JPH1079401A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH1079401A JPH1079401A JP8235344A JP23534496A JPH1079401A JP H1079401 A JPH1079401 A JP H1079401A JP 8235344 A JP8235344 A JP 8235344A JP 23534496 A JP23534496 A JP 23534496A JP H1079401 A JPH1079401 A JP H1079401A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置のフィルムキャリアを平坦化す
る。 【解決手段】 集積回路の形成された半導体チップ１
と、屈撓性を有する絶縁フィルム３ａおよびこの絶縁フ
ィルム３ａ上に形成されて半導体チップ１のチップ電極
と電気的に接続された複数本のリード３ｃにより構成さ
れたフィルムキャリア３と、一方面に半導体チップ１が
他方面にフィルムキャリア３がそれぞれ接合されるとと
もにチップ電極とリード３ｃとの接続を図る貫通孔が形
成され、フィルムキャリア３を平坦な状態に支持する支
持プレート２と、半導体チップ１を封止する封止樹脂８
とで構成する。
る。 【解決手段】 集積回路の形成された半導体チップ１
と、屈撓性を有する絶縁フィルム３ａおよびこの絶縁フ
ィルム３ａ上に形成されて半導体チップ１のチップ電極
と電気的に接続された複数本のリード３ｃにより構成さ
れたフィルムキャリア３と、一方面に半導体チップ１が
他方面にフィルムキャリア３がそれぞれ接合されるとと
もにチップ電極とリード３ｃとの接続を図る貫通孔が形
成され、フィルムキャリア３を平坦な状態に支持する支
持プレート２と、半導体チップ１を封止する封止樹脂８
とで構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特にＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術により構成
された半導体装置に適用して有効な技術に関する。
特にＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術により構成
された半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日の半導体装置では微細化、高集積化
の傾向が一層顕著となっている。したがって半導体チッ
プの電極数は増加の一途を辿り、半導体チップと外部と
を結ぶリードの多ピン化傾向に拍車がかかっている。
の傾向が一層顕著となっている。したがって半導体チッ
プの電極数は増加の一途を辿り、半導体チップと外部と
を結ぶリードの多ピン化傾向に拍車がかかっている。
【０００３】このような流れの中、たとえば、株式会社
工業調査会発行、「ＴＡＢ技術入門」（1990年 1月16日
発行）、 P23〜 P42に記載されているように、半導体チ
ップの電極にバンプを形成し、該バンプに対応したリー
ドが形成されたフィルムキャリアを用いてＴＡＢ技術に
よりリードと半導体チップとを一括してボンディング
し、樹脂封止した半導体装置が知られている。この半導
体実装技術によれば、一括ボンディングによる量産効果
とリードをテープキャリア上に形成することによる多ピ
ン化効果の２つの効果を同時に訴求することが可能であ
る。
工業調査会発行、「ＴＡＢ技術入門」（1990年 1月16日
発行）、 P23〜 P42に記載されているように、半導体チ
ップの電極にバンプを形成し、該バンプに対応したリー
ドが形成されたフィルムキャリアを用いてＴＡＢ技術に
よりリードと半導体チップとを一括してボンディング
し、樹脂封止した半導体装置が知られている。この半導
体実装技術によれば、一括ボンディングによる量産効果
とリードをテープキャリア上に形成することによる多ピ
ン化効果の２つの効果を同時に訴求することが可能であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記した技術
によれば、半導体チップを封止している樹脂の硬化収縮
という材料特性により、フィルムキャリアに反りが生じ
て平坦性が悪化するおそれがある。また、フィルムキャ
リアと半導体チップとが両者を電気的に接続しているリ
ードのみで支えられているため、やはりフィルムキャリ
アの平坦性が悪化するおそれがある。
によれば、半導体チップを封止している樹脂の硬化収縮
という材料特性により、フィルムキャリアに反りが生じ
て平坦性が悪化するおそれがある。また、フィルムキャ
リアと半導体チップとが両者を電気的に接続しているリ
ードのみで支えられているため、やはりフィルムキャリ
アの平坦性が悪化するおそれがある。
【０００５】フィルムキャリアが平坦でなくなると、リ
