JP6120704B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は半導体装置に関し、特に片側から放熱する構造の半導体装置に関する。
近年、省エネエネルギーを目的としたパワーエレクトロニクスは、大きな発展が期待されている。パワー半導体素子をパッケージングした半導体装置であるパワーモジュールは、パワーエレクトロニクス装置の心臓部として採用され、その発展に大いに寄与している。
パワーモジュールの現在の主流は、パワー半導体素子として、シリコンを基材とするIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)と、ダイオードを基本構成とするものである。パワー半導体素子は、時代とともに改良がなされてきた。しかし、パワーエレクトロニクスの更なる発展のためには、より大きな電流を確実に制御可能とする要求がある。その要求を満たす方法として一番有力なのが、パワー素子の基材をシリコンからシリコンカーバイド(SiC)に変更することである。SiCは、材料自体の絶縁耐圧が大きいことと、300℃の高温でも熱暴走することなく動作可能であること、そして、同一電流密度で比較すると動作時の発生損失がシリコンの約10分の1になることから、パワーモジュールへの適用が要望されている。
一般的なパワーモジュールの裏面側には銅など良熱伝導材で構成されたベース板が露出している。ベース板はネジなどの締結材で機械的に放熱フィンと接合される。放熱フィンはアルミや銅で構成される。また、ベース板と放熱フィンの間には、接触熱抵抗を下げるために放熱グリースが塗布される。
パワーモジュールを動作させると、パワー半導体素子の損失(電流と電圧の積)として熱が発生する。この熱は、ベース板を介して放熱フィンより外部へ放散される。このように、パワーモジュールの裏面側から放熱する構造においては、パワー半導体素子で発生する熱を、ベース板にいかに効率良く伝えるかが重要となる。
パワーモジュールは、基本的には絶縁構造をとっているために、通常ベース板の上部に絶縁層(絶縁基板や絶縁シート)を有している。絶縁層は一般的に熱抵抗が大きいため、この部分において放熱が悪くなる。この問題を解決するために、絶縁層自体の熱伝導率を大きくしたり、厚みを薄くするなどの対応がとられてきた。
例えば特許文献1では、半導体素子の下側および上側の両側に放熱板を設けることにより、効率よく放熱を行っている。
特開2000−174180号公報
しかし、絶縁基板自体の熱伝導率を大きくすることは、素材自体が非常に高価となるため、コストが高くなるという問題があった。また、絶縁基板の厚みを薄くすることは、絶縁基板の許容強度が低下するために、絶縁基板が割れ、絶縁耐圧が不足するという問題があった。
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、コストおよび絶縁耐圧を犠牲にすることなく放熱性を高めた半導体装置の提供を目的とする。
本発明に係る半導体装置は、ベース板と、ベース板の上面に設けられた絶縁層と、絶縁層上面に設けられた金属パターンと、金属パターンと接合された半導体素子と、半導体素子上面に接触又は接合して配置された絶縁基板と、を備え、絶縁基板の端部は、平面視で半導体素子よりも外側に来ており、絶縁基板の端部と金属パターンとは、直接または間接的に接合されており、半導体素子は上面に複数の電極を備え、絶縁基板の、半導体素子の上面の複数の電極のそれぞれと平面視重なる部分には、貫通穴が設けられることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置は、ベース板と、ベース板の上面に設けられた絶縁層と、絶縁層上面に設けられた金属パターンと、金属パターンと接合された半導体素子と、半導体素子上面に接触又は接合して配置された絶縁基板と、を備え、絶縁基板の端部は、平面視で半導体素子よりも外側に来ており、絶縁基板の端部と金属パターンとは、直接または間接的に接合されており、半導体素子は上面に電極を備え、絶縁基板の、半導体素子の上面の電極と平面視重なる部分には、貫通穴が設けられ、金属パターン上面に設けられた金属枠をさらに備え、金属枠は半導体素子を平面視で囲むように設けられ、絶縁基板の端部と金属パターンとは、金属枠を介して接合されていることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置は、ベース板と、ベース板の上面に設けられた絶縁層と、絶縁層上面に設けられた金属パターンと、金属パターンと接合された半導体素子と、半導体素子上面に接触又は接合して配置された絶縁基板と、を備え、絶縁基板の端部は、平面視で半導体素子よりも外側に来ており、絶縁基板の端部と金属パターンとは、直接または間接的に接合されており、半導体素子は上面に電極を備え、絶縁基板の、半導体素子の上面の電極と平面視重なる部分には、貫通穴が設けられ、絶縁基板の端部は金属パターンに向かって略垂直に延在しており、絶縁基板の端部は金属パターンと直接接合されていることを特徴とする。
本発明における半導体装置によれば、半導体素子下面からの放熱に加えて、絶縁基板および絶縁基板と接合された金属パターンを介して、半導体素子上面からの放熱が可能である。このように、半導体素子の動作に伴って発生する熱を、半導体素子の下面と上面の両側から熱伝導によりベース板に伝熱することができる。つまり、ベース板に接触させた放熱フィンにより放熱を行う従来の方式において、絶縁性を犠牲にすることなく、より効率良く放熱を行うことが可能となる。よって、半導体素子の温度上昇をより抑えることができ、従来と同一の半導体素子のサイズで、より大きな電流を流すことが可能となる。言い換えれば、半導体素子の動作電流密度(単位は例えば[A/cm])を大きくすることができる。また、従来と同一の動作電流で動作させる場合は、従来よりも半導体素子のサイズを小型化できることになる。これにより半導体装置(パワーモジュール)全体のサイズの小型化が可能となる。さらに、低コスト化も図ることができる。
実施の形態1に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態2に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態3に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態3に係る半導体装置の別の例の断面図である。 実施の形態4に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態5に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態6に係る半導体装置の断面図である。 前提技術に係る半導体装置の断面図である。
<前提技術>
本発明の実施の形態を説明する前に、本発明の前提となる技術について説明する。図8に前提技術としての半導体装置50の断面図を示す。半導体装置50は、ベース板1と、ベース板1の上面に設けられた絶縁層2と、絶縁層2の上面に設けられた金属パターン3とを備える。半導体装置50はさらに、金属パターン3上にはんだ4を介して接合された半導体素子7と、金属パターン3上にはんだ4を介して接合された主電極端子5および信号端子6とを備える。半導体素子7の上面に備わる電極と金属パターン3とは、金属ワイヤ8a,8bにより接続されている。
また、半導体装置50はさらに、半導体装置50筐体としてのケース9を備える。図8に示すように、ケース9は絶縁層2に対して隙間無く固定されており、金属パターン3、半導体素子7、主電極端子5および金属ワイヤ8a,8bを囲んでいる。ケース9内部には、封止樹脂16として例えば、シリコンゲルやエポキシ樹脂などが充填されている。
半導体素子7が動作すると、電流と電圧が発生し、この積により動作損失が発生する。この動作損失はほとんどが熱に変換される。半導体素子7の上面に備わる電極には、アルミや銅などの良導電性の金属ワイヤ8a,8bが接続され、電流が取り出される。半導体素子7において発生した熱は、半導体素子7の下面から、接合されている金属パターン3および絶縁層2を介して、ベース板1に放熱される。ベース板1は図示しない放熱フィンと接触しており、半導体素子7の熱は最終的に放熱フィンから放熱される。しかし、前述のように、絶縁層2の放熱性が問題となる。
<実施の形態1>
<構成>
