JPH0936305A - ダイオードとコンデンサとを備えたチップ型複合素子の構造 - Google Patents

ダイオードとコンデンサとを備えたチップ型複合素子の構造

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JPH0936305A
JPH0936305A JP7184179A JP18417995A JPH0936305A JP H0936305 A JPH0936305 A JP H0936305A JP 7184179 A JP7184179 A JP 7184179A JP 18417995 A JP18417995 A JP 18417995A JP H0936305 A JPH0936305 A JP H0936305A
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external connection
diode
capacitor
silicon chip
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 一つのシリコンチップ2に、ダイオードDと
コンデンサCとを形成した複合素子1を、汎用性の高い
形態にして提供する。 【構成】 シリコンチップ2の表面に、ダイオードDに
対する一方の外部接続用電極4を形成すると共に、絶縁
膜6の形成し、この絶縁膜6の表面に一方の電極膜7を
形成し、この一方の電極膜7の表面に絶縁膜8を介して
コンデンサCを構成する他方の電極膜9を形成し、この
他方の電極膜に、他方の外部接続用電極10を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一つのシリコンチップ
に対して、ダイオードとコンデンサとを設けて成るチッ
プ型複合素子の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、ダイオードを、スイッチング回
路等に組み込むに際しては、当該ダイオードと一緒にコ
ンデンサを使用する場合が多くある。そこで、先行技術
としての特開平5−67729号公報は、一つのシリコ
ンチップの表面にダイオードを形成し、更に、このダイ
オードにおける一方の極に対する電極の表面に、強誘電
膜(絶縁膜)を挟んで外部接続用電極を形成することに
より、前記ダイオードにおける一方の極に対する電極と
外部接続用電極との間でコンデンサを構成して成るチッ
プ型の複合素子を提案している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この先行技術
によるチップ型複合素子は、そのコンデンサを、ダイオ
ードにおける一方の極に対する電極と外部接続用電極と
の間に形成すると言う構成であることにより、この先行
技術による複合素子は、コンデンサを、ダイオードにお
ける一方の極又は両方の極に対して直列的に接続したも
のであって、換言すると、、図5(A)に示すように、
ダイオードDとコンデンサCとを直列に接続した形態の
回路であり、図5(B)又は(C)に示すように、コン
デンサCを、ダイオードDにおけるアノード極側又はカ
ソード極側に接続した形態の回路にすることができず、
用途が限られるから、汎用性が低いと言う問題があっ
た。
【0004】しかも、前記先行技術によるチップ型複合
素子は、シリコンチップの表面に、二つの外部接続用電
極を設け、この二つの外部接続用電極とダイオードにお
けるアノード極及びカソード極との間の各々にコンデン
サを形成したものであって、そのコンデンサの容量を大
きくするには、シリコンチップを大型化にしなければな
らない点も問題であった。
【0005】本発明は、一つのシリコンチップにダイオ
ードとコンデンサとを形成したチップ型複合素子を、汎
用性が高い形態にして提供することと、コンデンサの容
量を、シリコンチップの大型化を招来することなく大き
くできる形態にして提供することとを技術的課題とする
ものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「シリコンチップの表面に、前記シリ
コンチップとの間でダイオードを構成するN型又はP型
の拡散層を設けて、この拡散層の表面に、一方の外部接
続用電極を形成する一方、前記シリコンチップの表面に
形成した絶縁膜の表面に、一方の電極膜を、当該一方の
電極膜が前記一方の外部接続用電極に電気的に導通する
ように形成し、この一方の電極膜の表面に、絶縁膜を挟
んで他方の電極膜を、当該他方の電極膜が前記一方の外
部接続用電極に対して重ならないように形成して、この
