JP2001333499A - コンデンサマイクロホンの製造方法 - Google Patents
コンデンサマイクロホンの製造方法Info
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/01—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
- H04R19/016—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets for microphones
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- Signal Processing (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ウェーハの各セルに形成されたＦＥＴチップ
を印刷回路基板上のパターンに直接ボンディングするこ
とにより、ＦＥＴ端子の断線による不良を防止し、ノイ
ズ除去及び超小型製品の生産に適したコンデンサマイク
ロホンの製造方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハを所定の大きさのセルに分割し
た後、前記各セルにＦＥＴチップ３２を形成し、前記Ｆ
ＥＴチップを導電体でパターンされた印刷回路基板３１
の該当位置に固定し、前記ＦＥＴチップの底面に形成さ
れたドレイン、ソース及び、ゲート端と印刷回路基板の
該当連結部分とを金属ワイヤでボンディングし、前記Ｆ
ＥＴチップと共に印刷回路基板の表面をモールディング
した後、動作状態をテストし、前記ケース３８内に、振
動板リング３７、振動板、スペーサ３５、支持物３３、
背極板３４、接続リング４０及び前記ＦＥＴがボンディ
ングされた印刷回路基板を逐次結合することからなるこ
とを特徴とする。
を印刷回路基板上のパターンに直接ボンディングするこ
とにより、ＦＥＴ端子の断線による不良を防止し、ノイ
ズ除去及び超小型製品の生産に適したコンデンサマイク
ロホンの製造方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハを所定の大きさのセルに分割し
た後、前記各セルにＦＥＴチップ３２を形成し、前記Ｆ
ＥＴチップを導電体でパターンされた印刷回路基板３１
の該当位置に固定し、前記ＦＥＴチップの底面に形成さ
れたドレイン、ソース及び、ゲート端と印刷回路基板の
該当連結部分とを金属ワイヤでボンディングし、前記Ｆ
ＥＴチップと共に印刷回路基板の表面をモールディング
した後、動作状態をテストし、前記ケース３８内に、振
動板リング３７、振動板、スペーサ３５、支持物３３、
背極板３４、接続リング４０及び前記ＦＥＴがボンディ
ングされた印刷回路基板を逐次結合することからなるこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンデンサマイクロ
ホンの製造方法に係り、特にウェーハに形成した電界効
果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ ：以下、「ＦＥＴ」と略称する）チップ
（ｃｈｉｐ）を印刷回路基板に直接ボンディング（Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ）することにより、コンデンサマイクロホン
の小型化及び製品特性の向上に適したコンデンサマイク
ロホンの製造方法に係る。
ホンの製造方法に係り、特にウェーハに形成した電界効
果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ ：以下、「ＦＥＴ」と略称する）チップ
（ｃｈｉｐ）を印刷回路基板に直接ボンディング（Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ）することにより、コンデンサマイクロホン
の小型化及び製品特性の向上に適したコンデンサマイク
ロホンの製造方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、コンデンサマイクロホンは、導
電性を持つ極めて薄い膜の振動板と固定電極とが平行に
配置されたコンデンサで構成されており、音の振動を電
気的信号に変換して電気的出力を得る。
電性を持つ極めて薄い膜の振動板と固定電極とが平行に
配置されたコンデンサで構成されており、音の振動を電
気的信号に変換して電気的出力を得る。
【０００３】このようなコンデンサマイクロホンは、マ
イク、電話機、又はテープレコーダに装着して用いるこ
とができるようにしたものである。
