JPH07161925A - パワーモジュール - Google Patents

パワーモジュール

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JPH07161925A
JPH07161925A JP5309166A JP30916693A JPH07161925A JP H07161925 A JPH07161925 A JP H07161925A JP 5309166 A JP5309166 A JP 5309166A JP 30916693 A JP30916693 A JP 30916693A JP H07161925 A JPH07161925 A JP H07161925A
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JP
Japan
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heat
metal substrate
mos
power module
heat dissipation
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JP5309166A
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English (en)
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Hajime Kato
肇 加藤
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 放熱性の向上によるＭＯＳ−ＦＥＴの素子数
を削減、配線の自由度の向上による各基板の小形化、お
よびシリコンゲル注入量の削減により、コストの低減お
よび小形化を図ったパワーモジュールを得ることを目的
とする。 【構成】 ＭＯＳ−ＦＥＴ５及び抵抗体３からなる発熱
素子は金属放熱板３０上に銅ヒートシンク４及びアルミ
ナ絶縁板１２等を介して半田で接合し、発熱素子３、５
用の回路パターン２１はこの金属放熱板３０の上方に設
けた金属基板２０上に形成した。そして金属基板２０
の、発熱素子３、５の上部に当たる部分にそれぞれ開口
穴２２を設け、これらを介して発熱素子３、５と金属基
板２０をアルミ線６で接続した。また、発熱素子３、５
の周囲を囲むリング１３を金属放熱板３０と金属基板２
０の間に設け、保護材１１を注入した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、モーターの駆動制御
等、比較的大きい電流の制御を行うパワーモジュールに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ここではパワーモジュールの一例とし
て、自動車のパワーステアリングシステムで使用される
モータの駆動制御用のものについて説明する。図７には
このモータの制御回路を概略的に示す。モータＭにはＭ
ＯＳ−ＦＥＴからなる４つのスイッチ５Ａ〜５Ｄを含む
Ｈ型ブリッジ回路が接続されている。そして例えば、ス
イッチ５Ａと５Ｄをオンさせて実線の矢印Ａの方向に電
流を流せばモータＭは正転し、スイッチ５Ｂと５Ｃをオ
ンさせれば、破線の矢印Ｂの方向に電流が流れてモータ
Ｍは逆転する。また、モータＭの回転速度制御は例え
ば、各スイッチに供給する制御パルスのデューティ比を
変える(ＰＷＭ)ことによりモータＭに流れる電流を変え
ることにより行われる。また３Ａは過電流検出用抵抗で
ある。そしてこれらのスイッチ５Ａ〜５Ｄへの制御パル
スの供給、および過電流の検出等を含むモータＭの制御
はインターフェース６０を介してマイクロコンピュータ
５０により行われる。マイクロコンピュータ５０および
インターフェース６０は５Ｖ(ボルト)の低電圧の回路で
あり、流れる電流もｍＡ(ミリアンペア)のオーダである
のに対し、モータＭ、スイッチ５Ａ〜５Ｄおよび過電流
検出用抵抗３Ａを含むＨ型ブリッジ回路には例えば５０
〜７５Ａ(アンペア)の大電流が流れる。そしてスイッチ
５Ａ〜５Ｄは、マイクロコンピュータ５０からインター
