JP3396566B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
ング素子を備えたパワー半導体装置に好適な、半導体装
置、及びその製造方法に関し、特に、主電流端子の耐圧
の向上とインダクタンスの低減とを両立的に実現するた
めの改良に関する。
断面図である。この装置では、電気絶縁性の箱状のケー
ス1の底部に、放熱板として機能する金属ベース板2が
はめ込まれており、これらのケース1と金属ベース板2
とによって、内部に収納室3が形成されている。金属ベ
ース板2の上面すなわち収納室3に面する主面には、絶
縁基板4が固定されている。
に対向する主面には、図示しない銅箔が形成されてお
り、この銅箔と金属ベース板2とをハンダ付けすること
によって、絶縁基板4は金属ベース板2へと固定されて
いる。絶縁基板4の上面、すなわち金属ベース板2へ対
向する側とは反対側の主面には、パターニングされた銅
箔すなわち配線パターン5が形成されている。そして、
この配線パターン5に、ベアチップ(樹脂モールドされ
ない半導体チップ)状のパワースイッチング素子(図示
を略する)が接続されている。
端子6,7が固定されている。そして、主電流端子6,
7の上端部はケース1の外部に露出し、下端部は配線パ
ターン5に接続されている。主電流端子6,7は、配線
パターン5を介して、パワースイッチング素子の主電極
(例えば、トランジスタ素子のエミッタ電極とコレクタ
電極)と電気的に結合している。すなわち、主電流端子
6,7は、外部とパワースイッチング素子の主電極とを
中継する役割を果たしている。したがって、一対の主電
流端子6,7には、パワースイッチング素子によってス
イッチングされる主電流が流れる。
口する溝8に介挿され、この溝8を蓋9で閉塞すること
によって、ケース1へと固定される。そして、外部に露
出する上端部を除く、主電流端子6,7の主要部は、収
納室3に収納される。収納室3は、電気絶縁性の充填材
10で満たされており、そのことによって、収納室3内
におけるパワースイッチング素子等の保護を行うととも
に、一対の主電流端子6,7の相互間の耐圧を高めてい
る。
めに十分な耐圧が得られるので、主電流端子6,7は、
ケース1の上面近傍を除く収納室3内では、互いに平行
となるようにしかも近接して配設される。そのことによ
って、主電流端子6,7に寄生的に発生するインダクタ
ンスが低く抑えられている。
1の外部に露出する主電流端子6,7の上端部は、それ
らの間の耐圧を高く保証するために、互いに広い間隔を
もってケース1へ固定されている。このために、収納室
3内においても、ケース1の近傍では、主電流端子6,
7の互いの間隔は広く設定せざるを得なくなっている。
すなわち、ケース1に近接する部分すなわち上端部近傍
11では、主電流端子6,7の相互の間隔が広くなって
おり、この部分でインダクタンスが高くならざるを得な
いという問題点があった。
6,7のインダクタンスが高いと、主電流の高速スイッ
チングができないばかりでなく、スイッチング動作にと
もなって高いサージ電圧が発生するので、インダクタン
スの高い主電流端子6,7は、大きな主電流を高速でス
イッチングする半導体装置には適しない。
問題点を解消するためになされたもので、主電流端子相
互間の耐圧を確保しつつ、しかも主電流端子のインダク
タンスを低減して、高耐圧、大電流、かつ高速スイッチ
ングに適した半導体装置を得ることを目的としており、
さらにこの半導体装置の製造に適した方法を提供するこ
とを目的とする。
は、主面に沿って配線パターンが配設されるとともに、
一対の主電極を有するスイッチング素子が搭載された回
路基板と、前記回路基板を収納するケースと、前記ケー
スの内部に位置する一対の一端部と、前記ケースの外部
へと突出している一対の他端部と、前記一対の他端部に
一体的に繋がっており且つ前記ケースの内部に位置する
一対の主要部と、前記一対の主要部と前記一対の一端部
とを一体的に連結する一対の連結部とを有する、電気良
導性の一対の主電流端子と、前記ケースの内部に充填さ
れており、前記一対の主要部、前記一対の連結部及び前
記一対の一端部を全体的に被覆する電気絶縁性の充填材
と、 前記一対の主電流端子における、前記一対の他端
部、及び、前記一対の主要部の内で前記一対の他端部側
部分のみを、互いの電気的絶縁を保ちつつ、互いに固定
的に連結する電気絶縁性の絶縁部材とを備え、前記一対
の一端部の一方と他方とが、前記一対の主電極の一方と
他方とにそれぞれ電気的に結合するように前記配線パタ
ーンに接続されており、前記絶縁部材は、前記一対の他
端部間、及び、前記一対の主要部の内で前記一対の他端
部側部分間に介挿される、電気絶縁性の平板状部材を有
しており、前記平板状部材は、前記一対の他端部の輪郭
よりも外方へと張り出していると共に、前記一対の他端
部側部分の輪郭よりも外方へと張り出しており、前記絶
縁部材は、前記ケースの内部に位置する前記平板状部材
の端縁面に沿って延在すると共に、前記一対の主要部間
に位置する突起を更に有することを特徴とする。 好まし
くは、本発明においては、前記一対の他端部は、両他端
部の輪郭を上方から又は下方から眺めた際には、他方の
他端部の輪郭が前記絶縁部材を介して一方の他端部の輪
郭と重なり合うために全く見えない様に、前記絶縁部材
に固定されていると共に、前記一対の他端部側部分は、
両他端部側部分の輪郭を上方から又は下方から眺めた際
には、他方の他端部側部分の輪郭が前記絶縁部材を介し
て一方の他端部側部分の輪郭と重なり合うために全く見
えない様に、前記絶縁部材に固定されている。
装置の側面断面図である。この装置100は、パワース
イッチング素子とその制御を行うための制御素子とを備
える、いわゆるインテリジェントパワーモジュール(In
teligent Power Module)として構成されている。その
代表的な定格値は、耐圧において4.2kV、主電流の大き
さにおいて1200Aという、先例にない大きさである。
すなわち底板20とは反対側が開口する電気絶縁性の箱
状のケース21と、上面を覆う蓋44とによって、内部
に収納室22が形成されている。ケース21は、例えば
BMC(Bulk Molding Compound)樹脂から成ってい
る。不飽和ポリエステル樹脂に、充填材、ガラス繊維、
その他の添加剤を混成してなる材料であるBMC樹脂
は、熱硬化性であるため金型を用いたモールド加工に適
しており、また、寸法精度、機械的強度、耐熱性、耐水
性にも優れている。すなわち、BMC樹脂は、大電力用
の装置100のケース21の材料として適している。
る主面の上に、放熱のための箱状の冷却フィン23が設
置されている。冷却フィン23は銅などの熱良導性の金
属で構成され、その内部には冷媒としての水などの流体
を流すための迷路状の流路(図示を略する)が形成され
ている。さらに、冷却フィン23の側壁には冷媒の流入
口および流出口が開口しており、これらの流入口および
流出口には、冷媒を供給する外部装置との接続を可能に
する一対のプラグ24(図1には一方のみを示してい
る)が、ケース21の側壁から外部へと突出するように
取り付けられている。
(回路基板)30が固定されている。パワー基板30が