イク、電話機、又はテープレコーダに装着して用いるこ
とができるようにしたものである。
【０００４】以下、添付図面を参照し、従来のコンデン
サマイクロホンについて説明する。
サマイクロホンについて説明する。
【０００５】図１は従来のコンデンサマイクロホンを示
す分離斜視図であり、図２は従来のコンデンサマイクロ
ホンの所定部位を切断して示す断面図である。
す分離斜視図であり、図２は従来のコンデンサマイクロ
ホンの所定部位を切断して示す断面図である。
【０００６】図１及び図２に示すように、従来のコンデ
ンサマイクロホンは、音波流入口９がパンチされたケー
ス８と、ケース８の上部に位置し、音波流入口９を通し
てパーティクル、湿気及び、異物質などがケース８の内
部に流入されることを防止するフィルタ１１と、ケース
８の内部に位置し、音波流入口９を通して流入された音
の振動を誘導するためにケース８の内部に空間を維持さ
せる振動板リング７と、前記振動板リング７の下端に位
置し、音波流入口９を通して流入された音によって振動
する振動板６と、振動板６の下端に位置し、音の振動を
伝えるために真空状態を維持させるスペーサ５と、スペ
ーサ５の下端に位置し、各部の流動を防止及び支持し、
全体形状の変形を防止する支持物３と、支持物３の内部
に位置し、スペーサ５によって振動板６と一定間隔で真
空状態を維持したまま、振動板６の振動により変わる静
電容量を検出する背極板４と、支持物３の内部及び背極
板４の下端に位置し、ＦＥＴ２のゲートと前記背極板４
とを接触させる接続リング１０と、導電性物質で回路が
配線されている印刷回路基板１と、印刷回路基板１の上
に接合され、静電容量の変化による電位変化を電気信号
に増幅変換するＦＥＴ２とで構成される。
ンサマイクロホンは、音波流入口９がパンチされたケー
ス８と、ケース８の上部に位置し、音波流入口９を通し
てパーティクル、湿気及び、異物質などがケース８の内
部に流入されることを防止するフィルタ１１と、ケース
８の内部に位置し、音波流入口９を通して流入された音
の振動を誘導するためにケース８の内部に空間を維持さ
せる振動板リング７と、前記振動板リング７の下端に位
置し、音波流入口９を通して流入された音によって振動
する振動板６と、振動板６の下端に位置し、音の振動を
伝えるために真空状態を維持させるスペーサ５と、スペ
ーサ５の下端に位置し、各部の流動を防止及び支持し、
全体形状の変形を防止する支持物３と、支持物３の内部
に位置し、スペーサ５によって振動板６と一定間隔で真
空状態を維持したまま、振動板６の振動により変わる静
電容量を検出する背極板４と、支持物３の内部及び背極
板４の下端に位置し、ＦＥＴ２のゲートと前記背極板４
とを接触させる接続リング１０と、導電性物質で回路が
配線されている印刷回路基板１と、印刷回路基板１の上
に接合され、静電容量の変化による電位変化を電気信号
に増幅変換するＦＥＴ２とで構成される。
【０００７】ここで、ＦＥＴ２は、半導体会社でパッケ
ージ処理を施して製品化したものであって、ＦＥＴ２の
パッケージ化処理過程を調べてみると次の通りである。
まず、半導体会社では、ウェーハを所定の大きさにスク
ライブ（ｓｃｒｉｂｅ）した後、スクライブした各セル
にＦＥＴチップ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ Ｃｈｉｐ）を形成する。このように、ウ
ェーハに形成された各ＦＥＴチップを切り取った後、Ｆ
ＥＴチップの底面に形成されたゲート（Ｇａｔｅ）、ソ
ース（Ｓｏｕｒｃｅ）及び、ドレイン（Ｄｒａｉｎ）部
分にそれぞれ所定の長さの端子（ｎｅｅｄｌｅ）をそれ
ぞれボンディングする。ボンディングされた各ＦＥＴは
エポキシ（ｅｐｏｘｙ）でモルディング（ｍｏｌｄｉｎ
ｇ）処理することにより、一つのＦＥＴ２を完成する。
ージ処理を施して製品化したものであって、ＦＥＴ２の
パッケージ化処理過程を調べてみると次の通りである。
まず、半導体会社では、ウェーハを所定の大きさにスク
ライブ（ｓｃｒｉｂｅ）した後、スクライブした各セル
にＦＥＴチップ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ Ｃｈｉｐ）を形成する。このように、ウ
ェーハに形成された各ＦＥＴチップを切り取った後、Ｆ
ＥＴチップの底面に形成されたゲート（Ｇａｔｅ）、ソ
ース（Ｓｏｕｒｃｅ）及び、ドレイン（Ｄｒａｉｎ）部
分にそれぞれ所定の長さの端子（ｎｅｅｄｌｅ）をそれ
ぞれボンディングする。ボンディングされた各ＦＥＴは
エポキシ（ｅｐｏｘｙ）でモルディング（ｍｏｌｄｉｎ
ｇ）処理することにより、一つのＦＥＴ２を完成する。
【０００８】従来技術とは、上記のように完成されたＦ
