JPH02178954A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02178954A
JPH02178954A JP63332823A JP33282388A JPH02178954A JP H02178954 A JPH02178954 A JP H02178954A JP 63332823 A JP63332823 A JP 63332823A JP 33282388 A JP33282388 A JP 33282388A JP H02178954 A JPH02178954 A JP H02178954A
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JP
Japan
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electrode body
source
gate
wiring
reciprocating wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP63332823A
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English (en)
Inventor
Shinji Yamaguchi
山口　信司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Publication of JPH02178954A publication Critical patent/JPH02178954A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、制御信号の入力のために往復配線を有する半
導体装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体モジュール等の半導体装置においては、その高周
波特性を向上させるために、装置内配線部のインダクタ
ンスをできるだけ低減させる必要がある。特に、ＭＯＳ
ゲートを持った素子に対しでは、ゲートに印加されるサ
ージ電圧によるゲート酸化膜の破壊を防ぐ意味で、制御
信号人力部の往復配線のインダクタンスを抑えることが
重要で■ ある。
〔発明が解決しようとする課題〕
往復配線のインダクタンスを低減させるには、第２図に
示すように配線を金属条２１として平行に配置する方法
がある。しかしこの方法はインダクタンス低減の効果が
少なく、さらにモジュール内での電界の変化による影響
を受けやすいことが分かっていた。そこで、さらにイン
ダクタンスを下げる目的で第３図に示すように配線とし
て用いるリード線２２をよじり合わせ、端末に端子２３
を結合していた。この方法は、インダクタンス低減につ
いてはかなりの効果があるが、リード線が柔軟であるた
め端子部を別の方法で固定しなければならずコスト高に
なること、リード線がたれ下がって下の部品に接触する
おそれがあることなどの問題があった。
本発明の課題は、インダクタンスの低減と構造の簡単化
による組立上の工数の低減とを可能にする往復配線を備
えた半導体装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記の課題の解決のために、本発明の半導体装置は、制
御信号の入力のための往復配線が絶縁層を中間にはさん
だ２本の金属条をらせん状に成形してなり、各金属条の
端部に端子が形成されたものとする。
〔作用〕
往復配線がらせん状の２枚の帯状金属板がらなっている
ので、電気的特性はリード線をより合わせた場合と同等
に低インダクタンスであり、また剛性があるので往復配
線自体が端部の端子を支持し、たれ下がって下の部品に
ふれるおそれもない。
〔実施例〕
第１図は本発明の一実施例のＭＣ３型バイポーラトラン
ジスタのモジュールの一部を示す。点線で示した容器１
の金属底板２の上に固定されたＭＯ８型バイポーラトラ
ンジスタチノブ３は、上面ゲート電極体７２が固定され
ており、ソースバッド４とソース電極体７１．ゲートパ
ッド５とゲート電極体７２がそれぞれ導線８で接続され
ている。ソス電極体７１およびゲート電極体の端部には
本発明によるらせん状往復配線９の端部９１，９２が固
着される。らせん状往復配線９の他端は容器】の上部に
突出し、ソースゲート端子１０を形成している。
らせん状往復配線９のＡ−Ａ線に沿っての断面は第４図
に示され、銅条１１の間に絶縁層１２をはさんだもので
、この３層がねじられてらせん状となっている。ＭＣ３
型バイポーラトランジスタ３の下面のドレ％は容器底板
２および底板に固定された端子導体１３を介して容器１
の上部に突出したドレイ し端子１６に接続されている。このような構造のＭＣ８
型バイポーラトランジスタは、往復配線９を介してゲー
ト・ソース間に印加される信号電圧によりソース・ドレ
イン間の主電流を制御することができる。
本発明に基づく往復配線はＭＯＳゲートを有する半導体
装置に限らず、信号入力により制御されるトランジスタ
、ザイリスタなどの制御配線に使用することができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、制御信号などの入力のために用いられ
る往復配線を絶縁層をはさんだ２本の金属条で構成し、
それをらせん状によじって低インダクタンスとすると共
に、剛性をもたせて別に端子部を支持する機構を不要と
し、またたれ下がりによる下の部品への接触のおそれを
なくすことにより高周波特性にすくれた半導体装置を得
ることができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のモジュールの一部を示す斜
視図、第２図は従来の往復配線用リード線の斜視図、第
３図は従来の往復配線用平行条の斜視図、第４図は第１
図のＡ−Ａ線に沿っての断面図である。 ■＝容器、３：Ｍｏｓ型バイポーラトランジスタチップ
、４：ソースバッド、５：ゲートパッド、７１：ソース
電極体、７２：ゲート電極体、９：らせん状往夏配線、
１０：ソース・ゲート端子、１１：銅条、１２：絶縁層
、１６：ドレイン端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）制御信号の入力のための往復配線を有するものに
    おいて、往復配線が絶縁層を中間にはさんだ２本の金属
    条をらせん状に成形してなり、各金属条の端部に端子が
    形成されたことを特徴とする半導体装置。
JP63332823A 1988-12-29 1988-12-29 半導体装置 Pending JPH02178954A (ja)

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JP63332823A JPH02178954A (ja) 1988-12-29 1988-12-29 半導体装置

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JP63332823A JPH02178954A (ja) 1988-12-29 1988-12-29 半導体装置

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JPH02178954A true JPH02178954A (ja) 1990-07-11

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ID=18259201

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JP63332823A Pending JPH02178954A (ja) 1988-12-29 1988-12-29 半導体装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5646445A (en) * 1995-07-07 1997-07-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having electrodes embedded in an insulating case
EP0772235A3 (en) * 1995-10-25 1999-05-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device comprising a circuit substrate and a case
EP3644358A1 (en) * 2018-10-25 2020-04-29 Infineon Technologies AG Power semiconductor module arrangement including a contact element
DE102015101146B4 (de) 2014-01-28 2022-05-05 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtung mit mehreren Kontaktclips, Multiclip-Verbindungselement und Verfahren zum Herstellen derselben

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0772235A3 (en) * 1995-10-25 1999-05-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device comprising a circuit substrate and a case
DE102015101146B4 (de) 2014-01-28 2022-05-05 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtung mit mehreren Kontaktclips, Multiclip-Verbindungselement und Verfahren zum Herstellen derselben
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