他方の電極膜に、他方の外部接続用電極を設ける。」と
言う構成にした。
【0007】
【作 用】このように構成することで、シリコンチッ
プに形成したダイオードにおける一方の極に対する一方
の外部接続用電極と、他方の外部接続用電極との間に、
一方の電極膜と他方の電極膜とでコンデンサを形成する
ことができる。この場合において、前記一方の外部接続
用電極は、前記ダイオードにおける一方の極と前記コン
デンサにおける一方の極とに接続され、他方の外部接続
用電極は、前記コンデンサにおける他方の極に接続さ
れ、そして、前記シリコンチップのベースが、前記ダイ
オードにおける他方の極になっていることにより、これ
ら一方の外部接続用電極、他方の外部接続用電極及びシ
リコンチップのベースにより、三つの端子を構成するこ
とができるから、この三つの端子を使用して、コンデン
サをダイオードに対して直列状に接続した回路にした
り、或いは、コンデンサをダイオードにおけるアノード
極側又はカソード極側に接続した形態の回路にしたりす
ることが任意にできるのである。
【0008】また、「請求項2」のように、前記一方の
外部接続用電極と、他方の外部接続用電極とを、シリコ
ンチップにおける各角隅部のうち互いに対角をなす角隅
部に設けたことにより、この両外部接続用電極間の間隔
を大きくした状態のもとで、シリコンチップにおける表
面のうち一方の外部接続用電極を除く部分をコンデンサ
の形成に利用することができるから、コンデンサの容量
を、シリコンチップを大型化することなく、大きくする
ことができるのである。
【0009】
【発明の効果】従って、本発明によると、一つのシリコ
ンチップにダイオードとコンデンサとを設けたチップ型
の複合素子を、汎用性が高い形態にして提供することが
できる効果を有する。また、「請求項2」によると、前
記した効果に加えて、コンデンサの容量を、シリコンチ
ップの大型化を招来することなく大きくことができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図1及び図2の図
面について説明する。この図において、符号1は、本発
明によるチップ型の複合素子を示し、この複合素子1
は、N型のシリコンチップ2を備え、このシリコンチッ
プ2の表面のうち一つの角隅部の部位に、P型の拡散層
3を設け、この拡散層3の部分に、アルミニウムによる
一方の外部接続用電極4を、前記シリコンチップ2の裏
面にベース電極5を各々形成することにより、前記一方
の外部接続用電極4と、前記ベース電極5との間にP型
のダイオードDを構成する。
【0011】そして、前記シリコンチップ2の表面のう
ち前記一方の外部接続用電極4を除く部分に、酸化シリ
コン等による絶縁膜6を形成し、この絶縁膜6の表面
に、ポリシリコン等の導電体製の電極膜7を、当該電極
膜7が前記一方の外部接続用電極4に電気的に導通する
ように形成する。更に、前記電極膜7の表面には、当該
電極膜7を覆うように酸化シリコン等による絶縁膜8を
形成したのち、この絶縁膜8の表面に、ポリシリコン等
の導電体製の電極膜9を形成して、この電極膜9と前記
電極膜7との間にコンデンサCを構成する。
【0012】加えて、前記シリコンチップ2の表面のう
ち前記一方の外部接続用電極4が設けられている角隅部
に対して対角をなす角隅部に、他方の外部接続用電極1
0を、当該他方の外部接続用電極10が前記電極膜9に
電気的に導通するように形成する。このように構成する
ことにより、前記一方の外部接続用電極4は、前記ダイ
オードDにおけるアノード極と前記コンデンサCにおけ
る一方の極とに接続され、他方の外部接続用電極10
は、前記コンデンサにおける他方の極に接続され、そし
て、前記シリコンチップ2の裏面のベース電極5が、前
記ダイオードDにおけるカソード極になり、これら一方
の外部接続用電極4、他方の外部接続用電極10及びベ
ース電極5により、三つの端子を構成することができ
る。
【0013】そこで、前記他方の外部接続用電極10と
ベース電極5との二つの端子のみを使用して外部に接続
することにより、図5(A)に示すように、コンデンサ
CをダイオードDに対して直列状に接続した回路にする
ことができ、或いは、前記両外部接続用電極4,10及
びベース電極5の三つの端子を使用して外部に接続する
ことにより、図5(B)に示すように、コンデンサCを
ダイオードDにおけるアノード極側に接続した形態の回
路にすることができるのである。
【0014】また、前記一方の外部接続用電極4と、他
方の外部接続用電極10とを、シリコンチップ2におけ
る各角隅部のうち互いに対角をなす角隅部に設けたこと
により、この両外部接続用電極間4,10の間隔を大き