ＥＴ２を利用してコンデンサマイクロホンを製造する技
術のことである。
ＥＴ２を利用してコンデンサマイクロホンを製造する技
術のことである。
【０００９】図１は、従来技術によって製造されたコン
デンサマイクロホンの分離斜視図であって、これを参照
して説明すると次の通りである。
デンサマイクロホンの分離斜視図であって、これを参照
して説明すると次の通りである。
【００１０】ケース９内に振動板リング７、振動板６、
スペーサ５、背極板４及び、支持物３を逐次結合する。
そして、最後に、ＦＥＴ２がはんだ付けされた印刷回路
基板１を支持物３の下端とケース９とに結合固定させる
ことにより一つのコンデンサマイクロホンを製造する。
スペーサ５、背極板４及び、支持物３を逐次結合する。
そして、最後に、ＦＥＴ２がはんだ付けされた印刷回路
基板１を支持物３の下端とケース９とに結合固定させる
ことにより一つのコンデンサマイクロホンを製造する。
【００１１】ここで、ＦＥＴ２と印刷回路基板１とをは
んだ付けで結合する過程は次の通りである。
んだ付けで結合する過程は次の通りである。
【００１２】まず、ＦＥＴ２のドレイン端子、ソース端
子及び、ゲート端子はそれぞれ印刷回路基板１に備えら
れた該当ホールに接続し、ＦＥＴ２のゲート端子は背極
板４に連結する。ここで、前記ＦＥＴ２のゲートと背極
板４との連結は点接触で直接連結する方法と、接続リン
グ１０を利用する方法とがあるが、最近には接続リング
１０を利用して連結する方法が主に使用されている。
子及び、ゲート端子はそれぞれ印刷回路基板１に備えら
れた該当ホールに接続し、ＦＥＴ２のゲート端子は背極
板４に連結する。ここで、前記ＦＥＴ２のゲートと背極
板４との連結は点接触で直接連結する方法と、接続リン
グ１０を利用する方法とがあるが、最近には接続リング
１０を利用して連結する方法が主に使用されている。
【００１３】ＦＥＴ２と印刷回路基板１とを連結するた
めに、各ドレイン端子、ソース端子及び、ゲート端子の
終端は、それぞれ印刷回路基板１を向けるように一定の
角度に折れ曲げる。
めに、各ドレイン端子、ソース端子及び、ゲート端子の
終端は、それぞれ印刷回路基板１を向けるように一定の
角度に折れ曲げる。
【００１４】それぞれ折れ曲がったドレイン端子、ソー
ス端子及び、ゲート端子の終端は印刷回路基板１に備え
られた貫通ホールに挿入する。貫通ホールを通して印刷
回路基板１を貫通したドレイン端子、ソース端子及び、
ゲート端子は印刷回路基板１の背面に突出され、突出さ
れたドレイン端子、ソース端子及び、ゲート端子の各終
端は印刷回路基板１を覆うように一定の角度に再び折れ
曲げることにより、ＦＥＴ２と印刷回路基板１とを一時
的に固定させる。製造工程後には、一時的な固定のため
に折れ曲げたそれぞれの端子は再び元の状態に折れ曲げ
なければならない。
ス端子及び、ゲート端子の終端は印刷回路基板１に備え
られた貫通ホールに挿入する。貫通ホールを通して印刷
回路基板１を貫通したドレイン端子、ソース端子及び、
ゲート端子は印刷回路基板１の背面に突出され、突出さ
れたドレイン端子、ソース端子及び、ゲート端子の各終
端は印刷回路基板１を覆うように一定の角度に再び折れ
曲げることにより、ＦＥＴ２と印刷回路基板１とを一時
的に固定させる。製造工程後には、一時的な固定のため
に折れ曲げたそれぞれの端子は再び元の状態に折れ曲げ
なければならない。
【００１５】ここで、ＦＥＴ２と印刷回路基板１との連
結ははんだ付けを使用するか、表面装着機器（ＳＭＤ
： Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）を
使用して接合する。
結ははんだ付けを使用するか、表面装着機器（ＳＭＤ
： Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）を
使用して接合する。
【００１６】このようにＦＥＦ２と印刷回路基板１との
連結が完了した後、印刷回路基板１をケース９内に結合
することにより、一つのコンデンサマイクロホンが完成
する。
連結が完了した後、印刷回路基板１をケース９内に結合
することにより、一つのコンデンサマイクロホンが完成
する。
【００１７】コンデンサマイクロホンの大きさはその大
きさの主原因であるＦＥＴ２の大きさによって決定さ
れ、一般に、このように製造されたＦＥＴ２を利用して
コンデンサマイクロホンを製造する場合、その厚さ
（Ｌ）は１．５（ｍｍ）まで製造可能である。
きさの主原因であるＦＥＴ２の大きさによって決定さ
れ、一般に、このように製造されたＦＥＴ２を利用して
コンデンサマイクロホンを製造する場合、その厚さ
（Ｌ）は１．５（ｍｍ）まで製造可能である。
