JPS60121758A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60121758A JPS60121758A JP23029183A JP23029183A JPS60121758A JP S60121758 A JPS60121758 A JP S60121758A JP 23029183 A JP23029183 A JP 23029183A JP 23029183 A JP23029183 A JP 23029183A JP S60121758 A JPS60121758 A JP S60121758A
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- Japan
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- electrode
- insulating film
- resistor
- base
- capacitor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 11
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は複合半導体素子を含む半導体装置に関する。
（従来技術）
従来、トランジスタにスイッチング動作をさせる場合、
第１図に示すように、トランジスタ１のベース電極３−
エミッタ電極４間に抵抗７を、ベース電極３−入力端子
５間に抵抗６を入れた回路を構成する。また、より速い
スイッチング動作をさせるためには、第２図に示すよう
に１抵抗６に並列にコンデンサ８を入れ、トランジスタ
エがオンする瞬間又はオフする瞬間に定常状態より過大
な電流を流し゛Ｃスイ、チング速度を速くしているう（
以下コンデンサ８のことをスピード・アッフ・コンデン
サと呼ぶ。）これらの回路は、回路定数がほぼ決まって
いることや、部品点数を減らすことによるセットの組立
工数の削減及びセントの小型化のために、複合トランジ
スタとして１つのノくツケージ内の組込まれることが望
ましく、また複合トランジスタ自体は、トランジスタと
抵抗とコンデンサとを別々に作成し、それらを同一ノく
ツケージ内に組込むよりもトランジスタのベレット上に
抵抗やコンデンサを作り込んでしまった方がコスト的に
有利である。事実、トランジスタのベレット上に抵抗を
作り込んだ第１図に示しである抵抗入りトランジスタは
既に市販されている。
第１図に示すように、トランジスタ１のベース電極３−
エミッタ電極４間に抵抗７を、ベース電極３−入力端子
５間に抵抗６を入れた回路を構成する。また、より速い
スイッチング動作をさせるためには、第２図に示すよう
に１抵抗６に並列にコンデンサ８を入れ、トランジスタ
エがオンする瞬間又はオフする瞬間に定常状態より過大
な電流を流し゛Ｃスイ、チング速度を速くしているう（
以下コンデンサ８のことをスピード・アッフ・コンデン
サと呼ぶ。）これらの回路は、回路定数がほぼ決まって
いることや、部品点数を減らすことによるセットの組立
工数の削減及びセントの小型化のために、複合トランジ
スタとして１つのノくツケージ内の組込まれることが望
ましく、また複合トランジスタ自体は、トランジスタと
抵抗とコンデンサとを別々に作成し、それらを同一ノく
ツケージ内に組込むよりもトランジスタのベレット上に
抵抗やコンデンサを作り込んでしまった方がコスト的に
有利である。事実、トランジスタのベレット上に抵抗を
作り込んだ第１図に示しである抵抗入りトランジスタは
既に市販されている。
第３図は第２図に示す回路を半導体基板に形成したもの
の平面図である。
の平面図である。
第３図で３はベースを極、４はエミッタ電極、６．７は
抵抗、８はコンデンサ、１１はベレット、１５はポンデ
ィングパッドを示し、ボンディングバッド１５は第２図
の端子５に対応する。トランジスタのベレットｌｌ上に
抵抗を形成する場合、抵抗６，７をバルク内に拡散抵抗
として形成すると種々の寄生効果が生じる。この寄生効
果を防止するため、トランジスタの機能領域を避けた保
護絶縁膜上に各種の抵抗体を用いて抵抗６，７を形成す
る。この際、抵抗の分たけベレット１ｌｌｉ＋積が大き
くなる。同様に、コンデンサ８もトランジスタの機能領
域の外に作らなけれはならないのでベレット面積が更に
大きくなる。更に外部引出し用のポンディングパッド１
５も必被となりベレット面積は更に大きくなる。このよ
うにベレット面積が大きくなると、コストが高くなると
いう欠点を生ずる。
抵抗、８はコンデンサ、１１はベレット、１５はポンデ
ィングパッドを示し、ボンディングバッド１５は第２図
の端子５に対応する。トランジスタのベレットｌｌ上に
抵抗を形成する場合、抵抗６，７をバルク内に拡散抵抗
として形成すると種々の寄生効果が生じる。この寄生効
果を防止するため、トランジスタの機能領域を避けた保
護絶縁膜上に各種の抵抗体を用いて抵抗６，７を形成す
る。この際、抵抗の分たけベレット１ｌｌｉ＋積が大き
くなる。同様に、コンデンサ８もトランジスタの機能領
域の外に作らなけれはならないのでベレット面積が更に
大きくなる。更に外部引出し用のポンディングパッド１
５も必被となりベレット面積は更に大きくなる。このよ
うにベレット面積が大きくなると、コストが高くなると
