JP7190985B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置に関する。
従来の半導体装置は、基板上に設けられた半導体素子を含む導電部と、導電部を収容するケースと、ケースと一体化されかつ導電部に接続される電極端子と、で構成される。特許文献１に記載の半導体装置においては、ケースと一体化されていない第１の板状接続配線が、外部接続端子および半導体素子に、はんだ材を介してそれぞれ接続されている。さらに、第２の板状接続配線が、外部接続端子および配線基板に接続されている。それら板状接続配線は、ＣｕまたはＣｕ系の材料で形成されている。
特開２００７－８１１５５号公報
従来の半導体装置においては、ケースに保持された電極端子と、半導体素子に接合された内部配線（上記の導電部または板状接続配線等）との接合安定化が要求される。
例えば、はんだ材によって良好な接合を得るためには、電極端子と内部配線とを十分に昇温する必要がある。しかし、その接合箇所は、ケースから突出した電極端子上に存在するため、昇温が不十分となりやすく、その場合、良好なはんだ接合が得られない。
加熱手段によって電極端子および内部配線の双方に十分な伝熱を行うことが可能となるものの、加熱による温度上昇または加熱停止後の温度下降などの温度変化により、半導体素子が搭載された基板が変形する。その場合、電極端子と内部配線との距離が変動し、接合面積が小さくなり、半導体装置の信頼性が低下する。
この発明は上記の課題を解消するためになされたものであり、ケースに設けられた電極端子と、半導体素子に接続された内部配線との接合性を安定化させることが可能な半導体装置の提供を目的としている。
本発明に係る半導体装置は、ベース部、半導体素子、電極端子、絶縁ブロックおよび内部配線を含む。半導体素子は、ベース部に搭載されている。電極端子は、半導体素子の外周を囲うケースに保持されている。電極端子の端部はケースの内側に向かって突出している。絶縁ブロックは、絶縁性を有し、半導体素子とケースとの間におけるベース部上に設けられている。内部配線は、一端が絶縁ブロック上で電極端子の端部に接合され、かつ、一端から他端に延在する領域のうち一部が半導体素子に接合されている。絶縁ブロックの構成材料は、窒化アルミニウム及び窒化珪素のうち少なくとも一つである。
本発明によれば、ケースに設けられた電極端子と、半導体素子に接続された内部配線との接合性を安定化させた半導体装置の提供が可能である。
本発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白になる。
実施の形態１における半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態１における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施の形態２における半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態２における半導体装置の主電極端子と内部電極との接合部の構成を示す上面図である。 実施の形態２における半導体装置の主電極端子と内部電極との接合部の構成を拡大して示す側面図である。 実施の形態２における半導体装置の主電極端子と内部電極との接合部の別の構成を示す側面図である。 実施の形態３における半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態３における半導体装置の主電極端子と内部電極との接合部の構成を拡大して示す断面図である。 実施の形態４における半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態４における半導体装置の主電極端子と内部電極との接合部の構成を拡大して示す断面図である。
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１における半導体装置の構成を示す断面図である。半導体装置は、ベース部１、半導体素子５、ケース８、主電極端子７、内部電極６および絶縁ブロック１０を含む。
ベース部１は、絶縁材および放熱材を含む。実施の形態１におけるベース部１は、絶縁性基板３とその表裏に金属層２を含み、少なくとも表面側の金属層２は複数のパターンとして形成されている。金属層２は、ＣｕやＡｌなどである。絶縁性基板３は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）などを材料として含む。