ード先端から半導体チップ外出面までの高さが一様にな
りにくい。これではリード高さが不揃いになってバンプ
を介しての接続信頼性が著しく損なわれる。のみなら
ず、搬送やテスティング時にこのバンプを傷付けるおそ
れも生じる。
ード先端から半導体チップ外出面までの高さが一様にな
りにくい。これではリード高さが不揃いになってバンプ
を介しての接続信頼性が著しく損なわれる。のみなら
ず、搬送やテスティング時にこのバンプを傷付けるおそ
れも生じる。
【０００６】そこで、本発明の目的は、フィルムキャリ
アが平坦となった半導体装置に関する技術を提供するこ
とにある。
アが平坦となった半導体装置に関する技術を提供するこ
とにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【０００９】すなわち、集積回路の形成された半導体チ
ップと、屈撓性を有する絶縁フィルムおよびこの絶縁フ
ィルム上に形成されて半導体チップのチップ電極と電気
的に接続された複数本のリードにより構成されたフィル
ムキャリアと、一方面に半導体チップが他方面にフィル
ムキャリアがそれぞれ接合されるとともにチップ電極と
リードとの接続を図る貫通孔が形成され、フィルムキャ
リアを平坦な状態に支持する支持プレートと、半導体チ
ップを封止する封止体とを有することを特徴とするもの
である。
ップと、屈撓性を有する絶縁フィルムおよびこの絶縁フ
ィルム上に形成されて半導体チップのチップ電極と電気
的に接続された複数本のリードにより構成されたフィル
ムキャリアと、一方面に半導体チップが他方面にフィル
ムキャリアがそれぞれ接合されるとともにチップ電極と
リードとの接続を図る貫通孔が形成され、フィルムキャ
リアを平坦な状態に支持する支持プレートと、半導体チ
ップを封止する封止体とを有することを特徴とするもの
である。
【００１０】この半導体装置において、半導体チップは
その回路形成面を支持プレートに向けて接合することが
できる。また、支持プレートにおける半導体チップが接
合されている部位はフィルムキャリア側に突出して形成
することが望ましい。貫通孔は、その孔径を半導体チッ
プの外径より小さくし、貫通孔を閉塞するようにして半
導体チップを支持プレートに搭載することができる。
その回路形成面を支持プレートに向けて接合することが
できる。また、支持プレートにおける半導体チップが接
合されている部位はフィルムキャリア側に突出して形成
することが望ましい。貫通孔は、その孔径を半導体チッ
プの外径より小さくし、貫通孔を閉塞するようにして半
導体チップを支持プレートに搭載することができる。
【００１１】また、前述した半導体装置の製造方法は、
連続形成された支持プレートの一方面に対して半導体チ
ップを接合する工程と、支持プレートの他方面に半導体
チップに対応して個別形成されたフィルムキャリアを接
合する工程と、チップ電極とリードとを電気的に接続す
る工程と、半導体チップを封止体で封止する工程とを有
することを特徴とするものである。
連続形成された支持プレートの一方面に対して半導体チ
ップを接合する工程と、支持プレートの他方面に半導体
チップに対応して個別形成されたフィルムキャリアを接
合する工程と、チップ電極とリードとを電気的に接続す
る工程と、半導体チップを封止体で封止する工程とを有
することを特徴とするものである。
【００１２】さらに、前述した半導体装置の製造方法
は、連続形成されたフィルムキャリアに対し、半導体チ
ップに対応して個別形成された支持プレートの一方面を
接合する工程と、支持プレートの他方面に半導体チップ
を接合する工程と、チップ電極とリードとを電気的に接
続する工程と、半導体チップを封止体で封止する工程と
を有することを特徴とするものである。
は、連続形成されたフィルムキャリアに対し、半導体チ
ップに対応して個別形成された支持プレートの一方面を
接合する工程と、支持プレートの他方面に半導体チップ
を接合する工程と、チップ電極とリードとを電気的に接
続する工程と、半導体チップを封止体で封止する工程と
を有することを特徴とするものである。
【００１３】そして、前述した半導体装置の製造方法
は、連続形成された支持プレートの一方面に対して前記
半導体チップを接合する工程と、支持プレートの他方面
に同様に連続形成された前記フィルムキャリアを接合す
る工程と、チップ電極と前記リードとを電気的に接続す
る工程と、半導体チップを封止体で封止する工程とを有
することを特徴とするものである。
は、連続形成された支持プレートの一方面に対して前記
半導体チップを接合する工程と、支持プレートの他方面
に同様に連続形成された前記フィルムキャリアを接合す
る工程と、チップ電極と前記リードとを電気的に接続す
る工程と、半導体チップを封止体で封止する工程とを有
することを特徴とするものである。
【００１４】上記した手段によれば、支持プレートを介