フェース６０を介して供給される低電圧の制御パルスに
従って大電流を制御する。
【０００３】図８には従来の実際のパワーモジュールの
断面図を示した。図において、１００はパワーモジュー
ル、１はアルミ或は銅からなる放熱容器、１ａは表面積
を増やして放熱効果を向上させるための凹凸部、２は金
属基板で、アルミ板２ａ上に１５〜３０μｍ程度の厚み
のエポキシ樹脂等からなる樹脂絶縁層２ｂが形成されて
なる。２ｃは金属基板２を放熱容器１に固定するピン、
２ｄは金属基板２と放熱容器１の間の熱伝導を良くする
ためのシリコングリスである。３は例えば過電流検出用
のシャント抵抗等である抵抗体、４は銅ヒートシンク、
５は図７のスイッチを構成する半導体素子であるＭＯＳ
−ＦＥＴ、６はＭＯＳ−ＦＥＴ５と金属基板２上の回路
パターンとを結線するアルミ線、７は金属基板２の回路
パターン２１上に立てられた外部接続用リード、８はＭ
ＯＳ−ＦＥＴ５の制御用回路を搭載するガラスエポキシ
樹脂等からなる絶縁性の回路基板、８ａは図７のマイク
ロコンピュータ５０やインターフェース６０等を内蔵す
る制御用パッケージ、９は金属基板２と回路基板８との
間を電気的に接続するリード、１１は防湿のための保護
材(コーティング樹脂)であるシリコンゲルを示す。な
お、図８にはＭＯＳ−ＦＥＴ５は１つしか示されていな
いが、図７の回路に示すようにＭＯＳ−ＦＥＴ５は最低
４つは必要であり、これらのＭＯＳ−ＦＥＴ５が金属基
板２上に実装されている。しかしながら実際には、ＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ５に流れる電流をより小さくしかつオン抵抗
を小さくしてＭＯＳ−ＦＥＴ５での発熱を分散および減
少させるために、図７に示すスイッチ５Ａ、５Ｂをそれ
ぞれ複数のＭＯＳ−ＦＥＴを並列接続して構成する必要
があるため、通常は４つ以上のＭＯＳ−ＦＥＴが搭載さ
れている。また抵抗体３も複数搭載されている。また、
回路基板８は接着剤(図示せず)等により放熱容器１に固
定されている。
【０００４】モーターを駆動し正転反転させるための、
ＭＯＳ−ＦＥＴ５および過電流検出用の抵抗体３を含む
Ｈ型ブリッジ回路は、大電流が流れるために発熱量が多
く、このため、熱伝導率が高く良好な放熱効果を有する
金属基板２上に構成されている。一方、各ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ５の動作制御を行う微弱な電流が流れる回路を搭載し
た回路基板８は放熱の必要はなく、金属基板２からの放
熱の影響を受けないように分離して設けられている。ま
た、金属基板２の絶縁層２ｂ上の銅等からなる回路パタ
ーン２１と各部分との接続に関して簡単に説明しておく
と、アルミ線６が接続される回路パターン２１上にはア
ルミ層が形成されており、アルミ線６はこのアルミ層上
にアルミ線ワイヤーボンディングにより接続固定されて
いる。また、抵抗体３、銅ヒートシンク４および外部接
続用リード７はそれぞれ半田により回路パターン２１上
に接続固定されている。また、ＭＯＳ−ＦＥＴ５も銅ヒ
ートシンク４上に半田により固定されている。この金属
基板２上の回路パターン２１は、５０Ａから７５Ａの電
流が流せるように厚さ１００μｍ、幅７ｍｍ程度で、Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴ５と抵抗体３等の素子間を配線している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のパワーモジュー
ルは以上のように構成されていたが、放熱体であるＭＯ
Ｓ−ＦＥＴおよび抵抗体を搭載する金属基板には、これ
らの放熱体間を接続するための回路パターン２１を形成
するために、金属基板表面に樹脂性の絶縁層を設ける必
要があった。しかしながらこのような樹脂の層は熱伝導
率が極めて低く、これが金属基板２ひいては上記放熱素
子から放熱容器への放熱経路全体の放熱効果を低下させ
ていた。従って上述したように、ＭＯＳ−ＦＥＴに流れ
る電流を小さくしかつオン抵抗を小さくするために、Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴを複数並列接続して１つのスイッチを構成