図1に本実施の形態における半導体装置100の断面図を示す。半導体装置100は、ベース板1と、ベース板1の上面に設けられた絶縁層2と、絶縁層2上面に設けられた金属パターン3とを備える。ここで、絶縁層2は絶縁基板または絶縁シートである。また、金属パターン3は銅やアルミなどの良伝熱材からなる。また、この金属パターン3表面には、はんだ付けやAg接合等に最適な表面処理(例えばNiメッキやAuメッキ)が施されることもある。
半導体装置100はさらに、金属パターン3とはんだ4又はAg接合により接合された半導体素子7と、半導体素子7上面に接触して配置された絶縁基板11とを備える。ここで、半導体素子7は例えばIGBTパワー半導体素子である。絶縁基板11は窒化アルミニウム(AlN)等の高熱伝導率を有する絶縁材料からなる。
半導体素子7はさらに、金属パターン3上面に設けられた金属枠10を備え、金属枠10は半導体素子7を平面視で囲むように設けられている。金属枠10は、銅などの良熱伝導金属であり、金属パターン3上面にはんだ4又はAg接合を介して接合されている。また、この金属枠10には、はんだ付けやAg接合等に最適な表面処理(例えばNiメッキやAuメッキ)が施されることもある。
絶縁基板11の端部11bは、平面視で半導体素子7よりも外側に来ており、絶縁基板11の端部11bと金属パターン3とは、金属枠10を介して間接的に接合されている。なお、絶縁基板11の端部11bには、はんだ付けやAg接合等に最適な表面処理(例えばNiメッキやAuメッキ)が施されることもある。
半導体素子7は上面に電極(例えば、主電極と制御電極)を備えている。絶縁基板11の、半導体素子7の上面の電極と平面視重なる部分には貫通穴11aが設けられている。図1に示すように、この貫通穴11aを通して、金属ワイヤ8a,8bにより、半導体素子7上面の電極と金属パターン3とが接続されている。つまり、金属ワイヤ8aによって、主電極端子5が接合されている金属パターン3と半導体素子7上面の主電極とが接続されている。なお、主電極は中継端子5aを介して金属パターン3に接続されている。
また、金属ワイヤ8bによって、信号端子6が接合されている金属パターン3と半導体素子7上面の制御電極とが接続されている。ここで、金属ワイヤ8a,8bは、アルミや銅などの良導電性の金属からなる。なお、主電極端子5と信号端子6の一部は、ケース9外部に露出している。
ケース9は絶縁層2に対して隙間無く固定されており、金属パターン3、半導体素子7、主電極端子5、信号端子6および金属ワイヤ8a,8bを囲んでいる。ケース9内部には、封止樹脂16として例えば、シリコンゲルが充填されている。
<動作>
半導体素子7が動作すると、電流と電圧が発生し、この積により動作損失が発生する。この動作損失はほとんどが熱に変換される。半導体素子7の上面には、アルミや銅などの良導電性の金属ワイヤ8a,8bが接続され、絶縁基板11の貫通穴11aを通して電極から電流が取り出される。半導体素子7において発生した熱は、半導体素子7の下面から、接合されている金属パターン3および絶縁層2を介して、ベース板1に放熱される。
一方、半導体素子7の上面には、AlNなどの高熱伝導率を有する絶縁基板11が接触しており、この絶縁基板11にも熱が伝導される。この絶縁基板11に伝導された熱は、絶縁基板11の端部11bが金属枠10の上面と接合されているため、この部分から金属パターン3および絶縁層2を介してベース板1に放熱される。
なお、主電極端子5と信号端子6は、ケース9内に電極を組み込み、アルミや銅などの良導電性の金属ワイヤ8a,8bで接続してケースの外部に露出させる。また、金属パターン3上に銅などの良導電性の筒状のソケットなどの外部電極の一部になる部材(例えば中継端子5a)を設け、プレスフィットやはんだ又はAg接合などにより、例えば主電極端子5と中継端子5aとを接合して、外部に露出させる。
また、半導体素子7として、SiCを基材とするパワー半導体素子、例えばSiC−MOSFETやSiC−SBD(ショットキーバリアダイオード)等を搭載することも可能である。SiCを基材とするパワー半導体素子は、材料の特性からSiを基材とするパワー半導体素子に比べてより高温での動作が可能となる。
本実施の形態(半導体装置100)のように、半導体素子7の上面からもモジュールの下部に構成されるベース板1への放熱が可能となることにより、前提技術(半導体装置50)の構造よりも、より多くの電流を流すことが可能となる。半導体素子7をSiCとすることにより、半導体素子7をSiとした場合と比較して、半導体素子7のサイズをより小型化することが可能となる。従って、半導体装置100(パワーモジュール)を小型化できる。