いう欠点を生ずる。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を除去し、コンデンサ及び抵
抗が接続されたトランジスタ・スイッチング回路を含み
、ベレット１０１積の増大を抵抗分たけに留めた半導体
装置を提供することにある。
抗が接続されたトランジスタ・スイッチング回路を含み
、ベレット１０１積の増大を抵抗分たけに留めた半導体
装置を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の半導体装置は、半導体基板にベース領域及びエ
ミッタ領域金膜は前記半導体基板の少くとも一部をコレ
クタ領域とするトランジスタと、前記トランジスタのベ
ース及びエミッタ電極引出し用窓を有し前記半導体基板
表面を榎う第１の絶縁膜と、前記窓を介して前記ベース
領域及びエミッタ領域とに接触して設けられたベース電
極及びエミッタ電極と、前記ベース電極に一端が接触し
て前記第１の絶縁膜上に設けられた第１の抵抗と。
ミッタ領域金膜は前記半導体基板の少くとも一部をコレ
クタ領域とするトランジスタと、前記トランジスタのベ
ース及びエミッタ電極引出し用窓を有し前記半導体基板
表面を榎う第１の絶縁膜と、前記窓を介して前記ベース
領域及びエミッタ領域とに接触して設けられたベース電
極及びエミッタ電極と、前記ベース電極に一端が接触し
て前記第１の絶縁膜上に設けられた第１の抵抗と。
前記ベース電極とエミッタ電極とに接しかつ前記第１の
絶縁膜上に設けられた第２の抵抗と、前記エミッタ電極
引出し用窓及び前記第１の抵抗の他端の電極引出し用窓
を有し表面を覆う第２の絶縁膜上に設けられた金属Ｎｆ
、一方の電極兼外部引出し用ポンディングパッドとし前
記ベース電極を一方の電極とし前記第２の絶縁膜を銹電
体とするコンデンサとを含んで構成される。
絶縁膜上に設けられた第２の抵抗と、前記エミッタ電極
引出し用窓及び前記第１の抵抗の他端の電極引出し用窓
を有し表面を覆う第２の絶縁膜上に設けられた金属Ｎｆ
、一方の電極兼外部引出し用ポンディングパッドとし前
記ベース電極を一方の電極とし前記第２の絶縁膜を銹電
体とするコンデンサとを含んで構成される。
（実施例）
次に１本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の平面図
及び断面図である。
及び断面図である。
この実施例は、半導体基板２１にベース領域２３及びエ
ミッタ領域２４を設は半導体基板の少くとも一部をコレ
クタ領域２２とするトランジスタと、トランジスタのベ
ース及びエミッタ電極引出し用窓を有し半導体基板表面
を覆う第１の絶縁膜３１と、電極引出し用窓を介してベ
ース領域２３及びエミッタ領域２４とに接触しＣ設けら
れたベース電極３及びエミッタ電極４と、ベース電極３
に一端が接触して第１の絶縁膜３１上に設けられた第１
の抵抗６と、ベース電極３とエミッタ電極４とに接しか
Ｏ第１の絶縁膜３１上に設けられた第２の抵抗７と、エ
ミッタ電極引出し用窓及び第１の抵抗６の他端の電極引
出し用窓を有し表面を嬌う第２の絶縁膜３２と、ベース
電極３に対向するように第２の絶縁膜３２に設けられた
金属層２５を一方の電極兼外部引出し用ポンディングパ
ッドとしベース電極３を一方の１［極とし第２の絶縁膜
３２を訪電体とするコンデンサとを含んで構成される。
ミッタ領域２４を設は半導体基板の少くとも一部をコレ
クタ領域２２とするトランジスタと、トランジスタのベ
ース及びエミッタ電極引出し用窓を有し半導体基板表面
を覆う第１の絶縁膜３１と、電極引出し用窓を介してベ
ース領域２３及びエミッタ領域２４とに接触しＣ設けら
れたベース電極３及びエミッタ電極４と、ベース電極３
に一端が接触して第１の絶縁膜３１上に設けられた第１
の抵抗６と、ベース電極３とエミッタ電極４とに接しか
Ｏ第１の絶縁膜３１上に設けられた第２の抵抗７と、エ
ミッタ電極引出し用窓及び第１の抵抗６の他端の電極引
出し用窓を有し表面を嬌う第２の絶縁膜３２と、ベース
電極３に対向するように第２の絶縁膜３２に設けられた
金属層２５を一方の電極兼外部引出し用ポンディングパ
ッドとしベース電極３を一方の１［極とし第２の絶縁膜
３２を訪電体とするコンデンサとを含んで構成される。
第１の絶縁膜３１には熱酸化膜、第２の絶縁膜３２には
ＣＶＤ酸化膜、、金ｉ層２４．２５ＫＵフルミニウムを
用いると良い。
ＣＶＤ酸化膜、、金ｉ層２４．２５ＫＵフルミニウムを
用いると良い。
このように、ペース引出し用ポンディングパッドとコン
デンサ８の一方の電極とを兼用させ、ペース電極３をコ
ンデンサ８の他方の電極として兼用略せることにより、
コンデンサ８形成のために今まで余分に必要とした面積
を縮小することができる。従って、ペレット寸法は抵抗
の分だけ留め、ペレット寸法を縮小した半導体装置を得
ることができる。
デンサ８の一方の電極とを兼用させ、ペース電極３をコ
ンデンサ８の他方の電極として兼用略せることにより、
コンデンサ８形成のために今まで余分に必要とした面積
を縮小することができる。従って、ペレット寸法は抵抗
の分だけ留め、ペレット寸法を縮小した半導体装置を得
ることができる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明は、コンデンサと抵