することによりＭＯＳ−ＦＥＴでの発熱量を抑えている
が、素子数を増やすことは、配線効率を低下させ、基板
寸法を大きくしていた。一方、金属基板２の代わりに、
アルミナ(Ａl2Ｏ3)板或は窒化アルミ(ＡlＮ)板の表面に
ニッケル(Ｎｉ)或は銅(Ｃｕ)の層を形成してメタライズ
基板としたＤＢＣ(Direct Bond Copper)基板或は窒化ア
ルミ基板を使用し、これを表面をメッキした放熱容器に
半田付けする構成も考えられるが、次のような問題があ
った。まず、電気的絶縁性がありかつ金属基板に比べ放
熱性は良いが、アルミナおよび窒化アルミは鋳物である
ために割れ易く、電極部分、特に外部接続用リード７の
取り付け部分の機械的強度が弱いという問題があった。
また、この種の基板は、鋳物であるアルミナ板或は窒化
アルミ板と、金属である表面のニッケル或は銅の層との
熱膨張係数の差が大きい。このために、基板を大きくし
た場合には発生する熱応力が大きくなり(基板が大きい
程、反りが大きい)、放熱容器に半田付けする際に受け
る熱、或は多数のＭＯＳ−ＦＥＴのスイッチングで発生
する熱(熱疲労)によって基板が割れてしまうといった問
題があった。さらに別の問題点として、アルミ線は防湿
のためにシリコンゲルで覆う必要があるが、上述したよ
うな構造の従来のパワーモジュールの場合では、放熱容
器１の金属基板２が設けられたキャビティ部分全体にシ
リコンゲルを注入する必要があり、多量のシリコンゲル
が必要があるという問題があった。従来のパワーモジュ
ールには以上のような問題点があった。
【０００６】この発明は上記の問題点を解消するために
なされたもので、ＭＯＳ−ＦＥＴ等の素子数の削減、基
板の小形化、さらにシリコンゲル量の低減、によるコス
トダウンおよび小形化を図ったパワーモジュールを得る
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的に鑑み、この
発明の第１の発明は、熱伝導率の良い放熱体と、この放
熱体上に絶縁板を介して半田付けされた発熱素子と、こ
の放熱体の上方に配置され、上面に上記発熱素子のため
の回路パターンが形成され、上記発熱素子に対応する位
置に開口穴が設けられた金属基板と、この金属基板の開
口穴を介して上記回路パターンと発熱素子とを接続する
金属線と、を備えたパワーモジュールにある。
【０００８】またこの発明の第２の発明は、上記放熱体
と金属基板の間に挟まれて、上記発熱素子の周囲を覆う
リングと、上記発熱素子および金属線を覆うように上記
リング内に充填された保護材と、をさらに備えた請求項
１のパワーモジュールにある。
【０００９】またこの発明の第３の発明は、上記発熱素
子が上記金属線が接続固定されるボンディング台を設け
た請求項１のパワーモジュールにある。
【００１０】
【作用】この発明の第１の発明によるパワーモジュール
では、ＭＯＳ−ＦＥＴ等の発熱素子は全て、表面メッキ
したアルミ板等からなる金属放熱板上にそれぞれ絶縁板
(アルミナ絶縁体や窒化アルミ絶縁板)を介して半田付け
して搭載し、発熱素子用の回路パターンは、この金属放
熱板の上方に設けられた金属基板上に形成する。そして
金属基板の各発熱素子の上部に当たる部分には開口穴を
設け、開口穴を介して発熱素子と金属基板をアルミ線で
接続するようにしている。これにより、発熱素子が搭載
された金属放熱板には回路パターン等を形成するための
樹脂性の絶縁層が不要となり、発熱素子の放熱経路には
樹脂層がなくなり、放熱効果が向上する。また、金属放
熱板の放熱効果が向上したことにより、従来のようにＭ
ＯＳ−ＦＥＴを複数個、並列接続して電流値やオン抵抗
を低減する幅が少なくてすみ(ＭＯＳ−ＦＥＴ素子の数
を減らすことができる)、また、発熱素子を搭載した金
属放熱板と回路パターンが形成された金属基板との２枚
の基板からなる立体的構造にしたので、金属基板の任意
の位置に開口穴を設け、この開口穴を介してアルミ線で
各発熱素子と金属基板の回路パターンとを自由に結線で
きるので、回路パターンの引き回しが少なくてすみ、各
基板の小形化、ひいてはパワーモジュール全体の小形化
が図れる。