して半導体チップとフィルムキャリアとが接続されてい
るので、フィルムキャリアは常に平坦に保持される。
して半導体チップとフィルムキャリアとが接続されてい
るので、フィルムキャリアは常に平坦に保持される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態である半導体装置を示す断面図、図２は図１の半導
体装置を構成する各部材を分解して示す説明図、図３は
図１の半導体装置の製造方法を示すフローチャートであ
る。
形態である半導体装置を示す断面図、図２は図１の半導
体装置を構成する各部材を分解して示す説明図、図３は
図１の半導体装置の製造方法を示すフローチャートであ
る。
【００１７】図示するように、本実施の形態の半導体装
置は、集積回路の形成された半導体チップ１が支持プレ
ートを介してフィルムキャリア３に接続されている。
置は、集積回路の形成された半導体チップ１が支持プレ
ートを介してフィルムキャリア３に接続されている。
【００１８】フィルムキャリア３はたとえばポリイミド
テープからなる屈撓性を有した絶縁フィルム３ａをベー
スにしており、この絶縁フィルム３ａの中央部には半導
体チップ１に対応して四角形のデバイスホール３ｂが開
口されている。
テープからなる屈撓性を有した絶縁フィルム３ａをベー
スにしており、この絶縁フィルム３ａの中央部には半導
体チップ１に対応して四角形のデバイスホール３ｂが開
口されている。
【００１９】半導体チップ１よりもやや大きく形成され
たデバイスホール３ｂの４辺からホール内に突出して複
数本のリード３ｃが形成されており、たとえばＡｕ
（金）よりなるバンプ１ａを介して半導体チップ１のチ
ップ電極とギャングボンディングにより一括して、ある
いはシングルポイントボンディングにより順を追って電
気的に接続されている。このバンプ１ａはチップ電極の
配置やチップ電極との接続信頼性などの観点から、形状
および厚さが決定される。但し、このようなバンプ接続
ではなく、ボンディングワイヤによるワイヤ接続であっ
てもよい。
たデバイスホール３ｂの４辺からホール内に突出して複
数本のリード３ｃが形成されており、たとえばＡｕ
（金）よりなるバンプ１ａを介して半導体チップ１のチ
ップ電極とギャングボンディングにより一括して、ある
いはシングルポイントボンディングにより順を追って電
気的に接続されている。このバンプ１ａはチップ電極の
配置やチップ電極との接続信頼性などの観点から、形状
および厚さが決定される。但し、このようなバンプ接続
ではなく、ボンディングワイヤによるワイヤ接続であっ
てもよい。
【００２０】なお、リード３ｃは絶縁フィルム３ａの表
面に塗布された接着剤を介して張り付けられた銅箔をフ
ォトリソグラフィ技術により所定形状に成形して形成さ
れている。但し、その表面に金メッキを施してもよく、
あるいはＡｕ無垢で構成してもよい。
面に塗布された接着剤を介して張り付けられた銅箔をフ
ォトリソグラフィ技術により所定形状に成形して形成さ
れている。但し、その表面に金メッキを施してもよく、
あるいはＡｕ無垢で構成してもよい。
【００２１】リード３ｃはこれを外的雰囲気から遮断す
るとともに電気的信頼性を確保するために絶縁性の被膜
４に覆われている。そして、この被膜４の一部を切り開
くように形成された露出部分には、外部接続用信号ピン
であるはんだボール５が形成されている。但し、信号ピ
ンははんだボール５に限定されるものではなく、種々の
エリアアレイの表面実装手段を採用することができる。
なお、動作時の熱膨張による応力によっては、はんだボ
ール５のリード３ｃに対する接合信頼性が損なわれる事
態が想定される。したがって、接着樹脂６，７および支
持プレート２は相互に同程度の熱膨張係数を有する部材
により構成し、その応力を緩和させるようにすることが
望ましい。
るとともに電気的信頼性を確保するために絶縁性の被膜
４に覆われている。そして、この被膜４の一部を切り開
くように形成された露出部分には、外部接続用信号ピン
であるはんだボール５が形成されている。但し、信号ピ
ンははんだボール５に限定されるものではなく、種々の
エリアアレイの表面実装手段を採用することができる。
なお、動作時の熱膨張による応力によっては、はんだボ
ール５のリード３ｃに対する接合信頼性が損なわれる事
態が想定される。したがって、接着樹脂６，７および支
持プレート２は相互に同程度の熱膨張係数を有する部材
により構成し、その応力を緩和させるようにすることが
望ましい。
【００２２】平坦な支持プレート２ははんだボール形成
面と反対側で、接着樹脂６によってフィルムキャリア３
と接合されている。したがって、フィルムキャリア３は
支持プレート２によって強制的に平坦な状態に保持され
る。なお、支持プレート２は、加工の容易性を考慮し
て、たとえば鉄系合金、銅系合金、有機材などで構成さ
れている。但し、たとえば硬質プラスチックなど絶縁性
