JPH0982862A - オーディオ信号出力半導体装置 - Google Patents
オーディオ信号出力半導体装置Info
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- JPH0982862A JPH0982862A JP7260697A JP26069795A JPH0982862A JP H0982862 A JPH0982862 A JP H0982862A JP 7260697 A JP7260697 A JP 7260697A JP 26069795 A JP26069795 A JP 26069795A JP H0982862 A JPH0982862 A JP H0982862A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】パワーアンプからプリアンプへの熱干渉を低減
してS/N比を向上させることができるオーディオ信号出
力半導体装置を提供することにある。 【解決手段】フレームの外部端子に接続される熱シンク
エリアがパワーアンプチップとプリアンプチップが搭載
されるエリアとの間に配置されていて、プリアンプチッ
プが搭載されるエリアと熱シンクエリアとの間を線状の
通路により接続することにより、プリアンプチップ側へ
の熱の影響を低下させることができる。これにより、高
出力アンプによる高出力時、あるいは低音増強などによ
るパワーアンプチップ側の発熱による熱変調を受け難く
なる。また、フレームの熱シンクエリアがパワーアンプ
チップのエリアにおいてプリアンプチップが搭載される
エリアに対して反対側に形成されている場合も、プリア
ンプチップ側への熱の干渉を低下させることができる。
してS/N比を向上させることができるオーディオ信号出
力半導体装置を提供することにある。 【解決手段】フレームの外部端子に接続される熱シンク
エリアがパワーアンプチップとプリアンプチップが搭載
されるエリアとの間に配置されていて、プリアンプチッ
プが搭載されるエリアと熱シンクエリアとの間を線状の
通路により接続することにより、プリアンプチップ側へ
の熱の影響を低下させることができる。これにより、高
出力アンプによる高出力時、あるいは低音増強などによ
るパワーアンプチップ側の発熱による熱変調を受け難く
なる。また、フレームの熱シンクエリアがパワーアンプ
チップのエリアにおいてプリアンプチップが搭載される
エリアに対して反対側に形成されている場合も、プリア
ンプチップ側への熱の干渉を低下させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、オーディオ信号
出力半導体装置に関し、詳しくは、オーディオ信号の微
小信号増幅用のプリアンプチップとオーディオ信号の電
力増幅用のパワーアンプチップとをともに１つのパッケ
ージに内蔵するオーディオ信号出力半導体装置におい
て、出力信号のS/N比を低減することができるようなオ
ーディオ信号出力半導体装置に関するものである。
出力半導体装置に関し、詳しくは、オーディオ信号の微
小信号増幅用のプリアンプチップとオーディオ信号の電
力増幅用のパワーアンプチップとをともに１つのパッケ
ージに内蔵するオーディオ信号出力半導体装置におい
て、出力信号のS/N比を低減することができるようなオ
ーディオ信号出力半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近では、マイクロコンポーネントステ
レオ装置やカーステレオ装置、ヘッドホーンステレオや
ＤＣＣ、ＤＡＴなどのポータブル磁気テーププレーヤ、
ＭＤ、ＣＤなどのポータブルディスクプレーヤなどは、
装置の筐体が小型化される一方で、高い出力が要求され
ている。この種のオーディオ装置におけるプリアンプ
は、微小信号を増幅するイコライザ回路やミキシング回
路など、各種の機能回路が集積化される関係で独立の回
路として通常ワンチップになっている。また、パワーア
ンプは、その大きな出力電力の関係をはじめとして、パ
ワーアンプでの保護回路、低域ブーストアンプ、さらに
仮想接地アンプなど、各種の回路が集積化される関係で
これも独立にワンチップになっている。
レオ装置やカーステレオ装置、ヘッドホーンステレオや
ＤＣＣ、ＤＡＴなどのポータブル磁気テーププレーヤ、
ＭＤ、ＣＤなどのポータブルディスクプレーヤなどは、
装置の筐体が小型化される一方で、高い出力が要求され
ている。この種のオーディオ装置におけるプリアンプ
は、微小信号を増幅するイコライザ回路やミキシング回
路など、各種の機能回路が集積化される関係で独立の回
路として通常ワンチップになっている。また、パワーア
ンプは、その大きな出力電力の関係をはじめとして、パ
ワーアンプでの保護回路、低域ブーストアンプ、さらに
仮想接地アンプなど、各種の回路が集積化される関係で
これも独立にワンチップになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、カーステレオ
装置あるいはマイクロコンポーネントステレオでは、特
に、ＣＤプレーヤや磁気テーププレーヤ部分がアンプと
ともに１つの筐体に収納される関係で、プリアンプＩＣ
やパワーアンプＩＣを搭載した基板の収納スペースが狭
い。そこで、プリアンプとパワーアンプとをワンチップ
化することが考えられるが、パワーアンプは、発熱が大
きく、入力信号が微小であり、かつゲインの高いプリア
ンプとワンチップ化すると、パワーアンプ側の発熱の影