半導体素子５は、ベース部１の表面１Ａに搭載されている。ここでは、半導体素子５の裏面が、ベース部１の表面１Ａに接合材４を介して接合されている。接合材４は、例えば、Ｓｎを含む板状はんだ、棒状はんだ、ペースト状はんだ等であるが、その材質や形状はそれらに限定されるものではない。半導体素子５は、例えば、ＳｉまたはＳｉと比べて大きなバンドギャップを有するワイドバンドギャップ半導体を材料として含む。ワイドバンドギャップ半導体とは、例えば、ＳｉＣ、ＧａＮ、ダイヤモンド等である。半導体素子５は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ショットキーバリアダイオード等である。または例えば、半導体素子５は、ＩＧＢＴおよびダイオードが１つの半導体チップに集積されたＲＣ－ＩＧＢＴ（Reverse Conducting ＩＧＢＴ）等の電力用半導体素子（パワー半導体素子）である。図１においては、２つの半導体素子５がベース部１の表面１Ａに搭載されているが、搭載個数はそれに限定されるものではない。半導体装置は、その用途に応じて必要な個数の半導体素子５を含む。
ケース８は、半導体素子５の外周を囲うように設けられる。ケース８は、例えば枠形状を有し、かつ、ベース部１の表面１Ａに接着剤（図示せず）を介して接合されている。なお図１においては、枠形状の片側のみを示している。ケース８は、熱軟化点が高い樹脂を材料として含む。熱軟化点が高い樹脂とは、半導体装置の使用温度領域内で熱変形せず、絶縁性を有する材料である。熱軟化点が高い樹脂とは、例えば、ＰＰＳ（Poly Phenylene Sulfide）樹脂であり、その熱軟化温度は２８０℃以上である。ケース８は、ベース部１を底面とする容器形状を構成する。その容器形状の内側に収容される半導体素子５は、封止材（図示せず）によって封止される。封止材は、例えば、シリコーンゲル、エポキシ樹脂であるが、それらに限定されるものではない。封止材は、密着性を確保できる弾性率および信頼性を確保できる耐熱性を有している樹脂であればよい。封止材は、例えば、１５０℃以上の耐熱性を有していることが好ましい。
主電極端子７は、板形状を有する。主電極端子７は、ケース８に保持されている。その主電極端子７の端部７Ａは、ケース８の枠形状の内側に向かって突出している。実施の形態１における主電極端子７は、ケース８に挿入された状態で保持されている。すなわち、主電極端子７とケース８とは一体化されている。このような主電極端子７は、インサート成形によってケース８と一体に製造される。また、主電極端子７は、例えば、厚みが０．５ｍｍ～１．２ｍｍ程度の平板であり、ＣｕまたはＣｕを含む材料で構成されている。このような主電極端子７は、半導体素子５が電力用半導体素子である場合にも、その半導体素子５との間に大電流を流すことを可能にする。
内部電極６は、長尺の板形状を有する導電体であり、主電極端子７と半導体素子５とを接続する内部配線である。内部電極６の一端６Ａは、後述する絶縁ブロック１０上で主電極端子７の端部７Ａに接合されている。内部電極６の一端６Ａから他端６Ｂに延在する領域の一部に対応する第１接合部１４は、半導体素子５の表面に接合されている。内部電極６の第１接合部１４の接合面と半導体素子５の表面とは、互いに平行である。その２つの平行な平面が接合材４を介して接合されている。内部電極６は、例えば、厚みが０．５ｍｍ～１．２ｍｍ程度の平板であり、ＣｕまたはＣｕを含む材料で構成されている。このような内部電極６は、半導体素子５が電力用半導体素子である場合にも、その半導体素子５との間に大電流を流すことを可能にする。なお、一端６Ａは第１端と、他端６Ｂは第２端と読み替えることができる。
絶縁ブロック１０は、半導体素子５とケース８との間におけるベース部１の表面１Ａに設けられる。内部電極６の一端６Ａと主電極端子７の端部７Ａとは、絶縁ブロック１０の上面にて、接合材１５によって、接合されている。それにより、主電極端子７と半導体素子５とが電気的に接続、つまり配線されている。以下、内部電極６と主電極端子７との接合箇所を第２接合部９という。
絶縁ブロック１０の上面の高さは、ケース８から突出している主電極端子７の端部７Ａの下面に一致している。第２接合部９における主電極端子７と内部電極６とは、絶縁ブロック１０によって下側から保持されている。