【００１８】しかしながら、このような従来技術による
コンデンサマイクロホンは、ドレイン端子、ソース端子
及び、ゲート端子を反復的に折れ曲げるので、折れ曲が
り部位が断線されるという問題点があった。
コンデンサマイクロホンは、ドレイン端子、ソース端子
及び、ゲート端子を反復的に折れ曲げるので、折れ曲が
り部位が断線されるという問題点があった。
【００１９】また、ＦＥＴの端子と印刷回路基板とをは
んだ付けするので、接触抵抗によるノイズが発生し、印
刷回路基板の背面の配線のために熱を加わる場合、ＦＥ
Ｔに接合された端子が断線されて不良が発生するという
問題点があった。
んだ付けするので、接触抵抗によるノイズが発生し、印
刷回路基板の背面の配線のために熱を加わる場合、ＦＥ
Ｔに接合された端子が断線されて不良が発生するという
問題点があった。
【００２０】一方、コンデンサマイクロホンの核心素材
であるＦＥＴを生産する半導体会社の生産方法と生産量
とに依存しなければならないので、コンデンサマイクロ
ホンの生産量にも制限を受けるという問題点があった。
であるＦＥＴを生産する半導体会社の生産方法と生産量
とに依存しなければならないので、コンデンサマイクロ
ホンの生産量にも制限を受けるという問題点があった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来の
問題点を解決するためのもので、その目的はウェーハの
各セルに形成されたＦＥＴチップを印刷回路基板上のパ
ターンに直接ボンディングすることにより、ＦＥＴ端子
の断線による不良を防止し、ノイズ除去及び超小型の製
品を生産するのに適したコンデンサマイクロホンの製造
方法を提供することにある。
問題点を解決するためのもので、その目的はウェーハの
各セルに形成されたＦＥＴチップを印刷回路基板上のパ
ターンに直接ボンディングすることにより、ＦＥＴ端子
の断線による不良を防止し、ノイズ除去及び超小型の製
品を生産するのに適したコンデンサマイクロホンの製造
方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ケース、振動板リング、振動板、スペー
サ、支持物、背極板、接続リング、ＦＥＴチップ、印刷
回路基板を備えたコンデンサマイクロホンの製造方法に
おいて、ウェーハを所定の大きさのセルに分割した後、
前記各セルにＦＥＴチップを形成する段階と、前記ＦＥ
Ｔチップを導電体でパターンされた印刷回路基板の該当
位置に固定させる段階と、前記ＦＥＴチップの底面に形
成されたドレイン、ソース及び、ゲートと印刷回路基板
の該当連結部分とを金属ワイヤでボンディングする段階
と、前記ＦＥＴチップと共に印刷回路基板の表面をモー
ルディングした後、動作状態をテストする段階と、前記
ケース内に、振動板リング、振動板、スペーサ、支持
物、背極板、接続リング及び前記ＦＥＴがボンディング
された印刷回路基板を逐次結合する段階とからなること
を特徴とする。
に、本発明は、ケース、振動板リング、振動板、スペー
サ、支持物、背極板、接続リング、ＦＥＴチップ、印刷
回路基板を備えたコンデンサマイクロホンの製造方法に
おいて、ウェーハを所定の大きさのセルに分割した後、
前記各セルにＦＥＴチップを形成する段階と、前記ＦＥ
Ｔチップを導電体でパターンされた印刷回路基板の該当
位置に固定させる段階と、前記ＦＥＴチップの底面に形
成されたドレイン、ソース及び、ゲートと印刷回路基板
の該当連結部分とを金属ワイヤでボンディングする段階
と、前記ＦＥＴチップと共に印刷回路基板の表面をモー
ルディングした後、動作状態をテストする段階と、前記
ケース内に、振動板リング、振動板、スペーサ、支持
物、背極板、接続リング及び前記ＦＥＴがボンディング
された印刷回路基板を逐次結合する段階とからなること
を特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ、本
発明の実施例によるコンデンサマイクロホンの製造方法
についてさらに詳しく説明する。
発明の実施例によるコンデンサマイクロホンの製造方法
についてさらに詳しく説明する。
【００２４】図３は、本発明の一実施例により製造され
たコンデンサマイクロホンの所定部位を切断して示す断
面図である。
たコンデンサマイクロホンの所定部位を切断して示す断
面図である。
【００２５】図３に示すように、本発明によるコンデン
サマイクロホンは、コンデンサマイクロホンの各部を保
護し、外形を維持させ、音波流入口３９がその上部にパ
ンチされているケース３８と、前記ケース３８の外部に
位置し、ケース３８の音波流入口３９を通して湿気やパ
ーティクルなどの異物質が流入されることを防止するフ