備える電気絶縁性の基板本体(絶縁基板)25の下面す
なわち冷却フィン23に対向する主面には、銅箔(図示
を略する)が配設されており、この銅箔と冷却フィン2
3とをハンダ付けすることによって、パワー基板30は
冷却フィン23の上面へと固定されている。
23へ対向する側とは反対側の主面には、パターニング
された銅箔すなわち配線パターン26が形成されてい
る。そして、この配線パターン26に、パワースイッチ
ング素子としてのベアチップ状のIGBT素子27が、
ハンダ付けによって固着されている。なお、基板本体2
5は、好ましくは、耐熱性に優れるセラミクスから成っ
ている。
して互いに固定された電気良導性の一対の主電流端子3
1,32が固定されている。そして、主電流端子31,
32の内側端部(一端部)は配線パターン26にハンダ
付けされており、外側端部(他端部)はケース21の外
部に露出している。
に、配線パターン26を介して、IGBT素子27の主
電極であるエミッタ電極およびコレクタ電極にそれぞれ
電気的に結合している。すなわち、主電流端子31,3
2は、外部とIGBT素子27の主電極とを中継する役
割を果たしている。したがって、これらの主電流端子3
1,32には、IGBT素子27によってスイッチング
される主電流が流れる。
領域と下部領域とに分割するように仕切板36が取り付
けられている。ただし、仕切板36には後述する充填材
43の充填を容易化するための開口部37が設けられて
おり、この開口部を通じて上部領域と下部領域とは互い
に連通している。そして、仕切板36の上面には、制御
基板38が固定されている。所定の配線パターン(図示
を略する)を有するこの制御基板38の上面には、制御
素子39が搭載されている。
6との電気的接続を行うための中継ピン40、および、
外部との電気的接続を行うための信号端子41が接続さ
れている。これらの中継ピン40および信号端子41
は、制御基板38を介して制御素子39へと接続されて
いる。信号端子41はケース21の側壁を貫通してお
り、その外側端部が外部へと露出している。
れる外部信号に応答して、中継ピン40を介してゲート
信号を送出することによってIGBT素子27のスイッ
チング動作を実現する。また、制御素子39は、IGB
T素子27の加熱、過電流等の異常を中継ピン40を介
して検出し、IGBT素子27を緊急遮断するなど、I
GBT素子27を保護する機能をも果たしている。
満たされている。そのことによって、IGBT素子27
などの収納室22内に収納される回路部品を、水分その
他から保護するとともに、一対の主電流端子31,32
の相互間の耐圧を高めている。充填材43のために十分
な耐圧が得られるので、主電流端子31,32は、収納
室22内において、互いに平行となるようにしかも近接
して配設されている。そのことによって、主電流端子3
1,32に寄生的に発生するインダクタンスが低く抑え
られている。
する主電流端子31,32の部分では、後述するよう
に、絶縁部材33によって、これらの主電流端子31,
32の相互間が十分な耐圧をもって電気的に絶縁されて
いるので、この部分においても主電流端子31,32は
互いに平行となるようにしかも近接して配設されてい
る。このため、主電流端子31,32に発生するインダ
クタンスが、主電流端子31,32の全体を通じて低減
される。すなわち、従来装置における主電流端子6,7
に比べて、同一の耐圧の下でインダクタンスがさらに低
く抑えられている。
リコーン樹脂が用いられる。あるいは、仕切板36の下
方の下部領域にはゲル状のシリコーン樹脂が充填され、
上方領域にはエポキシ樹脂が充填されてもよい。この場
合には、蓋44は設けられなくてもよい。あるいは、収
納室22の全体に、六フッ化珪素(SF6)などの絶縁
ガスを充填してもよい。
信号端子41、プラグ24など、ケース21から外部へ
突出する部材は、すべて側壁に取り付けられている。こ
のため、装置100の形状が、全高の小さい省スペース
化の要請に対応可能な形状となっている。
1,32、およびこれらを互いに電気的に絶縁しつつ固
定的に連結する絶縁部材33は、端子ユニット35を構
成する。ケース21の外部へと突出する端子ユニット3
5の部分には、外部装置としてのコネクタが着脱自在に
嵌合する。そうして、このコネクタに備わる一対の電極
板が、主電流端子31,32の露出面にそれぞれ圧接す
ることによって、電気的な接続が得られる。
詳細に説明する。図2は、端子ユニット35の平面図で
ある。図2におけるA−A切断線に沿った端子ユニット
35の断面構造は、図1にすでに描かれている。また、
図3は、図2におけるB−B切断線に沿った断面図であ
る。さらに、図4は、端子ユニット35の部分斜視図で
ある。そして、図5は、図2に示す端子ユニット35の
内側端部付近Fの斜視図である。
子31,32は、配線パターン26に固着される内側端
部とこれに連結する限られた部分を除くすべての部分で
ある主要部において、同一平面視輪郭を有する平板状で
ある。そして、これらの主電流端子31,32は、互い
に電気的に絶縁されるとともに、それぞれの主要部にお
いて、主面同士が平行で、しかも互いの平面視輪郭が重
なり合うように、絶縁部材33によって相互に固定され
ている。絶縁部材33は、主電流端子31,32を、ケ
ース21の側壁から外部へ突出する外側端部およびその
近傍において固定している。
相互間に介挿され、それらを互いに電気的に絶縁すると
ともに、平行な位置関係を保持するための平板状部材4
5と、この平板状部材45と一体的に連結するとともに
主電流端子31,32のそれぞれを挟み込んで平板状部
材45へと固定する一対の挟持部材46,47とを有し
ている。
たように、主電流端子31,32だけでなく絶縁部材3
3もケース21を貫通するように、ケース21へと固定
される。すなわち、主電流端子31,32は、ケース2
1の外側だけでなく収納室22内のケース21の近傍に
おいても、平板状部材45によって互いに電気的に絶縁
されている。
電流端子31,32の平面視輪郭の外方に位置するよう
に設定されている。すなわち、平板状部材45は、主電
流端子31,32の外側端部およびその近傍部分にわた
って、それらの平面視輪郭に沿って外方へと張り出して
いる。そのことによって、主電流端子31,32の相互
間の沿面距離を長くして、それらの間の耐圧を高く維持
している。
いて主電流端子31,32を横断する端縁面には、この
端縁面に沿って延在するように突起48が形成される。
この突起48は、この端縁面に沿った主電流端子31,
32の間の沿面距離を長くして、主電流端子31,32
の相互間の耐圧をさらに向上させる機能を果たす。
は、収納室22に収納される部分において、それらの主
要部と同一平面内で「U字」状に突起したU状屈曲部5
5,56をそれぞれ有している。そして、これらのU状
屈曲部55,56の先端部には、それらと直角に折れ曲
がった脚部53,54が一体的に連結している。さら
に、脚部53,54の先端部には、配線パターン26へ
固着される内側端部51,52が一体的に連結してい
る。
3,54を除いて、U状屈曲部55,56を含めた主電
流端子31,32のすべての部分において、互いの主面