響で信号歪みやクロストークが発生し、オーディオ特性
を悪化させてします。このような理由で、従来では、こ
れら２つのＩＣは、別々のＩＣで構成されている。な
お、低出力のパワーアンプの場合には、発熱量が低いの
でワンチップ化されているものもある。この発明の目的
は、このような従来技術の問題点を解決するものであっ
て、パワーアンプからプリアンプへの熱干渉を低減して
S/N比を向上させることができるオーディオ信号出力半
導体装置を提供することにある。
装置あるいはマイクロコンポーネントステレオでは、特
に、ＣＤプレーヤや磁気テーププレーヤ部分がアンプと
ともに１つの筐体に収納される関係で、プリアンプＩＣ
やパワーアンプＩＣを搭載した基板の収納スペースが狭
い。そこで、プリアンプとパワーアンプとをワンチップ
化することが考えられるが、パワーアンプは、発熱が大
きく、入力信号が微小であり、かつゲインの高いプリア
ンプとワンチップ化すると、パワーアンプ側の発熱の影
響で信号歪みやクロストークが発生し、オーディオ特性
を悪化させてします。このような理由で、従来では、こ
れら２つのＩＣは、別々のＩＣで構成されている。な
お、低出力のパワーアンプの場合には、発熱量が低いの
でワンチップ化されているものもある。この発明の目的
は、このような従来技術の問題点を解決するものであっ
て、パワーアンプからプリアンプへの熱干渉を低減して
S/N比を向上させることができるオーディオ信号出力半
導体装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための第１の発明のオーディオ信号出力半導体装置の
特徴は、オーディオ信号の微小信号増幅用のプリアンプ
チップと、このプリアンプチップから増幅されたオーデ
ィオ信号を受けて電力増幅して出力するパワーアンプチ
ップと、プリアンプチップとパワーアンプチップとが搭
載され放熱用の外部端子を有するフレームとを備えてい
て、フレームの外部端子として導出される熱シンクエリ
アがパワーアンプチップとプリアンプチップとの間に配
置されていて、プリアンプチップの搭載エリアと熱シン
クエリアとの間が線状の通路で接続され、プリアンプチ
ップとパワーアンプチップとフレームとがパーケージさ
れているものである。また、第２の発明は、フレームの
前記の外部端子に導出される熱シンクエリアがパワーア
ンプチップのエリアにおいてプリアンプチップが搭載さ
れるエリアに対して反対側に形成され、プリアンプチッ
プとパワーアンプチップとフレームとがパーケージされ
ているものである。
るための第１の発明のオーディオ信号出力半導体装置の
特徴は、オーディオ信号の微小信号増幅用のプリアンプ
チップと、このプリアンプチップから増幅されたオーデ
ィオ信号を受けて電力増幅して出力するパワーアンプチ
ップと、プリアンプチップとパワーアンプチップとが搭
載され放熱用の外部端子を有するフレームとを備えてい
て、フレームの外部端子として導出される熱シンクエリ
アがパワーアンプチップとプリアンプチップとの間に配
置されていて、プリアンプチップの搭載エリアと熱シン
クエリアとの間が線状の通路で接続され、プリアンプチ
ップとパワーアンプチップとフレームとがパーケージさ
れているものである。また、第２の発明は、フレームの
前記の外部端子に導出される熱シンクエリアがパワーア
ンプチップのエリアにおいてプリアンプチップが搭載さ
れるエリアに対して反対側に形成され、プリアンプチッ
プとパワーアンプチップとフレームとがパーケージされ
ているものである。
【０００５】
【発明の実施形態】このように、フレームの外部端子に
接続される熱シンクエリアがパワーアンプチップとプリ
アンプチップが搭載されるエリアとの間に配置されてい
て、プリアンプチップが搭載されるエリアと熱シンクエ
リアとの間を線状の通路により接続することにより、プ
リアンプチップ側への熱の影響を低下させることができ
る。これにより、高出力アンプによる高出力時、あるい
は低音増強などによるパワーアンプチップ側の発熱によ
る熱変調を受け難くなる。しかも、これの製造工程にお
いては、チップを搭載するフレームが従来と同様に１つ
になっているので、たとえ２つのチップを搭載してもワ
ンチップと同様に一体的に扱うことができ、ワンパッケ
ージ化が容易にできる。なお、フレームの熱シンクエリ
アがパワーアンプチップのエリアにおいてプリアンプチ
ップが搭載されるエリアに対して反対側に形成されてい
る場合も、プリアンプチップ側への熱の干渉を低下させ
ることができる。
接続される熱シンクエリアがパワーアンプチップとプリ
アンプチップが搭載されるエリアとの間に配置されてい
て、プリアンプチップが搭載されるエリアと熱シンクエ
リアとの間を線状の通路により接続することにより、プ
リアンプチップ側への熱の影響を低下させることができ
る。これにより、高出力アンプによる高出力時、あるい
は低音増強などによるパワーアンプチップ側の発熱によ
る熱変調を受け難くなる。しかも、これの製造工程にお
いては、チップを搭載するフレームが従来と同様に１つ
になっているので、たとえ２つのチップを搭載してもワ
ンチップと同様に一体的に扱うことができ、ワンパッケ
ージ化が容易にできる。なお、フレームの熱シンクエリ
アがパワーアンプチップのエリアにおいてプリアンプチ
ップが搭載されるエリアに対して反対側に形成されてい
る場合も、プリアンプチップ側への熱の干渉を低下させ
ることができる。
【０００６】