【００１１】また、第２の発明によるパワーモジュール
では、ＭＯＳ−ＦＥＴおよびアルミ線の防湿用の保護材
をＭＯＳ−ＦＥＴの周囲を囲むリング内にのみ充填すれ
ばよいので、保護材の充填量が少なくてすむ。
【００１２】また、第３の発明によるパワーモジュール
では、発熱素子の特に抵抗体に、アルミ線をボンディン
グするためのアルミからなるボンディング台を設え、ア
ルミ線の接合を容易にしている。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に従って説明す
る。 実施例１．図１はこの発明の一実施例によるパワーモジ
ュールの断面図である。従来のものと同一もしくは相当
する部分は同一符号で示す。図において、１１０はパワ
ーモジュール、１０は放熱容器、１０ａは凹凸部、３０
は金属放熱板であるアルミ板で、後述する放熱素子を半
田付けするために表面にニッケルメッキ層３０ａが施さ
れている。３０ｃはアルミ板３０を放熱容器１０に固定
するためのピン、３０ｄはアルミ板３０と放熱容器１０
との間の熱伝導を良くするためのシリコングリスであ
る。１２はＭＯＳ−ＦＥＴ５および抵抗体３とアルミ板
３０の間にそれぞれ挿入された、両面に半田付け用のニ
ッケル(Ｎｉ)メッキ或は銅箔(Ｃｕ)を施したメタライズ
されたアルミナ絶縁板である。このアルミナ絶縁板１２
は各素子５、３とアルミ板３０との間を電気的に絶縁す
ると共に、素子５、３で発生された熱はアルミ板３０に
効率良く伝える、熱伝導性の高い絶縁板である。そして
ＭＯＳ−ＦＥＴ５の場合、ＭＯＳ−ＦＥＴ５、銅ヒート
シンク４、アルミナ絶縁板１２およびアルミ板３０の間
はそれそれ半田である。また、抵抗体３の場合も、抵抗
体３、アルミナ絶縁板１２およびアルミ板３０の間はそ
れそれ半田である。また、２０は図８の金属基板２と同
様のアルミ板２０ａに樹脂絶縁層２０ｂを形成した金属
基板、２１は樹脂絶縁層２０ｂ上に形成された回路パタ
ーン、２２はＭＯＳ−ＦＥＴ５および抵抗体３等の放熱
素子の位置に合わせて金属基板２０に形成された開口穴
である。金属基板２０は回路パターン２１に対して放熱
効果を有すると共に、図１に示すように配置固定される
ために、これに耐え得る強度を有する。４０は１つ或は
複数のＭＯＳ−ＦＥＴ５および抵抗体３等の放熱素子の
周囲を囲むリングで、アルミ板３０と金属基板２０の間
に挟まれ、アルミ板３０上に固定されている。そして１
１はこれらのリング４０の中に充填される放熱素子およ
びアルミ線６を保護(防湿等)する保護材であるシリコン
ゲルである。なお、金属基板２０上の回路パターン２１
は厚さが１００μｍ程度の銅箔回路パターンであり、ま
た、開口穴２２はＭＯＳ−ＦＥＴ５或は抵抗体３と同等
サイズの穴である。また、放熱容器１０と金属放熱板
(アルミ板)３０を含めて放熱体とする。また、図２には
金属基板２０とアルミ板３０の部分の部分斜視図、図３
には金属基板２０だけの部分斜視図をそれぞれ示した。
さらに、図４にはリング４０内のＭＯＳ−ＦＥＴ５の状
態を示す斜視図を示した。
【００１４】図１〜図４から分かるようにパワーモジュ
ール１１０では、放熱素子であるＭＯＳ−ＦＥＴ５およ
び抵抗体３が、良好な放熱効果が得られるように放熱容
器１０に密着して固定されたアルミ板３０上に実装さ
れ、これらの放熱素子のための電気的接続は、アルミ板
３０の上方に間隔をおいて平行に設けられた金属基板２
０で行うようにした。この金属基板２０にはアルミ板３
０上の各放熱素子の上方部分にそれぞれ開口穴２２が形
成されており、金属基板２０上の回路パターン２１と放
熱素子との電気的接続はこの開口穴２２を介してアルミ
線６等により行われる。金属基板２０はなお、金属基板
２０は放熱容器１０に接着材(図示せず)により接着固定
される。また制御回路を搭載する回路基板８に関して
は、従来のものと基本的に同じである。また、発熱素子
(３、５)およびアルミ線６を保護(防湿等)するシリコン
ゲル１１は、リング４０内およびその上部のアルミ線６
を覆うように充填されている。
【００１５】このような構成のパワーモジュールでは、
ＭＯＳ−ＦＥＴ５で発生した熱は、半田層、銅ヒートシ
ンク４、半田層、アルミナ絶縁板１２、半田層、アルミ