を有する部材で形成してもよい。また、接着樹脂６は、
半導体チップ１への電気的な影響を考慮して、たとえば
エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂、
シリコーン系樹脂などで構成されている。
面と反対側で、接着樹脂６によってフィルムキャリア３
と接合されている。したがって、フィルムキャリア３は
支持プレート２によって強制的に平坦な状態に保持され
る。なお、支持プレート２は、加工の容易性を考慮し
て、たとえば鉄系合金、銅系合金、有機材などで構成さ
れている。但し、たとえば硬質プラスチックなど絶縁性
を有する部材で形成してもよい。また、接着樹脂６は、
半導体チップ１への電気的な影響を考慮して、たとえば
エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂、
シリコーン系樹脂などで構成されている。
【００２３】支持プレート２にはフィルムキャリア３の
デバイスホール３ｂに対応して貫通孔２ａが形成されて
いる。前述のように半導体チップ１とフィルムキャリア
３は支持プレート２を介して接合されているので、チッ
プ電極とリード３ｃとの電気的接続はこの貫通孔２ａを
通して行われる。
デバイスホール３ｂに対応して貫通孔２ａが形成されて
いる。前述のように半導体チップ１とフィルムキャリア
３は支持プレート２を介して接合されているので、チッ
プ電極とリード３ｃとの電気的接続はこの貫通孔２ａを
通して行われる。
【００２４】貫通孔２ａに掛け渡されるようにして、た
とえば“×”印と“＋”印とが合成された形状のチップ
搭載部２ｂが形成されている。そして、半導体チップ１
は前記した接着樹脂６と同じ接着樹脂７によりチップ搭
載部２ｂに取り付けられている。なお、支持プレート２
の形状は図示するものに限定されるものではなく、フィ
ルムキャリア３の形状に応じて決定される。また、支持
プレート２の厚さははんだボール５の配置や総重量を考
慮して決定される。
とえば“×”印と“＋”印とが合成された形状のチップ
搭載部２ｂが形成されている。そして、半導体チップ１
は前記した接着樹脂６と同じ接着樹脂７によりチップ搭
載部２ｂに取り付けられている。なお、支持プレート２
の形状は図示するものに限定されるものではなく、フィ
ルムキャリア３の形状に応じて決定される。また、支持
プレート２の厚さははんだボール５の配置や総重量を考
慮して決定される。
【００２５】図示するように、半導体チップ１はその回
路形成面を支持プレート２に向けて接合されている。こ
れによりバンプ１ａとリード３ｃとが対向位置となり、
両者の接続が容易になっている。
路形成面を支持プレート２に向けて接合されている。こ
れによりバンプ１ａとリード３ｃとが対向位置となり、
両者の接続が容易になっている。
【００２６】ここで、実施の形態２の場合を含め、支持
プレート２に段差を形成し、半導体チップ１が接合され
ている部位がフィルムキャリア３の側に突出するように
してもよい。このようにすれば、半導体チップ１の一部
が埋没した形状になり、高さ方向の寸法が抑制されてよ
り小型の半導体装置を得ることが可能になる。
プレート２に段差を形成し、半導体チップ１が接合され
ている部位がフィルムキャリア３の側に突出するように
してもよい。このようにすれば、半導体チップ１の一部
が埋没した形状になり、高さ方向の寸法が抑制されてよ
り小型の半導体装置を得ることが可能になる。
【００２７】半導体チップ１およびリード３ｃを塵埃や
湿気などから保護するとともに両者の接合強度を確保す
るため、これらはたとえばエポキシ系樹脂、フェノール
系樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン系樹脂などからな
る封止樹脂（封止体）８により封止されている。但し、
たとえばセラミックなどにより気密封止することもでき
る。
湿気などから保護するとともに両者の接合強度を確保す
るため、これらはたとえばエポキシ系樹脂、フェノール
系樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン系樹脂などからな
る封止樹脂（封止体）８により封止されている。但し、
たとえばセラミックなどにより気密封止することもでき
る。
【００２８】このような構造の半導体装置の製造プロセ
スと、図２および図３を用いて説明する。
スと、図２および図３を用いて説明する。
【００２９】まず、フィルムキャリア３と支持プレート
２とを接着樹脂６を用いて接合する（ステップ１１）。
次に半導体チップ１と支持プレート２とを接着樹脂７を
用いて接合する（ステップ１２）。これらの接合プロセ
スは、たとえば公知の熱圧着技術により行われる。な
お、半導体チップ１と支持プレート２との接合を先に行
ってもよい。あるいは、両者を同時に行ってもよい。