また、一般に、SiCを基材とする半導体素子は、Siを基材とする場合と比較して、Siの通常動作温度である150℃程度において、動作損失が10分の1程度になる。つまり、SiCを基材とする半導体素子は動作損失が少ないため、半導体素子の温度上昇は抑制される。本実施の形態における半導体装置100によれば、半導体素子7の放熱性が向上するため、放熱フィンの小型化が可能となる。放熱フィンの小型化により、インバータなどのパワーエレクトロニクス機器のサイズ小型化が可能である。つまり、パワー密度[W/cm]が向上する。
また、本実施の形態における半導体装置100は、絶縁基板11が半導体素子7上に接合されているため電気回路上は何ら追加されない。よって、絶縁基板11の追加は、半導体装置100(パワーモジュール)の電気的特性に影響を与えない。
なお、ケース9内部には封止樹脂16としてシリコンゲルが充填されているとしたが、エポキシ樹脂などを用いて、樹脂ポッティングにより封止してもよい。トランスファーモールド法により樹脂封止する場合は、外形を決定するための金型が必要なため、サイズ(外形)の異なる半導体装置ごとに金型を用意する必要がある。一方、樹脂ポッティングによる封止方法であれば、ケース9を設けることで、金型が不要となり、製造コストの低減および製造時間の短縮が可能である。樹脂ポッティングはトランスファーモールドのように高圧で樹脂を注入するわけではないので、各構成部材への密着は劣るものの、硬化後は各構成部材の接合部を封止樹脂16で拘束することができる。よって、半導体素子7の動作に伴う発熱時に、各構成部材の熱膨張係数の差により発生する歪みを拘束することがでる。接合部における熱応力を低減できることにより、信頼性の高い半導体装置100を実現することができる。また、半導体素子7にSiCを用いた場合には、より高温動作が可能となるため、接合部における熱応力を低減できることは、より大きな効果を持つ。
<効果>
本実施の形態における半導体装置100は、ベース板1と、ベース板1の上面に設けられた絶縁層2と、絶縁層2上面に設けられた金属パターン3と、金属パターン3と接合された半導体素子7と、半導体素子7上面に接触して配置された絶縁基板11と、を備え、絶縁基板11の端部11bは、平面視で半導体素子7よりも外側に来ており、絶縁基板11の端部11bと金属パターン3とは、直接または間接的に接合されており、半導体素子7は上面に電極を備え、絶縁基板11の、半導体素子7の上面の電極と平面視重なる部分には、貫通穴11aが設けられることを特徴とする。
従って、本実施の形態における半導体装置100は、半導体素子7下面からの放熱に加えて、絶縁基板11および絶縁基板11と接合された金属パターン3を介して、半導体素子7上面からの放熱が可能である。このように、半導体素子7の動作に伴って発生する熱を、半導体素子7の下面と上面の両側から熱伝導によりベース板1に伝熱することができる。つまり、ベース板1に接触させた放熱フィンにより放熱を行う従来の方式において、絶縁性を犠牲にすることなく、より効率良く放熱を行うことが可能となる。よって、半導体素子7の温度上昇をより抑えることができ、従来と同一の半導体素子7のサイズで、より大きな電流を流すことが可能となる。言い換えれば、半導体素子7の動作電流密度(単位は例えば[A/cm])を大きくすることができる。また、従来と同一の動作電流で動作させる場合は、従来よりも半導体素子7のサイズを小型化できることになる。これにより半導体装置100(パワーモジュール)全体のサイズの小型化が可能となる。さらに、低コスト化も図ることができる。
また、本実施の形態における半導体装置100は、金属パターン3上面に設けられた金属枠10をさらに備え、金属枠10は半導体素子7を平面視で囲むように設けられ、絶縁基板11の端部11bと金属パターン3とは、金属枠10を介して接合されていることを特徴とする。
従って、熱伝導性に優れた金属で金属枠10を構成すれば、絶縁基板11の熱を効率よく金属パターン3に伝えることが可能となる。
また、本実施の形態における半導体装置100は、絶縁層2上面に隙間無く固定され、金属パターン3、半導体素子7および絶縁基板11を囲むケース9をさらに備え、ケース9には、封止樹脂16が充填されていることを特徴とする。
