JPS6318710A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
- Publication number
- JPS6318710A JPS6318710A JP16226886A JP16226886A JPS6318710A JP S6318710 A JPS6318710 A JP S6318710A JP 16226886 A JP16226886 A JP 16226886A JP 16226886 A JP16226886 A JP 16226886A JP S6318710 A JPS6318710 A JP S6318710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- chip
- lead frame
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は弾性表面波デバイスの構造に関し、特に量産性
に優れた弾性表面波デバイスに関する。
に優れた弾性表面波デバイスに関する。
弾性表面波デバイスは圧電性材料である弾性体の表面を
伝播する波動を利用したデバイスなので、表面波の伝播
を妨害しないように圧電材料の表面を保つことと、気密
性を守る構造とすることが、デバイスを製造するときの
課題である。この為、従来の弾性表面波チップは、第３
図に示すようにＳＡＷチップ３１を基板上に固定し、基
板を貫くリード３４とＳＡＷテップ３１とをＡＩワイヤ
ーで接続して金属ケースまたはセラミックケース３２に
収容しシール封止して量産化されている。
伝播する波動を利用したデバイスなので、表面波の伝播
を妨害しないように圧電材料の表面を保つことと、気密
性を守る構造とすることが、デバイスを製造するときの
課題である。この為、従来の弾性表面波チップは、第３
図に示すようにＳＡＷチップ３１を基板上に固定し、基
板を貫くリード３４とＳＡＷテップ３１とをＡＩワイヤ
ーで接続して金属ケースまたはセラミックケース３２に
収容しシール封止して量産化されている。
しかし、この弾性表面波デバイスの製造設備としては、
ＩＣ，ＬＳＩ製造用半導体設備でなく、専用設備が開発
され使われている。またケースはハーメチック構造が多
く他の半導体デバイスのケース構造（モールド形）と異
なっているため、自動搭載等が困難である。
ＩＣ，ＬＳＩ製造用半導体設備でなく、専用設備が開発
され使われている。またケースはハーメチック構造が多
く他の半導体デバイスのケース構造（モールド形）と異
なっているため、自動搭載等が困難である。
本発明の目的は量産が可能な弾性表面波デバイスを得る
ことにある。
ことにある。
本発明の弾性表面波デバイスは、弾性表面波の機能性を
保つように、弾性表面波チップの周囲を気密用パッケー
ジで囲みかつ、この弾性表面波素子自体がリードフレー
ム上にダイボンディングされた構造となっておシ、この
リードフレームをモールディングしている。
保つように、弾性表面波チップの周囲を気密用パッケー
ジで囲みかつ、この弾性表面波素子自体がリードフレー
ム上にダイボンディングされた構造となっておシ、この
リードフレームをモールディングしている。
次に本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の正面からの透視図で
あシ、（ｂ）は一実施例の縦断面図である。１１は弾性
表面波チップ、１２はチップ１１の下に形成された多層
構造（２層）のセラミックチップ、１３は全体を覆うモ
ールド樹脂、１４は弾性表面波チップ上のボンディング
バット部とセラミックチップ上のポンディングパッド部
とを接続するＡｕまたはＡＪワイヤー、１５はセラミッ
クチップ上のポンディングパッド部と各リードに接続す
るリードフレームとを接続するＡｕまたはＡＩワイヤー
、１６はリード、１７はＳＡＷ素子が機能する為の気密
部、１８は２層構造のセラミックチップ内の回路パター
ン、１９はＳＡＷ素子の機能を保つ気密部１７を囲むセ
ラミックチップ１２上に固定された空隙用ケースである
。ＳＡＷ素子の機能は空隙用ケース１９によって保たれ
、かつ電気信号のリード端子からの取シ出しはボンディ
ング用ワイヤー１４．１５と、セラミックチップ１２内
の回路パターン１８とを通し行なわれる。モールドされ
ている為、電気的にも機械的にも優れ、信頼性も高い。
あシ、（ｂ）は一実施例の縦断面図である。１１は弾性
表面波チップ、１２はチップ１１の下に形成された多層
構造（２層）のセラミックチップ、１３は全体を覆うモ
ールド樹脂、１４は弾性表面波チップ上のボンディング
バット部とセラミックチップ上のポンディングパッド部
とを接続するＡｕまたはＡＪワイヤー、１５はセラミッ
クチップ上のポンディングパッド部と各リードに接続す
るリードフレームとを接続するＡｕまたはＡＩワイヤー
、１６はリード、１７はＳＡＷ素子が機能する為の気密
部、１８は２層構造のセラミックチップ内の回路パター
