JP2003324176A - リードフレーム、半導体パワーモジュール、および、その製造方法 - Google Patents
リードフレーム、半導体パワーモジュール、および、その製造方法Info
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- H01L2924/301—Electrical effects
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ部品のリードフレームへの接着作業
や、ワイヤー接続作業の単純化を図り、作業効率および
歩留まりを向上させ、製造コストを低減させること。チ
ップ部品を内蔵しても熱的特性および電気的特性に優れ
低コストなモジュールを作製すること。 【解決手段】 一体して切断可能な直線状の共通切断片
と、共通切断片からフレーム内部に略直角方向に延在さ
れた同一棒状をなす複数のくし型形状端と、各くし型形
状端の延長線上に電極パッドが配置できるように形成さ
れた部品搭載領域とを有するリードフレームを用い、く
し型形状端の延長線上で、チップ部品と半導体素子との
ワイヤーボンディングを行い、モールド後にリードフレ
ームの共通切断片を除去することによって、各くし型形
状端を入出力用端子とした。
や、ワイヤー接続作業の単純化を図り、作業効率および
歩留まりを向上させ、製造コストを低減させること。チ
ップ部品を内蔵しても熱的特性および電気的特性に優れ
低コストなモジュールを作製すること。 【解決手段】 一体して切断可能な直線状の共通切断片
と、共通切断片からフレーム内部に略直角方向に延在さ
れた同一棒状をなす複数のくし型形状端と、各くし型形
状端の延長線上に電極パッドが配置できるように形成さ
れた部品搭載領域とを有するリードフレームを用い、く
し型形状端の延長線上で、チップ部品と半導体素子との
ワイヤーボンディングを行い、モールド後にリードフレ
ームの共通切断片を除去することによって、各くし型形
状端を入出力用端子とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インバータや電源
装置に適用可能な、リードフレーム、半導体パワーモジ
ュール、および、その製造方法に関する。
装置に適用可能な、リードフレーム、半導体パワーモジ
ュール、および、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体パワーモジュールは、半導体素
子、チップ部品などの電子部品を実装して構成されるも
のである。この半導体パワーモジュールは、従来、セラ
ミックスや金属ベース基板などの絶縁基板上に銅箔をエ
ッチングすることで回路となるパターンを形成した回路
基板を用い、回路基板の銅箔パターン上に半導体素子、
チップ部品などの電子部品を半田付けなどで実装するこ
とによって構成していた。
子、チップ部品などの電子部品を実装して構成されるも
のである。この半導体パワーモジュールは、従来、セラ
ミックスや金属ベース基板などの絶縁基板上に銅箔をエ
ッチングすることで回路となるパターンを形成した回路
基板を用い、回路基板の銅箔パターン上に半導体素子、
チップ部品などの電子部品を半田付けなどで実装するこ
とによって構成していた。
【０００３】（従来例１）図１５は、従来の一般的な半
導体パワーモジュールの製造工程１００を示す。先ず、
金属ベース基板の銅箔上に回路パターニングを施す。そ
れとは別に、銅チップなどで構成した発熱拡散用のヒー
トスプレッダを準備し、半導体素子を半田付けする。次
に、金属ベース基板上にクリーム半田を塗工、半導体素
子を半田付けしたヒートスプレッダ、ゲート用抵抗素
子、サーミスタを所定位置にマウントし、半田付けす
る。更に、半田付けが終了した金属ベース基板上に残存
している半田フラックスは洗浄により除去され、アルミ
製ワイヤーなどがボンディングされる。
導体パワーモジュールの製造工程１００を示す。先ず、
金属ベース基板の銅箔上に回路パターニングを施す。そ
れとは別に、銅チップなどで構成した発熱拡散用のヒー
トスプレッダを準備し、半導体素子を半田付けする。次
に、金属ベース基板上にクリーム半田を塗工、半導体素
子を半田付けしたヒートスプレッダ、ゲート用抵抗素
子、サーミスタを所定位置にマウントし、半田付けす
る。更に、半田付けが終了した金属ベース基板上に残存
している半田フラックスは洗浄により除去され、アルミ
製ワイヤーなどがボンディングされる。
【０００４】樹脂製の外部端子付きのケース枠を準備
し、これを金属ベース基板の周囲を囲むようにはめ込ん
でケース枠の底部と金属ベース基板の全周囲とを接着剤
で固着し、更に、ケース枠の端子部分を金属ベース基板
上の銅箔パターンの所定の位置に半田付けし、その後、
洗浄を施し、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの封止
樹脂を準備して、これを金属ベース基板とケース枠で囲
まれた部分に注入し、硬化させる。このようにして、金
属ベース基板上に半導体素子が実装された、ケース枠付
きの半導体パワーモジュールが作製される。
し、これを金属ベース基板の周囲を囲むようにはめ込ん
でケース枠の底部と金属ベース基板の全周囲とを接着剤
で固着し、更に、ケース枠の端子部分を金属ベース基板
上の銅箔パターンの所定の位置に半田付けし、その後、
洗浄を施し、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの封止
樹脂を準備して、これを金属ベース基板とケース枠で囲
まれた部分に注入し、硬化させる。このようにして、金
属ベース基板上に半導体素子が実装された、ケース枠付
きの半導体パワーモジュールが作製される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】（問題１）しかし、昨
今の半導体パワーモジュールには、製造コストを低減さ
せ、かつ、半導体素子と放熱フィンとの間の熱抵抗を低
減させることが要求されている。
今の半導体パワーモジュールには、製造コストを低減さ
せ、かつ、半導体素子と放熱フィンとの間の熱抵抗を低
減させることが要求されている。
【０００６】このうち、製造コスト低減のためには、半
導体パワーモジュールの構成部品数を減らして製造方法
を簡略化させることが必要とされるものの、従来型の半
導体パワーモジュールでは金属ベース基板と樹脂製ケー
ス枠を必須の構成要素とするために、銅箔をエッチング
して回路パターンを形成したり、外部端子との接続のた
めに予め端子を付属させたケース枠を必要とされること
から、製造コストの低減には限界があった。
導体パワーモジュールの構成部品数を減らして製造方法
を簡略化させることが必要とされるものの、従来型の半
導体パワーモジュールでは金属ベース基板と樹脂製ケー
ス枠を必須の構成要素とするために、銅箔をエッチング
して回路パターンを形成したり、外部端子との接続のた
めに予め端子を付属させたケース枠を必要とされること
から、製造コストの低減には限界があった。
【０００７】また、電気的絶縁不良の原因となるボイド
やクラックの発生を防止するためには、ケース枠に封止
樹脂を充填しそれを硬化させる工程が必要とされるた
め、製造に要する時間が長くなり、スループットが低下
して製造コストを上昇させる原因となっていた。
やクラックの発生を防止するためには、ケース枠に封止
樹脂を充填しそれを硬化させる工程が必要とされるた
め、製造に要する時間が長くなり、スループットが低下
して製造コストを上昇させる原因となっていた。
【０００８】（問題２）その一方で、半導体パワーモジ
ュールの製造コストの低減を図るために、トランスファ
ー成形、射出成形などのフルモールド成形方法を採用し
た低コストの半導体モジュールが考案されている。
ュールの製造コストの低減を図るために、トランスファ
ー成形、射出成形などのフルモールド成形方法を採用し
た低コストの半導体モジュールが考案されている。
【０００９】この種の構造における半導体パワーモジュ
ールでは、ヒートシンク下面とリードフレームの外部端
子部分の一部を除くモジュール全体が形成樹脂によって
モールドされているため、高価な金属ベース基板やケー
ス枠を必要としない。また、比較的長時間を必要とする
封止樹脂の充填・硬化工程も不要である。このため、製
造コストを大幅に削減することができる。
ールでは、ヒートシンク下面とリードフレームの外部端
子部分の一部を除くモジュール全体が形成樹脂によって
モールドされているため、高価な金属ベース基板やケー
ス枠を必要としない。また、比較的長時間を必要とする
封止樹脂の充填・硬化工程も不要である。このため、製
造コストを大幅に削減することができる。
【００１０】例えば、特開平９−１３９４６１号公報に
開示されているように、リードフレームが配線パターン
と外部端子とを兼ねたものがある。すなわち、この製造
方法は、打ち抜き加工によって得たリードフレーム上
に、ＩＧＢＴ素子、フリーホイールダイオード、集積回
路素子、抵抗素子、容量素子などの各素子を固着し、そ
の後、ボンディングワイヤーによるワイヤーボンディン
グを行い、金型を用いて絶縁樹脂の封止をするものであ
る。
開示されているように、リードフレームが配線パターン
と外部端子とを兼ねたものがある。すなわち、この製造
方法は、打ち抜き加工によって得たリードフレーム上
に、ＩＧＢＴ素子、フリーホイールダイオード、集積回
路素子、抵抗素子、容量素子などの各素子を固着し、そ
の後、ボンディングワイヤーによるワイヤーボンディン
グを行い、金型を用いて絶縁樹脂の封止をするものであ
る。
【００１１】この製造方法の場合、リードフレームとヒ