ィルタ４１と、ケース３８の内部に位置し、音波流入口
３９を通して流入された音の振動を誘導するためにケー
ス３８の内部に空間を維持させる振動板リング３７と、
前記振動板リング３７の下端に位置し、音波流入口３９
を通して流入された音によって振動する振動板３６と、
振動板３６の下端に位置し、音の振動を伝えるために真
空状態を維持させるスペーサ３５と、スペーサ３５の下
端に位置し、各部の誘導を防止及び支持し、全体形状の
変形を防止する支持物３３と、支持物３３の内部に位置
し、スペーサ３５によって振動板３６と一定間隔で真空
状態を維持したまま、振動板３６の振動による静電容量
の変化を検出する背極板３４と、支持物３３の内部及び
背極板３４の下端に位置し、ＦＥＴのゲートと前記背極
板３４とを接触させる接続リング４０と、導電性物質で
回廊が配線されている印刷回路基板３１と、印刷回路基
板３１上に接合され、静電容量の変化による電位変化を
電気信号に増幅変換するＦＥＴチップ３２とで構成され
る。
サマイクロホンは、コンデンサマイクロホンの各部を保
護し、外形を維持させ、音波流入口３９がその上部にパ
ンチされているケース３８と、前記ケース３８の外部に
位置し、ケース３８の音波流入口３９を通して湿気やパ
ーティクルなどの異物質が流入されることを防止するフ
ィルタ４１と、ケース３８の内部に位置し、音波流入口
３９を通して流入された音の振動を誘導するためにケー
ス３８の内部に空間を維持させる振動板リング３７と、
前記振動板リング３７の下端に位置し、音波流入口３９
を通して流入された音によって振動する振動板３６と、
振動板３６の下端に位置し、音の振動を伝えるために真
空状態を維持させるスペーサ３５と、スペーサ３５の下
端に位置し、各部の誘導を防止及び支持し、全体形状の
変形を防止する支持物３３と、支持物３３の内部に位置
し、スペーサ３５によって振動板３６と一定間隔で真空
状態を維持したまま、振動板３６の振動による静電容量
の変化を検出する背極板３４と、支持物３３の内部及び
背極板３４の下端に位置し、ＦＥＴのゲートと前記背極
板３４とを接触させる接続リング４０と、導電性物質で
回廊が配線されている印刷回路基板３１と、印刷回路基
板３１上に接合され、静電容量の変化による電位変化を
電気信号に増幅変換するＦＥＴチップ３２とで構成され
る。
【００２６】ここで、上記のように構成された本発明に
よるコンデンサマイクロホンの製造方法について説明す
ると次の通りである。
よるコンデンサマイクロホンの製造方法について説明す
ると次の通りである。
【００２７】まず、半導体集積回路（ＩＣ）の原材料と
して用いられるシリコン単結晶からなる円板状のウェー
ハ（図示せず）を多数のセルに分割する。ウェーハ分割
方法には、ダイアモンドカットなどを利用してウェーハ
表面に横／縦一定間隔でキズをつけるスクライビング
（ｓｃｒｉｂｉｎｇ）方法があり、鋭いナイフ付きホイ
ール（ｗｈｅｅｌ）を回転させ、ウェーハの表面に横／
縦一定間隔でキズをつけるのこ切断（ｓａｗｉｎｇ）方
法がある。最近は分割面が荒くなく且つより精巧に分割
可能なのこ切断方法を主に使用している。この際、ウェ
ーハの各セルは０．４ｍｍ×０．４ｍｍの大きさに分割
する。
して用いられるシリコン単結晶からなる円板状のウェー
ハ（図示せず）を多数のセルに分割する。ウェーハ分割
方法には、ダイアモンドカットなどを利用してウェーハ
表面に横／縦一定間隔でキズをつけるスクライビング
（ｓｃｒｉｂｉｎｇ）方法があり、鋭いナイフ付きホイ
ール（ｗｈｅｅｌ）を回転させ、ウェーハの表面に横／
縦一定間隔でキズをつけるのこ切断（ｓａｗｉｎｇ）方
法がある。最近は分割面が荒くなく且つより精巧に分割
可能なのこ切断方法を主に使用している。この際、ウェ
ーハの各セルは０．４ｍｍ×０．４ｍｍの大きさに分割
する。
【００２８】このように分割された前記ウェーハの各セ
ルにＦＥＴチップ３２を形成する。ＦＥＴチップ３２を
形成した後、切り離しを行う。
ルにＦＥＴチップ３２を形成する。ＦＥＴチップ３２を
形成した後、切り離しを行う。
【００２９】一方、導電性物質で回路が配線された印刷
回路基板３１の背面はリフローはんだ付け（ｒｅｆｏｌ
ｗ ｓｏｌｄｉｎｇ）する。印刷回路基板３１のリフロ
ーによりはんだ付けの必要な部分に鉛を貼り付ける。
回路基板３１の背面はリフローはんだ付け（ｒｅｆｏｌ
ｗ ｓｏｌｄｉｎｇ）する。印刷回路基板３１のリフロ
ーによりはんだ付けの必要な部分に鉛を貼り付ける。
【００３０】続いて、リフローはんだ付けした印刷回路
基板３１の他の一側面の該当位置に、ウェーハに形成さ
れたＦＥＴチップ３２を固定させる。固定させる方法に
おいては、ＦＥＴチップ３２の底面に露出したゲート、