同士が平行でしかも互いの平面視輪郭が重なり合ってい
る。このように、主電流端子31,32は、インダクタ
ンスを最小限に抑えるように構成されている。
ら突起したU状屈曲部55,56、脚部53,54、お
よび内側端部51,52は、配線パターン26との接続
部位に対応して6箇所に設けられている(図2)。U状
屈曲部55,56は、装置100の動作中の発熱にとも
なう熱歪を吸収し、そのことによって、内側端部51,
52と配線パターン26との接続部への熱応力の集中を
解消ないし緩和し、熱応力に起因する接続部の損傷を防
止している。
し得るように、収納室22の少なくともU状屈曲部5
5,56の周囲、例えば、仕切板36の下方の領域にお
いては、充填材43としてU状屈曲部55,56の変形
に干渉しない材料、例えばゲル状のシリコーン樹脂など
が選択される。
気良導性の銅がもっとも適している。また、絶縁部材3
3の材料として、好ましくは、電気絶縁性、機械的強度
に優れるとともにモールド加工が可能で、しかも、モー
ルド加工の過程で気泡ができにくいために耐圧が保証さ
れるとともに、精密なモールド加工に適したエポキシ樹
脂が用いられる。
銅板を打ち抜いて輪郭を形成し、その後、内側端部5
1,52および脚部53,54に相当する部分を折り曲
げ加工することによって、主電流端子31,32を作成
する。その後、主電流端子31,32を一定の間隔をも
って平行に重ねた状態で、所定の金型へ設置する。そし
て、この金型へ、例えばエポキシ樹脂を注入し加熱硬化
させることによって、主電流端子31,32を固定的に
連結する絶縁部材33をモールド加工する。
材46,47は、互いに一体的に連結したものとして、
同時に形成される。しかも、絶縁部材33がモールド加
工されると同時に、主電流端子31,32は絶縁部材3
3へ固定される。すなわち、端子ユニット35は、銅板
のプレス加工と絶縁部材33のモールド加工とを用い
て、簡単に製造可能である。しかも、主電流端子31,
32の相互間の高い平行度、それらの平面視輪郭の精密
な重なりが、簡単な方法で得られるという利点がある。
の構造>つぎに、端子ユニット35のケース21への組
み込みの構造について説明する。図6は、装置100の
正面図である。図6に示すように、ケース21は、底板
20を有し上部が開放されたケース下部61と、底部お
よび上部がともに開放された枠状のケース上部62と
が、互いに接着されて成る。ケース上部62は、その内
部に仕切板36(図1)を有している。
61とケース上部62の間に形成される間隙に挿入され
ている。言い替えると、端子ユニット35は、ケース下
部61とケース上部62とによって挟まれることによっ
て、ケース21を貫通している。端子ユニット35と、
ケース下部61およびケース上部62との間は、接着剤
によって互いに固定されている。なお、ケース上部62
の正面側壁には、装置100を、外部装置あるいは端子
ユニット35に嵌合する外部のコネクタ等にネジで固定
するための孔64が設けられている。
置100の平面図であり、ケース下部61にパワー基板
30が設置され、ケース下部61およびパワー基板30
のそれぞれに端子ユニット35が固定されている様子を
示している。図7に示すように、端子ユニット35は、
絶縁部材33において、ケース下部61の側壁の上端縁
に固定されている。さらに、端子ユニット35は、6対
の内側端部51,52において、冷却フィン23の上面
に島状に分離して配設される6枚のパワー基板30の所
定の部位に、それぞれ固着されている。
たパワー基板30等を示す平面図である。図8におい
て、ハッチングが付された矩形部分は、内側端部51,
52との接続部位を示している。冷却フィン23の上面
には、島状に孤立した6枚のパワー基板30が配設され
ている。各パワー基板30の上には、配線パターン26
を構成する島状に孤立した2枚の配線パターン26a,
26bが配設されている。
チップ状の2つのIGBT素子27と、同じくベアチッ
プ状の2つのダイオード63とが固着されている。ま
た、配線パターン26a,26bには、それぞれ内側端
部51,52が固着されている。
ー基板30に隣接して4枚の中継用基板(回路基板)7
0が配設されている。中継用基板70は、パワー基板3
0と同様に、セラミクスなどの電気絶縁性の材料から成
る基板本体71の下面に形成されている銅箔(図示を略
する)が冷却フィン23の上面にハンダ付けされること
によって、固定されている。
れている。そして、この銅箔72の上には、その一部領
域を覆うように、電気絶縁性の絶縁板73が固着されて
いる。この絶縁板73の上面には、パターニングされた
銅箔すなわち配線パターン74が形成されている。配線
パターン74には、中継ピン40(図1)の下端部がハ
ンダ付けによって接続される。また、各配線パターン2
6a,26b、74、銅箔72、IGBT素子27、お
よび、ダイオード63の相互間が適宜、ワイヤwによっ
て電気的に接続されている。
70の上に展開される回路、すなわちIGBT素子27
を含むパワー回路の主要部を示す回路図である。図9に
示すように、主電流端子31が接続される配線パターン
26aにはIGBT素子27のコレクタ電極Cが接続さ
れており、主電流端子32が接続される配線パターン2
6bにはIGBT素子27のエミッタ電極Eが接続され
ている。すなわち、一対の主電流端子31,32の間に
は、12個のIGBT素子27が並列に接続されてい
る。
63が並列に接続されている。ダイオード63のアノー
ド電極がIGBT素子27のエミッタ電極Eに接続さ
れ、カソード電極がコレクタ電極Cに接続される。この
ため、ダイオード63は、IGBT素子27の保護を目
的としたフリーホイールダイオードとして機能する。
ヤwを介して配線パターン74へと接続されている。な
お、図示を略するが、IGBT素子27には、その主電
流の大きさを電圧信号に変換して出力するセンス電極が
付随しており、このセンス電極もワイヤwを介して配線
パターン74へと接続されている。
ト電圧信号が、中継ピン40、配線パターン74、およ
び、ワイヤwを中継してIGBT素子27のゲート電極
Gへと入力される。そうして、ゲート電極Gへ入力され
たゲート電圧信号に応答して、IGBT素子27がスイ
ッチング動作を行う。すなわち、コレクタ電極Cとエミ
ッタ電極Eの間が、ゲート電圧信号に応答してオン(導
通)、およびオフ(遮断)する。その結果、主電流端子
31,32の間には、主電流が断続的に流れる。
0を製造する方法について説明する。図10〜図12
は、装置100の製造工程図である。装置100を製造
するには、はじめに、図10に示すように、モールド加
工によってあらかじめ準備されたケース下部61の上
に、別途あらかじめ準備された冷却フィン23を搭載
し、ネジ止めによって固定する。その後、冷却フィン2
3の上面にパワー基板30および中継用基板70をハン
ダ付けする。
は、所定の配線パターン26,74があらかじめ形成さ
れており、さらに、半導体素子27,63が搭載されて
いる。あるいは、半導体素子27,63の搭載は、パワ
ー基板30および中継用基板70を冷却フィン23の上
面に固着した後に行われてもよい。パワー基板30と中
継用基板70の固定、ならびに半導体素子27,63の