ートシンクとの間に絶縁性を有する封止樹脂を充填させ
て、リードフレームとヒートシンクとの間の電気的絶縁
を図りつつ、これらを相互に連結させて樹脂封止を行っ
ている。
ートシンクとの間に絶縁性を有する封止樹脂を充填させ
て、リードフレームとヒートシンクとの間の電気的絶縁
を図りつつ、これらを相互に連結させて樹脂封止を行っ
ている。
【００１２】しかし、一般的なゲート用抵抗素子やサー
ミスタ素子等のチップ部品は、外形が１．６×０．８、
２．０×１．２５又は３．２×１．６ｍｍと微小であ
り、さらに図７に示すように、１辺とそれと対向する辺
に電極を形成したものであるため、それらチップ部品を
数ｍｍ間隔のリードフレーム間に正確に固着する必要が
ある。
ミスタ素子等のチップ部品は、外形が１．６×０．８、
２．０×１．２５又は３．２×１．６ｍｍと微小であ
り、さらに図７に示すように、１辺とそれと対向する辺
に電極を形成したものであるため、それらチップ部品を
数ｍｍ間隔のリードフレーム間に正確に固着する必要が
ある。
【００１３】その結果、チップ部品の接着作業にかなり
の精度が要求され面倒であり、これにより、製造工程が
複雑化し、作業効率や歩留まりに悪影響を及ぼすという
問題が生じる。
の精度が要求され面倒であり、これにより、製造工程が
複雑化し、作業効率や歩留まりに悪影響を及ぼすという
問題が生じる。
【００１４】（問題３）また、他の従来例として、例え
ば、特開２００１−１９６４９５号公報に開示されてい
るような樹脂モールド用回路基板がある。
ば、特開２００１−１９６４９５号公報に開示されてい
るような樹脂モールド用回路基板がある。
【００１５】この製造方法は、リードフレームを、金属
板上に絶縁層を介して設けたことを特徴とするものであ
る。
板上に絶縁層を介して設けたことを特徴とするものであ
る。
【００１６】しかし、この製造方法では、リードフレー
ムの厚さの分、ゲート用抵抗素子やサーミスタ素子の下
部分にトンネル状の空間ができてしまい、成形樹脂の流
れ込みが困難であり、フロー性の良い高価な成形樹脂を
使う必要がある。
ムの厚さの分、ゲート用抵抗素子やサーミスタ素子の下
部分にトンネル状の空間ができてしまい、成形樹脂の流
れ込みが困難であり、フロー性の良い高価な成形樹脂を
使う必要がある。
【００１７】その結果、フルモールド成形方法による低
コストタイプの半導体パワーモジュールでは、ゲート用
抵抗素子やサーミスタ素子等のチップ部品を半導体パワ
ーモジュール内部に実装することが困難であった。
コストタイプの半導体パワーモジュールでは、ゲート用
抵抗素子やサーミスタ素子等のチップ部品を半導体パワ
ーモジュール内部に実装することが困難であった。
【００１８】そこで、本発明の目的は、チップ部品のリ
ードフレームへの接着作業や、ワイヤー接続作業の単純
化を図り、作業効率および歩留まりを向上させ、製造コ
ストを低減させることが可能な、リードフレーム、半導
体パワーモジュール、および、その製造方法を提供する
ことにある。
ードフレームへの接着作業や、ワイヤー接続作業の単純
化を図り、作業効率および歩留まりを向上させ、製造コ
ストを低減させることが可能な、リードフレーム、半導
体パワーモジュール、および、その製造方法を提供する
ことにある。
【００１９】また、本発明の他の目的は、チップ部品を
内蔵しても熱的特性および電気的特性に優れた低コスト
な、半導体パワーモジュール、および、その製造方法を
提供することにある。
内蔵しても熱的特性および電気的特性に優れた低コスト
な、半導体パワーモジュール、および、その製造方法を
提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、チップ部品を
搭載可能なリードフレームであって、該フレームの一側
端に設けられ、一体して切断可能な直線状の共通切断片
と、前記共通切断片からフレーム内部に略直角方向に延
在され、チップ部品を橋渡し搭載するために同一棒状を
なす複数のくし型形状端と、前記各くし型形状端と対向
するフレーム内部に設けられ、該各くし型形状端の延長
線上に電極パッドが配置できるように形成された部品搭
載領域とを具え、ここで、前記各くし型形状端は、前記
チップ部品を橋渡し搭載するために一定間隔で配列され
ると共に、該チップ部品が橋渡しされた一方のくし型形
状端は外部回路への入出力用端子とされ、かつ、該チッ
プ部品が橋渡しされた他方のくし型形状端は前記フレー
ム内部の電極パッドと延長線上でワイヤー接続され、前
記共通切断片は、前記チップ部品を橋渡し搭載前は前記
各くし型形状端を共通接続し、かつ、前記チップ部品を
橋渡し搭載後は切断されて前記各くし型形状端を入出力
用端子とすることによって、リードフレームを構成す
る。
搭載可能なリードフレームであって、該フレームの一側
端に設けられ、一体して切断可能な直線状の共通切断片
と、前記共通切断片からフレーム内部に略直角方向に延
在され、チップ部品を橋渡し搭載するために同一棒状を
なす複数のくし型形状端と、前記各くし型形状端と対向
するフレーム内部に設けられ、該各くし型形状端の延長
線上に電極パッドが配置できるように形成された部品搭
載領域とを具え、ここで、前記各くし型形状端は、前記
チップ部品を橋渡し搭載するために一定間隔で配列され
ると共に、該チップ部品が橋渡しされた一方のくし型形
状端は外部回路への入出力用端子とされ、かつ、該チッ
プ部品が橋渡しされた他方のくし型形状端は前記フレー
ム内部の電極パッドと延長線上でワイヤー接続され、前
記共通切断片は、前記チップ部品を橋渡し搭載前は前記
各くし型形状端を共通接続し、かつ、前記チップ部品を
橋渡し搭載後は切断されて前記各くし型形状端を入出力
用端子とすることによって、リードフレームを構成す
る。
【００２１】本発明は、リードフレームを用いて、半導
体パワーモジュールを製造する方法であって、上記リー
ドフレームの共通切断片に設けられた複数のくし型形状
端の延長線上に、半導体電子部品を電気的に接続するた
めの電極パッドが位置するように位置合わせを行う接続
位置調整工程と、前記各くし型形状端と該くし型形状端
の延長線上に位置する前記電極パッドとの間、および、
該延長線上に位置する電極パッド間で、接続ワイヤーを
用いて延長線方向に沿って順次電気的接続を行う配線工
程と、ヒートシンク上に絶縁樹脂層を介して、前記電極
パッドが位置合わせされた前記リードフレームを設ける
フレーム接合工程と、成形樹脂を用いて、前記リードフ
レームの前記共通切断片の領域を除くフレーム内部領域
をモールドする封止工程と、前記モールドされていない
共通切断片を除去して、前記各くし型形状端を入出力用
端子として形成する切断片除去工程とを具えることによ
って、半導体パワーモジュールの製造方法を提供する。
体パワーモジュールを製造する方法であって、上記リー
ドフレームの共通切断片に設けられた複数のくし型形状
端の延長線上に、半導体電子部品を電気的に接続するた
めの電極パッドが位置するように位置合わせを行う接続
位置調整工程と、前記各くし型形状端と該くし型形状端
の延長線上に位置する前記電極パッドとの間、および、
該延長線上に位置する電極パッド間で、接続ワイヤーを
用いて延長線方向に沿って順次電気的接続を行う配線工
程と、ヒートシンク上に絶縁樹脂層を介して、前記電極
パッドが位置合わせされた前記リードフレームを設ける
フレーム接合工程と、成形樹脂を用いて、前記リードフ
レームの前記共通切断片の領域を除くフレーム内部領域
をモールドする封止工程と、前記モールドされていない
共通切断片を除去して、前記各くし型形状端を入出力用
端子として形成する切断片除去工程とを具えることによ
って、半導体パワーモジュールの製造方法を提供する。
【００２２】ここで、前記部品搭載工程は、前記チップ
部品が、エポキン樹脂と有機酸を主成分とするフラック
ス入りの半田を塗工し、所定の熱処理条件で前記リード
フレームへ固着させる工程を含んでもよい。
部品が、エポキン樹脂と有機酸を主成分とするフラック
ス入りの半田を塗工し、所定の熱処理条件で前記リード
フレームへ固着させる工程を含んでもよい。
【００２３】前記リードフレームの一部に、前記チップ
部品を搭載するための段差状の薄板部を形成してもよ
い。
部品を搭載するための段差状の薄板部を形成してもよ
い。
【００２４】前記リードフレームの前記チップ部品の搭
載位置が、前記フレーム内部に搭載される前記半導体電
子部品の搭載位置よりも一段高くなるように、該フレー
ム形状を形成してもよい。
載位置が、前記フレーム内部に搭載される前記半導体電
子部品の搭載位置よりも一段高くなるように、該フレー
ム形状を形成してもよい。
【００２５】本発明は、板状金属からなるヒートシンク
と、前記ヒートシンク上に絶縁層を介して設けられた上
記リードフレームと、前記リードフレームを構成するく
し型形状端間に橋渡し搭載されたチップ部品とを具える
ことによって、半導体パワーモジュールを構成する。
と、前記ヒートシンク上に絶縁層を介して設けられた上
記リードフレームと、前記リードフレームを構成するく
し型形状端間に橋渡し搭載されたチップ部品とを具える
ことによって、半導体パワーモジュールを構成する。
【００２６】ここで、前記チップ部品は、抵抗、サーミ
スタ、コンデンサ、又は、サージアブソーバからなり、
前記チップ部品が搭載される前記リードフレームのくし
型形状端は、インバータ又は電源装置からなる外部回路
の入出力端子と接続される大きさの形状を有してもよ
い。
スタ、コンデンサ、又は、サージアブソーバからなり、
前記チップ部品が搭載される前記リードフレームのくし
型形状端は、インバータ又は電源装置からなる外部回路