従って、ケース9を備えることにより、樹脂封止工程をポッティングにより行うことが可能となる。ポッティングによる樹脂封止は、トランスファーモールド法よりも簡単な設備で実現できるため、半導体装置100を少量生産する場合であっても、生産コストを抑制することが可能である。
<実施の形態2>
図2に、本実施の形態における半導体装置200の断面図を示す。半導体装置200は、半導体装置100に対して金属枠10を備えず、絶縁基板11の構造が異なる。半導体装置200において絶縁基板11の端部11bは、金属パターン3に向かって略垂直に延在している。さらに、絶縁基板11の端部11bと金属パターン3とは、はんだ4又はAg接合により直接接合されている。その他の構成は半導体装置100(図1)と同じため、説明を省略する。
<効果>
本実施の形態における半導体装置200において、絶縁基板11の端部11bは金属パターン3に向かって略垂直に延在しており、絶縁基板11の端部11bは金属パターン3と直接接合されていることを特徴とする。
従って、実施の形態1で述べた効果に加えて、絶縁基板11を直接金属パターンに接合する構造とすることで、半導体素子7上面から金属パターン3までの放熱経路をより短くすることができる。よって、放熱性の向上とともに、放熱のためのスペースを小さくすることができるので、半導体装置200を小型化することが可能である。
<実施の形態3>
図3に、本実施の形態における半導体装置300の断面図を示す。実施の形態1(図1)では、半導体素子7上面の電極と金属パターン3とは金属ワイヤ8a,8bにより接続されていた。一方、本実施の形態では、半導体素子7上面の主電極と金属パターン3とは、金属ワイヤ8aの代わりに金属端子12によって接続される。また、本実施の形態では、半導体素子7上面の制御電極と金属パターン3とは、金属ワイヤ8bの代わりに信号端子6によって接続される。
金属端子12の一端と半導体素子7上面の主電極とは、絶縁基板11の貫通穴11aに充填されたはんだ又はAg接合により接合されている。また、金属端子12の他端は、金属パターン3とはんだ4もしくはAg接合により接合されている。図3に示すように、金属端子12と絶縁基板11が平面視重なる領域において、金属端子12と絶縁基板11上面とは接触している。なお、金属端子12は、銅やアルミなどの良導電性材料である。また、金属端子12には、はんだ付けやAg接合等に最適な表面処理(例えばNiメッキやAuメッキ)が施されることもある。
実施の形態1においては、信号端子6は金属パターン3と金属ワイヤ8bを介して半導体素子7上面の制御電極と接続されていた。一方、本実施の形態では、信号端子6は半導体素子7上面の制御電極と接続される。
信号端子6の一端と半導体素子7上面の制御電極とは、絶縁基板11の貫通穴11aに充填されたはんだ又はAg接合により接合されている。また、信号端子6の他端はケース9の外に露出している。半導体装置300のその他の構成は実施の形態1(図1)と同じため説明を省略する。
<動作>
半導体素子7で発生した熱は半導体素子7の下面から、金属パターン3および絶縁層2を介して、銅などの良熱伝導材で構成されたベース板1に放熱される。一方、半導体素子7の上面には、AlNなどの高熱伝導率を有する絶縁基板11が接触しており、この絶縁基板11にも熱が伝導される。本実施の形態ではさらに、金属端子12が絶縁基板11に接触しており、この金属端子12は金属パターン3に接合されている。よって、絶縁基板11の熱をより効率よくベース板1に伝えることが可能である。
なお、本実施の形態では、実施の形態1の半導体装置100(図1)に対して上述した変更を加えて半導体装置300を得たが、実施の形態2の半導体装置200(図2)に対して同様の変更を加えて、半導体装置400(図4)を得てもよい。
また、本実施の形態における半導体装置300は、絶縁基板11が半導体素子7上に接合されているため電気回路上は何ら追加されない。さらに、絶縁基板11の上部に金属端子12が配置されても、金属端子12は半導体素子7上面の電極と同電位となることから、コンデンサも形成されない。よって、絶縁基板11および金属端子12の追加は、半導体装置300(パワーモジュール)の電気的特性に影響を与えない。