搭載が完了した後に、ワイヤw(図8)によるボンディ
ングが行われる。
て、あらかじめ準備されたケース上部62へ、同じくあ
らかじめ準備された端子ユニット35が組み込まれる。
図11は、ケース上部62に端子ユニット35が取り付
けられた様子を示す側面断面図である。ケース上部62
に備わる仕切板36の底面の所定の部位には、端子ユニ
ット35を固定するためのボス81が形成されている。
そして、このボス81にはネジ孔が形成されている。
いる貫通孔を位置合わせして、ネジ止めすることによっ
て、端子ユニット35がケース上部62の所定の位置へ
と固定される。同時に、ケース上部62の側壁あるいは
仕切板36の底面の中で、絶縁部材33に当接する部位
には、接着剤が塗布され、当接し合うそれらの部材が互
いに接着固定される。また、仕切板36には、複数の中
継ピン40があらかじめ嵌挿されている。これらの中継
ピン40も、主電流端子31,32と同様に、「U字」
型の屈曲部を有している(図10を参照)。
ングが終了し、端子ユニット35のケース上部62への
組み込みが終了した後に、ケース上部62とケース下部
61との接合が行われる。このとき、主電流端子31,
32の内側端部51,52と配線パターン26a,26
bとの間のハンダ付け、および、中継ピン40の下端部
と中継用基板70に形成される配線パターン74との間
のハンダ付けが同時に行われる。
は、接着剤を用いて行われる。このとき、端子ユニット
35の絶縁部材33とケース下部61との間の当接部に
も、同様に接着が施される。その結果、図12に示すよ
うに、ケース下部61、端子ユニット35、およびケー
ス上部62が一体となる。
があらかじめ接続された制御基板38がケース上部62
に備わる仕切板36の上面に固定される。このとき、仕
切板36の上面から突出する中継ピン40の上端部と制
御基板38との間のハンダ付けによる接続も、同時に行
われる。
とで内部に形成される収納室22(図1)に、例えばゲ
ル状のシリコーン樹脂が注入される。仕切板36には開
口部が形成されており、そのため、シリコーン樹脂はこ
の開口部を通じて仕切板36の下方へと容易に注入され
る。樹脂面が仕切板36に達するまで注入が行われる
と、つづいて、エポキシ樹脂の注入が行われる。ケース
上部62の上面付近まで注入を行った後に、蓋44をケ
ース上部62の上面を覆うように取り付ける。そうし
て、注入されたエポキシ樹脂の加熱硬化を行うと、装置
100が完成する。
2の正面側壁に設けられた孔64へのネジの取付を容易
化するために、ケース上部62の側面側壁には、孔64
へと挿入されるネジを導く細長状の溝82が形成されて
いる。孔64および溝82は、ケース上部62をモール
ド加工する際に、同時に形成される。
雑、困難な工程を要せず、容易に製造可能である。
1の側壁から水平方向すなわち底面に沿った方向に突出
するように取り付けられていた。そうすることで、装置
100を、省スペース化に即した平坦な形状とすること
ができた。しかしながら、省スペース化が特に求められ
ない条件下で使用される装置では、端子ユニット35は
必ずしもケース21の側壁から突出しなくてもよい。
置の一例である。図13において、図1に示した装置1
00と同一部分または相当部分については、同一符号を
付してその詳細な説明を略する。この装置200では、
端子ユニット35は蓋44から外部へと鉛直に(すなわ
ち、底板20あるいは蓋44に直角に)突出している。
すなわち、主電流端子31,32は、絶縁部材33に固
定されない仕切板36よりも下方の部分において直角に
折れ曲がっており、直立する絶縁部材33が、ケース2
1の側壁の代わりに、仕切板36および蓋44に固着さ
れている。
1,32の相互間の耐圧を高く維持したままで、それら
のインダクタンスを低減するという効果は、装置100
と同様に得られる。
回路が展開されるパワー基板30および中継用基板70
は、冷媒が循環する冷却フィン23の上に設置されてい
た。しかしながら、定格出力が、これらの装置よりも低
い装置では、冷却フィン23の代わりに、図14に示し
た従来装置と同様に金属ベース板2を用いてもよい。こ
の場合には、ケース21に底板20は取り付けられず、
金属ベース板2の底面は外部に露出する。
端子のそれぞれの主要部が、互いに同一平面視輪郭を有
し、しかも、それらの平面視輪郭が重なり合うように互
いに平行に配置されるので、これら一対の主電流端子の
インダクタンスが低く抑えられる。そして、これら一対
の主電流端子の間で、ケースの内部においては電気絶縁
性の充填材が介在するので高い耐圧が保証され、一方、
ケースの外部においては、外部に突出する部分の平面視
輪郭の外方に張り出した電気絶縁性の板状部材が介挿さ
れるので、やはり高い耐圧が保証される。すなわち、こ
の装置は、高い耐圧の維持とインダクタンスの低減とを
両立的に実現する。
る。
断面図である。
る。
る。
る。
BT素子(スイッチング素子)、30 パワー基板(回
路基板)、31,32 主電流端子、33 絶縁部材、
35 端子ユニット、43 充填材、45 平板状部
材、55,56U状屈曲部(連結部)、61 ケース下
部、62 ケース上部、70 中継用基板(回路基
板)、100,200 半導体装置、C コレクタ電極
(主電極)、E エミッタ電極(主電極)。
Claims (5)
- 【請求項1】 主面に沿って配線パターンが配設される
とともに、一対の主電極を有するスイッチング素子が搭
載された回路基板と、 前記回路基板を収納するケースと、前記ケースの内部に位置する一対の一端部と、前記ケー
スの外部へと突出している一対の他端部と、前記一対の
他端部に一体的に繋がっており且つ前記ケースの内部に
位置する一対の主要部と、前記一対の主要部と前記一対
の一端部とを一体的に連結する一対の連結部とを有す
る 、電気良導性の一対の主電流端子と、 前記ケースの内部に充填されており、前記一対の主要
部、前記一対の連結部及び前記一対の一端部を全体的に
被覆する電気絶縁性の充填材と、 前記一対の主電流端子における、前記一対の他端部、及
び、前記一対の主要部の内で前記一対の他端部側部分の
みを、互いの電気的絶縁を保ちつつ、互いに固定的に連
結する電気絶縁性の絶縁部材とを備え、前記一対の一端部の一方と他方とが、前記一対の主電極
の一方と他方とにそれぞれ電気的に結合するように前記
配線パターンに接続されており、 前記絶縁部材は、前記一対の他端部間、及び、前記一対
の主要部の内で前記一対の他端部側部分間に介挿され
る、電気絶縁性の平板状部材を有しており、前記 平板状部材は、前記一対の他端部の輪郭よりも外方
へと張り出していると共に、前記一対の他端部側部分の
輪郭よりも外方へと張り出しており、 前記絶縁部材は、前記ケースの内部に位置する前記平板
状部材の端縁面に沿って延在すると共に、前記一対の主
要部間に位置する突起を更に有することを特徴とする、 半導体装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置において、前記一対の他端部は、両他端部の輪郭を上方から又は下
方から眺めた際には、他方の他端部の輪郭が前記絶縁部
材を介して一方の他端部の輪郭と重なり合うために全く