の入出力端子と接続される大きさの形状を有してもよ
い。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態を詳細に説明する。 ［第１の例］本発明の第１の実施の形態を、図１に基づ
いて説明する。 （リードフレーム）本例では、リードフレームの構成に
ついて説明する。図１は、本発明に係るリードフレーム
１の構成例を示す。
実施の形態を詳細に説明する。 ［第１の例］本発明の第１の実施の形態を、図１に基づ
いて説明する。 （リードフレーム）本例では、リードフレームの構成に
ついて説明する。図１は、本発明に係るリードフレーム
１の構成例を示す。
【００２８】リードフレーム１は、電子部品搭載用の大
きな平面部を有するフレーム本体部２，３，４，５と、
接続片６と、フレームの一側端のＸ方向に沿って配設さ
れた直線状の共通切断片７と、共通切断片７に連接され
Ｙ方向に延在する複数のくし型形状端８とに大別され
る。共通切断片７と複数のくし型形状端８とは、モール
ド後に切断される。
きな平面部を有するフレーム本体部２，３，４，５と、
接続片６と、フレームの一側端のＸ方向に沿って配設さ
れた直線状の共通切断片７と、共通切断片７に連接され
Ｙ方向に延在する複数のくし型形状端８とに大別され
る。共通切断片７と複数のくし型形状端８とは、モール
ド後に切断される。
【００２９】ここで、共通切断片７、および、くし型形
状端８の特徴について説明する。共通切断片７は、各く
し型形状端８を共通接続して固定端とされているが、部
品搭載したモールド後はフレーム本体から切断されるた
め、各くし型形状端８が自由端となる。
状端８の特徴について説明する。共通切断片７は、各く
し型形状端８を共通接続して固定端とされているが、部
品搭載したモールド後はフレーム本体から切断されるた
め、各くし型形状端８が自由端となる。
【００３０】複数のくし型形状端８は、共通切断片７の
方向（Ｘ方向）に対して略直角なＹ方向すなわち該形状
端の延長線上に延在されており、全て同一な平板棒形状
（例えば、幅、板厚さが略同じ）をなしている。また、
各くし型形状端８は、チップ部品を橋渡し搭載するため
に、Ｘ方向に対して一定の間隔Δで配列されている。
方向（Ｘ方向）に対して略直角なＹ方向すなわち該形状
端の延長線上に延在されており、全て同一な平板棒形状
（例えば、幅、板厚さが略同じ）をなしている。また、
各くし型形状端８は、チップ部品を橋渡し搭載するため
に、Ｘ方向に対して一定の間隔Δで配列されている。
【００３１】（電極パッドの位置）図２は、リードフレ
ーム１の電極パッドの位置を示す。
ーム１の電極パッドの位置を示す。
【００３２】チップ部品１０を橋渡しする一方のくし型
形状端８ａは、外部回路への引出線とされている。ま
た、そのチップ部品１０を橋渡しする他方のくし型形状
端８ｂは、フレーム内部における部品搭載領域Ａ内の電
極パッド９の延長線上に配置されている。
形状端８ａは、外部回路への引出線とされている。ま
た、そのチップ部品１０を橋渡しする他方のくし型形状
端８ｂは、フレーム内部における部品搭載領域Ａ内の電
極パッド９の延長線上に配置されている。
【００３３】言い替えると、リードフレーム１のくし型
形状端８の延長線上（すなわち、Ｙ方向）に、半導体電
子部品としての半導体素子１１を電気的に接続するため
の電極パッド９が配置されている。
形状端８の延長線上（すなわち、Ｙ方向）に、半導体電
子部品としての半導体素子１１を電気的に接続するため
の電極パッド９が配置されている。
【００３４】このように、各くし型形状端８の延長線上
に電極パッド９を配置したことにより、くし型形状端８
と該延長線上に位置する電極パッド９との間、又は、互
いに延長線上に位置する電極パッド９間で、ボンディン
グワイヤーを用いて電気的接続を行う場合に、単にＹ方
向の１ライン方向のみに沿って順次配線を行っていけば
よいことになる。
に電極パッド９を配置したことにより、くし型形状端８
と該延長線上に位置する電極パッド９との間、又は、互
いに延長線上に位置する電極パッド９間で、ボンディン
グワイヤーを用いて電気的接続を行う場合に、単にＹ方
向の１ライン方向のみに沿って順次配線を行っていけば
よいことになる。
【００３５】従って、くし型形状端の延長線上にチップ
部品および半導体素子の電極パッドを単純に配置し、そ
のライン方向に沿って単純にワイヤーボンディングを行
うことにより、チップ部品のリードフレームへの接着作
業を簡略化させると共に、ワイヤー接続工程の単純化を
図ることができる。
部品および半導体素子の電極パッドを単純に配置し、そ
のライン方向に沿って単純にワイヤーボンディングを行
うことにより、チップ部品のリードフレームへの接着作
業を簡略化させると共に、ワイヤー接続工程の単純化を
図ることができる。
【００３６】［第２の例］本発明の第２の実施の形態
を、図３〜図９に基づいて説明する。 （製造方法）本例では、半導体パワーモジュールの製造
方法について説明する。図３は、本発明に係る半導体パ
ワーモジュールの基本的な製造工程を示す。
を、図３〜図９に基づいて説明する。 （製造方法）本例では、半導体パワーモジュールの製造
方法について説明する。図３は、本発明に係る半導体パ
ワーモジュールの基本的な製造工程を示す。
【００３７】ステップＳ１では、リードフレーム１の共
通切断片７に設けられた複数のくし型形状端８の延長線
上（Ｙ方向）に、半導体素子１１を電気的に接続するた
めの電極パッド９が位置するように位置合わせを行う
（図２参照）。
通切断片７に設けられた複数のくし型形状端８の延長線
上（Ｙ方向）に、半導体素子１１を電気的に接続するた
めの電極パッド９が位置するように位置合わせを行う
（図２参照）。
【００３８】ステップＳ２では、各くし型形状端８とそ
の延長線上に位置する電極パッド９との間、又は、延長
線上に位置する電極パッド９間で、ボンディングワイヤ
ーを用いて延長線方向に沿って順次電気的接続（いわゆ
る、１ライン配線）を行う。
の延長線上に位置する電極パッド９との間、又は、延長
線上に位置する電極パッド９間で、ボンディングワイヤ
ーを用いて延長線方向に沿って順次電気的接続（いわゆ
る、１ライン配線）を行う。
【００３９】ステップＳ３では、電極パッド９の位置合
わせが調整されたリードフレーム１を、ヒートシンク上
に絶縁樹脂層を介して接合する。
わせが調整されたリードフレーム１を、ヒートシンク上
に絶縁樹脂層を介して接合する。
【００４０】ステップＳ４では、成形樹脂を用いて、リ
ードフレーム１の共通切断片７の領域を除いたフレーム
内部の部品搭載領域Ａをモールドして封止する。
ードフレーム１の共通切断片７の領域を除いたフレーム
内部の部品搭載領域Ａをモールドして封止する。
【００４１】ステップＳ５では、モールドされていない
共通切断片７をフレーム本体から除去することにより、
各くし型形状端８ａ，８ｂを入出力用端子として形成す
る。
共通切断片７をフレーム本体から除去することにより、
各くし型形状端８ａ，８ｂを入出力用端子として形成す
る。
【００４２】このように延長線上すなわちＹ方向に沿っ
て単純に移動させながらワイヤー配線を行うことによ
り、チップ部品１０や半導体素子１１の電気的接続作業
を簡略化して製造工程の単純化を図ることが可能とな
り、これにより、作業効率および歩留まりを向上させて
製造コストを低減させることができる。
て単純に移動させながらワイヤー配線を行うことによ
り、チップ部品１０や半導体素子１１の電気的接続作業
を簡略化して製造工程の単純化を図ることが可能とな
り、これにより、作業効率および歩留まりを向上させて
製造コストを低減させることができる。
【００４３】チップ部品１０としては、抵抗、サーミス
タ、コンデンサ、サージアブソーバを用いることができ
る。半導体素子１１としては、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａ
ｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）、ＦＷＤ（ＦｒｅｅＷｈｅｅｌ Ｄｉｏｄｅ）を
用いることができる。
タ、コンデンサ、サージアブソーバを用いることができ
る。半導体素子１１としては、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａ
ｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）、ＦＷＤ（ＦｒｅｅＷｈｅｅｌ Ｄｉｏｄｅ）を
用いることができる。
【００４４】以下、具体例を挙げて説明する。
【００４５】図４は、半導体パワーモジュールの製造例
を示すステップＳ１１では、図１に示したような、共通
切断片７および複数のくし型形状端８を備えたリードフ
レーム１を準備する。リードフレーム１は、銅からな
り、打ち抜き構造となっており、これによりくし型形状
端８は共通切断片７に連結されているため、バラバラに
なることがない。
を示すステップＳ１１では、図１に示したような、共通
切断片７および複数のくし型形状端８を備えたリードフ
レーム１を準備する。リードフレーム１は、銅からな
り、打ち抜き構造となっており、これによりくし型形状
端８は共通切断片７に連結されているため、バラバラに
なることがない。
【００４６】ステップＳ１２では、チップ部品１０や半
導体素子１１を搭載するために、リードフレーム１のく
し型形状端８や部品搭載領域Ａ内の所定位置に、クリー
ム半田をディスペンサーにより塗工する。
導体素子１１を搭載するために、リードフレーム１のく
し型形状端８や部品搭載領域Ａ内の所定位置に、クリー
ム半田をディスペンサーにより塗工する。