<効果>
本実施の形態における半導体装置300は、金属端子12をさらに備え、金属端子12の一端と半導体素子7上面の電極とは貫通穴11aを通して電気的に接合されており、金属端子12の他端は金属パターン3と接合しており、金属端子12と絶縁基板11が平面視重なる領域において、金属端子12と絶縁基板11上面とが接触していることを特徴とする。
従って、金属端子12が絶縁基板11上面と接触し、かつ金属端子12が金属パターン3と接合していることにより、実施の形態1と比較して、半導体素子7から絶縁基板11に伝わった熱がより効率良くにベース板1に伝導される。つまり、半導体素子7において生じた熱をより効率的に放熱することが可能となり、半導体装置300の動作の信頼性が向上する。また、金属ワイヤ8aに代えて金属端子12により接続を行うことにより、より大きな電流を流すことが可能となる。また、特にSiCを基材とする半導体素子7を搭載した場合の高温動作においては、金属ワイヤ8aに代えて金属端子12で接続を行うことにより、パワーサイクル寿命を向上させることが可能である。
<実施の形態4>
<構成>
図5に、本実施の形態における半導体装置500の断面図を示す。本実施の形態における半導体装置500は、実施の形態3で述べた半導体装置400(図4)に対して、複数(例えば2個)の半導体素子7を備える。複数の半導体素子7は1つの電気回路を構成するものである。後述するように、絶縁基板11はこれら複数の半導体素子7に適した格子状の構造を持つ。
絶縁基板11は、実施の形態3と同様、端部11bが金属パターン3に向かって延在しており、端部11bと金属パターン3ははんだ4またはAg接合で接合されている。また、隣接する半導体素子7の間の部分(隣接部11c)において、絶縁基板11は金属パターン3に向かって略垂直に延在しており、延在した部分は、はんだ4またはAg接合により金属パターン3と直接接合されている。つまり、絶縁基板11は、複数の半導体素子7の各々を囲む格子状の枠を形成している。
半導体装置500において、半導体素子7の上面は絶縁基板11と接触している。また、絶縁基板11の、半導体素子7の各々の上面の電極と平面視重なる部分には貫通穴11aが設けられている。半導体素子7の各々の上面の電極と、金属端子12もしくは信号端子6とは、貫通穴11aを通じてはんだまたはAg接合で接続されている。半導体装置500のその他の構成は半導体装置400と同じため、説明を省略する。
<動作>
複数の半導体素子7で発生した熱は、各々の半導体素子7の下面から、金属パターン3および絶縁層2を介してベース板1に放熱される。一方、半導体素子7の上面には絶縁基板11が接触しており、この絶縁基板11にも半導体素子7の熱が伝導される。
また、金属端子12が絶縁基板11に接触しており、絶縁基板11と金属パターン3は、はんだ4またはAg接合などで接合されている。よって、絶縁基板11の熱は金属パターン3および絶縁層2を介してベース板1に伝導される。
また、絶縁基板11の上面の一部と金属端子12とは、貫通穴11aを通じてはんだまたはAg接合で接続されている。よって、絶縁基板11の熱は金属端子12に伝わり、金属パターン3および絶縁層2を介してベース板1に伝導される。
<効果>
本実施の形態における半導体装置500において、半導体素子7は複数であり、絶縁基板11は複数の半導体素子7間で共有され、隣接する半導体素子7の間の部分(隣接部11c)において、絶縁基板11は金属パターン3に向かって略垂直に延在しており、延在した部分は、金属パターン3と直接接合されていることを特徴とする。
従って、複数の半導体素子7を、共通の絶縁基板11の格子状の枠で囲むことにより、複数の半導体素子7の各々を、格子状の枠を通じて均一に放熱することが可能となる。
<実施の形態5>
図6に、本実施の形態における半導体装置600の断面図を示す。半導体装置600において、半導体素子7上面に形成されている電極(例えばIGBTの場合はエミッタ電極、ゲート電極など)と絶縁基板11とは、はんだ4またはAg接合により接合されている。
また、半導体装置600において、絶縁基板11の端部11bと金属枠10上面とは、はんだ4またはAg接合により接合されている。その他の構成は実施の形態3の半導体装置300(図3)と同じため、説明を省略する。