板３０、放熱容器１０という放熱経路を経て外部に放出
される。従って、従来のように放熱経路に樹脂層がない
ために放熱効果が向上し、ＭＯＳ−ＦＥＴ５を並列接続
して電流値やオン抵抗を低減する幅が少なくてすみ、使
用するＭＯＳ−ＦＥＴ５の素子数を減らすことができ
る。一般に樹脂層に比べて半田層は１０倍程度熱伝導率
がよい。また、ここで使用されているアルミナ絶縁板１
２は、ＭＯＳ−ＦＥＴ５より多少大きい程度であり、こ
のような小さいアルミナ絶縁板１２であれば、発生する
熱応力も小さく、アルミ板３０に半田付けされる際に受
ける熱或はＭＯＳ−ＦＥＴ５のスイッチングで発生する
熱による熱応力によって起きる熱疲労は信頼性の上で、
特に問題がない程度のレベルである。
【００１６】また、発熱素子を含む大電流が流れる回路
部分を、ＭＯＳ−ＦＥＴ５および抵抗体３の発熱素子を
アルミ板３０上に配置し、回路パターン２１はこのアル
ミ板３０の上方の別の金属基板２０上に形成し、双方の
電気的接続は金属基板２０に形成された開口穴２２を介
してアルミ線６で行うという立体構造にしたので、回路
を構成する際の自由度が向上した。またこれにより、上
記放熱金属板と共に金属基板の小形化が図れ、ひいては
パワーモジュールの小形化が図れる。また、シリコンゲ
ル１１はリング４０内およびこの上部のアルミ線６を覆
うように充填すればよいのでシリコンゲル１１を節約で
きる。さらにリング４０はシリコンゲル１１が流れるの
を止めるという目的以外に、金属基板２０を裏面から支
持する役割も果たす。本実施例の金属基板２０は放熱容
器１０の周縁でしか支持されないため、アルミ線６の金
属基板２０上の回路パターン２１へのボンディングによ
って金属基板２０が橈んでアルミ線６が切断してしまう
可能性があり、これをリング４０が金属基板２０を裏面
から支持することで防止している。
【００１７】なお、上記実施例では金属放熱板として表
面にニッケルメッキを施したアルミ板３０を使用した
が、表面に銅メッキを施したアルミ板でもよい。さら
に、アルミ板の代わりに銅板にニッケルメッキを施した
ものであってもよい。
【００１８】実施例２．図５はこの発明の別の実施例に
よるパワーモジュールの断面図である。この実施例のパ
ワーモジュール１２０では、実施例１におけるＭＯＳ−
ＦＥＴ５の放熱構造部の銅ヒートシンク４およびアルミ
ナ絶縁板１２、並びに抵抗体３の放熱構造部のアルミナ
絶縁板１２の代わりに、両面に半田付け用のニッケル
(Ｎｉ)メッキ或は銅箔(Ｃｕ)を施したメタライズされた
窒化アルミ絶縁板１４を使用して、放熱性を更に高めて
いる。この窒化アルミ絶縁板１４は実施例１のアルミナ
絶縁板１２よりさらに熱伝導率の高い絶縁板である。ま
た、アルミ板３０(金属放熱板)と金属基板２０との間の
距離が、銅ヒートシンク４の分だけ短くできる。これに
より実施例１のものに比べ、放熱性が更に向上し、また
より小形にすることができる。
【００１９】実施例３．この実施例は、上記各実施例の
抵抗体とアルミ線との接続に関するものである。図６
は、アルミ板３０(金属放熱板)上に搭載されたこの実施
例による抵抗体３を示す斜視図である。上記各実施例で
は、回路パターン２１が形成された金属基板２０が抵抗
体３の上側にあるため、アルミ線６をなるべく短くする
には抵抗体３の上部で接続をとるのが望ましい。しかし
ながら抵抗体３は銅とニッケルの合金からなり、そのま
まではアルミ線６はボンディングできない。なお、従来
は抵抗体の底面が回路パターンに半田により接続固定さ
れていたので、アルミ線を抵抗体に直接、接続すること
はなかった。そこでこの実施例では、抵抗体３のボンデ
ィング部分にボンディング台であるアルミ台３ａを半田
３ｂで固着し、このアルミ台３ａにアルミ線６をボンデ
ィングすることにより、アルミ線６を抵抗体３に直接接
続することを可能にしている。
【００２０】
【発明の効果】以上のようにこの発明の第１の発明によ
るパワーモジュールでは、ＭＯＳ−ＦＥＴ等の発熱素子
は全て、表面メッキしたアルミ板等からなる金属放熱板
上にそれぞれ絶縁板(アルミナ絶縁体や窒化アルミ絶縁
板)を介して半田付けして搭載し、発熱素子用の回路パ
ターン等は、この金属放熱板の上方に設けられた金属基