【００４７】ステップＳ１３では、炉組みによって、電
極パッド９の位置合わせを行う（接続位置調整工程）。
極パッド９の位置合わせを行う（接続位置調整工程）。
【００４８】図５（ａ）（ｂ）は、炉組み用のカーボン
治具２０の構成例を示す。図５（ａ）はカーボン治具２
０の平面図、図５（ｂ）はそのａ−ａ断面図である。
治具２０の構成例を示す。図５（ａ）はカーボン治具２
０の平面図、図５（ｂ）はそのａ−ａ断面図である。
【００４９】２段の掘り込みの入った炉組み用のカーボ
ン治具２０を準備する。このカーボン治具２０には、深
掘部分２１，２２と、浅掘部分２３とが形成されてい
る。そして、深堀部分２１の所定位置、すなわち、くし
型形状端８に対応する位置には、チップ部品１０を落し
込む。同様に、他の深堀部分２２の所定位置、すなわ
ち、部品搭載領域Ａに対応する位置には、半導体素子１
１を落し込む。一方、浅掘部分２３には、リードフレー
ム１を落し込む。
ン治具２０を準備する。このカーボン治具２０には、深
掘部分２１，２２と、浅掘部分２３とが形成されてい
る。そして、深堀部分２１の所定位置、すなわち、くし
型形状端８に対応する位置には、チップ部品１０を落し
込む。同様に、他の深堀部分２２の所定位置、すなわ
ち、部品搭載領域Ａに対応する位置には、半導体素子１
１を落し込む。一方、浅掘部分２３には、リードフレー
ム１を落し込む。
【００５０】ステップＳ１４では、リードフレーム１の
半田付け行う（配線工程）。すなわち、炉組みしたカー
ボン治具２０とは別のカーボン治具３０を用意し、この
カーボン治具３０をピン位置に合わせて炉組みしたカー
ボン治具２０の全体を覆わせ、その後、ひっくり返して
リフロー炉中で、２４０℃、１０分間の条件で半田付け
を行うことにより、リードフレーム１上にチップ部品１
０や半導体素子１１を固着する。
半田付け行う（配線工程）。すなわち、炉組みしたカー
ボン治具２０とは別のカーボン治具３０を用意し、この
カーボン治具３０をピン位置に合わせて炉組みしたカー
ボン治具２０の全体を覆わせ、その後、ひっくり返して
リフロー炉中で、２４０℃、１０分間の条件で半田付け
を行うことにより、リードフレーム１上にチップ部品１
０や半導体素子１１を固着する。
【００５１】このようにして、チップ部品１０をリード
フレーム１４の各々２本のくし型形状端８（図２では、
くし型形状端８ａ，８ｂ）上に橋渡しさせて配置させ、
さらに、そのくし型形状端８（図２では、くし型形状端
８ｂ）の対となる延長線上の位置に半導体素子１１の電
極パッド９が配置されるように位置合わせをした状態
で、リードフレーム１上の所定位置でチップ部品１０や
半導体素子１１を半田付けする。
フレーム１４の各々２本のくし型形状端８（図２では、
くし型形状端８ａ，８ｂ）上に橋渡しさせて配置させ、
さらに、そのくし型形状端８（図２では、くし型形状端
８ｂ）の対となる延長線上の位置に半導体素子１１の電
極パッド９が配置されるように位置合わせをした状態
で、リードフレーム１上の所定位置でチップ部品１０や
半導体素子１１を半田付けする。
【００５２】図６は，チップ部品１０を、その電極部１
０ａでリードフレーム１上の各々２本のくし型形状端８
に橋渡しさせて並べた構造の例を示す。図７は、その断
面構造の例を示す。
０ａでリードフレーム１上の各々２本のくし型形状端８
に橋渡しさせて並べた構造の例を示す。図７は、その断
面構造の例を示す。
【００５３】ステップＳ１５では、不要なフラックスを
洗浄する。
洗浄する。
【００５４】ステップＳ１６では、ワイヤーとしてφ
０．３ｍｍのアルミニウムワイヤーを用い、ワイヤーボ
ンディングすることによって素子間を電気的に接続して
実装する。
０．３ｍｍのアルミニウムワイヤーを用い、ワイヤーボ
ンディングすることによって素子間を電気的に接続して
実装する。
【００５５】図８は、ワイヤーボンディングの順序（
→→→→→→）を示す。
→→→→→→）を示す。
【００５６】右下のワイヤー４０をＹ方向ラインの下
から上へ接続する。これは、くし型形状端８ｂから、フ
レーム本体部３の電極パッド９への接続である。
から上へ接続する。これは、くし型形状端８ｂから、フ
レーム本体部３の電極パッド９への接続である。
【００５７】→同一Ｙ方向ラインの延長線上で、ワイ
ヤー４１を下から上へ接続する。これは、フレーム本体
部３の電極パッド９から、フレーム本体部２の電極パッ
ド９への接続である。
ヤー４１を下から上へ接続する。これは、フレーム本体
部３の電極パッド９から、フレーム本体部２の電極パッ
ド９への接続である。
【００５８】→左にシフトしたＹ方向ライン上で、ワ
イヤー４２を上から下へ接続する。これは、フレーム本
体部２の電極部９から、フレーム本体部３の電極パッド
９への接続である。
イヤー４２を上から下へ接続する。これは、フレーム本
体部２の電極部９から、フレーム本体部３の電極パッド
９への接続である。
【００５９】→左にシフトしかつ下方に移動したＹ方
向ライン上で、ワイヤー４３の上から下へ接続する。こ
れは、フレーム本体部３の電極パッド９から、くし型形
状端８ｂへの接続である。
向ライン上で、ワイヤー４３の上から下へ接続する。こ
れは、フレーム本体部３の電極パッド９から、くし型形
状端８ｂへの接続である。
【００６０】→左にシフトしかつ上方に移動したＹ方
向ライン上で、ワイヤー４４の下から上へ接続する。こ
れは、フレーム本体部３の電極部９から、フレーム本体
部６の電極パッド９への接続である。
向ライン上で、ワイヤー４４の下から上へ接続する。こ
れは、フレーム本体部３の電極部９から、フレーム本体
部６の電極パッド９への接続である。
【００６１】→左にシフトしたＹ方向ライン上で、ワ
イヤー４５を上から下へ接続する。これは、フレーム本
体部６の電極部９から、フレーム本体部３の電極パッド
９への接続である。
イヤー４５を上から下へ接続する。これは、フレーム本
体部６の電極部９から、フレーム本体部３の電極パッド
９への接続である。
【００６２】→下方へ移動しかつ左にシフトしたＹ方
向ライン上で、ワイヤー４６をＹラインの下から上へ接
続する。これは、くし型形状端８ｂから、フレーム本体
部２の電極パッド９への接続である。
向ライン上で、ワイヤー４６をＹラインの下から上へ接
続する。これは、くし型形状端８ｂから、フレーム本体
部２の電極パッド９への接続である。
【００６３】このように、順次右から左へ一筆書きの要
領でワイヤー接続することが可能となり、接続作業の簡
略化を図ることができる。
領でワイヤー接続することが可能となり、接続作業の簡
略化を図ることができる。
【００６４】ステップＳ１７では、リードフレーム１の
モールド成形を行う。すなわち、図６に示すように、ヒ
ートシンクとしての金属絶縁板５０上に絶縁樹脂層５１
を介して、リードフレーム１を積載し、さらに、成形樹
脂５２を準備して、トランスファー成形機を使用して１
７５℃で２分間のトランスファ成形を行うことによっ
て、樹脂をモールドする。
モールド成形を行う。すなわち、図６に示すように、ヒ
ートシンクとしての金属絶縁板５０上に絶縁樹脂層５１
を介して、リードフレーム１を積載し、さらに、成形樹
脂５２を準備して、トランスファー成形機を使用して１
７５℃で２分間のトランスファ成形を行うことによっ
て、樹脂をモールドする。
【００６５】ステップＳ１８では、図９に示すように、
モールドされていないリードフレーム１の不要部分、す
なわち共通切断片７を切断し、これにより、各くし型形
状端８ａ，８ｂを入出力用端子として形成する。
モールドされていないリードフレーム１の不要部分、す
なわち共通切断片７を切断し、これにより、各くし型形
状端８ａ，８ｂを入出力用端子として形成する。
【００６６】以上の説明より、図１に示したリードフレ
ーム１を用いた半導体モジュールの製造方法における利
点についてまとめる。
ーム１を用いた半導体モジュールの製造方法における利
点についてまとめる。
【００６７】（利点１）マウント工程の簡略化を図るこ
とができる。すなわち、従来は、個別チップ、又は、裏
面共通電極の複数個のチップに対して、それぞれヒート
スプレッドを置いていたため、多数のヒートスプレッダ
が必要であった。これに対して、共通切断片７をもつリ
ードフレーム１の構造とすることにより、多数のヒート
スプレッダを必要とせず、一括で切断処理することがで
きる。これにより、基板上へ半田付けするためのマウン
トを簡略化することができる。
とができる。すなわち、従来は、個別チップ、又は、裏
面共通電極の複数個のチップに対して、それぞれヒート
スプレッドを置いていたため、多数のヒートスプレッダ
が必要であった。これに対して、共通切断片７をもつリ
ードフレーム１の構造とすることにより、多数のヒート
スプレッダを必要とせず、一括で切断処理することがで
きる。これにより、基板上へ半田付けするためのマウン
トを簡略化することができる。
【００６８】（利点２）レイアウトの簡略化によるモジ
ュール小型化を図ることができる。すなわち、図９に示
すように、リードフレーム１の共通切断片７から延在し
た複数のくし型形状端８の延長線上に、半導体素子１１
の電極パッド９が位置するように設計することにより、
半導体素子１１やワイヤー６０を密に配置することがで
き、半導体モジュールの小型化をさらに図ることができ
る。
ュール小型化を図ることができる。すなわち、図９に示
すように、リードフレーム１の共通切断片７から延在し
た複数のくし型形状端８の延長線上に、半導体素子１１
の電極パッド９が位置するように設計することにより、
半導体素子１１やワイヤー６０を密に配置することがで
き、半導体モジュールの小型化をさらに図ることができ
る。