第２接合部９における内部電極６の一端６Ａと主電極端子７の端部７Ａとは、半導体素子５の表面に対し平行な平面を有する。第２接合部９において、それら２つの平行な平面が接合材１５を介して接合されている。接合材１５とは、例えば、はんだである。
実施の形態１における絶縁ブロック１０は、図１に示されるように、ケース８の内側に沿って設けられる。絶縁ブロック１０の形状は、直方体であることが好ましいが、これに限定されるものではない。ベース部１および第２接合部９と十分に接する面積を有し、かつ、ベース部１から一定の高さが確保されていれば、その形状は問わない。
絶縁ブロック１０は、窒化アルミニウム、窒化珪素等の高い熱伝導率および絶縁性を有する材料で構成される。このような構成により、第２接合部９とベース部１との間の熱伝導性が向上する。
図２は、実施の形態１における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。ここでは、主電極端子７および内部電極６が、はんだによって接合される例、すなわち接合材１５がはんだである例を示す。
ステップＳ１にて、半導体素子５の裏面を、ベース部１の表面１Ａに、接合材４によって接合する。接合材４は、ペースト状はんだもしくは板状はんだである。この際、接合箇所は、ベース部１の裏面１Ｂから接触加熱によって加熱される。加熱温度は、Ｓｎを含むはんだの融点に対応する２３０～３００℃程度である。
ステップＳ２にて、ケース８および絶縁ブロック１０をベース部１の表面１Ａに接合する。例えば、それぞれの接合面にシリコーンを含む接着剤またはエポキシ樹脂を含む接着剤が塗布される。その接合面が１５０～３００℃程度で加熱されることにより、ケース８および絶縁ブロック１０はベース部１に接着する。
ステップＳ３にて、内部電極６の第１接合部１４を半導体素子５の表面に、内部電極６の他端６Ｂをベース部１の表面１Ａに、接合材４によって接合する。ステップＳ２と同様に、接合箇所は、ベース部１の裏面１Ｂから接触加熱によって加熱される。加熱温度は、Ｓｎを含むはんだの融点に対応する２３０～３００℃程度である。
ステップＳ４にて、主電極端子７の端部７Ａと内部電極６の一端６Ａとを、接合材１５によって接合する。接合材１５は、はんだである。この際、ステップＳ３と同様に、第２接合部９は、ベース部１の裏面１Ｂから加熱される。そのベース部１と第２接合部９との間、つまり第２接合部９の下部には、絶縁ブロック１０が設けられている。絶縁ブロック１０は、窒化アルミニウム、窒化珪素等の熱伝導率の良い材料で構成されている。ベース部１に与えられた熱は、その絶縁ブロック１０を介して効率よく第２接合部９に伝導するため、第２接合部９は容易に昇温する。その結果、良好なはんだ接合が形成される。
また、主電極端子７と内部電極６との第２接合部９は、絶縁ブロック１０により下側から保持されているため、安定したはんだ接合工程が実現される。その結果、良好な第２接合部９が形成される。なお、ステップＳ４は、ステップＳ３と同時に実行することができ、その場合、生産性が向上する。
ステップＳ５にて、半導体素子５、内部電極６および主電極端子７を封止材によって封止する。
以上で、半導体装置の製造方法は終了する。
まとめると、実施の形態１における半導体装置は、ベース部１、半導体素子５、主電極端子７、絶縁ブロック１０および内部電極６を含む。半導体素子５は、ベース部１に搭載されている。主電極端子７は、半導体素子５の外周を囲うケース８に保持され、かつ、端部７Ａがケース８の内側に向かって突出している。絶縁ブロック１０は、絶縁性を有し、半導体素子５とケース８との間におけるベース部１上に設けられている。内部電極６は、一端６Ａが絶縁ブロック１０上で主電極端子７の端部７Ａに接合され、かつ、一端６Ａから他端６Ｂに延在する領域のうち一部が半導体素子５に接合されている。
このような構成により、ケース８に設けられた主電極端子７と、半導体素子５に接続された内部電極６との接合性が安定化する。具体的には、半導体装置の製造工程において、絶縁ブロック１０は、ベース部１の裏面１Ｂに加えられた熱を効率よく第２接合部９に伝達させる。そのため、その第２接合部９は容易に昇温される。その結果、接合状態が良好な第２接合部９が形成される。さらに、その接合工程において、主電極端子７と内部電極６とが、絶縁ブロック１０上で保持されて固定されるため、接合性が向上する。また、板形状を有する主電極端子７と内部電極６とが、絶縁ブロック１０上で、平行に重なり合わさるため、接合面積が大きくなり、接合性が向上する。