ドレイン及び、ソースと印刷回路基板３１の該当位置と
に、接着剤を使用して接着することにより固定させる。
接着剤としては、銀（Ａｇ）とエポキシ（ｅｐｏｘｙ）
とが適当な割合で混合された半導電性の物質を使用す
る。
基板３１の他の一側面の該当位置に、ウェーハに形成さ
れたＦＥＴチップ３２を固定させる。固定させる方法に
おいては、ＦＥＴチップ３２の底面に露出したゲート、
ドレイン及び、ソースと印刷回路基板３１の該当位置と
に、接着剤を使用して接着することにより固定させる。
接着剤としては、銀（Ａｇ）とエポキシ（ｅｐｏｘｙ）
とが適当な割合で混合された半導電性の物質を使用す
る。
【００３１】ＦＥＴチップ３２が印刷回路基板３１に固
定された状態で、アルミニウムワイヤ又はゴールドを使
用して、ＦＥＴチップ３２のドレイン、ソース及び、ゲ
ートと印刷回路基板３１の該当位置とをボンディングす
る。ドレイン、ソースにボンディングされる部分は、印
刷回路基板の底面のパターンと連結されて音声信号を出
力する外部端子に連結する。
定された状態で、アルミニウムワイヤ又はゴールドを使
用して、ＦＥＴチップ３２のドレイン、ソース及び、ゲ
ートと印刷回路基板３１の該当位置とをボンディングす
る。ドレイン、ソースにボンディングされる部分は、印
刷回路基板の底面のパターンと連結されて音声信号を出
力する外部端子に連結する。
【００３２】ゲートとボンディングされる印刷回路基板
３１の一部面は、接続リング４０と接触されて導電さ
れ、接続リング４０は、背極板３４に接続されて導電さ
せるようにする。
３１の一部面は、接続リング４０と接触されて導電さ
れ、接続リング４０は、背極板３４に接続されて導電さ
せるようにする。
【００３３】ここで、ＦＥＴチップ３２と印刷回路基板
３１とのボンディングは、アルミニウムワイヤ又はゴー
ルドワイヤを使用し、その厚さは３０μｍであり、エポ
キシレジンは、「ＣＲ−２０００」、「ＣＲＨ−２１
０」を使用し、１５０℃で１．５時間乾燥させて完成す
る。
３１とのボンディングは、アルミニウムワイヤ又はゴー
ルドワイヤを使用し、その厚さは３０μｍであり、エポ
キシレジンは、「ＣＲ−２０００」、「ＣＲＨ−２１
０」を使用し、１５０℃で１．５時間乾燥させて完成す
る。
【００３４】ＦＥＴチップ３２のドレイン、ソース及
び、ゲートを印刷回路基板３１にそれぞれボンディング
した後、印刷回路基板３１とＦＥＴチップ３２とをエポ
キシレジン（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）でモールディン
グすることにより、製品の腐食を防止し、且つ異物質か
ら製品を保護する。
び、ゲートを印刷回路基板３１にそれぞれボンディング
した後、印刷回路基板３１とＦＥＴチップ３２とをエポ
キシレジン（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）でモールディン
グすることにより、製品の腐食を防止し、且つ異物質か
ら製品を保護する。
【００３５】このように印刷回路基板３１とＦＥＴチッ
プ３２との連結を完成し、正常的に動作するかを点検す
るために導電状態などをテストする。
プ３２との連結を完成し、正常的に動作するかを点検す
るために導電状態などをテストする。
【００３６】続いて、前記ケース３８内に、振動板リン
グ３７、振動板３６、スペーサ３５、支持物３３、背極
板３４、接続リング４０及びＦＥＴチップ３２がボンデ
ィングされた印刷回路基板３１を逐次結合してコンデン
サマイクロホンを完成する。ここで、ＦＥＴチップ３２
の高さは０．２ｍｍであり、コンデンサマイクロホンの
全体高さは０．８〜１．０（ｍｍ）まで可能である。
グ３７、振動板３６、スペーサ３５、支持物３３、背極
板３４、接続リング４０及びＦＥＴチップ３２がボンデ
ィングされた印刷回路基板３１を逐次結合してコンデン
サマイクロホンを完成する。ここで、ＦＥＴチップ３２
の高さは０．２ｍｍであり、コンデンサマイクロホンの
全体高さは０．８〜１．０（ｍｍ）まで可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるコン
デンサマイクロホンの製造方法は次のような効果があ
る。
デンサマイクロホンの製造方法は次のような効果があ
る。
【００３８】ウェーハ状態のＦＥＴチップを印刷回路基
板上のパターンに直接ボンディングするので、製品の大
きさを著しく減らすことができて、超小型の製品を生産
することができるのみならず、端子のはんだ付けのため
生じるノイズを除去することができ、はんだ付けの際に
発生された熱のためＦＥＴチップに接合された端子が断
線される不良を除去することができるという効果があ