見えない様に、前記絶縁部材に固定されていると共に、 前記一対の他端部側部分は、両他端部側部分の輪郭を上
方から又は下方から眺めた際には、他方の他端部側部分
の輪郭が前記絶縁部材を介して一方の他端部側 部分の輪
郭と重なり合うために全く見えない様に、前記絶縁部材
に固定されていることを特徴とする、 半導体装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の半導体装置において、 前記ケースは、上面と底面と側面とを有する箱状であっ
て、 前記回路基板は、箱状の前記ケースの前記底面に平行に
設置されており、 前記一対の主電流端子のそれぞれの前記主要部は、前記
ケースの前記底面に平行な平板形状をなしており、 前記一対の主電流端子の前記一対の他端部は、前記ケー
スの前記側面から外部へと突出していることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項4】 請求項3に記載の半導体装置において、 前記ケースは、前記上面を含むケース上部と前記底面を
含むケース下部とが接合されて成り、 前記一対の主電流端子が前記絶縁部材とともに、前記ケ
ース上部と前記ケース下部とに挟み込まれることによっ
て、前記一対の他端部が前記ケースの前記側面から外部
へと突出していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項5】 請求項1に記載の半導体装置において、前記一対の主電流端子は、屈曲部を含む前記一対の連結
部を有し、 前記充填材は、少なくとも前記連結部の周囲において
は、当該連結部の変形に干渉しない材料から成ることを
特徴とする、 半導体装置。
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US08/635,767 US5751058A (en) | 1995-10-25 | 1996-04-22 | Semiconductor device having parallel overlapping main current terminals |
EP96107392A EP0772235B1 (en) | 1995-10-25 | 1996-05-09 | Semiconductor device comprising a circuit substrate and a case |
DE1996635440 DE69635440T2 (de) | 1995-10-25 | 1996-05-09 | Halbleiteranordnung mit einem Schaltungssubstrat und einem Gehäuse |
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Families Citing this family (80)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10274111A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Denso Corp | 吸気装置およびその組付け方法 |
JP3982895B2 (ja) * | 1997-04-09 | 2007-09-26 | 三井化学株式会社 | 金属ベース半導体回路基板 |
DE19727548A1 (de) * | 1997-06-28 | 1999-01-07 | Bosch Gmbh Robert | Elektronisches Steuergerät |
EP1169736B1 (de) * | 1999-03-17 | 2006-07-12 | EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul |
JP4220094B2 (ja) * | 1999-04-05 | 2009-02-04 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
DE19924993C2 (de) * | 1999-05-31 | 2002-10-10 | Tyco Electronics Logistics Ag | Intelligentes Leistungsmodul in Sandwich-Bauweise |
DE19942770A1 (de) | 1999-09-08 | 2001-03-15 | Ixys Semiconductor Gmbh | Leistungshalbleiter-Modul |
JP2001189416A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
JP4027558B2 (ja) * | 2000-03-03 | 2007-12-26 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
JP2001286039A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Honda Motor Co Ltd | 車両用電気接続ボックス |
US6219245B1 (en) * | 2000-04-18 | 2001-04-17 | General Motors Corporation | Electrically isolated power switching device mounting assembly for EMI reduction |
DE10038092A1 (de) * | 2000-08-04 | 2002-02-14 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur elektrischen Verbindung eines Halbleiterbauelements mit einer elektrischen Baugruppe |
US7012810B2 (en) * | 2000-09-20 | 2006-03-14 | Ballard Power Systems Corporation | Leadframe-based module DC bus design to reduce module inductance |
US6845017B2 (en) * | 2000-09-20 | 2005-01-18 | Ballard Power Systems Corporation | Substrate-level DC bus design to reduce module inductance |
EP1289014B1 (en) * | 2001-04-02 | 2013-06-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor device |
WO2002082542A1 (fr) * | 2001-04-02 | 2002-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif de puissance à semi-conducteurs |