【００６９】（利点３）レイアウトの簡略化によるワイ
ヤーボンディング工程の簡略化を図ることができる。す
なわち、図９に示すように、リードフレーム１の共通切
断片７から延在した複数のくし型形状端８の延長線上
に、半導体素子１１の電極パッド９が位置するように設
計することにより、ワイヤー６０を一方向に配置するこ
とができ、ワイヤーボンディング時にヘッド回転するこ
とがなくなり、ワイヤー組み付けの作業速度を向上させ
ることができる。
ヤーボンディング工程の簡略化を図ることができる。す
なわち、図９に示すように、リードフレーム１の共通切
断片７から延在した複数のくし型形状端８の延長線上
に、半導体素子１１の電極パッド９が位置するように設
計することにより、ワイヤー６０を一方向に配置するこ
とができ、ワイヤーボンディング時にヘッド回転するこ
とがなくなり、ワイヤー組み付けの作業速度を向上させ
ることができる。
【００７０】（利点４）ワイヤー方向の統一化によるワ
イヤー倒れを防止することができる。すなわち、図９に
示すように、リードフレーム１の共通切断片７から延在
した複数のくし型形状端８の延長線上に、半導体素子１
１の電極パッド９が位置するように設計することによ
り、ワイヤー６０を一方向に配置することができ、トラ
ンスファー成形時の成形樹脂５２の注入方向と揃えるこ
とにより、ワイヤー倒れをなくすことができ、歩留まり
を向上させることができる。
イヤー倒れを防止することができる。すなわち、図９に
示すように、リードフレーム１の共通切断片７から延在
した複数のくし型形状端８の延長線上に、半導体素子１
１の電極パッド９が位置するように設計することによ
り、ワイヤー６０を一方向に配置することができ、トラ
ンスファー成形時の成形樹脂５２の注入方向と揃えるこ
とにより、ワイヤー倒れをなくすことができ、歩留まり
を向上させることができる。
【００７１】（利点５）ワイヤーの配線ミスや、ノイズ
等に関する電気的特性や熱的特性を改善することができ
る。すなわち、接続されるワイヤー６０は一方向すなわ
ちＹ方向に全て揃えられ、かつ、一定間隔をもって平行
に配列されていることから、ワイヤー配線ミスや混線に
よるショートを発生する割合を少なくすることができ
る。
等に関する電気的特性や熱的特性を改善することができ
る。すなわち、接続されるワイヤー６０は一方向すなわ
ちＹ方向に全て揃えられ、かつ、一定間隔をもって平行
に配列されていることから、ワイヤー配線ミスや混線に
よるショートを発生する割合を少なくすることができ
る。
【００７２】また、ワイヤー６０や主要な配線方向を全
て一方向（Ｙ方向）に統一するフレーム設計としている
ので、ワイヤー６０に流れる電流（例えば、２０Ａ程
度）によって発生するインダクタンスによる電磁誘導の
影響を相殺させることができ、電気的特性を改善でき
る。
て一方向（Ｙ方向）に統一するフレーム設計としている
ので、ワイヤー６０に流れる電流（例えば、２０Ａ程
度）によって発生するインダクタンスによる電磁誘導の
影響を相殺させることができ、電気的特性を改善でき
る。
【００７３】さらに、半導体素子１１は、パワー型電力
素子であるため熱を放出するが、リードフレーム１のフ
レーム本体部２〜５のレイアウト、すなわち、放熱面
積、素子間の配置間隔、熱の伝導方向、モールド後の基
板の厚さ等を考慮して設計しているので、その熱の効果
的な放散を行うことができ、熱的特性を改善することが
できる。
素子であるため熱を放出するが、リードフレーム１のフ
レーム本体部２〜５のレイアウト、すなわち、放熱面
積、素子間の配置間隔、熱の伝導方向、モールド後の基
板の厚さ等を考慮して設計しているので、その熱の効果
的な放散を行うことができ、熱的特性を改善することが
できる。
【００７４】このように電気的特性および熱的特性の改
善を図ることができるため、ノイズ等を効率良く低減し
て、多相交流の電圧・電流を安定した状態で出力するこ
とが可能となる。
善を図ることができるため、ノイズ等を効率良く低減し
て、多相交流の電圧・電流を安定した状態で出力するこ
とが可能となる。
【００７５】［第３の例］本発明の第３の実施の形態
を、図１０〜図１２に基づいて説明する。 （半導体パワーモジュール）本例では、半導体パワーモ
ジュールの構造について説明する。
を、図１０〜図１２に基づいて説明する。 （半導体パワーモジュール）本例では、半導体パワーモ
ジュールの構造について説明する。
【００７６】図１０は、本発明に係る半導体パワーモジ
ュールの構成例を示す。図１１は、そのモジュールの断
面図を示す。
ュールの構成例を示す。図１１は、そのモジュールの断
面図を示す。
【００７７】半導体パワーモジュールは、第１の例で示
したリードフレーム１、および、第２の例で示したモジ
ュール製造方法を用いて作製される。
したリードフレーム１、および、第２の例で示したモジ
ュール製造方法を用いて作製される。
【００７８】すなわち、金属のヒートシンク５０上に絶
縁樹脂層５１を介してリードフレーム１が設けられてい
る。リードフレーム１上には、半田で固着されたパワー
型の半導体素子１１と微小なチップ部品１０とが搭載さ
れており、これら部品間はワイヤー６０で配線されてい
る。この場合、チップ部品１０は、２本のくし型形状端
８ａ，８ｂ間に橋渡し搭載されている。その一方のくし
型形状端８ｂと、その延長線上に位置する電極パッド９
との間は、ワイヤー６０（アルミワイヤー）で接続され
ている。従って、このワイヤー６０を介して、電極パッ
ド９に接続された半導体素子１１と、チップ部品１０と
が電気的に接続されることになる。
縁樹脂層５１を介してリードフレーム１が設けられてい
る。リードフレーム１上には、半田で固着されたパワー
型の半導体素子１１と微小なチップ部品１０とが搭載さ
れており、これら部品間はワイヤー６０で配線されてい
る。この場合、チップ部品１０は、２本のくし型形状端
８ａ，８ｂ間に橋渡し搭載されている。その一方のくし
型形状端８ｂと、その延長線上に位置する電極パッド９
との間は、ワイヤー６０（アルミワイヤー）で接続され
ている。従って、このワイヤー６０を介して、電極パッ
ド９に接続された半導体素子１１と、チップ部品１０と
が電気的に接続されることになる。
【００７９】そして、図１１に示すように、ワイヤー接
続されたモジュール全体を成形樹脂５２で覆う構造とす
ることにより、所望の半導体パワーモジュールが作製さ
れる。なお、絶縁樹脂層５１は、成形樹脂５２と同じ材
料を使用してもよい。
続されたモジュール全体を成形樹脂５２で覆う構造とす
ることにより、所望の半導体パワーモジュールが作製さ
れる。なお、絶縁樹脂層５１は、成形樹脂５２と同じ材
料を使用してもよい。
【００８０】（回路構成）図１２は、図１０の構造に対
応した回路構成を示す。Ｕ，Ｖ，Ｗの各素子は、フレー
ム本体部２に搭載されたパワー型の半導体素子としての
ＩＧＢＴ１１である。このコレクタ端子とエミッタ端子
間には、ＦＷＤ１２が接続されている。各素子におい
て、ＵＧ，ＶＧ，ＷＧは、制御信号用のゲート端子であ
る。ＵＥ，ＶＥ，ＷＥは、エミッタ端子であり、センシ
ング用端子として用いられる。これらゲート・エミッタ
の各端子は、くし型形状端８として構成されている。
応した回路構成を示す。Ｕ，Ｖ，Ｗの各素子は、フレー
ム本体部２に搭載されたパワー型の半導体素子としての
ＩＧＢＴ１１である。このコレクタ端子とエミッタ端子
間には、ＦＷＤ１２が接続されている。各素子におい
て、ＵＧ，ＶＧ，ＷＧは、制御信号用のゲート端子であ
る。ＵＥ，ＶＥ，ＷＥは、エミッタ端子であり、センシ
ング用端子として用いられる。これらゲート・エミッタ
の各端子は、くし型形状端８として構成されている。
【００８１】同様に、Ｘ，Ｙ，Ｚの各素子は、フレーム
本体部３，４，５にそれぞれ搭載されたＩＧＢＴ１１で
あり、これら各素子にはＦＷＤ１２がそれぞれ接続され
ている。各素子において、ＸＧ，ＹＧ，ＺＧは、制御信
号用のゲート端子である。ＸＥ，ＹＥ，ＺＥは、エミッ
タ端子であり、センシング用端子として用いられる。こ
れらゲート・エミッタの各端子は、くし型形状端８とし
て構成されている。
本体部３，４，５にそれぞれ搭載されたＩＧＢＴ１１で
あり、これら各素子にはＦＷＤ１２がそれぞれ接続され
ている。各素子において、ＸＧ，ＹＧ，ＺＧは、制御信
号用のゲート端子である。ＸＥ，ＹＥ，ＺＥは、エミッ
タ端子であり、センシング用端子として用いられる。こ
れらゲート・エミッタの各端子は、くし型形状端８とし
て構成されている。
【００８２】そして、Ｕ，Ｖ，Ｗの上段のみを駆動する
場合は、端子Ｐ−端子ＵＸ間、端子Ｐ−端子ＶＹ間、端
子Ｐ−端子ＷＺ間にそれぞれ、６００Ｖを印加し、２０
Ａを供給する。これにより、電流は、端子Ｐから端子Ｕ
Ｘへ、端子Ｐから端子ＶＹへ、端子Ｐから端子ＷＺへと
流れ、負荷に供給される。
場合は、端子Ｐ−端子ＵＸ間、端子Ｐ−端子ＶＹ間、端
子Ｐ−端子ＷＺ間にそれぞれ、６００Ｖを印加し、２０
Ａを供給する。これにより、電流は、端子Ｐから端子Ｕ
Ｘへ、端子Ｐから端子ＶＹへ、端子Ｐから端子ＷＺへと
流れ、負荷に供給される。
【００８３】また、Ｕ，Ｖ，Ｗの上段と、Ｘ，Ｙ，Ｚの
下段の両方を同時に駆動する場合は、上記条件に加えさ
らに、端子Ｎ−端子ＵＸ間、端子Ｎ−端子ＶＹ間、端子
Ｎ−端子ＷＺ間にｍそれぞれ、６００Ｖを印加する。こ
れにより、電流は、端子Ｐから端子Ｎへと流れ、負荷に
供給される。
下段の両方を同時に駆動する場合は、上記条件に加えさ
らに、端子Ｎ−端子ＵＸ間、端子Ｎ−端子ＶＹ間、端子
Ｎ−端子ＷＺ間にｍそれぞれ、６００Ｖを印加する。こ
れにより、電流は、端子Ｐから端子Ｎへと流れ、負荷に
供給される。