る。
板上のパターンに直接ボンディングするので、製品の大
きさを著しく減らすことができて、超小型の製品を生産
することができるのみならず、端子のはんだ付けのため
生じるノイズを除去することができ、はんだ付けの際に
発生された熱のためＦＥＴチップに接合された端子が断
線される不良を除去することができるという効果があ
る。
【図１】従来のコンデンサマイクロホンを示す分離斜視
図である。
図である。
【図２】従来のコンデンサマイクロホンの所定部位を切
断して示す断面図である。
断して示す断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるコンデンサマイクロホ
ンの所定部位を切断して示す断面図である。
ンの所定部位を切断して示す断面図である。
３１ 印刷回路基板 ３２ ＦＥＴチップ ３３ 支持物 ３４ 背極板 ３５ スぺーサ ３６ 振動板 ３７ 振動板リング ３８ ケース ３９ 流入口 ４０ 接続リング ４１ フィルタ
Claims (9)
- 【請求項１】 ケース、振動板リング、振動板、スペー
サ、支持物、背極板、接続リング、ＦＥＴチップ、印刷
回路基板チップを備えたコンデンサマイクロホンの製造
方法において、ウェーハを所定の大きさのセルに分割し
た後、前記各セルにＦＥＴチップを形成する段階と、前
記ＦＥＴチップを導電体でパターンされた印刷回路基板
の該当位置に固定させる段階と、前記ＦＥＴチップの底
面に露出したドレイン、ソース及び、ゲートと印刷回路
基板の該当連結部分とを金属ワイヤでボンディングする
段階と、前記ＦＥＴチップと共に印刷回路基板の表面を
モールディングした後、動作状態をテストする段階と、
前記ケース内に、振動板リング、振動板、スペーサ、支
持物、背極板、接続リング及び、前記ＦＥＴチップがボ
ンディングされた印刷回路基板を逐次結合する段階とか
らなることを特徴とするコンデンサマイクロホンの製造
方法。 - 【請求項２】 前記ＦＥＴチップを接着させるための印
刷回路基板は、上下面にそれぞれ導電性物質で回路がパ
ターンされており、この裏面はリフローはんだ付けされ
たことを特徴とする請求項１記載のコンデンサマイクロ
ホンの製造方法。 - 【請求項３】 前記ＦＥＴチップと印刷回路基板との固
定は、ＦＥＴチップのドレイン、ソース及び、ゲート露
出部位を前記印刷回路基板の該当位置に接着することを
特徴とする請求項１記載のコンデンサマイクロホンの製
造方法。 - 【請求項４】 前記ＦＥＴチップと前記印刷回路基板と
を固定させる時は、半導電性の接着剤で接着固定するこ
とを特徴とする請求項１または請求項３のいずれかに記
載のコンデンサマイクロホンの製造方法。 - 【請求項５】 前記接着剤は、銀（Ａｇ）とエポキシ
（ｅｐｏｘｙ）とを一定の割合で混合した銀エポキシ
（Ａｇ ｅｐｏｘｙ）を用いることを特徴とする請求項
４記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。 - 【請求項６】 前記ＦＥＴチップと印刷回路基板とのワ
イヤボンディングは、アルミニウムワイヤ又はゴールド
ワイヤのいずれかを選択的に用いることを特徴とする請
求項１記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。 - 【請求項７】 前記ＦＥＴチップと印刷回路基板とのモ
ールディングは、エポキシレジンからなることを特徴と
する請求項１記載のコンデンサマイクロホンの製造方
法。 - 【請求項８】 前記エポキシレジンは、ＣＲ−２００
０、ＣＲＨ−２１０を用いることを特徴とする請求項７
記載のコンデンサマイクロホンの製造方法。 - 【請求項９】 前記ＦＥＴチップと印刷回路基板とをエ
ポキシレジンでモールディングした後、１５０℃で１．
５時間乾燥させることを特徴とする請求項７記載のコン
デンサマイクロホンの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| KR1020000027512A KR100331600B1 (ko) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | 콘덴서 마이크로폰의 제조방법 |
| KR2000-27512 | 2000-05-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001333499A true JP2001333499A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=19669618
