、ゲル厚０ｍｍにおける値となる。また、半導体装置１００は、上記のように好ましい例として、封止樹脂７の熱伝導率を２．２Ｗ以上としている。
よって、半導体装置１００の熱抵抗は、図３における丸形及び三角のポイントのグラフに示すように、８℃／Ｗ程度よりも小さいことがわかる。従って、半導体装置１００は、封止樹脂７の熱伝導率を２．２Ｗ以上とすることで、比較例と同程度、もしくは、それ以下の熱抵抗を得られることがわかる。つまり、半導体装置１００は、封止樹脂７の熱伝導率を２．２Ｗ以上とすることで、比較例と同程度、もしくは、それ以上の放熱性が得られる。さらに、半導体装置１００は、封止樹脂７の熱伝導率を２．２Ｗ以上、表層樹脂部７１の厚みを０．６ｍｍ以下とすることで、比較例と同程度、もしくは、それ以上の放熱性が得られる。
以上、本開示の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本開示は、上記実施形態に何ら制限されることはなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本開示のその他の形態として、変形例１、２に関して説明する。上記実施形態及び変形例１、２は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本開示は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。
（変形例１）
半導体装置１００は、図４に示すように、プリント板２００に実装され、且つ、ゲル４００を介してモータ３００に取り付けられてもよい。プリント板２００は、電気絶縁性の樹脂などからなる基板に、導電性部材からなる配線やパッドが形成されている。半導体装置１００は、第１ソース端子３１、第１ドレイン端子３２、第１信号端子３３がはんだなどの導電性部材を介して、プリント板２００のパッドに電気的に接続されている。
モータ３００は、例えば、ロータやステータに加えて、これらを収容するハウジングなどを備えている。半導体装置１００は、例えば、モータ３００にハウジングに取り付けられる。
モータ３００は、半導体装置１００の半導体素子１、２によって駆動されるものを採用できる。この場合、半導体素子１、２は、モータ３００を駆動するインバータのスイッチング素子である。なお、本実施形態では、半導体装置１００が取り付けられる対象の一例としてモータ３００を採用した。しかしながら、本開示は、これに限定されない。半導体装置１００は、半導体素子１、２を駆動素子として駆動される負荷（被取付対象）に取り付けられていてもよい。
ゲル４００は、第２表面Ｓ２上に設けられる。ゲル４００は、上記のようなゲルを採用することができる。しかしながら、半導体装置１００は、単体で電気絶縁性を有している。このため、半導体装置１００は、ゲル４００によってモータ３００との電気絶縁性を確保する必要がない。よって、ゲル４００は、比較例で用いられるゲルよりも厚みを薄くすることができる。
当然ながら、半導体装置１００は、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、半導体装置１００は、プリント板２００、モータ３００、ゲル４００を備えていてもよい。
（変形例２）
図５に示すように、半導体装置１１０は、半導体素子１、２の配置が半導体装置１００と異なる。半導体装置１１０は、第１半導体素子１と第２半導体素子２を交互配置してもよい。つまり、半導体装置１１０は、第１信号端子３３に隣り合って第２ソース端子４１が配置され、第１ソース端子３１に隣り合って第２信号端子４３が配置されている。半導体装置１１０は、半導体装置１００と同様の効果を奏することができる。
１…第１半導体素子、１１…第１基板、１２…第１ソース電極、１３…第１ゲート電極、１４…第１ドレイン電極、２…第２半導体素子、２１…第２基板、２２…第２ソース電極、２３…第２ゲート電極、３０…第１リードフレーム、３１…第１ソース端子、３２…第１ドレイン端子、３３…第１信号端子、４０…第１リードフレーム、４１…第２ソース端子、４２…第２ドレイン端子、４３…第２信号端子、５１…第１クリップ、５２…第２クリップ、６１…第１ワイヤ、６２…第２ワイヤ、７…封止樹脂、７１…表層樹脂部、１００，１１０…半導体装置、２００…プリント板、３００…モータ、４００…ゲル、Ｓ１…第１表面、Ｓ２…第２表面、Ｓ１２…実装面、Ｓ１１…反対面

Claims (3)

  1. 一面に露出した第１電極（１４）と、前記一面の反対面に露出した第２電極（１２、２２）とを有する半導体素子（１、２）と、
    前記半導体素子が実装され前記第１電極が電気的に接続された実装部（３２、４２）と、前記実装部と分割された非実装部（３１、４１）とを含むリードフレーム（３０、４０）と、
    前記第２電極と前記非実装部とを電気的に接続している導電性の架橋部材（５１、５２）と、
    電気的な絶縁性を有し熱伝導率が２．２Ｗ以上であり、前記実装部の実装面（Ｓ１２）の反対面（Ｓ１１）が露出した状態で、前記半導体素子及び前記リードフレーム及び前記架橋部材を覆う封止樹脂（７）と、を備えている半導体装置。
  2. 前記封止樹脂は、構成材料として電気絶縁性樹脂と前記電気絶縁性樹脂よりも熱伝導率が高いフィラーとを含み、前記架橋部材上に形成された表層樹脂部（７１）を有し、
    前記表層樹脂部は、少なくとも前記フィラーの粒径の１倍の厚みを有する請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記封止樹脂は、構成材料として電気絶縁性樹脂と前記電気絶縁性樹脂よりも熱伝導率が高いフィラーとを含み、前記架橋部材上に形成された表層樹脂部（７１）を有し、
    前記表層樹脂部は、０．２ｍｍ以上で、且つ、０．６ｍｍ以下の厚みである請求項１に記載の半導体装置。
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