【００８４】なお、リードフレーム１は、その板厚ｔ＝
０．８ｍｍ、くし型形状端８の幅ｗ＝１ｍｍ、間隔ｄ＝
２ｍｍとし、また、端子Ｐ、端子Ｎの幅ｗ＝４ｍｍとし
て設計した。
０．８ｍｍ、くし型形状端８の幅ｗ＝１ｍｍ、間隔ｄ＝
２ｍｍとし、また、端子Ｐ、端子Ｎの幅ｗ＝４ｍｍとし
て設計した。
【００８５】このように、板状金属からなるヒートシン
ク５０上に絶縁樹脂層５１を介して設けられたリードフ
レーム１とからなり、リードフレーム１の２本のくし型
形状端８ａ，８ｂ上に橋渡しされたチップ部品１０を固
着して半導体パワーモジュールを構成することにより、
従来モジュール外部に設けていた外形が１．６ｍｍ×
０．８ｍｍ、２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ、又は３．２ｍ
ｍ×１．６ｍｍと微小なチップ部品をモジュールに内蔵
することができる。
ク５０上に絶縁樹脂層５１を介して設けられたリードフ
レーム１とからなり、リードフレーム１の２本のくし型
形状端８ａ，８ｂ上に橋渡しされたチップ部品１０を固
着して半導体パワーモジュールを構成することにより、
従来モジュール外部に設けていた外形が１．６ｍｍ×
０．８ｍｍ、２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ、又は３．２ｍ
ｍ×１．６ｍｍと微小なチップ部品をモジュールに内蔵
することができる。
【００８６】以上により、低コストで、実用に供し得る
構造の微小なチップ部品１０を内蔵した半導体パワーモ
ジュールを作製することができる。
構造の微小なチップ部品１０を内蔵した半導体パワーモ
ジュールを作製することができる。
【００８７】（試作例１）次に、試作例について説明す
る。このようにして作製した半導体パワーモジュールを
用いてインバータ回路を構成して、動作試験を行った。
る。このようにして作製した半導体パワーモジュールを
用いてインバータ回路を構成して、動作試験を行った。
【００８８】インバータ回路の動作試験条件は、ＩＧＢ
Ｔベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵抗素子を各
々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭載させた６
００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、定格の１２
０％印加で３０分の運転を行った。その合否の判定は、
別の制御回路（例えば、センシング用端子ＸＥを使用）
により、３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取
り出されるか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間
中一定であるか否かに基づいて判断した。
Ｔベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵抗素子を各
々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭載させた６
００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、定格の１２
０％印加で３０分の運転を行った。その合否の判定は、
別の制御回路（例えば、センシング用端子ＸＥを使用）
により、３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取
り出されるか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間
中一定であるか否かに基づいて判断した。
【００８９】この試験により、半導体パワーモジュール
としての特性を十分に満足していることが確認された。
駆動周波数は、５０ｋＨｚとした。
としての特性を十分に満足していることが確認された。
駆動周波数は、５０ｋＨｚとした。
【００９０】なお、別の回路例として、ゲート抵抗素子
やサーミスタ素子だけでなく、コンデンサやサージアブ
ソーバを使用した回路構成のモジュールにおいても、同
様な試験を行った結果、所望の回路特性を満足する結果
が得られた。
やサーミスタ素子だけでなく、コンデンサやサージアブ
ソーバを使用した回路構成のモジュールにおいても、同
様な試験を行った結果、所望の回路特性を満足する結果
が得られた。
【００９１】［第４の例］本発明の第４の実施の形態
を、図１０に基づいて説明する。なお、前述した各例と
同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付
す。
を、図１０に基づいて説明する。なお、前述した各例と
同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付
す。
【００９２】本例では、第１の例と同様にリードフレー
ム１を準備し、所定位置、すなわち、フレーム本体部
２，３，４，５上の部品搭載領域Ａおよびくし型形状端
８に、クリーム半田として、エポキン樹脂と有機酸とを
主成分とするフラックス入りのクリーム半田をディスペ
ンサーによって塗工した。
ム１を準備し、所定位置、すなわち、フレーム本体部
２，３，４，５上の部品搭載領域Ａおよびくし型形状端
８に、クリーム半田として、エポキン樹脂と有機酸とを
主成分とするフラックス入りのクリーム半田をディスペ
ンサーによって塗工した。
【００９３】その塗工後、部品搭載領域Ａに半導体素子
１１を配置すると共に、各々２本のくし型形状端８ａ，
８ｂ上にゲート抵抗とサーミスタとからなるチップ部品
１０を橋渡しさせて配置した。
１１を配置すると共に、各々２本のくし型形状端８ａ，
８ｂ上にゲート抵抗とサーミスタとからなるチップ部品
１０を橋渡しさせて配置した。
【００９４】そして、それら搭載した部品をリフロー炉
中で、２４０℃、１０分間の条件で半田付けを行うこと
により、リードフレーム１上に固着した。その後、不要
なフラックスを洗浄する工程を行うことなく、ワイヤー
６０としてφ０．３ｍｍのアルミニウムワイヤーを用い
てワイヤーボンディングすることによって、素子を実装
した。
中で、２４０℃、１０分間の条件で半田付けを行うこと
により、リードフレーム１上に固着した。その後、不要
なフラックスを洗浄する工程を行うことなく、ワイヤー
６０としてφ０．３ｍｍのアルミニウムワイヤーを用い
てワイヤーボンディングすることによって、素子を実装
した。
【００９５】別途、成形樹脂５２を準備し、トランスフ
ァー成形機を使って１７５℃で２分間のトランスファ成
形を行うことによって、樹脂をモールドした。
ァー成形機を使って１７５℃で２分間のトランスファ成
形を行うことによって、樹脂をモールドした。
【００９６】以上の処理により、塗布工程の改善を図
り、接着強度を増加させることができる。すなわち、チ
ップ部品１０が、エポキン樹脂と有機酸を主成分とする
フラックス入りの半田を塗工し、所定の熱処理条件でリ
ードフレーム１へ固着させることにより、通常のロジン
を主成分とするフラックス入り半田付けでは必要であっ
た半田付け後の洗浄を行うこと無しに、ワイヤーボンデ
ィングやモールドなどの後工程を行うことができる。さ
らに、硬化したエポキシにより、通常よりも強固に固着
することができる。
り、接着強度を増加させることができる。すなわち、チ
ップ部品１０が、エポキン樹脂と有機酸を主成分とする
フラックス入りの半田を塗工し、所定の熱処理条件でリ
ードフレーム１へ固着させることにより、通常のロジン
を主成分とするフラックス入り半田付けでは必要であっ
た半田付け後の洗浄を行うこと無しに、ワイヤーボンデ
ィングやモールドなどの後工程を行うことができる。さ
らに、硬化したエポキシにより、通常よりも強固に固着
することができる。
【００９７】（試作例２）次に、試作例について説明す
る。このようにして作製した半導体パワーモジュールを
用いたインバータ回路について、動作試験を行った。
る。このようにして作製した半導体パワーモジュールを
用いたインバータ回路について、動作試験を行った。
【００９８】ここで、インバータ回路の動作試験条件
は、ＩＧＢＴベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵
抗素子を各々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭
載させた６００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、
定格の１２０％印加で３０分の運転を行った。
は、ＩＧＢＴベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵
抗素子を各々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭
載させた６００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、
定格の１２０％印加で３０分の運転を行った。
【００９９】その合否の判定は、別の制御回路により、
３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取り出され
ているか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間中一
定であるか否かによって判断した。その結果、半導体パ
ワーモジュールとしての特性を十分に満足していること
が確認された。