くした状態のもとで、シリコンチップ2における表面の
うち一方の外部接続用電極4を除く部分をコンデンサC
の形成に利用することができるから、コンデンサCの容
量を、シリコンチップ2を大型化することなく、大きく
することができるのである。
【0015】なお、前記実施例は、N型のシリコンチッ
プ2を使用し、その一部にP型の拡散層3を設けること
によって、P型のダイオードDを形成する場合を示した
が、本発明は、これに限らず、P型のシリコンチップを
使用して、その一部にN型の拡散層を設けることによっ
て、N型のダイオードを形成した場合にも適用できるこ
とは言うまでもなく、この場合には、図5(C)に示す
ように、コンデンサCをダイオードDにおけるカソード
極側に接続した形態の回路にすることができるのであ
る。
【0016】そして、このように構成したチップ型複合
素子1は、図3に示すように示すように構成することに
よって、パッケージ型電子部品の完成品とされる。すな
わち、このチップ型複合素子1を、第1リード端子11
の上面に、そのシリコンチップ2の裏面におけるベース
電極5を第1リード端子11に電気的に接続するように
ダイボンディングし、次いで、一方の外部接続用電極4
と第2リード端子12との間、及び、他方の外部接続用
電極10と第3リード端子13との間の各々を、ワイヤ
ボンディングによる金属細線14,15にて電気的に接
続したのち、これらの全体を、合成樹脂製のモールド部
16によって、前記各リード端子11,12,13がモ
ールド部16から突出するようにパッケージすることに
よって、パッケージ型電子部品の完成品とされるのであ
り、このパッケージ型電子部品の等価回路を図4に示
す。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による複合素子の平面図であ
る。
【図2】図1のII−II視断面図である。
【図3】前記複合素子を使用したパッケージ型電子部品
の斜視図である。
【図4】前記パッケージ型電子部品の等価回路図であ
る。
【図5】ダイオードとコンデンサとを使用した各種の回
路を示す図である。
【符号の説明】
1 複合素子 2 シリコンチップ 3 拡散層 4 一方の外部接続用電極 5 ベース極 6,8 絶縁膜 7,9 電極膜 10 他方の外部接続用電極 D ダイオード C コンデンサ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】シリコンチップの表面に、前記シリコンチ
    ップとの間でダイオードを構成するN型又はP型の拡散
    層を設けて、この拡散層の表面に、一方の外部接続用電
    極を形成する一方、前記シリコンチップの表面に形成し
    た絶縁膜の表面に、一方の電極膜を、当該一方の電極膜
    が前記一方の外部接続用電極に電気的に導通するように
    形成し、この一方の電極膜の表面に、絶縁膜を挟んで他
    方の電極膜を、当該他方の電極膜が前記一方の外部接続
    用電極に対して重ならないように形成して、この他方の
    電極膜に、他方の外部接続用電極を設けたことを特徴と
    するダイオードとコンデンサとを備えたチップ型複合素
    子の構造。
  2. 【請求項2】前記「請求項1」において、前記外部接続
    用電極と、前記他方の外部接続用電極とを、シリコンチ
    ップの平面視で、互いに対角をなす角隅部に配設したこ
    とを特徴とするダイオードとコンデンサとを備えたチッ
    プ型複合素子の構造。
JP7184179A 1995-07-20 1995-07-20 ダイオードとコンデンサとを備えたチップ型複合素子の構造 Pending JPH0936305A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004102798A1 (ja) * 2003-05-14 2004-11-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波分波器
US7023297B2 (en) 2003-05-14 2006-04-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave branching filter
JP2007180425A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Eudyna Devices Inc 半導体装置

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