【実施例】図１は、この発明のオーディオ信号出力半導
体装置を適用した一実施例のパケージされた内部の構造
の説明図、図２，図３は、それぞれこの発明のオーディ
オ信号出力半導体装置を適用した他の実施例のパケージ
された内部の構造の説明図である。図１は、プリアンプ
チップとパワーアンプチップとをパッケージした半導体
装置のパッケージを外した状態の平面図を示していて、
放熱のためのフレーム４にパワーチップ１とプリアンプ
チップ２とが搭載され、これらの間には、熱拡散用の熱
シンクエリア３が設けられている。この熱シンクエリア
３が外部に熱を導出される放熱端子あるいは接地端子と
してグランドＧＮＤに接続されて大きな接地パターン接
続され、あるいは放熱板等に熱導電性接着剤等を介して
接触接続される。
体装置を適用した一実施例のパケージされた内部の構造
の説明図、図２，図３は、それぞれこの発明のオーディ
オ信号出力半導体装置を適用した他の実施例のパケージ
された内部の構造の説明図である。図１は、プリアンプ
チップとパワーアンプチップとをパッケージした半導体
装置のパッケージを外した状態の平面図を示していて、
放熱のためのフレーム４にパワーチップ１とプリアンプ
チップ２とが搭載され、これらの間には、熱拡散用の熱
シンクエリア３が設けられている。この熱シンクエリア
３が外部に熱を導出される放熱端子あるいは接地端子と
してグランドＧＮＤに接続されて大きな接地パターン接
続され、あるいは放熱板等に熱導電性接着剤等を介して
接触接続される。
【０００７】５，５，５…は、リード端子であって、各
チップのパッド６，６，６，…がこれらにそれぞれワイ
ヤボンディング（図では省略）されて、パッケージ１１
（一点鎖線）の外へと引き出される。フレーム４には、
熱シンクエリア３とプリアンプチップ２の搭載エリア７
との間に切欠部８，８が両側に形成され、これらエリア
を結ぶ通路９が線状になっている。この線状接続により
プリアンプチップ２側のフレーム４とパワーアンプ側の
フレーム１０とを接続して一体化することができるとと
もに、パワーアンプチップ１により生成される熱あるい
は低音で変調された熱の影響が通路９により抑制され
る。これは、通路９が広い熱シンクエリア３に対して狭
い通路になっているので、熱シンクエリア３よりも熱抵
抗が大きくなるからである。なお、これらパワーアンプ
チップ１とプリアンプチップ２とフレーム４とは、点線
で示すようにパッケージ１１によりパーケージされてい
るものである。また、１０は、パワーアンプチップ２の
搭載エリアである。
チップのパッド６，６，６，…がこれらにそれぞれワイ
ヤボンディング（図では省略）されて、パッケージ１１
（一点鎖線）の外へと引き出される。フレーム４には、
熱シンクエリア３とプリアンプチップ２の搭載エリア７
との間に切欠部８，８が両側に形成され、これらエリア
を結ぶ通路９が線状になっている。この線状接続により
プリアンプチップ２側のフレーム４とパワーアンプ側の
フレーム１０とを接続して一体化することができるとと
もに、パワーアンプチップ１により生成される熱あるい
は低音で変調された熱の影響が通路９により抑制され
る。これは、通路９が広い熱シンクエリア３に対して狭
い通路になっているので、熱シンクエリア３よりも熱抵
抗が大きくなるからである。なお、これらパワーアンプ
チップ１とプリアンプチップ２とフレーム４とは、点線
で示すようにパッケージ１１によりパーケージされてい
るものである。また、１０は、パワーアンプチップ２の
搭載エリアである。
【０００８】図２は、前記の切欠部８を外側ではなく、
内部に開口部８ａとして設けたものである。これにより
２つの通路９ａ，９ｂが熱シンクエリア３とプリアンプ
チップ２の搭載エリア７との間に形成される。その効果
は前記と同様であるが、外部端子として導出する熱シン
クエリア３をグランドに接続する接地端子とする場合に
グランドＧＮＤへの熱抵抗を低減できる。
内部に開口部８ａとして設けたものである。これにより
２つの通路９ａ，９ｂが熱シンクエリア３とプリアンプ
チップ２の搭載エリア７との間に形成される。その効果
は前記と同様であるが、外部端子として導出する熱シン
クエリア３をグランドに接続する接地端子とする場合に
グランドＧＮＤへの熱抵抗を低減できる。
【０００９】図３は、前記の切欠部８に変えて、熱シン
クエリア３の位置を変えたものであって、熱シンクエリ
ア３は、パワーアンプチップ１の搭載エリア１０におい
てプリアンプチップ２が搭載されるエリア７に対して反
対側の端のエリアに形成されていて、パーケージされて
いる。特に、この場合、図１の実施例のように、パワー
アンプチップ１とプリアンプチップ２との間に点線で示
す開口部８ａをさらに設けてもよい。
クエリア３の位置を変えたものであって、熱シンクエリ
ア３は、パワーアンプチップ１の搭載エリア１０におい
てプリアンプチップ２が搭載されるエリア７に対して反
対側の端のエリアに形成されていて、パーケージされて
いる。特に、この場合、図１の実施例のように、パワー
アンプチップ１とプリアンプチップ２との間に点線で示
す開口部８ａをさらに設けてもよい。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したきたように、この発明にあ
っては、フレームの外部端子に接続される熱シンクエリ
アがパワーアンプチップとプリアンプチップが搭載され
るエリアとの間に配置されていて、プリアンプチップが
搭載されるエリアと熱シンクエリアとの間を線状の通路