３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取り出され
ているか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間中一
定であるか否かによって判断した。その結果、半導体パ
ワーモジュールとしての特性を十分に満足していること
が確認された。
【０１００】［第５の例］本発明の第５の実施の形態
を、図１３に基づいて説明する。なお、前述した各例と
同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付
す。
を、図１３に基づいて説明する。なお、前述した各例と
同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付
す。
【０１０１】本例では、図１３に示すように、リードフ
レーム１において、形状打ち抜き時にチップ部品１０が
橋渡し搭載されるくし型形状端８ａ，８ｂに、ハーフプ
レスによって段差状の薄板部１５を形成したものであ
る。
レーム１において、形状打ち抜き時にチップ部品１０が
橋渡し搭載されるくし型形状端８ａ，８ｂに、ハーフプ
レスによって段差状の薄板部１５を形成したものであ
る。
【０１０２】そして、リードフレーム１の所定位置、す
なわち、フレーム本体部２，３，４，５上の部品搭載領
域Ａとくし型形状端８とに、クリーム半田をディスペン
サーで塗工した。
なわち、フレーム本体部２，３，４，５上の部品搭載領
域Ａとくし型形状端８とに、クリーム半田をディスペン
サーで塗工した。
【０１０３】この塗工後、リードフレーム１上の部品搭
載領域Ａに半導体素子１１を配置し、さらに、各々２本
のくし型形状端８ａ，８ｂの段差状の薄板部１５にゲー
ト抵抗とサーミスタとからなるチップ部品１０を橋渡し
させて配置した。その後の工程は、前述した第４の例と
同様に行うことができる。
載領域Ａに半導体素子１１を配置し、さらに、各々２本
のくし型形状端８ａ，８ｂの段差状の薄板部１５にゲー
ト抵抗とサーミスタとからなるチップ部品１０を橋渡し
させて配置した。その後の工程は、前述した第４の例と
同様に行うことができる。
【０１０４】このように、リードフレーム１において、
チップ部品１０が橋渡し搭載されるくし型形状端８を予
め段差状の薄板部１５に形成しておくことにより、半田
付け時の表面張力でセルファライメントされ、微小のチ
ップ部品を正確に搭載することができる。
チップ部品１０が橋渡し搭載されるくし型形状端８を予
め段差状の薄板部１５に形成しておくことにより、半田
付け時の表面張力でセルファライメントされ、微小のチ
ップ部品を正確に搭載することができる。
【０１０５】（試作例３）次に、試作例について説明す
る。このようにして作製した半導体パワーモジュールを
用いたインバータ回路について、動作試験を行った。
る。このようにして作製した半導体パワーモジュールを
用いたインバータ回路について、動作試験を行った。
【０１０６】ここで、インバータ回路の動作試験条件
は、ＩＧＢＴベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵
抗素子を各々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭
載させた６００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、
定格の１２０％印加で３０分の運転を行った。
は、ＩＧＢＴベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵
抗素子を各々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭
載させた６００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、
定格の１２０％印加で３０分の運転を行った。
【０１０７】その合否の判定は、別の制御回路により、
３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取り出され
たか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間中一定で
あるか否かによって判断した。その結果、半導体パワー
モジュールとしての特性を十分に満足していることが確
認された。
３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取り出され
たか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間中一定で
あるか否かによって判断した。その結果、半導体パワー
モジュールとしての特性を十分に満足していることが確
認された。
【０１０８】［第６の例］本発明の第６の実施の形態
を、図１４に基づいて説明する。なお、前述した各例と
同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付
す。
を、図１４に基づいて説明する。なお、前述した各例と
同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付
す。
【０１０９】本例では、図１４に示すように、リードフ
レーム１において、チップ部品１０が橋渡し搭載される
くし型形状端８の領域を、フレーム本体部２，３，４，
５上の部品搭載領域Ａに対して、高さｈだけ高くなるよ
うに段差を付けたものである。段差としては、通常ｈ＝
１ｍｍ〜５ｍｍの範囲であるが、図１４ではｈ＝２ｍｍ
に設定した。
レーム１において、チップ部品１０が橋渡し搭載される
くし型形状端８の領域を、フレーム本体部２，３，４，
５上の部品搭載領域Ａに対して、高さｈだけ高くなるよ
うに段差を付けたものである。段差としては、通常ｈ＝
１ｍｍ〜５ｍｍの範囲であるが、図１４ではｈ＝２ｍｍ
に設定した。
【０１１０】このような段差は、リードフレーム１を所
定形状に打ち抜いた後、チップ部品１０が橋渡し搭載さ
れる部分を曲げ加工を行うことによって簡単に実現でき
る。なお、その後の工程は、前述した第４の例と同様に
行うことができる。ただし、１７５℃での粘度が１５Ｐ
ａ・ｓと８０Ｐａ・ｓと異なる２種類の成形樹脂５２を
準備し、トランスファ成形機を使用して、１７５℃で２
分間のトランスファ成形を行うことによって樹脂をモー
ルドした。
定形状に打ち抜いた後、チップ部品１０が橋渡し搭載さ
れる部分を曲げ加工を行うことによって簡単に実現でき
る。なお、その後の工程は、前述した第４の例と同様に
行うことができる。ただし、１７５℃での粘度が１５Ｐ
ａ・ｓと８０Ｐａ・ｓと異なる２種類の成形樹脂５２を
準備し、トランスファ成形機を使用して、１７５℃で２
分間のトランスファ成形を行うことによって樹脂をモー
ルドした。
【０１１１】一般に、半導体パワーモジュールでは、運
転時に発熱を伴うパワー半導体チップ部分について、放
熱を良くするため、リードフレーム１直下のヒートシン
クまでの絶縁樹脂層５１を薄くする必要がある。しかし
ながら、リードフレーム１の２本のくし型形状端８上に
橋渡し搭載されてチップ部品が固着された構造では、チ
ップ部品１０の裏面のリードフレーム１との間に隙間部
分ができ、樹脂の充填が困難であり、その結果、隙間の
発生を防ぐためフロー性の優れた高価な成形樹脂を使う
必要があった。
転時に発熱を伴うパワー半導体チップ部分について、放
熱を良くするため、リードフレーム１直下のヒートシン
クまでの絶縁樹脂層５１を薄くする必要がある。しかし
ながら、リードフレーム１の２本のくし型形状端８上に
橋渡し搭載されてチップ部品が固着された構造では、チ
ップ部品１０の裏面のリードフレーム１との間に隙間部
分ができ、樹脂の充填が困難であり、その結果、隙間の
発生を防ぐためフロー性の優れた高価な成形樹脂を使う
必要があった。
【０１１２】しかし、本例のように、リードフレーム１
を、チップ部品１０が橋渡し搭載されるくし型形状端８
の領域を、半導体素子１１が搭載される部分よりも一段
高く設定することにより、フロー性の優れた高価な成形
樹脂を使う必要がなく、低コストな成形樹脂を使用する
ことが可能となった。
を、チップ部品１０が橋渡し搭載されるくし型形状端８
の領域を、半導体素子１１が搭載される部分よりも一段
高く設定することにより、フロー性の優れた高価な成形
樹脂を使う必要がなく、低コストな成形樹脂を使用する
ことが可能となった。
【０１１３】（試作例４）次に、試作例について説明す
る。このようにして作製した半導体パワーモジュールを
用いたインバータ回路について、動作試験を行った。
る。このようにして作製した半導体パワーモジュールを
用いたインバータ回路について、動作試験を行った。
【０１１４】ここで、インバータ回路の動作試験条件
は、ＩＧＢＴベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵
抗素子を各々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭
載させた６００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、
定格の１２０％印加で３０分の運転を行った。
は、ＩＧＢＴベアチップ、ＦＷＤベアチップ、ゲート抵
抗素子を各々６チップと、サーミスタ素子１チップを搭
載させた６００Ｖ・２０Ａ定格のモジュールにおいて、
定格の１２０％印加で３０分の運転を行った。
【０１１５】その合否の判定は、別の制御回路により、