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| EP (1) | EP1158833A2 (ja) |
| JP (1) | JP2001333499A (ja) |
| KR (1) | KR100331600B1 (ja) |
| CN (1) | CN1325259A (ja) |
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| KR100502171B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-07-22 | 주식회사 비에스이 | 저전압 인가형 콘덴서 마이크로폰 |
| KR100486870B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-05-03 | 주식회사 비에스이 | 셀프 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰 |
| KR100508915B1 (ko) * | 2002-10-10 | 2005-08-19 | 송기영 | 콘덴서 마이크로폰의 구조 및 그 제조 방법 |
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| KR20060094316A (ko) * | 2005-02-24 | 2006-08-29 | 주식회사 비에스이 | 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법 |
| KR100675024B1 (ko) * | 2005-06-13 | 2007-01-30 | 주식회사 비에스이 | 콘덴서 마이크로폰의 도전 베이스 및 이를 이용한 콘덴서마이크로폰 |
| KR100696166B1 (ko) * | 2005-07-07 | 2007-03-20 | 주식회사 비에스이 | 와이어본딩 인쇄회로기판을 가지는 일렉트릿 콘덴서마이크로폰 및 이의 제조방법 |
| KR100632694B1 (ko) * | 2005-08-20 | 2006-10-16 | 주식회사 비에스이 | 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰 |
| US10667052B2 (en) | 2015-10-26 | 2020-05-26 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Speaker module, and audio compensation method and apparatus |
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| US4701640A (en) * | 1985-03-11 | 1987-10-20 | Telex Communications, Inc. | Electret transducer and method of fabrication |
| US5097224A (en) * | 1991-04-11 | 1992-03-17 | Telex Communications, Inc. | Self-biasing, low noise amplifier of extended dynamic range |
| US6057175A (en) * | 1997-12-04 | 2000-05-02 | Medtronic, Inc. | Method of making encapsulated package |
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2000
- 2000-05-22 KR KR1020000027512A patent/KR100331600B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 2000-10-03 US US09/679,136 patent/US6323049B1/en not_active Expired - Fee Related
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- 2000-10-20 CN CN00129856A patent/CN1325259A/zh active Pending
Also Published As
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