その結果、例えば、半導体素子５が電力用半導体素子である場合でも、半導体装置は、その半導体素子５と主電極端子７との間に大電流を流すことを可能にする。
なお、ステップＳ２においては、ケース８と、絶縁ブロック１０とは、別々の部品として示されたが、ケース８と主電極端子７と絶縁ブロック１０とが一体の部品であってもよ。
また、実施の形態１における内部電極６の一端６Ａと主電極端子７の端部７Ａとは、はんだによって、接合されている。
このような構成により、半導体装置の製造工程において、ベース部１の裏面１Ｂに加えられた熱が、絶縁ブロック１０を介して効率よく第２接合部９に伝導する。そのため、第２接合部９が容易に昇温し、良好なはんだ接合が形成される。
＜実施の形態２＞
実施の形態２における半導体装置を説明する。実施の形態２は実施の形態１の下位概念であり、実施の形態２における半導体装置は、実施の形態１における半導体装置の各構成を含む。なお、実施の形態１と同様の構成および動作については説明を省略する。
図３は、実施の形態２における半導体装置の構成を示す断面図である。図４は、実施の形態２における半導体装置の主電極端子７と内部電極６との第２接合部９の構成を示す上面図である。実施の形態２におけるベース部１、半導体素子５、ケース８および絶縁ブロック１０の構成は、実施の形態１と同様である。
内部電極６の一端６Ａの先端および主電極端子７の端部７Ａの先端は、平面視において、それぞれ櫛歯形状１６，１７を有する。その内部電極６の櫛歯形状１６は、主電極端子７の櫛歯形状１７に嵌合する。これら櫛歯形状１６，１７により、内部電極６および主電極端子７の面内（図４における上下方向）における位置関係が適切に保たれる。なお、内部電極６および主電極端子７の櫛歯形状１７は、図４に示される形状に限定されるものではない。互いに嵌合可能であればそれらの形状は問わない。
内部電極６の櫛歯形状１６の側面と、主電極端子７の櫛歯形状１７の側面との間には、０～５００μｍのクリアランス、つまり間隙１８が設けられている。その間隙１８に充填されるはんだ（図４において図示せず）によって、内部電極６の櫛歯形状１６の側面と主電極端子７の櫛歯形状１７の側面とは接合される。それにより、主電極端子７と半導体素子５とが配線される。
実施の形態２における半導体装置の製造方法を説明する。図２に示されるフローチャートのステップＳ１およびＳ２は、実施の形態１と同様である。
ステップＳ３にて、内部電極６の第１接合部１４を半導体素子５の表面に、内部電極６の他端６Ｂをベース部１の表面１Ａに、接合材４によって接合する。接合材４は、ペースト状はんだもしくは板状はんだである。この際、内部電極６は、一端６Ａに設けられた櫛歯形状１６が、主電極端子７の端部７Ａの櫛歯形状１７に嵌合するように配置された上で、半導体素子５に接合される。
ステップＳ４およびＳ５は、実施の形態１と同様である。
図５は、実施の形態２における半導体装置の主電極端子７と内部電極６との第２接合部９の構成を拡大して示す側面図である。内部電極６の一端６Ａは、主電極端子７の端部７Ａに対し平行に配置されている。この場合、主電極端子７の櫛歯形状１７の側面と内部電極６の櫛歯形状１６の側面とが、側面視において、重なり合う。その間隙１８にはんだが充填されることにより、主電極端子７と内部電極６の接合につき、十分に大きい接合面積が確保され、良好な接合状態が形成される。
図６は、半導体装置の主電極端子７と内部電極６との第２接合部９の別の構成を示す側面図である。上記の半導体装置の製造工程における加熱によって、ベース部１あるいは内部電極６等には、変形が生じ得る。その変形により、内部電極６の一端６Ａは、主電極端子７の端部７Ａに対して、傾いて接続される可能性がある。このような状況であっても、主電極端子７の櫛歯形状１７の側面と内部電極６の櫛歯形状１６の側面とは、側面視において、重なり合う。そのため、十分に大きい接合面積が確保され、良好な接合状態が形成される。
以上をまとめると、実施の形態２における内部電極６の一端６Ａと主電極端子７の端部７Ａとは、平面視において、櫛歯形状１６，１７をそれぞれ有する。内部電極６の櫛歯形状１６は、主電極端子７の櫛歯形状１７に嵌合している。内部電極６の櫛歯形状１６の側面と主電極端子７の櫛歯形状１７の側面とが互いに接合されている。
半導体装置の製造工程における温度変化によって、第２接合部９における主電極端子７と内部電極６との位置関係が変動した場合であっても、接合前に主電極端子７と内部電極６とが嵌合することで、それらの位置関係が適切に修正される。その状態で主電極端子７と内部電極６とが接合されるため、残留応力が小さく、かつ、十分な接合面積が確保された第２接合部９が形成される。その結果、電気的に安定した第２接合部９および配線が形成され、半導体装置の信頼性が向上する。