により接続することにより、プリアンプチップ側への熱
の影響を低下させることができる。これにより、高出力
アンプによる高出力時、あるいは低音増強などによるパ
ワーアンプチップ側の発熱による熱変調を受け難くな
る。また、フレームの熱シンクエリアがパワーアンプチ
ップのエリアにおいてプリアンプチップが搭載されるエ
リアに対して反対側に形成されている場合も、プリアン
プチップ側への熱の干渉を低下させることができる。そ
の結果、いずれの場合も出力側の変調を受けず、信号歪
みやクロストークの特性がよく、熱雑音も低下し、高出
力アンプを搭載しても音質を向上させることができる。
っては、フレームの外部端子に接続される熱シンクエリ
アがパワーアンプチップとプリアンプチップが搭載され
るエリアとの間に配置されていて、プリアンプチップが
搭載されるエリアと熱シンクエリアとの間を線状の通路
により接続することにより、プリアンプチップ側への熱
の影響を低下させることができる。これにより、高出力
アンプによる高出力時、あるいは低音増強などによるパ
ワーアンプチップ側の発熱による熱変調を受け難くな
る。また、フレームの熱シンクエリアがパワーアンプチ
ップのエリアにおいてプリアンプチップが搭載されるエ
リアに対して反対側に形成されている場合も、プリアン
プチップ側への熱の干渉を低下させることができる。そ
の結果、いずれの場合も出力側の変調を受けず、信号歪
みやクロストークの特性がよく、熱雑音も低下し、高出
力アンプを搭載しても音質を向上させることができる。
【図１】図１は、この発明のオーディオ信号出力半導体
装置を適用した一実施例のパケージされた内部の構造の
説明図である。
装置を適用した一実施例のパケージされた内部の構造の
説明図である。
【図２】図２は、この発明のオーディオ信号出力半導体
装置を適用した他の実施例のパケージされた内部の構造
の説明図である。
装置を適用した他の実施例のパケージされた内部の構造
の説明図である。
【図３】図３は、この発明のオーディオ信号出力半導体
装置を適用したさらに他の実施例のパケージされた内部
の構造の説明図である。
装置を適用したさらに他の実施例のパケージされた内部
の構造の説明図である。
１…パワーチップ、２…プリアンプチップ、３…熱シン
クエリア、４…フレーム、５…リード端子、６…チップ
のパッド、７…プリアンプチップ搭載エリア、８…切欠
部、９…通路、１０…パワーアンプチップ搭載エリア、
１１…パーケージ。
クエリア、４…フレーム、５…リード端子、６…チップ
のパッド、７…プリアンプチップ搭載エリア、８…切欠
部、９…通路、１０…パワーアンプチップ搭載エリア、
１１…パーケージ。
Claims (2)
- 【請求項１】オーディオ信号の微小信号増幅用のプリア
ンプチップと、このプリアンプチップから増幅された前
記オーディオ信号を受けて電力増幅して出力するパワー
アンプチップと、前記プリアンプチップと前記パワーア
ンプチップとが搭載され放熱用の外部端子を有するフレ
ームとを備え、前記フレームの前記外部端子として導出
される熱シンクエリアが前記パワーアンプチップと前記
プリアンプチップとの間に配置されていて、前記プリア
ンプチップの搭載エリアと前記熱シンクエリアとの間が
線状の通路で接続され、前記プリアンプチップと前記パ
ワーアンプチップと前記フレームとがパーケージされて
いるオーディオ信号出力半導体装置。 - 【請求項２】オーディオ信号の微小信号増幅用のプリア
ンプチップと、このプリアンプチップから増幅された前
記オーディオ信号を受けて電力増幅して出力するパワー
アンプチップと、前記プリアンプチップと前記パワーア
ンプチップとが搭載され放熱用の外部端子を有するフレ
ームとを備え、前記フレームの前記外部端子に導出され
る熱シンクエリアが前記パワーアンプチップのエリアに
おいて前記プリアンプチップが搭載されるエリアに対し
て反対側に形成され、前記プリアンプチップと前記パワ
ーアンプチップと前記フレームとがパーケージされてい
るオーディオ信号出力半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26069795A JP3189161B2 (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | オーディオ信号増幅半導体装置 |
| US08/712,456 US5770973A (en) | 1995-09-13 | 1996-09-11 | Semiconductor device for amplifying audio signals |
| KR1019960039462A KR970018995A (ko) | 1995-09-13 | 1996-09-12 | 오디오 신호 증폭 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26069795A JP3189161B2 (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | オーディオ信号増幅半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982862A true JPH0982862A (ja) | 1997-03-28 |