EP1263046A1 (de) * | 2001-06-01 | 2002-12-04 | ABB Schweiz AG | Kontaktanordnung |
JP4540884B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2010-09-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
DE10232566B4 (de) * | 2001-07-23 | 2015-11-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleiterbauteil |
US6972957B2 (en) * | 2002-01-16 | 2005-12-06 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Modular power converter having fluid cooled support |
US7032695B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-04-25 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Vehicle drive module having improved terminal design |
US7187548B2 (en) * | 2002-01-16 | 2007-03-06 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Power converter having improved fluid cooling |
US6965514B2 (en) * | 2002-01-16 | 2005-11-15 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Fluid cooled vehicle drive module |
US7177153B2 (en) | 2002-01-16 | 2007-02-13 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Vehicle drive module having improved cooling configuration |
US7142434B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-11-28 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Vehicle drive module having improved EMI shielding |
US6898072B2 (en) * | 2002-01-16 | 2005-05-24 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Cooled electrical terminal assembly and device incorporating same |
US7061775B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-06-13 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Power converter having improved EMI shielding |
US7187568B2 (en) | 2002-01-16 | 2007-03-06 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Power converter having improved terminal structure |
JP3847676B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2006-11-22 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
JP2005142189A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
JP4640089B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2011-03-02 | 日産自動車株式会社 | 電力変換装置 |
JP2007209184A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
DE102006006424B4 (de) * | 2006-02-13 | 2011-11-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren |
DE102006006423B4 (de) * | 2006-02-13 | 2009-06-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul und zugehöriges Herstellungsverfahren |
DE102006008632B4 (de) * | 2006-02-21 | 2007-11-15 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102006027481C5 (de) * | 2006-06-14 | 2012-11-08 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit gegeneinander elektrisch isolierten Anschlusselementen |
JP5028085B2 (ja) | 2006-12-27 | 2012-09-19 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 電子回路装置とその製造方法 |
JP5045111B2 (ja) * | 2007-01-17 | 2012-10-10 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
TW200915970A (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-01 | Sanyo Electric Co | Circuit device, circuit module and outdoor equipment |
JP4934559B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-05-16 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路装置およびその製造方法 |
JP2009081325A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
