JP2013051300A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リードフレーム53が接合される回路パターン33(第2の回路パターン)は、リードフレーム53と比べて小さい。このため、リードフレーム53は、小さな回路パターン33が存在する箇所によってのみ局所的にはんだ層40によって部分的に接合される。リードフレーム53は回路パターン33が存在する狭い領域においてのみ固定されており、この狭い領域における平坦度を高くすることができる。逆に、この狭い領域以外においてははんだ層40は形成されていないため、リードフレーム53は長く、その面積は必ずしも小さくないにも関わらず、はんだ層40中のボイド等に起因する平坦性の劣化は少なくなる。
【選択図】図3
Description
本発明の半導体モジュールは、モールド層中において、少なくともその一部が半導体チップを搭載する複数のリードフレームが、絶縁基板上に形成された複数の回路パターンに、接合材によって接合された構成を具備する半導体モジュールであって、前記複数のリードフレームには、前記半導体チップを搭載する第1のリードフレームと、前記半導体チップを搭載せず、ボンディングワイヤが接続される第2のリードフレームと、が含まれ、前記複数の回路パターンには、前記第1のリードフレームと接合される第1の回路パターンと、前記第2のリードフレームと接合される第2の回路パターンと、が含まれ、前記第2のリードフレームにおける前記ボンディングワイヤが接続された領域の直下においては前記接合材及び前記第2の回路パターンが形成され、前記領域の周囲においては前記第2のリードフレームと前記絶縁基板との間に前記接合材及び前記第2の回路パターンが形成されていないように、前記第2のリードフレーム直下の前記絶縁基板上に局所的に前記第2の回路パターンが形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記半導体チップにはスイッチング素子が形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、2つの前記第1のリードフレームを具備し、一方の前記第1のリードフレームには前記スイッチング素子が形成された半導体チップが搭載され、他方の前記第1のリードフレームには、前記スイッチング素子が形成された半導体チップを制御する制御用の半導体チップが搭載されたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記第2のリードフレームは、前記2つの前記第1のリードフレームの間に設置されたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記第1のリードフレーム、前記第2のリードフレームの一端は、それぞれ前記モールド層から突出するように延伸して形成されたことを特徴とする。
20 絶縁基板
21 放熱板
22 絶縁層
31、32 回路パターン(第1の回路パターン)
33 回路パターン(第2の回路パターン)
40 はんだ層(接合材)
51、52 リードフレーム(第1のリードフレーム)
53 リードフレーム(第2のリードフレーム)
54、55 リード端子部
61 スイッチング用半導体チップ(半導体チップ)
62 制御用半導体チップ(半導体チップ)
70 ボンディングワイヤ
100 モールド層
Claims (5)
- モールド層中において、少なくともその一部が半導体チップを搭載する複数のリードフレームが、絶縁基板上に形成された複数の回路パターンに、接合材によって接合された構成を具備する半導体モジュールであって、
前記複数のリードフレームには、
前記半導体チップを搭載する第1のリードフレームと、
前記半導体チップを搭載せず、ボンディングワイヤが接続される第2のリードフレームと、が含まれ、
前記複数の回路パターンには、
前記第1のリードフレームと接合される第1の回路パターンと、
前記第2のリードフレームと接合される第2の回路パターンと、が含まれ、
前記第2のリードフレームにおける前記ボンディングワイヤが接続された領域の直下においては前記接合材及び前記第2の回路パターンが形成され、前記領域の周囲においては前記第2のリードフレームと前記絶縁基板との間に前記接合材及び前記第2の回路パターンが形成されていないように、前記第2のリードフレーム直下の前記絶縁基板上に局所的に前記第2の回路パターンが形成されたことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記半導体チップにはスイッチング素子が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
- 2つの前記第1のリードフレームを具備し、
一方の前記第1のリードフレームには前記スイッチング素子が形成された半導体チップが搭載され、他方の前記第1のリードフレームには、前記スイッチング素子が形成された半導体チップを制御する制御用の半導体チップが搭載されたことを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記第2のリードフレームは、前記2つの前記第1のリードフレームの間に設置されたことを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。
- 前記第1のリードフレーム、前記第2のリードフレームの一端は、それぞれ前記モールド層から突出するように延伸して形成されたことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体モジュール。
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