| JP3189161B2 JP3189161B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=17351526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26069795A Expired - Fee Related JP3189161B2 (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | オーディオ信号増幅半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5770973A (ja) |
| JP (1) | JP3189161B2 (ja) |
| KR (1) | KR970018995A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002094332A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | Ge Yokogawa Medical Systems Ltd | 増幅装置および磁気共鳴撮影装置 |
| JP2002368545A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Fujitsu Ten Ltd | 電子回路のノイズ対策方法および電子回路基板 |
| JP2005353741A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Denso Corp | 電子装置 |
| WO2006134705A1 (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | 太陽電池モジュール用端子ボックス |
| JP2007038493A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Funai Electric Co Ltd | プリンタ装置 |
| JP2009260367A (ja) * | 2009-06-29 | 2009-11-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| JP2010171278A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びリードフレーム |
| JP2010177619A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体モジュール |
Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPH1021600A (ja) * | 1996-06-29 | 1998-01-23 | Mitsumi Electric Co Ltd | ヘッドホンステレオの制御回路 |
| US7474536B2 (en) * | 2000-10-27 | 2009-01-06 | Ridley Ray B | Audio sound quality enhancement apparatus and method |
| US6765802B1 (en) | 2000-10-27 | 2004-07-20 | Ridley Engineering, Inc. | Audio sound quality enhancement apparatus |
| JP2004296719A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| DE102005016830A1 (de) * | 2004-04-14 | 2005-11-03 | Denso Corp., Kariya | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE102004042488A1 (de) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Siemens Ag | Elektrische Baugruppe |
| US8546904B2 (en) * | 2011-07-11 | 2013-10-01 | Transcend Information, Inc. | Integrated circuit with temperature increasing element and electronic system having the same |
| JP5835056B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-12-24 | Tdk株式会社 | 高周波増幅器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3667064A (en) * | 1969-05-19 | 1972-05-30 | Massachusetts Inst Technology | Power semiconductor device with negative thermal feedback |
-
1995
- 1995-09-13 JP JP26069795A patent/JP3189161B2/ja not_active Expired - Fee Related
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