＜実施の形態３＞
実施の形態３における半導体装置を説明する。実施の形態３は実施の形態１の下位概念であり、実施の形態３における半導体装置は、実施の形態１における半導体装置の各構成を含む。なお、実施の形態１または２と同様の構成および動作については説明を省略する。
図７は、実施の形態３における半導体装置の構成を示す断面図である。図８は、実施の形態３における半導体装置の主電極端子７と内部電極６との第２接合部９の構成を拡大して示す断面図である。
実施の形態３におけるベース部１、半導体素子５、ケース８および絶縁ブロック１０の構成は、実施の形態１と同様である。実施の形態３における内部電極６および主電極端子７の形状および配置は、実施の形態１と同様であるが、内部電極６の一端６Ａと主電極端子７の端部７Ａとは、絶縁ブロック１０上で、金属ワイヤ１１によって、接合されている。それにより、主電極端子７と半導体素子５とが配線されている。図７では、３本の金属ワイヤ１１により内部電極６と主電極端子７とが接合されているが、金属ワイヤ１１の本数はそれに限定されるものではない。半導体素子５に流れる電流密度などに応じて、必要な本数の金属ワイヤ１１が設けられる。また、金属ワイヤ１１は、Ａｌ、Ａｇ、ＣｕまたはＡｕでできている。また、ここでは、金属ワイヤ１１は、円形の断面を有する線体であるが、これに限定されるものではない。例えば、金属ワイヤ１１は、各々が方形の断面を有する複数の銅板が帯状に形成されたものであってもよい。
実施の形態３における半導体装置の製造方法を説明する。図２に示されるフローチャートのステップＳ１からＳ３までは、実施の形態１と同様である。
ステップＳ４において、主電極端子７の端部７Ａと内部電極６の一端６Ａとを、金属ワイヤ１１によって接合する。この工程は、いわゆるワイヤボンディング工程であり、金属ワイヤ１１と主電極端子７または内部電極６とは、一定の荷重を与えられながら、超音波接合によって、固相接合する。接合方法は、超音波接合に限定されるものではなく、主電極端子７から半導体素子５に必要な電流および電圧を供給できる構造を形成可能な方法であればよい。
ステップＳ５は、実施の形態１と同様である。
以上をまとめると、実施の形態３における内部電極６の一端６Ａと主電極端子７の端部７Ａとは、金属ワイヤ１１によって、接合されている。
主電極端子７と内部電極６とのワイヤボンディング工程において、第２接合部９の下側が絶縁ブロック１０で保持されるため、安定した金属ワイヤ１１接合が形成される。その結果、電気的に安定した第２接合部９および配線が形成され、半導体装置の信頼性が向上する。
＜実施の形態４＞
実施の形態４における半導体装置を説明する。実施の形態４は実施の形態１の下位概念であり、実施の形態４における半導体装置は、実施の形態１における半導体装置の各構成を含む。なお、実施の形態１から３のいずれかと同様の構成および動作については説明を省略する。
図９は、実施の形態４における半導体装置の構成を示す断面図である。また、図１０は、実施の形態４における半導体装置の主電極端子７と内部電極６との第２接合部９の構成を拡大して示す断面図である。
実施の形態４におけるベース部１、半導体素子５、ケース８および絶縁ブロック１０の構成は、実施の形態１と同様である。
内部電極６の一端６Ａには、突起部１２が設けられている。また、絶縁ブロック１０の上面には、その内部電極６の突起部１２に嵌合する窪み部１３が設けられている。その内部電極６の突起部１２と絶縁ブロック１０の窪み部１３とが嵌合することにより、内部電極６の位置が固定されている。突起部１２および窪み部１３の位置ずれに対してのマージンを考慮し、突起部１２の形状は丸穴、窪み部１３の形状は長穴が好ましい。ただし、突起部１２および窪み部１３によって、内部電極６の位置が固定できればその形状は問わない。
内部電極６の一端６Ａと主電極端子７の端部７Ａとは、絶縁ブロック１０上で、金属ワイヤ１１によって、接合されている。それにより、主電極端子７と半導体素子５とが配線されている。金属ワイヤ１１の構成および変形例は、実施の形態３と同様である。
実施の形態４における半導体装置の製造方法を説明する。図２に示されるフローチャートのステップＳ１およびＳ２は、実施の形態１と同様である。