２とを接着樹脂６を用いて接合する（ステップ１１）。
次に半導体チップ１と支持プレート２とを接着樹脂７を
用いて接合する（ステップ１２）。これらの接合プロセ
スは、たとえば公知の熱圧着技術により行われる。な
お、半導体チップ１と支持プレート２との接合を先に行
ってもよい。あるいは、両者を同時に行ってもよい。
【００３０】ここで、図４に示すように、支持プレート
２を連続形成し、半導体チップに対応して個別形成され
たフィルムキャリア３をこの支持プレート２に接合する
ようにできる。あるいは、図５に示すように、フィルム
キャリア３を連続形成し、半導体チップに対応して個別
形成された支持プレート２をフィルムキャリア３に接合
するようにできる。さらには、支持プレート２およびフ
ィルムキャリア３をともに連続形成して両者を接合する
ようにできる。このように、支持プレート２やフィルム
キャリア３を連続すれば、接合作業を効率よく行うこと
ができて製造時間の短縮化が可能になるからである。な
お、図５においてフィルムキャリア３はリール９に巻か
れているが、支持プレート２も同様にリール巻きしても
よい。
２を連続形成し、半導体チップに対応して個別形成され
たフィルムキャリア３をこの支持プレート２に接合する
ようにできる。あるいは、図５に示すように、フィルム
キャリア３を連続形成し、半導体チップに対応して個別
形成された支持プレート２をフィルムキャリア３に接合
するようにできる。さらには、支持プレート２およびフ
ィルムキャリア３をともに連続形成して両者を接合する
ようにできる。このように、支持プレート２やフィルム
キャリア３を連続すれば、接合作業を効率よく行うこと
ができて製造時間の短縮化が可能になるからである。な
お、図５においてフィルムキャリア３はリール９に巻か
れているが、支持プレート２も同様にリール巻きしても
よい。
【００３１】ステップ１２において半導体チップ１、支
持プレート２、フィルムキャリア３を接合したならば、
半導体チップ１とフィルムキャリア３とを電気的に接続
する（ステップ１３）。ここでは、支持プレート２に形
成された貫通孔２ａを通すようにしてリード３ｃとバン
プ１ａとを接続する。
持プレート２、フィルムキャリア３を接合したならば、
半導体チップ１とフィルムキャリア３とを電気的に接続
する（ステップ１３）。ここでは、支持プレート２に形
成された貫通孔２ａを通すようにしてリード３ｃとバン
プ１ａとを接続する。
【００３２】接続後、半導体チップ１の回路形成面およ
びその周辺を封止樹脂８で保護する（ステップ１４）。
最後にリード３ｃの露出部分にはんだボール５を形成し
て（ステップ１５）、図１に示す半導体装置が得られ
る。
びその周辺を封止樹脂８で保護する（ステップ１４）。
最後にリード３ｃの露出部分にはんだボール５を形成し
て（ステップ１５）、図１に示す半導体装置が得られ
る。
【００３３】このように、本実施の形態に示す半導体装
置によれば、支持プレート２を介して半導体チップ１と
フィルムキャリア３とが接続されているので、フィルム
キャリア自体が有する屈撓性や封止樹脂８の硬化収縮な
どに拘わらず、フィルムキャリア３は平坦に保持され
る。
置によれば、支持プレート２を介して半導体チップ１と
フィルムキャリア３とが接続されているので、フィルム
キャリア自体が有する屈撓性や封止樹脂８の硬化収縮な
どに拘わらず、フィルムキャリア３は平坦に保持され
る。
【００３４】これにより、リード３ｃの高さは一定にな
り、接続信頼性および製品品質の向上を図ることができ
る。
り、接続信頼性および製品品質の向上を図ることができ
る。
【００３５】（実施の形態２）図６は本発明の他の実施
の形態である半導体装置を構成する各部材を分解して示
す説明図である。
の形態である半導体装置を構成する各部材を分解して示
す説明図である。
【００３６】本実施の形態では、支持プレート２の貫通
孔２ａの孔径が半導体チップ１の外径より小さくなって
いるものである。したがって、半導体チップ１は内部の
くり抜かれた四角形の接着樹脂１０を介し、貫通孔２ａ
を閉塞するようにして支持プレート２に搭載される。
孔２ａの孔径が半導体チップ１の外径より小さくなって
いるものである。したがって、半導体チップ１は内部の
くり抜かれた四角形の接着樹脂１０を介し、貫通孔２ａ
を閉塞するようにして支持プレート２に搭載される。
【００３７】このように、貫通孔２ａの孔径を半導体チ
ップ１の外径より小さく形成することにより、実施の形
態１に示すような貫通孔２ａに掛け渡されたチップ搭載
部２ｂ（図２）は不要になる。これにより、半導体チッ
プ１のチップ電極をチップ搭載部２ｂを避けるようにし
て配置する必要がなくなり、レイアウトの自由度が向上
する。
ップ１の外径より小さく形成することにより、実施の形
態１に示すような貫通孔２ａに掛け渡されたチップ搭載
部２ｂ（図２）は不要になる。これにより、半導体チッ