抗を接続して成るトランジスタ・スイッチング回路を含
み、ベレット面積の増大を抵抗分だけに留めた半導体装
置を得ることができるという効果を有する。
抗を接続して成るトランジスタ・スイッチング回路を含
み、ベレット面積の増大を抵抗分だけに留めた半導体装
置を得ることができるという効果を有する。
第１図は従来のトランジスタ・スイッチング回路の第１
の例の回路図、第２図は従来のトランジスタ・スイッチ
ング回路の第２の例の回路図、第３図は第２図に示す回
路を半導体基板に形成したものの平面図、第４図（ａ）
’ 、 （ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び断面図
である。 １・・・・・・トランジスタ、２・・・・・・コレクタ
電極、３・・・・・・ペース電極、４・・・・・・エミ
ッタ電極、５・・・・・・入力端子、６，７・・・・・
・抵抗、８・・・・・・コンデンサ、１１・・・・・・
ペレット、１５・・・・・・ボンディングパッド、２１
“°°゛°°半導体基板、２２゛°°゛・°コレクタ領
域、２３・・・・・・ベース領域、２４・・・・・・エ
ミッタ領域、２４゜２５°・・・・・金属層、３１・・
・・・・第１の絶縁膜、３２・・・・・・第２の絶縁膜
。 ７気゛−・、
の例の回路図、第２図は従来のトランジスタ・スイッチ
ング回路の第２の例の回路図、第３図は第２図に示す回
路を半導体基板に形成したものの平面図、第４図（ａ）
’ 、 （ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び断面図
である。 １・・・・・・トランジスタ、２・・・・・・コレクタ
電極、３・・・・・・ペース電極、４・・・・・・エミ
ッタ電極、５・・・・・・入力端子、６，７・・・・・
・抵抗、８・・・・・・コンデンサ、１１・・・・・・
ペレット、１５・・・・・・ボンディングパッド、２１
“°°゛°°半導体基板、２２゛°°゛・°コレクタ領
域、２３・・・・・・ベース領域、２４・・・・・・エ
ミッタ領域、２４゜２５°・・・・・金属層、３１・・
・・・・第１の絶縁膜、３２・・・・・・第２の絶縁膜
。 ７気゛−・、
Claims (1)
- 半導体基板にベース俳域及びエミッタ領域を設は前記半
導体基板の少くとも一部をコレクタ領域とするトランジ
スタと、前記トランジスタのペース及びエミッタ電極引
出し用窓を有し前記半導体基板表面を覆う第１の絶縁膜
と、前記窓を介して前記ペース領域及びエミッタ領域と
に接触して設けられたペース電極及びエミッタ電極と、
前記ベース電極に一端が接触して前Ｉピ第１の絶縁膜上
に設けられた第１の抵抗と、前記ベース電極とエミッタ
電極とに接しかつ前記第１の絶縁膜上に設けられた第２
の抵抗と、前記エミッタＴｆｔ極引出し用窓及び０１１
記第１の抵抗の他端の電極引出し用窓を有し表向を核う
第２の絶縁膜と、前記ベース電極に対向するように前記
第２の絶縁膜上に設けられた金属層を一方の電極兼外部
引出し用ポンディングパッドとし前記ベース電極を一方
の電極とし前記第２の絶縁膜を誘電体とするコンデンサ
とを含む仁とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23029183A JPS60121758A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23029183A JPS60121758A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121758A true JPS60121758A (ja) | 1985-06-29 |
Family
ID=16905510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23029183A Pending JPS60121758A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121758A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63260076A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US4790492A (en) * | 1984-07-20 | 1988-12-13 | Daiwa Seiko, Inc. | Revolution sensor for a spool on a fishing reel |
-
1983
- 1983-12-06 JP JP23029183A patent/JPS60121758A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4790492A (en) * | 1984-07-20 | 1988-12-13 | Daiwa Seiko, Inc. | Revolution sensor for a spool on a fishing reel |
| JPS63260076A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
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