板上に形成した。そして金属基板の各発熱素子の上部に
当たる部分には開口穴を設け、開口穴を介して発熱素子
と金属基板をアルミ線で接続するようにした。これによ
り、発熱素子が搭載された金属放熱板には回路パターン
等を形成するための樹脂性の絶縁層が不要となり、発熱
素子の放熱経路には樹脂層がなくなり、放熱効果が向上
した。また、金属放熱板の放熱効果が向上したことによ
り、従来のようにＭＯＳ−ＦＥＴを複数個、並列接続し
て電流値やオン抵抗を低減する幅が少なくてすみ、ま
た、発熱素子を搭載した金属放熱板と回路パターンが形
成された金属基板との２枚の基板からなる立体的構造に
したので、金属基板の任意の位置に開口穴を設け、この
開口穴を介してアルミ線で各発熱素子と金属基板の回路
パターンとを自由に結線できるので、回路パターンの引
き回しが少なくてすみ、各基板の小形化、ひいてはパワ
ーモジュール全体の小形化が図れる。以上のようなこと
から、より安価なパワーモジュールを提供できる効果が
得られる。
【００２１】また、第２の発明によるパワーモジュール
では、ＭＯＳ−ＦＥＴの周囲を囲むリングを金属放熱板
と金属基板の間に設け、ＭＯＳ−ＦＥＴおよびアルミ線
の防湿用の保護材をこのリング内にのみ充填するように
したので、保護材の注入量の削減が図れ、さらなるコス
ト低減が図れるという効果が得られる。
【００２２】また、第３の発明によるパワーモジュール
では、発熱素子の特に抵抗体に、アルミ線をボンディン
グするためのアルミからなるボンディング台を設えたの
で、アルミ線の接合が容易に行える効果が得られる。
【００２３】以上のようにこの発明によれば、ＭＯＳ−
ＦＥＴ使用数の削減、各基板の小形化、シリコンゲル注
入量の削減によるコスト低減、および放熱構造の自由度
の向上を図ったパワーモジュールが提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例によるパワーモジュールの
断面図である。
【図２】図１のパワーモジュールの金属放熱板と金属基
板の部分を示す部分斜視図である。
【図３】図１のパワーモジュールの金属基板の部分を示
す部分斜視図である。
【図４】図１のパワーモジュールのＭＯＳ−ＦＥＴの部
分を示す部分斜視図である。
【図５】この発明の別の実施例によるパワーモジュール
の断面図である。
【図６】この発明のパワーモジュールにおける発熱素子
である抵抗体の一実施例を示す斜視図である。
【図７】モータ制御用のパワーモジュールの回路図であ
る。
【図８】従来のパワーモジュールの断面図である。
【符号の説明】
３ 抵抗体 ３ａ アルミ台(ボンディング台) ４ 銅ヒートシンク ５ ＭＯＳ−ＦＥＴ ６ アルミ線 ７ 外部接続用リード ８ 回路基板 ９ リード １０ 放熱容器 １１ シリコンゲル(保護材) １２ アルミナ絶縁板 ２０ 金属基板 ２０ａ アルミ板 ２０ｂ 樹脂絶縁層 ２１ 回路パターン ２２ 開口穴 ３０ アルミ板(金属放熱板) ３０ａ ニッケルメッキ層 ３０ｃ ピン ３０ｄ シリコングリス ４０ リング １１０ パワーモジュール １２０ パワーモジュール

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱伝導率の良い放熱体と、 この放熱体上に絶縁板を介して半田付けされた発熱素子
    と、 この放熱体の上方に配置され、上面に上記発熱素子のた
    めの回路パターンが形成され、上記発熱素子に対応する
    位置に開口穴が設けられた金属基板と、 この金属基板の開口穴を介して上記回路パターンと発熱
    素子とを接続する金属線と、 を備えたパワーモジュール。
  2. 【請求項２】 上記放熱体と金属基板の間に挟まれて、
    上記発熱素子の周囲を覆うリングと、上記発熱素子およ
    び金属線を覆うように上記リング内に充填された保護材
    と、を備えた請求項１のパワーモジュール。
  3. 【請求項３】 上記発熱素子が上記金属線が接続固定さ
    れるボンディング台を備えた請求項１のパワーモジュー
    ル。
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