プ１のチップ電極をチップ搭載部２ｂを避けるようにし
て配置する必要がなくなり、レイアウトの自由度が向上
する。
【００３８】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
【００３９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【００４０】(1).すなわち、本発明の半導体装置によれ
ば、支持プレートを介して半導体チップとフィルムキャ
リアとが接続されているので、フィルムキャリアは常に
平坦に保持される。これにより、リード高さは一定にな
って厚さ方向の寸法精度が良好となり、接続信頼性およ
び製品品質の向上を図ることができる。
ば、支持プレートを介して半導体チップとフィルムキャ
リアとが接続されているので、フィルムキャリアは常に
平坦に保持される。これにより、リード高さは一定にな
って厚さ方向の寸法精度が良好となり、接続信頼性およ
び製品品質の向上を図ることができる。
【００４１】(2).これにより、特に 500ピン以上といっ
た多ピン、あるいは10Ｗを越える高消費電力型において
良好な品質を有する半導体装置を得ることができる。
た多ピン、あるいは10Ｗを越える高消費電力型において
良好な品質を有する半導体装置を得ることができる。
【００４２】(3).半導体チップの回路形成面を支持プレ
ートに向けて接合することで、両者の電気的接続が容易
になる。
ートに向けて接合することで、両者の電気的接続が容易
になる。
【００４３】(4).支持プレートの半導体チップ接合部位
をフィルムキャリア側に突出されることで高さ方向の寸
法が抑制され、コンパクトな半導体装置を得ることがで
きる。
をフィルムキャリア側に突出されることで高さ方向の寸
法が抑制され、コンパクトな半導体装置を得ることがで
きる。
【００４４】(5).貫通孔の孔径を半導体チップの外径よ
り小さく形成してこの貫通孔を閉塞するようにして半導
体チップを搭載することで、チップ電極のレイアウトの
自由度の向上を図ることができる。
り小さく形成してこの貫通孔を閉塞するようにして半導
体チップを搭載することで、チップ電極のレイアウトの
自由度の向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の半導体装置を構成する部材を分解して示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】図１の半導体装置の製造方法を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図４】連続形成された支持プレートを示す説明図であ
る。
る。
【図５】連続形成されたフィルムキャリアを示す説明図
である。
である。
【図６】本発明の実施の形態２による半導体装置を構成
する部材を分解して示す説明図である。
する部材を分解して示す説明図である。
１ 半導体チップ １ａ バンプ ２ 支持プレート ２ａ 貫通孔 ２ｂ チップ搭載部 ３ フィルムキャリア ３ａ 絶縁フィルム ３ｂ デバイスホール ３ｃ リード ４ 被膜 ５ はんだボール ６，７ 接着樹脂 ８ 封止樹脂（封止体） ９ リール １０ 接着樹脂
Claims (7)
- 【請求項１】 集積回路の形成された半導体チップと、 屈撓性を有する絶縁フィルムおよびこの絶縁フィルム上
に形成されて前記半導体チップのチップ電極と電気的に
接続された複数本のリードにより構成されたフィルムキ
ャリアと、 一方面に前記半導体チップが他方面に前記フィルムキャ
リアがそれぞれ接合されるとともに前記チップ電極と前
記リードとの接続を図る貫通孔が形成され、前記フィル
ムキャリアを平坦な状態に支持する支持プレートと、 前記半導体チップを封止する封止体とを有することを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
記半導体チップはその回路形成面を前記支持プレートに
向けて接合されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置にお
いて、前記支持プレートにおける前記半導体チップが接
合されている部位は前記フィルムキャリア側に突出して
いることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載の半導体装置
において、前記貫通孔の孔径は前記半導体チップの外径
より小さく形成され、前記半導体チップは前記貫通孔を
閉塞するようにして前記支持プレートに搭載されること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４の何れか一項に記載の半導
体装置の製造方法であって、 連続形成された前記支持プレートの一方面に対して前記
半導体チップを接合する工程と、 前記支持プレートの他方面に前記半導体チップに対応し