半導体素子7上面の電極と絶縁基板11とをはんだ4またはAg接合により接合することで、単に接触させる場合と比較して、半導体素子7から絶縁基板11へより効率よく熱伝導を行うことが可能である。また、金属枠10と絶縁基板11の端部11bとをはんだ4またはAg接合により接合することで、単に接触させる場合と比較して、絶縁基板11から金属枠10へより効率よく熱伝導を行うことが可能である。
なお、半導体装置100,200,400,500においても、半導体素子7上面の電極と絶縁基板11とをはんだ4またはAg接合により接合することで、上述の効果を得ることが可能である。また、半導体装置100においても、金属枠10と絶縁基板11の端部11bとをはんだ4またはAg接合により接合することで、上述の効果を得ることが可能である。
<効果>
本実施の形態における半導体装置600において、半導体素子7上面の電極と絶縁基板11とは、はんだ4又はAg接合で接合されていることを特徴とする。
従って、半導体素子7上面の電極と絶縁基板11とを、はんだ4又はAg接合で接合することにより、半導体素子7から絶縁基板11への熱伝導がより効率よく行われるため、半導体素子7上部からの放熱性がより向上する。
また、本実施の形態における半導体装置600において、絶縁基板11の端部11bと金属枠10とは、はんだ4又はAg接合で接合されていることを特徴とする。
従って、絶縁基板11の端部11bと金属枠10とを、はんだ4又はAg接合で接合することにより、絶縁基板11から金属枠10への熱伝導がより効率よく行われるため、半導体素子7上部からの放熱性がより向上する。
<実施の形態6>
図7に、本実施の形態における半導体装置700の断面図を示す。半導体装置700において、半導体装置700の主要部分をなす構造部(絶縁層2上面、金属パターン3、半導体素子7、絶縁基板11、金属ワイヤ8a,8b)は、トランスファーモールド法によって、封止樹脂17により封止されていることを特徴とする。
トランスファーモールド法により樹脂封止を行う場合は、外形が金型で決まるため、封止材を内部に保つためのケースは基本的には必要がなくなる。また、トランスファーモールド法の工程においては高圧力で封止樹脂17を金型に注入するために、各構成部材へ封止樹脂17が確実に密着する。よって、封止樹脂17が硬化した時点で、各構成部材を接合している部分の周囲を封止樹脂17で拘束することになる。
従って、半導体素子7の動作に伴う発熱時に、各構成部材の熱膨張係数の差により発生する歪みを拘束することがでる。接合部における熱応力を低減できることにより、信頼性の高い半導体装置700を実現することができる。また、半導体素子7にSiCを用いた場合には、より高温動作が可能となるため、接合部における熱応力を低減できることは、より大きな効果を持つ。
<効果>
本実施の形態における半導体装置700において、絶縁層2上面、金属パターン3、半導体素子7および絶縁基板11はトランスファーモールド法により樹脂封止されていることを特徴とする。
従って、トランスファーモールド法の工程においては高圧力で封止樹脂17を金型に注入するために、各構成部材へ封止樹脂17が確実に密着する。従って、半導体素子7の動作に伴う発熱時に、各構成部材の熱膨張係数の差により発生する歪みを拘束することがでる。接合部における熱応力を低減できることにより、信頼性の高い半導体装置700を実現することができる。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
1 ベース板、2 絶縁層、3 金属パターン、4 はんだ、5 主電極端子、5a 中継端子、6 信号端子、7 半導体素子、8a,8b 金属ワイヤ、9 ケース、10 金属枠、11 絶縁基板、11a 貫通穴、11b 端部、11c 隣接部、12 金属端子、16,17 封止樹脂、50,100,200,300,400,500,600,700 半導体装置。

Claims (10)

  1. ベース板と、
    前記ベース板の上面に設けられた絶縁層と、
    前記絶縁層上面に設けられた金属パターンと、
    前記金属パターンと接合された半導体素子と、
    前記半導体素子上面に接触又は接合して配置された絶縁基板と、
    を備え、
    前記絶縁基板の端部は、平面視で前記半導体素子よりも外側に来ており、