TWI402952B (zh) * | 2007-09-27 | 2013-07-21 | Sanyo Electric Co | 電路裝置及其製造方法 |
JP4991467B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-08-01 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路モジュールおよびそれを用いた室外機 |
JP4969388B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-07-04 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路モジュール |
JP5029900B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2012-09-19 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | モータの制御装置 |
EP2071626A1 (en) * | 2007-12-11 | 2009-06-17 | ABB Research Ltd. | Semiconductor module and connection terminal device |
JP5550553B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2014-07-16 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
DE102009035819A1 (de) * | 2009-08-01 | 2011-02-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit stromsymmetrischem Lastanschlusselement |
JP5481148B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2014-04-23 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置、およびパワー半導体モジュール、およびパワー半導体モジュールを備えた電力変換装置 |
ITTO20100064U1 (it) * | 2010-04-13 | 2011-10-14 | Gate Srl | Unita' elettronica di controllo, in particolare unita' di controllo della velocita' di un elettroventilatore |
US8569881B2 (en) * | 2010-09-08 | 2013-10-29 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device |
FR2976762B1 (fr) * | 2011-06-16 | 2016-12-09 | Valeo Systemes De Controle Moteur | Module electronique de puissance a capacite integree |
US9066453B2 (en) * | 2012-03-06 | 2015-06-23 | Mission Motor Company | Power electronic system and method of assembly |
JP6094592B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2017-03-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP6028808B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-11-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
KR102034717B1 (ko) | 2013-02-07 | 2019-10-21 | 삼성전자주식회사 | 파워모듈용 기판, 파워모듈용 터미널 및 이들을 포함하는 파워모듈 |
ITTO20140012U1 (it) * | 2014-01-23 | 2015-07-23 | Johnson Electric Asti S R L | Regolatore di tensione per un elettroventilatore di raffreddamento, in particolare per uno scambiatore di calore di un autoveicolo |
WO2015111211A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | 株式会社日立製作所 | パワーモジュール及びその製造方法 |
EP3100301B1 (en) * | 2014-01-30 | 2019-11-06 | Cree Fayetteville, Inc. | Low profile, highly configurable, current sharing paralleled wide band gap power device power module |
CN104850160B (zh) * | 2014-02-13 | 2018-03-20 | 德昌电机(深圳)有限公司 | 电压控制器的制造方法 |
DE102016102744B4 (de) | 2015-11-12 | 2017-11-16 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiteranordnung mit einer Mehrzahl von Leistungshalbleiter-Schaltelementen und verringerter Induktivitätsasymmetrie und Verwendung derselben |
CN108292655B (zh) * | 2015-11-12 | 2021-01-01 | 三菱电机株式会社 | 功率模块 |
US9917065B1 (en) * | 2016-09-09 | 2018-03-13 | GM Global Technology Operations LLC | Power module assembly with reduced inductance |
RU180437U1 (ru) * | 2017-10-31 | 2018-06-14 | Акционерное Общество "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро По Релейной Технике" (Ао "Сктб Рт") | Силовой модуль |