ステップＳ３にて、内部電極６の第１接合部１４を半導体素子５の表面に、内部電極６の他端６Ｂをベース部１の表面１Ａに、接合材４によって接合する。接合材４は、ペースト状はんだもしくは板状はんだである。この際、内部電極６は、一端６Ａに設けられた突起部１２が、絶縁ブロック１０の窪み部１３に嵌合するように配置された上で、半導体素子５に接合される。
ステップＳ４およびＳ５は、実施の形態３と同様である。
以上をまとめると、実施の形態４における半導体装置の内部電極６の一端６Ａは、突起部１２を含む。絶縁ブロック１０は、内部電極６の突起部１２に嵌合する窪み部１３を含む。
主電極端子７と内部電極６とのワイヤボンディング工程において、金属ワイヤ１１と主電極端子７および内部電極６とのそれぞれの接合面が固定される。そして、その２つの接合面は、同一平面内に位置する。そのため、金属ワイヤ１１の配線形成が容易となり、また、金属ワイヤ１１の長さを短くすることができる。これにより、電気抵抗が低減され、金属ワイヤ１１に流れる電流による発熱も低減する。その結果、主電極端子７と半導体素子５との間に、より高い電流を流すことが可能となる。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
本発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての態様において、例示であって、本発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、本発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
１ ベース部、１Ａ 表面、４ 接合材、５ 半導体素子、６ 内部電極、６Ａ 一端、６Ｂ 他端、７ 主電極端子、７Ａ 端部、８ ケース、９ 第２接合部、１０ 絶縁ブロック、１１ 金属ワイヤ、１２ 突起部、１３ 窪み部、１４ 第１接合部、１５ 接合材、１６ 櫛歯形状、１７ 櫛歯形状。

Claims (6)

  1. ベース部と、
    前記ベース部に搭載された半導体素子と、
    前記半導体素子の外周を囲うケースに保持され、かつ、端部が前記ケースの内側に向かって突出する電極端子と、
    絶縁性を有し、前記半導体素子と前記ケースとの間における前記ベース部上に設けられた絶縁ブロックと、
    一端が前記絶縁ブロック上で前記電極端子の前記端部に接合され、かつ、前記一端から他端に延在する領域のうち一部が前記半導体素子に接合される内部配線と、を備え、
    前記絶縁ブロックの構成材料は、窒化アルミニウム及び窒化珪素のうち少なくとも一つである、
    半導体装置。
  2. 前記内部配線の前記一端と前記電極端子の前記端部とは、はんだによって、接合されている、請求項１に記載の半導体装置。
  3. ベース部と、
    前記ベース部に搭載された半導体素子と、
    前記半導体素子の外周を囲うケースに保持され、かつ、端部が前記ケースの内側に向かって突出する電極端子と、
    絶縁性を有し、前記半導体素子と前記ケースとの間における前記ベース部上に設けられた絶縁ブロックと、
    一端が前記絶縁ブロック上で前記電極端子の前記端部に接合され、かつ、前記一端から他端に延在する領域のうち一部が前記半導体素子に接合される内部配線と、を備え、
    前記内部配線の前記一端と前記電極端子の前記端部とは、平面視において、櫛歯形状をそれぞれ有し、
    前記内部配線の前記櫛歯形状は、前記電極端子の前記櫛歯形状に嵌合し、
    前記内部配線の前記櫛歯形状の側面と前記電極端子の前記櫛歯形状の側面とが互いに接合されている、半導体装置。
  4. 前記内部配線の前記一端と前記電極端子の前記端部とは、金属ワイヤによって、接合されている、請求項１に記載の半導体装置。
  5. 前記内部配線の前記一端は、突起部を含み、
    前記絶縁ブロックは、前記内部配線の前記突起部に嵌合する窪み部を含む、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 前記電極端子の前記端部は、板形状を有し、
    前記内部配線は、板形状を有し、かつ、前記電極端子の前記端部と前記半導体素子との間を電気的に接続している、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
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