    前記絶縁基板の前記端部と前記金属パターンとは、直接または間接的に接合されており、
    前記半導体素子は上面に複数の電極を備え、
    前記絶縁基板の、前記半導体素子の上面の前記複数の電極のそれぞれと平面視重なる部分には、貫通穴が設けられることを特徴とする、
    半導体装置。
  2. ベース板と、
    前記ベース板の上面に設けられた絶縁層と、
    前記絶縁層上面に設けられた金属パターンと、
    前記金属パターンと接合された半導体素子と、
    前記半導体素子上面に接触又は接合して配置された絶縁基板と、
    を備え、
    前記絶縁基板の端部は、平面視で前記半導体素子よりも外側に来ており、
    前記絶縁基板の前記端部と前記金属パターンとは、直接または間接的に接合されており、
    前記半導体素子は上面に電極を備え、
    前記絶縁基板の、前記半導体素子の上面の前記電極と平面視重なる部分には、貫通穴が設けられ、
    前記金属パターン上面に設けられた金属枠をさらに備え、
    前記金属枠は前記半導体素子を平面視で囲むように設けられ、
    前記絶縁基板の前記端部と前記金属パターンとは、前記金属枠を介して接合されていることを特徴とする、
    導体装置。
  3. ベース板と、
    前記ベース板の上面に設けられた絶縁層と、
    前記絶縁層上面に設けられた金属パターンと、
    前記金属パターンと接合された半導体素子と、
    前記半導体素子上面に接触又は接合して配置された絶縁基板と、
    を備え、
    前記絶縁基板の端部は、平面視で前記半導体素子よりも外側に来ており、
    前記絶縁基板の前記端部と前記金属パターンとは、直接または間接的に接合されており、
    前記半導体素子は上面に電極を備え、
    前記絶縁基板の、前記半導体素子の上面の前記電極と平面視重なる部分には、貫通穴が設けられ、
    前記絶縁基板の前記端部は前記金属パターンに向かって略垂直に延在しており、
    前記絶縁基板の前記端部は前記金属パターンと直接接合されていることを特徴とする、
    導体装置。
  4. 金属端子をさらに備え、
    前記金属端子の一端と前記半導体素子上面の前記電極とは前記貫通穴を通して電気的に接合されており、
    前記金属端子の他端は前記金属パターンと接合しており、
    前記金属端子と前記絶縁基板が平面視重なる領域において、前記金属端子と前記絶縁基板上面とが接触していることを特徴とする、
    請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 前記半導体素子は複数であり、
    前記絶縁基板は前記複数の半導体素子間で共有され、
    隣接する半導体素子の間の部分において、前記絶縁基板は前記金属パターンに向かって略垂直に延在しており、
    延在した部分は、前記金属パターンと直接接合されていることを特徴とする、
    請求項1または請求項3に記載の半導体装置。
  6. 前記半導体素子上面の前記電極と前記絶縁基板とは、はんだ又はAg接合で接合されていることを特徴とする、
    請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 前記絶縁基板の前記端部と前記金属枠とは、はんだ又はAg接合で接合されていることを特徴とする、
    請求項2に記載の半導体装置。
  8. 前記絶縁層上面、前記金属パターン、前記半導体素子および前記絶縁基板はトランスファーモールド法により樹脂封止されていることを特徴とする、
    請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 前記絶縁層上面に隙間無く固定され、前記金属パターン、前記半導体素子および前記絶縁基板を囲むケースをさらに備え、
    前記ケースには、封止樹脂が充填されていることを特徴とする、
    請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 前記絶縁基板の前記半導体素子側の面には、導電パターンが設けられていない、
    請求項1に記載の半導体装置。
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