CN108418063B (zh) * | 2018-05-18 | 2023-10-17 | 臻驱科技(上海)有限公司 | 一种功率半导体模块功率端子 |
EP3644358B1 (en) * | 2018-10-25 | 2021-10-13 | Infineon Technologies AG | Power semiconductor module arrangement including a contact element |
EP3736854A1 (en) | 2019-05-06 | 2020-11-11 | Infineon Technologies AG | Power semiconductor module arrangement |
EP3736858A1 (en) | 2019-05-06 | 2020-11-11 | Infineon Technologies AG | Power semiconductor module arrangement |
EP3736855A1 (en) * | 2019-05-06 | 2020-11-11 | Infineon Technologies AG | Power semiconductor module arrangement and method for producing the same |
US20210175155A1 (en) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. | Power module having interconnected base plate with molded metal and method of making the same |
JP6960984B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-11-05 | 三菱電機株式会社 | 電子装置及びその絶縁部材 |
JP7428017B2 (ja) * | 2020-03-06 | 2024-02-06 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
JP7337027B2 (ja) * | 2020-05-20 | 2023-09-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2022006780A (ja) | 2020-06-25 | 2022-01-13 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
JPWO2022158257A1 (ja) * | 2021-01-22 | 2022-07-28 | ||
US20240071868A1 (en) * | 2021-03-29 | 2024-02-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
DE102021205632A1 (de) | 2021-06-02 | 2022-12-08 | Zf Friedrichshafen Ag | Halbbrücke für einen elektrischen Antrieb eines Elektrofahrzeugs oder eines Hybridfahrzeugs, Leistungsmodul für einen Inverter und Inverter |
DE102021213724A1 (de) | 2021-12-02 | 2023-06-07 | Zf Friedrichshafen Ag | Chipanordnung, leistungsmodul, verfahren zur herstellung einer chipanordnung und verfahren zum montieren eines leistungsmoduls |
US11870433B2 (en) * | 2022-05-04 | 2024-01-09 | GM Global Technology Operations LLC | Solid-state multi-switch device |
DE102022212606A1 (de) | 2022-11-25 | 2024-05-29 | Zf Friedrichshafen Ag | Verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0666408B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1994-08-24 | 富士電機株式会社 | 多層形半導体装置 |
JPH02170597A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Mazda Motor Corp | 車載用制御ユニツト構造 |
JPH02178954A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
DE3937045A1 (de) * | 1989-11-07 | 1991-05-08 | Abb Ixys Semiconductor Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
DE3937130A1 (de) * | 1989-11-08 | 1990-05-31 | Asea Brown Boveri | Dosenkuehlvorrichtung |
DE69227066T2 (de) * | 1991-05-31 | 1999-06-10 | Denso Corp | Elektronische Vorrichtung |
JP2936855B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1999-08-23 | 富士電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP2725952B2 (ja) * | 1992-06-30 | 1998-03-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュール |
JP2956363B2 (ja) * | 1992-07-24 | 1999-10-04 | 富士電機株式会社 | パワー半導体装置 |
-
1995
- 1995-10-25 JP JP27758795A patent/JP3396566B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-22 US US08/635,767 patent/US5751058A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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EP0772235A3 (en) | 1999-05-06 |
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