て個別形成された前記フィルムキャリアを接合する工程
と、 前記チップ電極と前記リードとを電気的に接続する工程
と、 前記半導体チップを封止体で封止する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜４の何れか一項に記載の半導
体装置の製造方法であって、 連続形成された前記フィルムキャリアに対し、前記半導
体チップに対応して個別形成された前記支持プレートの
一方面を接合する工程と、 前記支持プレートの他方面に前記半導体チップを接合す
る工程と、 前記チップ電極と前記リードとを電気的に接続する工程
と、 前記半導体チップを封止体で封止する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１〜４の何れか一項に記載の半導
体装置の製造方法であって、 連続形成された前記支持プレートの一方面に対して前記
半導体チップを接合する工程と、 前記支持プレートの他方面に、同様に連続形成された前
記フィルムキャリアを接合する工程と、 前記チップ電極と前記リードとを電気的に接続する工程
と、 前記半導体チップを封止体で封止する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235344A JPH1079401A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235344A JPH1079401A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079401A true JPH1079401A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16984709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8235344A Pending JPH1079401A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1079401A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999056313A1 (fr) * | 1998-04-24 | 1999-11-04 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et son procede de production |
| US6645794B2 (en) | 2000-10-18 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device by monolithically forming a sealing resin for sealing a chip and a reinforcing frame by transfer molding |
| KR100483459B1 (ko) * | 1998-08-14 | 2005-07-07 | 삼성전자주식회사 | Fbga소자 |
| JP2010206083A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および積層型半導体装置 |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP8235344A patent/JPH1079401A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999056313A1 (fr) * | 1998-04-24 | 1999-11-04 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et son procede de production |
| KR100483459B1 (ko) * | 1998-08-14 | 2005-07-07 | 삼성전자주식회사 | Fbga소자 |
| US6645794B2 (en) | 2000-10-18 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device by monolithically forming a sealing resin for sealing a chip and a reinforcing frame by transfer molding |
| JP2010206083A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および積層型半導体装置 |
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