ン、１９はＳＡＷ素子の機能を保つ気密部１７を囲むセ
ラミックチップ１２上に固定された空隙用ケースである
。ＳＡＷ素子の機能は空隙用ケース１９によって保たれ
、かつ電気信号のリード端子からの取シ出しはボンディ
ング用ワイヤー１４．１５と、セラミックチップ１２内
の回路パターン１８とを通し行なわれる。モールドされ
ている為、電気的にも機械的にも優れ、信頼性も高い。
第２図（ａ）は本発明の他の実施例の斜視図であり、（
ｂ）は（ａ）の縦断面図である。図において、２１は弾
性表面波チップ、２２はチップ２１の下に形成された多
層構造（２層）のセラミックチップ、２３は全体を覆う
モールド樹脂、２４は弾性表面波チップ上のポンディン
グパッド部とセラミックチップ上のポンディングパッド
部とを接続するＡｕｉたはｋｌワイヤー、２５はセラミ
ックチップ上のポンディングパッド部とリードフレーム
とを接続するＡｕまたはＡＩワイヤー、２６はリード、
２７はＳＡＷ素子が機能する為の気密部、２８は２層構
造のセラミックチップ内の回路パターン、２９はＳＡＷ
素子の機能を保つ気密部２７を囲むセラミックチップ１
２上に固定された空隙用ケースである。この実施例では
デエアルインラインパッケージに実装されたもので、リ
ードフレームの形状を選ぶことによシ実現される。この
形状はプリント基板への実装が容易で自動化も可能であ
る６〔発明の効果〕 本発明による弾性表面波デバイスは構造的にリードフレ
ームタイプである為、特にコスト及び量産性の両面で優
れ、デバイスを実装するにあたっても自動化が可能で、
ＩＣ並の取扱いができる利点を有している。
ｂ）は（ａ）の縦断面図である。図において、２１は弾
性表面波チップ、２２はチップ２１の下に形成された多
層構造（２層）のセラミックチップ、２３は全体を覆う
モールド樹脂、２４は弾性表面波チップ上のポンディン
グパッド部とセラミックチップ上のポンディングパッド
部とを接続するＡｕｉたはｋｌワイヤー、２５はセラミ
ックチップ上のポンディングパッド部とリードフレーム
とを接続するＡｕまたはＡＩワイヤー、２６はリード、
２７はＳＡＷ素子が機能する為の気密部、２８は２層構
造のセラミックチップ内の回路パターン、２９はＳＡＷ
素子の機能を保つ気密部２７を囲むセラミックチップ１
２上に固定された空隙用ケースである。この実施例では
デエアルインラインパッケージに実装されたもので、リ
ードフレームの形状を選ぶことによシ実現される。この
形状はプリント基板への実装が容易で自動化も可能であ
る６〔発明の効果〕 本発明による弾性表面波デバイスは構造的にリードフレ
ームタイプである為、特にコスト及び量産性の両面で優
れ、デバイスを実装するにあたっても自動化が可能で、
ＩＣ並の取扱いができる利点を有している。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の実施例を示し、（
ａ）は透視正面図、（ｂ）は縦断面図、第２図（ａ）
、 （ｂ）は本発明・ の他の実施例を示し、（ａ）は
斜視図、（ｂ）は（ａ）の断面図、第３図は従来の弾性
表面波デバイスの断面図端３図
ａ）は透視正面図、（ｂ）は縦断面図、第２図（ａ）
、 （ｂ）は本発明・ の他の実施例を示し、（ａ）は
斜視図、（ｂ）は（ａ）の断面図、第３図は従来の弾性
表面波デバイスの断面図端３図
Claims (1)
- 弾性表面波チップを搭載したセラミック基板と、前記
セラミック基板上の回路パターンに接続するリード及び
リードフレームと、前記弾性表面波チップのまわりを気
密性を保つように囲む前記セラミック基板上に固定され
たケースとを含み、全体をモールディングしたことを特
徴とする弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16226886A JPS6318710A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16226886A JPS6318710A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318710A true JPS6318710A (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=15751224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16226886A Pending JPS6318710A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318710A (ja) |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP16226886A patent/JPS6318710A/ja active Pending
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