３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取り出され
ているか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間中一
定であるか否かによって判断した。
３相のアウトプットの電流・電圧が安定して取り出され
ているか否か、暴走や短絡がなく、かつ、運転時間中一
定であるか否かによって判断した。
【０１１６】その結果、粘度の違うどちらの樹脂を用い
たものでも、半導体パワーモジュールとしての特性を十
分に満足していることが確認された。
たものでも、半導体パワーモジュールとしての特性を十
分に満足していることが確認された。
【０１１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一体して切断可能な直線状の共通切断片と、共通切断片
からフレーム内部に略直角方向に延在された同一棒状を
なす複数のくし型形状端と、各くし型形状端の延長線上
に電極パッドが配置できるように形成された部品搭載領
域とを有するリードフレームを構成したので、くし型形
状端の延長線上にチップ部品および半導体素子を配置
し、そのライン方向に沿ってワイヤーボンディングを単
純に行うことが可能となり、製造工程の単純化を図るこ
とができる。
一体して切断可能な直線状の共通切断片と、共通切断片
からフレーム内部に略直角方向に延在された同一棒状を
なす複数のくし型形状端と、各くし型形状端の延長線上
に電極パッドが配置できるように形成された部品搭載領
域とを有するリードフレームを構成したので、くし型形
状端の延長線上にチップ部品および半導体素子を配置
し、そのライン方向に沿ってワイヤーボンディングを単
純に行うことが可能となり、製造工程の単純化を図るこ
とができる。
【０１１８】また、本発明によれば、リードフレームの
くし型形状端の延長線上で、チップ部品と半導体素子と
のワイヤーボンディングを行い、モールド後にリードフ
レームの共通切断片を除去することによってくし型形状
端を入出力用端子として形成したので、チップ部品、半
導体部品の接着作業、ワイヤー接続作業、端子切断作業
を単純化して、作業効率および歩留まりを向上させるこ
とが可能な、半導体パワーモジュールの製造方法を提供
できる。
くし型形状端の延長線上で、チップ部品と半導体素子と
のワイヤーボンディングを行い、モールド後にリードフ
レームの共通切断片を除去することによってくし型形状
端を入出力用端子として形成したので、チップ部品、半
導体部品の接着作業、ワイヤー接続作業、端子切断作業
を単純化して、作業効率および歩留まりを向上させるこ
とが可能な、半導体パワーモジュールの製造方法を提供
できる。
【０１１９】さらに、本発明によれば、上記リードフレ
ームと、上記製造方法とを用いて、板状金属からなるヒ
ートシンク上に絶縁層を介してリードフレームを備えた
モジュールを構成したので、微小なチップ部品を内蔵し
ても、ノイズ等に対する熱的特性および電気的特性に優
れた半導体パワーモジュールを作製することができる。
ームと、上記製造方法とを用いて、板状金属からなるヒ
ートシンク上に絶縁層を介してリードフレームを備えた
モジュールを構成したので、微小なチップ部品を内蔵し
ても、ノイズ等に対する熱的特性および電気的特性に優
れた半導体パワーモジュールを作製することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態である、リードフレ
ームの構成を示す平面図である。
ームの構成を示す平面図である。
【図２】リードフレーム１の電極パッドの位置を示す平
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態である、半導体パワ
ーモジュールの基本的製造方法を示すフローチャートで
ある。
ーモジュールの基本的製造方法を示すフローチャートで
ある。
【図４】半導体パワーモジュールの製造方法の具体例を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図５】炉組み用のカーボン治具の構成例を示すもので
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図６】チップ部品の実装された構造を示す断面図であ
る。
る。
【図７】チップ部品を実装したリードフレームの平面図
である。
である。
【図８】ワイヤーボンディングの接続順序を示す説明図
である。
である。
【図９】本発明の第３の実施の形態である、半導体パワ
ーモジュールのレイアウト例を示す平面図である。
ーモジュールのレイアウト例を示す平面図である。
【図１０】半導体パワーモジュールの共通切断片除去後
の構成例を示す平面図である。
の構成例を示す平面図である。
【図１１】図１０の断面図である。
【図１２】図１０に対応した半導体パワーモジュールの
回路構成を示す回路図である。
回路構成を示す回路図である。
【図１３】本発明の第５の実施の形態である、リードフ
レームのくし型形状端に形成されたチップ部品搭載用の
凹部を示す側面図である。
レームのくし型形状端に形成されたチップ部品搭載用の
凹部を示す側面図である。
【図１４】本発明の第６の実施の形態である、リードフ
レームのくし型形状端を一段高くした形状を示す半導体
モジュールの断面図である。
レームのくし型形状端を一段高くした形状を示す半導体
モジュールの断面図である。
【図１５】従来の半導体モジュールの製造方法を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
１ リードフレーム
２，３，４，５ フレーム本体部
６ 接続片
７ 共通切断片
８，８ａ，８ｂ くし型形状端
９ 電極パッド
１０ チップ部品
１１ 半導体素子（ＩＧＢＴ）
１２ ＦＷＤ
２０ カーボン治具
２１，２２ 深掘部分
２３ 浅掘部分
５０ ヒートシンク
５１ 絶縁樹脂層
５２ 成形樹脂
６０ ワイヤー
Claims (7)
- 【請求項１】 チップ部品を搭載可能なリードフレーム
であって、 該フレームの一側端に設けられ、一体して切断可能な直
線状の共通切断片と、 前記共通切断片からフレーム内部に略直角方向に延在さ
れ、チップ部品を橋渡し搭載するために同一棒状をなす
複数のくし型形状端と、 前記各くし型形状端と対向するフレーム内部に設けら
れ、該各くし型形状端の延長線上に電極パッドが配置で
きるように形成された部品搭載領域とを具え、 ここで、前記各くし型形状端は、 前記チップ部品を橋渡し搭載するために一定間隔で配列
されると共に、該チップ部品が橋渡しされる一方のくし
型形状端は外部回路への入出力用端子とされ、かつ、該
チップ部品が橋渡しされる他方のくし型形状端は前記フ
レーム内部の電極パッドと延長線上でワイヤー接続さ
れ、 前記共通切断片は、 前記チップ部品を橋渡し搭載前は前記各くし型形状端を
共通接続し、かつ、前記チップ部品を橋渡し搭載後は切
断されて前記各くし型形状端を入出力用端子としたこと
を特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 リードフレームを用いて、半導体パワー
モジュールを製造する方法であって、 請求項１記載のリードフレームの共通切断片に設けられ
た複数のくし型形状端の延長線上に、半導体電子部品を
電気的に接続するための電極パッドが位置するように位
置合わせを行う接続位置調整工程と、 前記各くし型形状端と該くし型形状端の延長線上に位置
する前記電極パッドとの間、および、該延長線上に位置
する電極パッド間で、接続ワイヤーを用いて延長線方向
に沿って順次電気的接続を行う配線工程と、 ヒートシンク上に絶縁樹脂層を介して、前記電極パッド
が位置合わせされた前記リードフレームを設けるフレー
ム接合工程と、 成形樹脂を用いて、前記リードフレームの前記共通切断
片の領域を除くフレーム内部領域をモールドする封止工
程と、 前記モールドされていない共通切断片を除去して、前記
各くし型形状端を入出力用端子として形成する切断片除
去工程とを具えたことを特徴とする半導体パワーモジュ
ールの製造方法。 - 【請求項３】 前記部品搭載工程は、 前記チップ部品が、エポキン樹脂と有機酸を主成分とす
るフラックス入りの半田を塗工し、所定の熱処理条件で
前記リードフレームへ固着させる工程を含むことを特徴
とする請求項２記載の半導体パワーモジュールの製造方
法。 - 【請求項４】 前記リードフレームの一部に、 前記チップ部品を搭載するための段差状の薄板部を形成
したことを特徴とする請求項２又は３記載の半導体パワ
ーモジュールの製造方法。 - 【請求項５】 前記リードフレームの前記チップ部品の
搭載位置が、前記フレーム内部に搭載される前記半導体
電子部品の搭載位置よりも一段高くなるように、該フレ
ーム形状を形成したことを特徴とする請求項２ないし４
のいずれかに記載の半導体パワーモジュールの製造方
法。 - 【請求項６】 板状金属からなるヒートシンクと、 前記ヒートシンク上に絶縁層を介して設けられた請求項
１記載のリードフレームと、 前記リードフレームを構成するくし型形状端間に橋渡し
搭載されたチップ部品とを具えたことを特徴とする半導
体パワーモジュール。 - 【請求項７】 前記チップ部品は、抵抗、サーミスタ、
コンデンサ、又は、サージアブソーバからなり、 前記チップ部品が搭載される前記リードフレームのくし
型形状端は、インバータ又は電源装置からなる外部回路
の入出力端子と接続される大きさの形状を有することを
特徴とする請求項６記載の半導体パワーモジュール。
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